反應(yīng)離子刻蝕課件_第1頁
反應(yīng)離子刻蝕課件_第2頁
反應(yīng)離子刻蝕課件_第3頁
反應(yīng)離子刻蝕課件_第4頁
反應(yīng)離子刻蝕課件_第5頁
已閱讀5頁，還剩12頁未讀， 繼續(xù)免費(fèi)閱讀

下載本文檔

版權(quán)說明：本文檔由用戶提供并上傳，收益歸屬內(nèi)容提供方，若內(nèi)容存在侵權(quán)，請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)

文檔簡(jiǎn)介

反應(yīng)離子刻蝕

ReactiveIonEtching

刻蝕方法簡(jiǎn)介RIE刻蝕原理RIE刻蝕術(shù)語RIE刻蝕的工藝優(yōu)化RIE刻蝕機(jī)RIE刻蝕不足與損傷刻蝕技術(shù)濕法干法化學(xué)刻蝕電解刻蝕離子束濺射刻蝕（物理作用）等離子體刻蝕（化學(xué)作用）反應(yīng)離子刻蝕（物理化學(xué)作用）刻蝕技術(shù)分類：ReactiveIonEtching什么是反應(yīng)離子刻蝕？是一種微電子干法腐蝕工藝。原理：當(dāng)在平板電極之間施加高頻電壓時(shí)會(huì)產(chǎn)生數(shù)百微米厚的離子層，在其中放入試樣，離子高速撞擊試樣而完成化學(xué)反應(yīng)刻蝕。反應(yīng)離子刻蝕（物理化學(xué)作用）?機(jī)理：物理性的離子轟擊和化學(xué)反應(yīng)相結(jié)合實(shí)現(xiàn)的刻蝕。離子轟擊改善化學(xué)刻蝕作用。?設(shè)備：反應(yīng)離子刻蝕機(jī)（RIE)傳統(tǒng)的RIE設(shè)備結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、價(jià)格較低廉。通過適當(dāng)選擇反應(yīng)氣體、氣壓、流量和射頻功率，可以得到較快的刻蝕速率和良好的各向異性。?特點(diǎn)：.選擇比較高；各向異性較好；刻蝕速度較快離子轟擊的作用

A.離子轟擊將被刻蝕材料表面的原子鍵破壞使化學(xué)反應(yīng)增強(qiáng)。B.再將淀積于被刻蝕表面的產(chǎn)物或聚合物打掉反應(yīng)離子刻蝕在RIE設(shè)備中，使用非對(duì)稱腔體。為了保持電流連續(xù)性，小電極處應(yīng)有更高的電場(chǎng)(更高的RF電流密度）。自由基反應(yīng)各向同性刻蝕，高能離子轟擊各向異性刻蝕RIE刻蝕術(shù)語刻蝕速率選擇比刻蝕均勻性刻蝕剖面條件

結(jié)果待處理材料通入氣體刻蝕速率(nm/min)SiO2CHF3、O245.66GaAsBCl3400AlAsBCl3350DBRBCl3340Pt電極SF6、O212.4Si3N4CHF3、CF4、O240SiSF6、C4F8300RIE中的物理損傷和雜質(zhì)驅(qū)進(jìn)在含碳的RIE刻蝕后，頂部30埃由于大量的Si-C鍵缺陷引起大量損傷，嚴(yán)重?fù)p傷可達(dá)300埃深。三級(jí)式反應(yīng)離子刻蝕機(jī)解決RIE離子能量隨等離子體密度增加使得刻蝕效率變差的問題。它有三個(gè)電極可以將等離子體的產(chǎn)生與離子的加速分開控制。磁場(chǎng)強(qiáng)化活性離子刻蝕

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明，都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等，如果需要附件，請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙，網(wǎng)頁內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽，若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 人人文庫網(wǎng)僅提供信息存儲(chǔ)空間，僅對(duì)用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理，對(duì)用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯，并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容，請(qǐng)與我們聯(lián)系，我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評(píng)論

0/150

提交評(píng)論