大學物理第15章磁介質(zhì)的磁化課件

磁介質(zhì):實體物質(zhì)在磁場作用下呈現(xiàn)磁性,該物體稱磁介質(zhì)。電介質(zhì)極化：磁介質(zhì)磁化：總磁感強度外加磁感強度附加磁感強度磁化:磁介質(zhì)在磁場中呈現(xiàn)磁性(在磁場的作用下產(chǎn)生附加磁場)的現(xiàn)象稱為磁化。磁介質(zhì)的三種類型：順磁質(zhì)、抗磁質(zhì)、鐵磁質(zhì)。電學與磁學類比：15.1磁介質(zhì)的磁化磁化強度矢量磁介質(zhì):實體物質(zhì)在磁場作用下呈現(xiàn)磁性,該物體稱磁介質(zhì)。電介質(zhì)1實驗發(fā)現(xiàn)：有、無磁介質(zhì)的螺旋管內(nèi)磁感應(yīng)強度的比值，可表征它們在磁場中的性質(zhì)。相對磁導率:順磁質(zhì)：如氧、鋁、鎢、鉑、鉻等。磁介質(zhì)抗磁質(zhì)：鐵磁質(zhì)：如氮、水、銅、銀、金、鉍等。如鐵、鈷、鎳等，超導體是理想的抗磁體。B與B0

同方向，B與B0

反方向，B與B0

同方向，1.磁介質(zhì)的分類：1.磁介質(zhì)的分類：實驗發(fā)現(xiàn)：有、無磁介質(zhì)的螺旋管內(nèi)磁感應(yīng)強度的比值，可表征它們21).分子電流模型和分子磁矩原子中電子參與兩種運動：自旋及繞核的軌道運動，對應(yīng)有軌道磁矩和自旋磁矩。用等效的分子電流的磁效應(yīng)來表示各個電子對外界磁效應(yīng)的總合，稱為分子固有磁矩?？勾刨|(zhì)：順磁質(zhì)：未加外磁場時:類比：電介質(zhì)的微觀圖象有極分子、無極分子。不顯磁性2、順磁質(zhì)與抗磁質(zhì)的微觀機制1).分子電流模型和分子磁矩原子中電子參與兩3加外磁場時:順磁質(zhì)：當外磁場存在時，各分子固有磁矩受磁場力矩的作用，或多或少地轉(zhuǎn)向磁場方向——順磁質(zhì)的磁化。怎么解釋抗磁質(zhì)：B

B0，B與B0反方向!!!54順磁質(zhì)的磁化1ok.swf2).順磁質(zhì)的磁化加外磁場時:順磁質(zhì)：當外磁場存在時，各分子固有磁矩受磁場力矩4*電子的進動：在外磁場作用下，每個電子除了保持環(huán)繞原子核的運動和電子本身的自旋以外，還要附加電子磁矩以外磁場方向為軸線的轉(zhuǎn)動。進動方向一致!進動可以證明：不論電子原來的磁矩與磁場方向之間的夾角是何值，這種進動等效圓電流附加磁矩μL的方向永遠與B0的方向相反。抗磁質(zhì)：*電子的進動：在外磁場作用下，每個電子除了保持環(huán)繞原子核的運553電子的拉莫進動.swf在有外磁場時軌道角動量繞磁場旋進，電子附加一個與磁感強度相反的磁矩，分子中各電子因進動而產(chǎn)生的磁效應(yīng)的總和,稱分子的附加磁矩,方向與外磁場反向,決定了分子的抗磁性.3).抗磁質(zhì)的磁化53電子的拉莫進動.swf在有外磁場時軌道角動量繞磁場旋進6B）不管哪種介質(zhì)，在無外場時，對外不顯磁性.電子進動產(chǎn)生的附加磁矩總是減弱外磁場.與相差兩個數(shù)量級。因此順磁質(zhì)中的磁場是加強了。C)3.磁化強度:單位體積內(nèi)分子磁矩的矢量和。它帶來附加磁場的貢獻。注意：A）抗磁質(zhì)固有磁矩為零，并不意味著電子不自旋，電子不繞原子核運動。分子中所有電子的軌道磁矩和自旋磁矩矢量和為零。B）不管哪種介質(zhì)，在無外場時，對外不顯磁性.電子進動產(chǎn)生的附7注意：1）要宏觀無限小，微觀無限大。2）順磁質(zhì)中，M與外場方向一致，抗磁質(zhì)中，M與外場方向相反。4）物理含義--描述物質(zhì)磁化的程度與狀態(tài)。3）M的單位：顯然，磁化越厲害，分子磁矩的矢量和越大。對外磁場的影響也越大。（加強或減弱）抗磁質(zhì)注意：1）要宏觀無限小，2）順磁質(zhì)中，M與8磁化面電流LR順磁質(zhì)L大?。簡挝婚L度磁介質(zhì)表面流過的磁化面電流方向：該處磁化面電流的方向。4磁化強度與磁化電流間的關(guān)系面電流密度對于各向同性的均勻介質(zhì)，介質(zhì)內(nèi)部各分子電流相互抵消，而在介質(zhì)表面，未被抵消的分子電流相互拼接，在磁化圓柱的表面出現(xiàn)一層電流，稱為磁化面電流。磁化面電流LR順磁質(zhì)L大?。簡挝婚L度磁介質(zhì)表面流過的磁化面電9一般言之：介質(zhì)表面磁化面電流密度LSM式中：為磁化強度為介質(zhì)表面外法線的單位矢量。（微分關(guān)系）取一長為l面積為S的磁介質(zhì)。則：一般言之：介質(zhì)表面磁化面電流密度LSM式中：為磁化強度為介質(zhì)10abcda作閉合回路求積分abcd積分關(guān)系磁化強度對閉合回路的線積分等于通過回路所包圍的面積內(nèi)的總磁化電流。磁化強度與磁化面電流的關(guān)系，雖然是從特例給出，但是普遍成立的。abcda作閉合回路求積分abcd積分關(guān)系磁化強度對11無磁介質(zhì)時有磁介質(zhì)時定義磁場強度

磁介質(zhì)中的安培環(huán)路定理：磁場強度沿任意閉合路徑的線積分等于穿過該路徑的所有傳導電流的代數(shù)和，而與磁化電流無關(guān)。15.2有介質(zhì)時的安培環(huán)路定理磁化電流傳導電流有磁介質(zhì)的總場無磁介質(zhì)時有磁介質(zhì)時定義磁場強度磁介質(zhì)中的安培環(huán)路定12

實驗證明：對于各向同性的介質(zhì)，在磁介質(zhì)中任意一點磁化強度和磁場強度成正比。

式中m稱為磁介質(zhì)的磁化率，是一個純數(shù)。磁導率=0r實驗證明：對于各向同性的介質(zhì)，在磁介質(zhì)中任意一點磁化13說明：1）是一輔助物理量，描述磁場的基本物理量仍然是3）是一普遍關(guān)系式在各向同性的介質(zhì)中：在電流和磁介質(zhì)分布有對稱性時，通過先求H，再通過B=0rH求B.2）的單位是A/m（SI制）說明：1）是一輔助物理量，描述磁場的基本物理量3）是14例：長直螺旋管內(nèi)充滿均勻磁介質(zhì)r，設(shè)電流I0，單位長度上的匝數(shù)為

n。求管內(nèi)的磁感應(yīng)強度。解：因管外磁場為零，取如圖所示安培回路例：長直螺旋管內(nèi)充滿均勻磁介質(zhì)r，設(shè)電流I0，單位長度上15例:在均勻密繞的螺繞環(huán)內(nèi)充滿均勻的順磁介質(zhì)，已知螺繞環(huán)中的傳導電流為I，單位長度內(nèi)匝數(shù)n，環(huán)的橫截面半徑比環(huán)的平均半徑小得多，磁介質(zhì)的相對磁導率和磁導率分別為r和，求環(huán)內(nèi)的磁場強度和磁感應(yīng)強度。解：在環(huán)內(nèi)任取一點，過該點作一和環(huán)同心、半徑為r的圓形回路。式中N為螺繞環(huán)上線圈的總匝數(shù)。由對稱性可知，在所取圓形回路上各點的磁場強度的大小相等，方向都沿切線。當環(huán)內(nèi)充滿均勻介質(zhì)時例:在均勻密繞的螺繞環(huán)內(nèi)充滿均勻的順磁介質(zhì)，已知螺繞環(huán)中的傳16例：如圖所示，一半徑為R1的無限長圓柱體（導體

≈0）中均勻地通有電流I，在它外面有半徑為R2的無限長同軸圓柱面，兩者之間充滿著磁導率為

的均勻磁介質(zhì)，在圓柱面上通有相反方向的電流I。試求(1)圓柱體外圓柱面內(nèi)一點的磁場；(2)圓柱體內(nèi)一點磁場；(3)圓柱面外一點的磁場。解:

(1)當兩個無限長的同軸圓柱體和圓柱面中有電流通過時，它們所激發(fā)的磁場是軸對稱分布的，而磁介質(zhì)亦呈軸對稱分布，因而不會改變場的這種對稱分布。設(shè)圓柱體外圓柱面內(nèi)一點到軸的垂直距離是r1，以r1為半徑作一圓，取此圓為積分回路，根據(jù)安培環(huán)路定理有IIIR1R2r1例：如圖所示，一半徑為R1的無限長圓柱體（導體≈0）中17IIIR1R2r1r2(2)設(shè)在圓柱體內(nèi)一點到軸的垂直距離是r2，則以r2為半徑作一圓，根據(jù)安培環(huán)路定理有(3)在圓柱面外取一點，它到軸的垂直距離是r3，以r3為半徑作一圓，根據(jù)安培環(huán)路定理,考慮到環(huán)路中所包圍的電流的代數(shù)和為零，所以得r3IIIR1R2r1r2(2)設(shè)在圓柱體內(nèi)一點到軸的垂直距離18裝置：螺繞環(huán);鐵磁質(zhì)沖擊電流計測量B鐵磁質(zhì)的r

非線性；15.3鐵磁質(zhì)原理:勵磁電流I;

用安培定理得H一磁化規(guī)律起始磁化曲線；磁飽和現(xiàn)象裝置：螺繞環(huán);鐵磁質(zhì)沖擊電流計測量B鐵磁質(zhì)的r非線性19B的變化落后于H，從而具有剩磁，即磁滯效應(yīng)起始磁化曲線；剩磁飽和磁感應(yīng)強度矯頑力磁滯回線--不可逆過程當溫度升高到一定程度時，高磁導率、磁滯、磁致伸縮等一系列特殊狀態(tài)全部消失，而變?yōu)轫槾判?。這溫度稱鐵磁質(zhì)的居里點。如：鐵為1040K，鈷為1390K，鎳為630K.B的變化落后于H，從而具有剩磁，即磁滯效應(yīng)起始磁化曲線；剩磁202）有剩磁，去磁要有矯頑力Hc3）具有使鐵磁質(zhì)性質(zhì)消失的“居里點”。1）B、H具有非線性關(guān)系，數(shù)值都很大。鐵磁性材料的特點：裝置如圖所示：將懸掛著的鎳片移近永久磁鐵，即被吸住，說明鎳片在室溫下具有鐵磁性。用酒精燈加熱鎳片，當鎳片的溫度升高到超過一定溫度時，鎳片不再被吸引，在重力作用下擺回平衡位置，說明鎳片的鐵磁性消失，變?yōu)轫槾判浴Ｒ迫ゾ凭珶?，稍待片刻，鎳片溫度下降到居里點以下恢復鐵磁性，又被磁鐵吸住。2）有剩磁，去磁要有矯頑力Hc3）具有使鐵磁質(zhì)性質(zhì)消失的“21作變壓器的軟磁材料。純鐵，硅鋼坡莫合金(Fe，Ni)，鐵氧體等。r大，易磁化、易退磁（起始磁化率大）。飽和磁感應(yīng)強度大，矯頑力(Hc)小，磁滯回線的面積窄而長，損耗小。用于繼電器、電機、以及各種高頻電磁元件的磁芯、磁棒。作永久磁鐵的硬磁材料鎢鋼，碳鋼，鋁鎳鈷合金矯頑力(Hc)大（>102A/m)，剩磁Br大磁滯回線的面積大，損耗大。用于磁電式電表中的永磁鐵。耳機中的永久磁鐵，永磁揚聲器。二鐵磁質(zhì)的應(yīng)用作變壓器的軟磁材料。r大，易磁化、易退磁（起始磁化率大）。22作存儲元件的矩磁材料Br=BS，Hc不大，磁滯回線是矩形。用于記憶元件，當+脈沖產(chǎn)生H>Hc使磁芯呈+B態(tài)，則–脈沖產(chǎn)生H<–Hc使磁芯呈–

B態(tài)，可做為二進制的兩個態(tài)。錳鎂鐵氧體，鋰錳鐵氧體壓磁材料具有較強的磁致伸縮效應(yīng).BHO磁致伸縮有一定固有頻率當外磁場變化頻率和固有頻率一致發(fā)生共振常用于制造激振器、超聲波發(fā)生器。作存儲元件的矩磁材料Br=BS，Hc不大，磁滯回線是矩形。錳23磁疇(～104m)三、鐵磁質(zhì)磁化的微觀機理成因：一種量子作用---電子軌道交疊產(chǎn)生的一種交換耦合作用，使電子自旋取一致平行的排列，形成自發(fā)的磁化區(qū)域--磁疇。純鐵硅鐵鈷Si-Fe單晶(001)面的磁疇結(jié)構(gòu)箭頭表示磁化方向0.1mm磁疇(～104m)三、鐵磁質(zhì)磁化的微觀機理成因：一種量子作24在外磁場作用下，磁矩與外磁場同方向排列時的磁能將低于磁矩與外磁反向排列時的磁能，結(jié)果是自發(fā)磁化磁矩和外磁場成小角度的磁疇處于有利地位，這些磁疇體積逐漸擴大，而自發(fā)磁化磁矩與外磁場成較大角度的磁疇體積逐漸縮小。隨著外磁場的不斷增強，取向與外磁場成較大角度的磁疇全部消失，留存的磁疇將向外磁場的方向旋轉(zhuǎn)，以后再繼續(xù)增加磁場，所有磁疇都沿外磁場方向整齊排列，這時磁化達到飽和。在沒有外磁場作用時，磁體體內(nèi)磁矩排列雜亂，任意物理無限小體積內(nèi)的平均磁矩為零。在外磁場作用下，磁矩與外磁場同方向排列時的磁能將低于25順磁質(zhì)和鐵磁質(zhì)的磁導率明顯地依賴于溫度，而抗磁質(zhì)的磁導率則幾乎與溫度無關(guān)，為什么？答：順磁質(zhì)的磁性主要來源于分子的固有磁矩沿外磁場方向的取向排列。當溫度升高時，由于熱運動的緣故，這些固有磁矩更易趨向混亂，而不易沿外磁場方向排列，使得順磁質(zhì)的磁性因磁導率明顯地依賴于溫度。鐵磁質(zhì)的磁性主要來源于磁疇的磁矩方向沿外磁場方向的取向排列。當溫度升高時，各磁疇的磁矩方向易趨向混亂而使鐵磁質(zhì)的磁性減小，因而鐵磁質(zhì)的磁導率會明顯地依賴于溫度。當鐵磁質(zhì)的溫度超過居里點時，其磁性還會完全消失。至于抗磁質(zhì)，它的磁性來源于抗磁質(zhì)分子在外磁場中所產(chǎn)生的與外磁場方向相反的感生磁矩，不存在磁矩的方向排列問題，因而抗磁質(zhì)的磁性和分子的熱運動情況無關(guān)，這就是抗磁質(zhì)的磁導率幾乎與溫度無關(guān)的原因。順磁質(zhì)和鐵磁質(zhì)的磁導率明顯地依賴于溫度，而抗磁質(zhì)的磁導率則幾26

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更多品資源請訪問更多品資源請訪問28磁介質(zhì):實體物質(zhì)在磁場作用下呈現(xiàn)磁性,該物體稱磁介質(zhì)。電介質(zhì)極化：磁介質(zhì)磁化：總磁感強度外加磁感強度附加磁感強度磁化:磁介質(zhì)在磁場中呈現(xiàn)磁性(在磁場的作用下產(chǎn)生附加磁場)的現(xiàn)象稱為磁化。磁介質(zhì)的三種類型：順磁質(zhì)、抗磁質(zhì)、鐵磁質(zhì)。電學與磁學類比：15.1磁介質(zhì)的磁化磁化強度矢量磁介質(zhì):實體物質(zhì)在磁場作用下呈現(xiàn)磁性,該物體稱磁介質(zhì)。電介質(zhì)29實驗發(fā)現(xiàn)：有、無磁介質(zhì)的螺旋管內(nèi)磁感應(yīng)強度的比值，可表征它們在磁場中的性質(zhì)。相對磁導率:順磁質(zhì)：如氧、鋁、鎢、鉑、鉻等。磁介質(zhì)抗磁質(zhì)：鐵磁質(zhì)：如氮、水、銅、銀、金、鉍等。如鐵、鈷、鎳等，超導體是理想的抗磁體。B與B0

同方向，B與B0

反方向，B與B0

同方向，1.磁介質(zhì)的分類：1.磁介質(zhì)的分類：實驗發(fā)現(xiàn)：有、無磁介質(zhì)的螺旋管內(nèi)磁感應(yīng)強度的比值，可表征它們301).分子電流模型和分子磁矩原子中電子參與兩種運動：自旋及繞核的軌道運動，對應(yīng)有軌道磁矩和自旋磁矩。用等效的分子電流的磁效應(yīng)來表示各個電子對外界磁效應(yīng)的總合，稱為分子固有磁矩?？勾刨|(zhì)：順磁質(zhì)：未加外磁場時:類比：電介質(zhì)的微觀圖象有極分子、無極分子。不顯磁性2、順磁質(zhì)與抗磁質(zhì)的微觀機制1).分子電流模型和分子磁矩原子中電子參與兩31加外磁場時:順磁質(zhì)：當外磁場存在時，各分子固有磁矩受磁場力矩的作用，或多或少地轉(zhuǎn)向磁場方向——順磁質(zhì)的磁化。怎么解釋抗磁質(zhì)：B

B0，B與B0反方向!!!54順磁質(zhì)的磁化1ok.swf2).順磁質(zhì)的磁化加外磁場時:順磁質(zhì)：當外磁場存在時，各分子固有磁矩受磁場力矩32*電子的進動：在外磁場作用下，每個電子除了保持環(huán)繞原子核的運動和電子本身的自旋以外，還要附加電子磁矩以外磁場方向為軸線的轉(zhuǎn)動。進動方向一致!進動可以證明：不論電子原來的磁矩與磁場方向之間的夾角是何值，這種進動等效圓電流附加磁矩μL的方向永遠與B0的方向相反。抗磁質(zhì)：*電子的進動：在外磁場作用下，每個電子除了保持環(huán)繞原子核的運3353電子的拉莫進動.swf在有外磁場時軌道角動量繞磁場旋進，電子附加一個與磁感強度相反的磁矩，分子中各電子因進動而產(chǎn)生的磁效應(yīng)的總和,稱分子的附加磁矩,方向與外磁場反向,決定了分子的抗磁性.3).抗磁質(zhì)的磁化53電子的拉莫進動.swf在有外磁場時軌道角動量繞磁場旋進34B）不管哪種介質(zhì)，在無外場時，對外不顯磁性.電子進動產(chǎn)生的附加磁矩總是減弱外磁場.與相差兩個數(shù)量級。因此順磁質(zhì)中的磁場是加強了。C)3.磁化強度:單位體積內(nèi)分子磁矩的矢量和。它帶來附加磁場的貢獻。注意：A）抗磁質(zhì)固有磁矩為零，并不意味著電子不自旋，電子不繞原子核運動。分子中所有電子的軌道磁矩和自旋磁矩矢量和為零。B）不管哪種介質(zhì)，在無外場時，對外不顯磁性.電子進動產(chǎn)生的附35注意：1）要宏觀無限小，微觀無限大。2）順磁質(zhì)中，M與外場方向一致，抗磁質(zhì)中，M與外場方向相反。4）物理含義--描述物質(zhì)磁化的程度與狀態(tài)。3）M的單位：顯然，磁化越厲害，分子磁矩的矢量和越大。對外磁場的影響也越大。（加強或減弱）抗磁質(zhì)注意：1）要宏觀無限小，2）順磁質(zhì)中，M與36磁化面電流LR順磁質(zhì)L大?。簡挝婚L度磁介質(zhì)表面流過的磁化面電流方向：該處磁化面電流的方向。4磁化強度與磁化電流間的關(guān)系面電流密度對于各向同性的均勻介質(zhì)，介質(zhì)內(nèi)部各分子電流相互抵消，而在介質(zhì)表面，未被抵消的分子電流相互拼接，在磁化圓柱的表面出現(xiàn)一層電流，稱為磁化面電流。磁化面電流LR順磁質(zhì)L大?。簡挝婚L度磁介質(zhì)表面流過的磁化面電37一般言之：介質(zhì)表面磁化面電流密度LSM式中：為磁化強度為介質(zhì)表面外法線的單位矢量。（微分關(guān)系）取一長為l面積為S的磁介質(zhì)。則：一般言之：介質(zhì)表面磁化面電流密度LSM式中：為磁化強度為介質(zhì)38abcda作閉合回路求積分abcd積分關(guān)系磁化強度對閉合回路的線積分等于通過回路所包圍的面積內(nèi)的總磁化電流。磁化強度與磁化面電流的關(guān)系，雖然是從特例給出，但是普遍成立的。abcda作閉合回路求積分abcd積分關(guān)系磁化強度對39無磁介質(zhì)時有磁介質(zhì)時定義磁場強度

磁介質(zhì)中的安培環(huán)路定理：磁場強度沿任意閉合路徑的線積分等于穿過該路徑的所有傳導電流的代數(shù)和，而與磁化電流無關(guān)。15.2有介質(zhì)時的安培環(huán)路定理磁化電流傳導電流有磁介質(zhì)的總場無磁介質(zhì)時有磁介質(zhì)時定義磁場強度磁介質(zhì)中的安培環(huán)路定40

實驗證明：對于各向同性的介質(zhì)，在磁介質(zhì)中任意一點磁化強度和磁場強度成正比。

式中m稱為磁介質(zhì)的磁化率，是一個純數(shù)。磁導率=0r實驗證明：對于各向同性的介質(zhì)，在磁介質(zhì)中任意一點磁化41說明：1）是一輔助物理量，描述磁場的基本物理量仍然是3）是一普遍關(guān)系式在各向同性的介質(zhì)中：在電流和磁介質(zhì)分布有對稱性時，通過先求H，再通過B=0rH求B.2）的單位是A/m（SI制）說明：1）是一輔助物理量，描述磁場的基本物理量3）是42例：長直螺旋管內(nèi)充滿均勻磁介質(zhì)r，設(shè)電流I0，單位長度上的匝數(shù)為

n。求管內(nèi)的磁感應(yīng)強度。解：因管外磁場為零，取如圖所示安培回路例：長直螺旋管內(nèi)充滿均勻磁介質(zhì)r，設(shè)電流I0，單位長度上43例:在均勻密繞的螺繞環(huán)內(nèi)充滿均勻的順磁介質(zhì)，已知螺繞環(huán)中的傳導電流為I，單位長度內(nèi)匝數(shù)n，環(huán)的橫截面半徑比環(huán)的平均半徑小得多，磁介質(zhì)的相對磁導率和磁導率分別為r和，求環(huán)內(nèi)的磁場強度和磁感應(yīng)強度。解：在環(huán)內(nèi)任取一點，過該點作一和環(huán)同心、半徑為r的圓形回路。式中N為螺繞環(huán)上線圈的總匝數(shù)。由對稱性可知，在所取圓形回路上各點的磁場強度的大小相等，方向都沿切線。當環(huán)內(nèi)充滿均勻介質(zhì)時例:在均勻密繞的螺繞環(huán)內(nèi)充滿均勻的順磁介質(zhì)，已知螺繞環(huán)中的傳44例：如圖所示，一半徑為R1的無限長圓柱體（導體

≈0）中均勻地通有電流I，在它外面有半徑為R2的無限長同軸圓柱面，兩者之間充滿著磁導率為

的均勻磁介質(zhì)，在圓柱面上通有相反方向的電流I。試求(1)圓柱體外圓柱面內(nèi)一點的磁場；(2)圓柱體內(nèi)一點磁場；(3)圓柱面外一點的磁場。解:

(1)當兩個無限長的同軸圓柱體和圓柱面中有電流通過時，它們所激發(fā)的磁場是軸對稱分布的，而磁介質(zhì)亦呈軸對稱分布，因而不會改變場的這種對稱分布。設(shè)圓柱體外圓柱面內(nèi)一點到軸的垂直距離是r1，以r1為半徑作一圓，取此圓為積分回路，根據(jù)安培環(huán)路定理有IIIR1R2r1例：如圖所示，一半徑為R1的無限長圓柱體（導體≈0）中45IIIR1R2r1r2(2)設(shè)在圓柱體內(nèi)一點到軸的垂直距離是r2，則以r2為半徑作一圓，根據(jù)安培環(huán)路定理有(3)在圓柱面外取一點，它到軸的垂直距離是r3，以r3為半徑作一圓，根據(jù)安培環(huán)路定理,考慮到環(huán)路中所包圍的電流的代數(shù)和為零，所以得r3IIIR1R2r1r2(2)設(shè)在圓柱體內(nèi)一點到軸的垂直距離46裝置：螺繞環(huán);鐵磁質(zhì)沖擊電流計測量B鐵磁質(zhì)的r

非線性；15.3鐵磁質(zhì)原理:勵磁電流I;

用安培定理得H一磁化規(guī)律起始磁化曲線；磁飽和現(xiàn)象裝置：螺繞環(huán);鐵磁質(zhì)沖擊電流計測量B鐵磁質(zhì)的r非線性47B的變化落后于H，從而具有剩磁，即磁滯效應(yīng)起始磁化曲線；剩磁飽和磁感應(yīng)強度矯頑力磁滯回線--不可逆過程當溫度升高到一定程度時，高磁導率、磁滯、磁致伸縮等一系列特殊狀態(tài)全部消失，而變?yōu)轫槾判浴＿@溫度稱鐵磁質(zhì)的居里點。如：鐵為1040K，鈷為1390K，鎳為630K.B的變化落后于H，從而具有剩磁，即磁滯效應(yīng)起始磁化曲線；剩磁482）有剩磁，去磁要有矯頑力Hc3）具有使鐵磁質(zhì)性質(zhì)消失的“居里點”。1）B、H具有非線性關(guān)系，數(shù)值都很大。鐵磁性材料的特點：裝置如圖所示：將懸掛著的鎳片移近永久磁鐵，即被吸住，說明鎳片在室溫下具有鐵磁性。用酒精燈加熱鎳片，當鎳片的溫度升高到超過一定溫度時，鎳片不再被吸引，在重力作用下擺回平衡位置，說明鎳片的鐵磁性消失，變?yōu)轫槾判?。移去酒精燈，稍待片刻，鎳片溫度下降到居里點以下恢復鐵磁性，又被磁鐵吸住。2）有剩磁，去磁要有矯頑力Hc3）具有使鐵磁質(zhì)性質(zhì)消失的“49作變壓器的軟磁材料。純鐵，硅鋼坡莫合金(Fe，Ni)，鐵氧體等。r大，易磁化、易退磁（起始磁化率大）。飽和磁感應(yīng)強度大，矯頑力(Hc)小，磁滯回線的面積窄而長，損耗小。用于繼電器、電機、以及各種高頻電磁元件的磁芯、磁棒。作永久磁鐵的硬磁材料鎢鋼，碳鋼，鋁鎳鈷合金矯頑力(Hc)大（>102A/m)，剩磁Br大磁滯回線的面積大，損耗大。用于磁電式電表中的永磁鐵。耳機中的永久磁鐵，永磁揚聲器。二鐵磁質(zhì)的應(yīng)用作變壓器的軟磁材料。r大，易磁化、易退磁（起始磁化率大）。50作存儲元件的矩磁材料Br=BS，Hc不大，磁滯回線是矩形。用于記憶元件，當+脈沖