半導(dǎo)體物理-薄膜晶體管簡(jiǎn)介

薄膜晶

傳統(tǒng)硅?31st 1st 2ndGen.10thGen.11thGen.3rd4th5th6th7th8th4TFTvs工藝溫度：<600C

工藝處理溫度高:5TFTvs6TFT起著一個(gè)開關(guān)作用(Switching

7TFTLCD1/601/60-工作主要相關(guān)參充TFT的開態(tài)電流遷移率，電容等），接觸電過維TFT的關(guān)態(tài)電流，LC電阻與容9開關(guān)TFTswitching驅(qū)動(dòng)TFTdriving遷移率30~100

遷移率1非晶硅a- AMLCD95%占有率

遷移率10~30R&D7326

SamsungS7577ppi

遷移率1a- AMLCD95%占有率

金屬氧化物a-R&D(Dangling在禁帶中形成大量的缺陷態(tài)，而且是(localized聲子的協(xié)助，電子的運(yùn)動(dòng)是跳躍式

使用PECVD等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積方法沉積薄膜。氣源：硅烷事實(shí)上通常對(duì)a-Si進(jìn)行氫化處理，成為氫化非晶硅（a-Si:H）。氫化后的非通常氫原子摻入量在10at.%以下典型a-Si:HTFT使用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積PECVDSiNx薄氣源：SiH4、工藝溫度為：350C，單晶硅的熱氧則要擊穿電場(chǎng)：>柵介質(zhì)常數(shù)柵介質(zhì)<

Poole-發(fā)射閾值電壓提取分成導(dǎo)電通道的載流子仍然是 柵漏電極間的電場(chǎng)強(qiáng)柵漏電 面

缺陷態(tài)密度與分HTFT 遷移率30~100

a-

金屬氧化物a-R&D7326

SamsungS7577ppi<130~200>600低溫多晶硅LTPSTFT遷移率：0.5~1

遷移率：30~200SOP

融化(>1400C)重新結(jié)晶ELA技術(shù)在5.5代線上的應(yīng)用高分辨率固相晶化法-- 時(shí)間長(zhǎng)，24----Ni與Si形成NiSi2結(jié)晶溫度可小于時(shí)間變短，~10晶粒橫向生時(shí)間較晶粒更可減少金屬對(duì)薄膜、TFT器的影 器件尺寸 NP玻去離子水噴淋除120℃去油脂和金屬離子脫水、烘緩沖層

350oC200nmLTOorPECVD等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣區(qū)降低缺陷中心形成和漏電生。

使用PECVD沉積30-nma-Si薄

使用第1道掩

50-200nmSiO2柵介PECVD沉積熱氧化>1000C 磁控濺射300nmAl薄使用第2道掩膜版光刻形成柵電 光刻

n型TFTp型TFT：硼在多晶硅膜中自對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)，減少寄生電干法去熱退火激活摻

使用PECVD沉積使用第3道掩膜版光刻形觸刻蝕接觸去膠 、脫水、烘干

磁控濺射沉積透明電極 陷阱到導(dǎo)帶的過程或者直接隧穿Band-To-Band-Tunneling(BTBT)。減少缺陷態(tài)密度：氫化短溝道多晶硅TFT翹曲效應(yīng)(Kink

N- W=1.5

IDIDxL/W(A50

=100L=20mL=1.5m DrainVoltageVD(V

溝道變短→橫向電場(chǎng)增強(qiáng) 稀放出來→同時(shí)在此電場(chǎng)Isub=IDxxqEexp[ ]

VD→電子流向漏極→空穴板方向運(yùn)動(dòng)→空穴在

BeforepassivationAfterpassivationN-WBeforepassivationAfterpassivationN-W/L=10m/3mTch=100nm500 DrainVoltageVD(VUnpassivatedDeviceDrainCurrentIDPassivatedDeviceDrainCurrentID目前，全球只有三星一家量產(chǎn)LTPS公地產(chǎn)京東綿Gen友昆Gen天Gen華星光Gen維信昆Gen天廈Gen信惠Gena-最為

遷移率10~30金屬氧化物a-R&D金屬氧化物71.431.732.863.23.37~3.5非晶a-IGZO a-IGZOTFT，雖然為非晶態(tài)，但遷移率可達(dá)10cm2/Vs，比a-Si:HTFT的遷移率高10倍。遷移率適中，可適用于高掃描頻率高分辨率的AMLCD非晶態(tài)，均勻性好，可適合大尺寸顯示到1