985選三原子在三維空間里呈周期

1、晶體和非晶體原子在 里呈周 序排原子排列相 法1、晶體和非晶體原子在 里呈周 序排原子排列相 法2、晶胞的定義概念:描述晶體結(jié)構(gòu) 無隙:相鄰晶胞之間沒有任 并置:所有晶胞都是平行排列的, 相同2、晶胞的定義概念:描述晶體結(jié)構(gòu) 無隙:相鄰晶胞之間沒有任 并置:所有晶胞都是平行排列的, 相同【例1】判斷下列說法是否正確(1()(2()((3)(4)(5)晶體與非晶體的本質(zhì)區(qū)別:)(6)【例1】判斷下列說法是否正確(1()(2()((3)(4)(5)晶體與非晶體的本質(zhì)區(qū)別:)(6)【例2】下圖為離子晶體空間構(gòu)型示意圖表示離子表示陰離子),以M表示陽離子,以N表示陰離子寫出各離子晶體的組成表達(dá)式【例2】下圖為離子晶體空間構(gòu)型示意圖表示離子表示陰離子),以M表示陽離子,以N表示陰離子寫出各離子晶體的組成表達(dá)式1、四種晶體類型比較(某些含氫鍵1、四種晶體類型比較(某些含氫鍵1、四種晶體類型比較1、四種晶體類型比較2、晶格能(1)定義：氣態(tài)離子形成1mol的能量,: 常取正值(2離子所帶電荷數(shù):離子所帶電荷數(shù)越多,晶格能 晶格能越大,形成的離子晶體 ,硬度 2、晶格能(1)定義：氣態(tài)離子形成1mol的能量,: 常取正值(2離子所帶電荷數(shù):離子所帶電荷數(shù)越多,晶格能 晶格能越大,形成的離子晶體 ,硬度 【例3】判斷下列說法是否正確(())))一定比金屬晶體的高一定比金屬晶體的低(((5()(6晶體()【例3】判斷下列說法是否正確(())))一定比金屬晶體的高一定比金屬晶體的低(((5()(6晶體()【例4】下列晶體分類中正確的一組()ABSC【例4】下列晶體分類中正確的一組()ABSCD石【例5】下列各物質(zhì)的晶體中,晶體類型相同的是)A.CCl4與C.NaClBSiO【例5】下列各物質(zhì)的晶體中,晶體類型相同的是)A.CCl4與C.NaClBSiO和D.MgCl2與石3、晶體熔沸點(diǎn)比較（1）>分子晶體(金屬晶體較復(fù)雜（2）原子晶體在原子晶體中,成鍵原子半 ,鍵 如石、碳化硅、晶體硅的熔沸點(diǎn)逐漸降低3、晶體熔沸點(diǎn)比較（1）>分子晶體(金屬晶體較復(fù)雜（2）原子晶體在原子晶體中,成鍵原子半 ,鍵 如石、碳化硅、晶體硅的熔沸點(diǎn)逐漸降低3、晶體熔沸點(diǎn)比較離子晶體:結(jié)構(gòu)相似且化學(xué)式中離子個數(shù)比相同的離子晶體中,離子半徑、離子所帶電荷數(shù)的鍵能越強(qiáng),熔、沸點(diǎn)就越高。如NaCl、NaBr、NaI的熔、沸點(diǎn)依次降低分子晶體:在組成、結(jié)構(gòu)均相似的分子晶體中 晶體中,有氫鍵存在時熔、沸點(diǎn)較高3、晶體熔沸點(diǎn)比較離子晶體:結(jié)構(gòu)相似且化學(xué)式中離子個數(shù)比相同的離子晶體中,離子半徑、離子所帶電荷數(shù)的鍵能越強(qiáng),熔、沸點(diǎn)就越高。如NaCl、NaBr、NaI的熔、沸點(diǎn)依次降低分子晶體:在組成、結(jié)構(gòu)均相似的分子晶體中 晶體中,有氫鍵存在時熔、沸點(diǎn)較高【例6】下列物質(zhì)的熔、沸點(diǎn)高低順序正確的是)晶體二氧化碳化B.CI4>CBr4>CCl4>C.MgO>H2O>N2>【例6】下列物質(zhì)的熔、沸點(diǎn)高低順序正確的是)晶體二氧化碳化B.CI4>CBr4>CCl4>C.MgO>H2O>N2>1、原子晶體石(1)每個碳原子與相 個碳原 六原 同一平面C原子數(shù)與C—C鍵數(shù)之比 1、原子晶體石(1)每個碳原子與相 個碳原 六原 同一平面C原子數(shù)與C—C鍵數(shù)之比 1、原子晶體— 每個正四面體占有1個Si,4個“1/2 1、原子晶體— 每個正四面體占有1個Si,4個“1/2 2、分子晶體—（1）8個CO2占據(jù)1個CO2立方體且在6個面心又（2）每個CO2分子周圍等距緊鄰的CO2分子 個2、分子晶體—（1）8個CO2占據(jù)1個CO2立方體且在6個面心又（2）每個CO2分子周圍等距緊鄰的CO2分子 個3、離子晶體—NaCl 每個晶胞中 個Na+ 個3、離子晶體—NaCl 每個晶胞中 個Na+ 個3、離子晶體—CsCl 如圖為8個晶胞, 個Cs+ 個3、離子晶體—CsCl 如圖為8個晶胞, 個Cs+