無機材料科學基礎(chǔ)期末試題及答案

-.z.無機材料科學根底試卷六名詞解釋〔20分〕反螢石構(gòu)造、晶胞；肖特基缺陷、弗倫克爾缺陷；網(wǎng)絡(luò)形成體、網(wǎng)絡(luò)改變體；觸變性、硼反?，F(xiàn)象；二、選擇題〔8分〕1、粘土泥漿膠溶必須使介質(zhì)呈〔〕A、酸性B、堿性C、中性2、硅酸鹽玻璃的構(gòu)造是以硅氧四面體為構(gòu)造單元形成的〔〕的聚集體。A、近程有序，遠程無序B、近程無序，遠程無序C、近程無序，遠程有序3、依據(jù)等徑球體的堆積原理得出，六方密堆積的堆積系數(shù)〔〕體心立方堆積的堆積系數(shù)。A、大于B、小于C、等于D、不確定4、*晶體AB，A—的電荷數(shù)為1，A—B鍵的S=1/6，則A+的配位數(shù)為〔〕。A、4B、12C、8D、65、在單位晶胞的CaF2晶體中，其八面體空隙和四面體空隙的數(shù)量分別為〔〕。A、4，8B、8，4C、1，2D、2，46、點群L6PC屬〔〕晶族〔〕晶系。A、高級等軸B、低級正交C、中級六方D、高級六方7、以下性質(zhì)中〔〕不是晶體的根本性質(zhì)。A、自限性B、最小內(nèi)能性C、有限性D、各向異性8、晶體在三結(jié)晶軸上的截距分別為1/2a、1/3b、1/6c。該晶面的晶面指數(shù)為〔〕。A、〔236〕B、〔326〕C、〔321〕D、〔123〕9、非化學計量化合物Cd1+*O中存在〔〕型晶格缺陷A、陰離子空位B、陽離子空位C、陰離子填隙D、陽離子填隙10、可以根據(jù)3T曲線求出熔體的臨界冷卻速率。熔體的臨界冷卻速率越大，就〔〕形成玻璃。A、越難B、越容易C、很快D、緩慢11、晶體構(gòu)造中一切對稱要素的集合稱為〔〕。A、對稱型B、點群C、微觀對稱的要素的集合D、空間群12、在ABO3(鈣鈦礦)型構(gòu)造中，B離子占有〔〕。A、四面體空隙B、八面體空隙C、立方體空隙D、三方柱空隙晶體三、填空〔17分〕1、在玻璃形成過程中，為防止析晶所必須的冷卻速率確實定采用〔〕的方法。2、a=b≠cα=β=γ=900的晶體屬〔〕晶系。3、六方嚴密堆積的原子密排面是晶體中的〔〕面，立方嚴密堆積的原子密排面是晶體中的〔〕面。4、Zn1+*O在復(fù)原氣氛中可形成〔〕型半導(dǎo)體，缺陷濃度與氧分壓的1/6次方成〔〕，如果減少周圍氧氣的分壓，Zn1+*O的密度將〔〕。5、b與位錯線〔〕的位錯稱為刃位錯，；b與位錯線〔〕的位錯稱為螺位錯，。6、形成連續(xù)固溶體的條件是〔〕、〔〕和〔〕。7、在AB2O4型尖晶石構(gòu)造中，假設(shè)以氧離子作立方嚴密堆積排列，在正尖晶石構(gòu)造中，A離子占有〔〕空隙，B離子占有〔〕空隙。8、晶體的熱缺陷有〔〕和〔〕兩類，熱缺陷濃度與溫度的關(guān)系式為〔〕。9、硅酸鹽晶體分類的依據(jù)是〔〕。按此分類法可將硅酸鹽礦物分為〔〕構(gòu)造、〔〕構(gòu)造、〔〕構(gòu)造、〔〕構(gòu)造和〔〕構(gòu)造。10、陶瓷元件外表被銀，為提高瓷件與銀層間的潤濕性，瓷面外表應(yīng)〔〕。11、同價陽離子飽和的黏土膠粒的ξ電位隨陽離子半徑的增加而〔〕。12、Ca-黏土泥漿膠溶時，參加NaOH和Na2SiO3電解質(zhì)，〔〕效果好？問答題〔45分〕為什么等軸晶系有原始、面心、體心格子，而沒有單面心格子？〔6分〕2、用KCl和CaCl2分別稀釋同一種黏土泥漿，當電解質(zhì)參加量一樣時，試比擬兩種泥漿以下性質(zhì)的差異?！?0分〕〔1〕泥漿的流動性〔2〕泥漿的觸變性〔3〕泥漿的可塑性〔4〕坯體的致密度〔5〕黏土的ζ電位3、高嶺石和蒙脫石的構(gòu)造特點，并解釋為什么蒙脫石具有膨脹性和高的陽離子交換容量，而高嶺石則不具有膨脹性、陽離子交換容量也很低?！?0分〕4、說明熔體中聚合物形成過程？從構(gòu)造上來說明在SiO2熔體中隨著Na2O參加量的不同，熔體粘度、形成玻璃能力如何變化，為什么"〔9分〕5、出以下反響的合理缺陷反響式〔10分〕a．NaCl溶入CaCl2中形成空位型固溶體b．CaCl2溶人NaC1中形成空位型固溶體計算題〔10分〕在CaF2晶體中，肖特基缺陷的生成能為5.5ev，計算在1600℃時熱缺陷的濃度。如果CaF2晶體中，含有百萬分之一的YF3雜質(zhì)，則在1600℃時CaF2晶體中是熱缺陷占優(yōu)勢還是雜質(zhì)缺陷占優(yōu)勢？〔玻爾茲曼常數(shù)k=1.38×10-23、電子的電荷e=1.602×10-19〕無機材料科學根底試卷六答案及評分標準名詞解釋〔20分〕晶胞、反螢石構(gòu)造：反螢石構(gòu)造：這種構(gòu)造與螢石完全一樣，只是陰、陽離子的個數(shù)及位置剛好與螢石中的相反，即金屬離子占有螢石構(gòu)造中F—的位置，而02—離子或其他負離子占Ca2+的位置，這種構(gòu)造稱為反螢石構(gòu)造?！?.5分〕晶胞：從晶體構(gòu)造中取出來的以反映晶體周期性和對稱性的最小重復(fù)單元?！?.5分〕肖特基缺陷、弗倫克爾缺陷；肖特基缺陷：如果正常格點上的原子，熱起伏過程中獲得能量離開平衡位置遷移到晶體的外表，在晶體內(nèi)正常格點上留下空位，這即是肖特基缺陷?！?.5分〕弗倫克爾缺陷：在晶格熱振動時，一些能量足夠大的原子離開平衡位置后，擠到晶格點的間隙中，形成間隙原子，而原來位置上形成空位，這種缺陷稱為弗倫克爾缺陷?！?.5分〕網(wǎng)絡(luò)形成體、網(wǎng)絡(luò)改變體；網(wǎng)絡(luò)形成體：單鍵強度大于335KJ/mol的氧化物，可單獨形成玻璃?！?.5分〕網(wǎng)絡(luò)變性體：單鍵強度＜250KJ/mol。這類氧化物不能形成玻璃，但能改變網(wǎng)絡(luò)構(gòu)造，從而使玻璃性質(zhì)改變?！?.5分〕觸變性、硼反常現(xiàn)象；觸變性：是泥漿從稀釋流動狀態(tài)到稠化的凝聚狀態(tài)之間存在的介于兩者之間的中間狀態(tài)。即泥漿靜止不動時似凝固體，一經(jīng)擾動或搖動，凝固的泥漿又重新獲得流動。如再靜止又重新凝固，可重復(fù)無數(shù)次?！?.5分〕硼反?，F(xiàn)象：硼酸鹽玻璃與一樣條件下的硅酸鹽玻璃相比，其性質(zhì)隨R2O或RO參加量的變化規(guī)律相反，這種現(xiàn)象稱硼反常現(xiàn)象?！?.5分〕二、選擇題〔8分，3個空2分〕1、B；2、A；3、A；4、D；5、A；6、C、C；7、C；8、A；9、D；10、A；11、D；12、B三、填空〔17分，3個空2分〕1、繪制3T曲線2、四方〔0001〕、〔111〕4、n、反比、增大5、垂直、平行6、│〔rl-r2〕/rl│<15％、一樣的晶體構(gòu)造類型、離子價一樣或離子價總和相等7、四面體、八面體8、肖特基缺陷、弗倫克爾缺陷、n/N=e*p〔-?Gf/2kT〕9、硅氧四面體的連接方式、島狀構(gòu)造、組群狀構(gòu)造、鏈狀構(gòu)造、層狀構(gòu)造、架狀構(gòu)造10、拋光11、降低12、Na2SiO3問答題〔45分〕〔6分〕答：因為從構(gòu)造分布看，單面心格子不符合立方格子所固有的4L3的對稱性。2、〔10分〕答：〔1〕泥漿的流動性KCl>CaCl2〔2分〕〔2〕泥漿的觸變性KCl<CaCl2〔2分〕〔3〕泥漿的可塑性KCl<CaCl2〔2分〕〔4〕坯體的致密度KCl>CaCl2〔2分〕〔5〕黏土的ζ電位KCl>CaCl2〔2分〕3、〔10分〕答：高嶺石的陽離子交換容量較小，而蒙脫石的陽離子交換容量較大。因為高嶺石是1:1型構(gòu)造，離子的取代很少，單網(wǎng)層與單網(wǎng)層之間以氫鍵相連，氫鍵強于范氏鍵，水化陽離子不易進入層間，因此陽離子交換容量較小?！?分〕而蒙脫石是為2:1型構(gòu)造，鋁氧八面體層中大約1/3的Al3+被Mg2+取代，為了平衡多余的負電價，在構(gòu)造單位層之間有其它陽離子進入，而且以水化陽離子的形式進人構(gòu)造。水化陽離子和硅氧四面體中O2-離子的作用力較弱，因而，這種水化陽離子在一定條件下容易被交換出來。C軸可膨脹以及陽離子交換容量大，是蒙脫石構(gòu)造上的特征?！?分〕4、〔9分〕答：熔體中聚合物形成分三個階段。初期：主要是石英顆粒的分化；中期：縮聚并伴隨變形；后期：在一定時間和一定溫度下，聚合和解聚到達平衡。〔3分〕在SiO2熔體中隨著Na2O參加量的增加，分化的不斷進展，熔體中高聚合度的聚合物的含量不斷減少，低聚合度的聚合物的含量不斷增加，導(dǎo)致熔體粘度降低、形成玻璃能力下降?！?分〕5、〔10分〕答：a.NaCl溶入CaCl2中形成空位型固溶體〔5分〕b．CaCl2溶人NaC1中形成空位型固溶體〔5分〕計算題〔10分〕解：因為n/N=e*p〔-?Gf/2kT〕?Gf=5.5×1.602×10-19=8.817×10-19JT=1600+273=1873K所以n/N=e*p〔-8.817×10-19/2×1.38×10-23×1873〕=e*p〔-17.056〕=3.9×10-8〔5分〕在CaF2晶體中，含有百分之一的YF3雜質(zhì)，缺陷方程如下：此時產(chǎn)生的缺陷為，=10-6大于熱缺陷濃度3.9×10-8，故在1873K時雜質(zhì)缺陷占優(yōu)勢或〕此時產(chǎn)生的缺陷為，=5.5×10-7大于熱缺陷濃度3.9×10-8，故在1873K時雜質(zhì)缺陷占優(yōu)勢〔5分〕-.z.1螺位錯：柏格斯矢量與位錯線平行的位錯。2同質(zhì)多晶：同一化學組成在不同熱力學條件下形成構(gòu)造不同的晶體的現(xiàn)象。3晶胞：指晶體構(gòu)造中的平行六面體單位，其形狀大小與對應(yīng)的空間格子中的單位平行六面體一致。4肖特基缺陷：如果正常格點上的原子，熱起伏過程中獲得能量離開平衡位置，遷移到晶體的外表，在晶格內(nèi)正常格點上留下空位，即為肖特基缺陷。肖特基缺陷：如果正常格點上的原子，熱起伏過程中獲得能量離開平衡位置，遷移到晶體的外表，在晶格內(nèi)正常格點上留下空位，即為肖特基缺陷。5聚合：由分化過程產(chǎn)生的低聚合物，相互作用，形成級次較高的聚合物，同時釋放出局部Na2O，這個過程稱為縮聚，也即聚合。6非均勻成核：借助于外表、界面、微粒裂紋、器壁以及各種催化位置而形成晶核的過程。7穩(wěn)定擴散：擴散質(zhì)點濃度分布不隨時間變化。8玻璃分相：一個均勻的玻璃相在一定的溫度和組成范圍內(nèi)有可能分成兩個互不溶解或局部溶解的玻璃相(或液相)，并相互共存的現(xiàn)象稱為玻璃的分相(或稱液相不混溶現(xiàn)象)。9不一致熔融化合物：是一種不穩(wěn)定的化合物。加熱這種化合物到*一溫度便發(fā)生分解，分解產(chǎn)物是一種液相和一種晶相，兩者組成與化合物組成皆不一樣，故稱不一致熔融化合物。10晶粒生長：無應(yīng)變的材料在熱處理時，平均晶粒尺寸在不改變其分布的情況下，連續(xù)增大的過程。11非本征擴散：受固溶引入的雜質(zhì)離子的電價和濃度等外界因素所控制的擴散?；蛴刹坏葍r雜質(zhì)離子取代造成晶格空位，由此而引起的質(zhì)點遷移?！?.5〕本征擴散：空位來源于晶體構(gòu)造中本征熱缺陷，由此而引起的質(zhì)點遷移。12穩(wěn)定擴散：假設(shè)擴散物質(zhì)在擴散層d*內(nèi)各處的濃度不隨時間而變化，即dc/dt=0。不穩(wěn)定擴散：擴散物質(zhì)在擴散層d*內(nèi)的濃度隨時間而變化，即dc/dt≠0。這種擴散稱為不穩(wěn)定擴散?！?.5分〕〔2.5分〕13可塑性：粘土與適當比例的水混合均勻制成泥團，該泥團受到高于*一個數(shù)值剪應(yīng)力作用后，可以塑造成任何形狀，當去除應(yīng)力泥團能保持其形狀，這種性質(zhì)稱為可塑性?！?.5晶胞參數(shù)：表示晶胞的形狀和大小可用六個參數(shù)即三條邊棱的長度a、b、c和三條邊棱的夾角α、β、γ即為晶胞參數(shù)。14一級相變：體系由一相變?yōu)榱硪幌鄷r，如兩相的化學勢相等但化學勢的一級偏微商(一級導(dǎo)數(shù))不相等的稱為一級相變。15二次再結(jié)晶：是液相獨立析晶：是在轉(zhuǎn)熔過程中發(fā)生的，由于冷卻速度較快，被回收的晶相有可能會被新析出的固相包裹起來，使轉(zhuǎn)熔過程不能繼續(xù)進展，從而使液相進展另一個單獨的析晶過程，就是液相獨立析晶?！?.5〕16泰曼溫度：反響物開場呈現(xiàn)顯著擴散作用的溫度。〔2.5〕17晶子假說：蘇聯(lián)學者列別捷夫提出晶子假說，他認為玻璃是高分散晶體〔晶子〕的結(jié)合體，硅酸鹽玻璃的晶子的化學性質(zhì)取決于玻璃的化學組成，玻璃的構(gòu)造特征為微不均勻性和近程有序性。無規(guī)則網(wǎng)絡(luò)假說：但凡成為玻璃態(tài)的物質(zhì)和相應(yīng)的晶體構(gòu)造一樣，也是由一個三度空間網(wǎng)絡(luò)所構(gòu)成。這種網(wǎng)絡(luò)是由離子多面體〔三角體或四面體〕構(gòu)筑起來的。晶體構(gòu)造網(wǎng)是由多面體無數(shù)次有規(guī)律重復(fù)構(gòu)成，而玻璃中構(gòu)造多面體的重復(fù)沒有規(guī)律性。18正尖晶石；二價陽離子分布在1／8四面體空隙中，三價陽離子分布在l／2八面體空隙的尖晶石。19液相獨立析晶：是在轉(zhuǎn)熔過程中發(fā)生的，由于冷卻速度較快，被回收的晶相有可能會被新析出的固相包裹起來，使轉(zhuǎn)熔過程不能繼續(xù)進展，從而使液相進展另一個單獨的析晶過程，就是液相獨立析晶。20觸變性：是泥漿從稀釋流動狀態(tài)到稠化的凝聚狀態(tài)之間存在的介于兩者之間的中間狀態(tài)。即泥漿靜止不動時似凝固體，一經(jīng)擾動或搖動，凝固的泥漿又重新獲得流動。如再靜止又重新凝固，可重復(fù)無數(shù)次。21固相燒結(jié)：固態(tài)粉末在適當?shù)臏囟?、壓力、氣氛和時間條件下，通過物質(zhì)與氣孔之間的傳質(zhì)，變?yōu)閳杂?、致密燒結(jié)體的過程。24點缺陷：三維方向上缺陷尺寸都處于原子大小的數(shù)量級上?！?.5分〕熱缺陷：晶體溫度高于絕對0K時，由于熱起伏使一局部能量較大的質(zhì)點〔原子或離子〕離開平衡位置所產(chǎn)生的空位和/或間隙質(zhì)點?！?.5分〕聚合：由分化過程產(chǎn)生的低聚合物，相互作用，形成級次較高的聚合物，同時釋放出局部Na2O，這個過程稱為縮聚，也即聚合?！?.5分〕25解聚：在熔融SiO2中，O/Si比為2：1，[SiO4]連接成架狀。假設(shè)參加Na2O則使O/Si比例升高，隨參加量增加，O/Si比可由原來的2：1逐步升高到4：1，[SiO4]連接方式可從架狀變?yōu)閷訝睢?、鏈狀、環(huán)狀直至最后斷裂而形成[SiO4]島狀，這種架狀[SiO4]斷裂稱為熔融石英的分化過程，也即解聚。〔2.5分〕26聚沉值：凡能引起溶膠明顯聚沉〔如溶膠變色渾濁〕所需外加電解質(zhì)的最小濃度稱為聚沉值?！?.5分〕27硼反?，F(xiàn)象：硼酸鹽玻璃與一樣條件下的硅酸鹽玻璃相比，其性質(zhì)隨R2O或RO參加量的變化規(guī)律相反，這種現(xiàn)象稱硼反?，F(xiàn)象。28晶面指數(shù)：結(jié)晶學中經(jīng)常用〔hkl〕來表示一組平行晶面，稱為晶面指數(shù)。數(shù)字hkl是晶面在三個坐標軸〔晶軸〕上截距的倒數(shù)的互質(zhì)整數(shù)比。1、粘土泥漿膠溶必須使介質(zhì)呈〔〕A、酸性B、堿性C、中性2、硅酸鹽玻璃的構(gòu)造是以硅氧四面體為構(gòu)造單元形成的〔〕的聚集體。A、近程有序，遠程無序B、近程無序，遠程無序C、近程無序，遠程有序3、依據(jù)等徑球體的堆積原理得出，六方密堆積的堆積系數(shù)〔〕體心立方堆積的堆積系數(shù)。A、大于B、小于C、等于D、不確定4、*晶體AB，A—的電荷數(shù)為1，A—B鍵的S=1/6，則A+的配位數(shù)為〔〕。A、4B、12C、8D、65、在單位晶胞的CaF2晶體中，其八面體空隙和四面體空隙的數(shù)量分別為〔〕。A、4，8B、8，4C、1，2D、2，46、點群L6PC屬〔〕晶族〔〕晶系。A、高級等軸B、低級正交C、中級六方D、高級六方7、以下性質(zhì)中〔〕不是晶體的根本性質(zhì)。A、自限性B、最小內(nèi)能性C、有限性D、各向異性8、晶體在三結(jié)晶軸上的截距分別為1/2a、1/3b、1/6c。該晶面的晶面指數(shù)為〔〕。A、〔236〕B、〔326〕C、〔321〕D、〔123〕9、非化學計量化合物Cd1+*O中存在〔〕型晶格缺陷A、陰離子空位B、陽離子空位C、陰離子填隙D、陽離子填隙10、可以根據(jù)3T曲線求出熔體的臨界冷卻速率。熔體的臨界冷卻速率越大，就〔〕形成玻璃。A、越難B、越容易C、很快D、緩慢11、晶體構(gòu)造中一切對稱要素的集合稱為〔〕。A、對稱型B、點群C、微觀對稱的要素的集合D、空間群12、在ABO3(鈣鈦礦)型構(gòu)造中，B離子占有〔〕。A、四面體空隙B、八面體空隙C、立方體空隙D、三方柱空隙晶體三、填空〔17分〕1、在玻璃形成過程中，為防止析晶所必須的冷卻速率確實定采用〔〕的方法。2、a=b≠cα=β=γ=900的晶體屬〔〕晶系。3、六方嚴密堆積的原子密排面是晶體中的〔〕面，立方嚴密堆積的原子密排面是晶體中的〔〕面。4、Zn1+*O在復(fù)原氣氛中可形成〔〕型半導(dǎo)體，缺陷濃度與氧分壓的1/6次方成〔〕，如果減少周圍氧氣的分壓，Zn1+*O的密度將〔〕。5、b與位錯線〔〕的位錯稱為刃位錯，；b與位錯線〔〕的位錯稱為螺位錯，。6、形成連續(xù)固溶體的條件是〔〕、〔〕和〔〕。7、在AB2O4型尖晶石構(gòu)造中，假設(shè)以氧離子作立方嚴密堆積排列，在正尖晶石構(gòu)造中，A離子占有〔〕空隙，B離子占有〔〕空隙。8、晶體的熱缺陷有〔〕和〔〕兩類，熱缺陷濃度與溫度的關(guān)系式為〔〕。9、硅酸鹽晶體分類的依據(jù)是〔〕。按此分類法可將硅酸鹽礦物分為〔〕構(gòu)造、〔〕構(gòu)造、〔〕構(gòu)造、〔〕構(gòu)造和〔〕構(gòu)造。10、陶瓷元件外表被銀，為提高瓷件與銀層間的潤濕性，瓷面外表應(yīng)〔〕。11、同價陽離子飽和的黏土膠粒的ξ電位隨陽離子半徑的增加而〔〕。12、Ca-黏土泥漿膠溶時，參加NaOH和Na2SiO3電解質(zhì)，〔〕效果好？1、B；2、A；3、A；4、D；5、A；6、C、C；7、C；8、A；9、D；10、A；11、D；12、B三、填空〔17分，3個空2分〕1、繪制3T曲線2、四方3〔0001〕、〔111〕n、反比、增大5、垂直、平行6、│〔rl-r2〕/rl│<15％、一樣的晶體構(gòu)造類型、離子價一樣或離子價總和相等7、四面體、八面體8、肖特基缺陷、弗倫克爾缺陷、n/N=e*p〔-?Gf/2kT〕9、硅氧四面體的連接方式、島狀構(gòu)造、組群狀構(gòu)造、鏈狀構(gòu)造、層狀構(gòu)造、架狀構(gòu)造10、拋光11、降低12Na2SiO3、2、晶體在三結(jié)晶軸上的截距分別為2a、3b、6c。該晶面的晶面指數(shù)為〔〕。A、〔236〕B、〔326〕C、〔321〕D、〔123〕4、*晶體AB，A—的電荷數(shù)為1，A—B鍵的S=1/6，則A+的配位數(shù)為〔〕。A、4B、12C、8D、65、在單位晶胞的CaF2晶體中，其八面體空隙和四面體空隙的數(shù)量分別為〔〕。A、4，8B、8，4C、1，2D、2，46、在ABO3(鈣鈦礦)型構(gòu)造中，B離子占有〔〕。A、四面體空隙B、八面體空隙C、立方體空隙D、三方柱空隙晶體7、在硅酸鹽熔體中，當R=O/Si減小時，相應(yīng)熔體組成和性質(zhì)發(fā)生變化，熔體析晶能力〔〕，熔體的黏度〔〕，低聚物數(shù)量〔〕。A、增大B、減小C、不變D、不確定8、當固體外表能為1.2J/m2，液體外表能為0.9J/m2，液固界面能為1.1J/m2時，降低固體外表粗糙度，〔〕潤濕性能。A、降低B、改善C、不影響9、一種玻璃的組成為32.8%CaO，6.0Al2O3%，61.2SiO2%，此玻璃中的Al3+可視為網(wǎng)絡(luò)〔〕，玻璃構(gòu)造參數(shù)Y=〔〕。A、變性離子，3.26B、形成離子，3.26C、變性離子，2.34D、形成離子，2.3412、晶體構(gòu)造中一切對稱要素的集合稱為〔〕。A、對稱型B、點群C、微觀對稱的要素的集合D、空間群三、填空〔15分〕1、a=b≠cα=β=900，γ=1200的晶體屬〔〕晶系。2、晶體的對稱要素中宏觀晶體中可能出現(xiàn)的對稱要素種類有〔〕、〔〕、〔〕、〔〕。3、六方嚴密堆積的原子密排面是晶體中的〔〕面，立方嚴密堆積的原子密排面是晶體中的〔〕面。4、TiO2在復(fù)原氣氛中可形成〔〕型非計量化合物，可形成〔〕型半導(dǎo)體，缺陷濃度與氧分壓的1/6次方成〔〕，如果減少周圍氧氣的分壓，TiO2-*的密度將〔〕。6、晶體的熱缺陷有〔〕和〔〕兩類，熱缺陷濃度與溫度的關(guān)系式為〔〕。7、Ca-黏土泥漿膠溶時，參加NaOH和Na2SiO3電解質(zhì)，〔〕效果好？8、黏土帶電荷的主要原因是〔〕、〔〕和〔〕，黏土所帶靜電荷為〔〕。1、C；2、C；3、C；4、D；5、A；6、B；7、B，A，B；8、A；9、B、B；10、B；11、B；12、D1、六方2、對稱中心、對稱面、對稱軸、倒轉(zhuǎn)軸3、〔0001〕、〔111〕4、陰離子缺位型、n、反比、減小5、│〔rl-r2〕/rl│<15％、一樣的晶體構(gòu)造類型、離子價一樣或離子價總和相等6、弗倫克爾缺陷、肖特基缺陷、n/N=e*p〔-?Gf/2kT〕7、Na2SiO38、黏土晶格內(nèi)離子的同晶置換、黏土邊面斷裂、黏土內(nèi)腐殖質(zhì)離解、負2、晶體在三結(jié)晶軸上的截距分別為2a、3b、6c。該晶面的晶面指數(shù)為〔〕。A、〔236〕B、〔326〕C、〔321〕D、〔123〕4、在單位晶胞的CaF2晶體中，其八面體空隙和四面體空隙的數(shù)量分別為〔〕。A、4，8B、8，4C、1，2D、2，45、一種玻璃的組成為Na2O.1/3Al2O3.2SiO2，此玻璃中的Al3+可視為〔〕，玻璃構(gòu)造參數(shù)Y=〔〕。A、變性離子；2B、形成離子；2C、變性離子；3.5D、形成離子；3.56、金紅石晶體中，所有O2-作稍有變形的立方密堆排列，Ti4+填充了〔〕。A、全部四面體空隙B、全部八面體空隙C、1/2四面體空隙D、1/2八面體空隙7、滑石〔3MgO·4SiO2·H2O〕和高嶺土〔Al2O3·2SiO2·2H2O〕分別屬于〔〕層狀構(gòu)造的硅酸鹽礦物。A、1：1和2：1B、2：1和1：1C、3：1和2：18、在硅酸鹽熔體中，當R=O/Si減小時，相應(yīng)熔體組成和性質(zhì)發(fā)生變化，熔體析晶能力〔〕，熔體的黏度〔〕，低聚物數(shù)量〔〕。A、增大B、減小C、不變D、不確定9、當固體外表能為1.2J/m2，液體外表能為0.9J/m2，液固界面能為1.1J/m2時增加固體外表光滑度，〔〕潤濕性能。A、降低B、改善C、不影響1、黏土帶電荷的主要原因是〔〕、〔〕和〔〕，黏土所帶靜電荷為〔〕。2、晶體的對稱要素中微觀對稱要素種類有〔〕、〔〕、〔〕。3、由于〔〕的結(jié)果，必然會在晶體構(gòu)造中產(chǎn)生"組分缺陷〞，組分缺陷的濃度主要取決于：〔〕和〔〕。4、UO2+*在氧化氣氛中可形成〔〕型非計量化合物，可形成〔〕型半導(dǎo)體，缺陷濃度與氧分壓的1/6次方成〔〕，如果減少周圍氧氣的分壓，UO2+*的密度將〔〕。5、b與位錯線〔〕的位錯稱為刃位錯，可用符號〔〕表示；b與位錯線〔〕的位錯稱為螺位錯，可用符號〔〕表示。6、a=b≠cα=β=900，γ=1200的晶體屬〔〕晶系。7、立方嚴密堆積的原子密排面是晶體中的〔〕面，六方嚴密堆積的原子密排面是晶體中的〔〕面。8、為使瘠性料泥漿懸浮，一般常用的兩種方法是〔〕和〔〕1、A；2、C；3、C；4、A；5、D，D；6、D；7、B；8、B、A、B；9、B；10、B；11、D；12、A1黏土晶格內(nèi)離子的同晶置換、黏土邊面斷裂、黏土內(nèi)腐殖質(zhì)離解、負2平移軸、像移面、螺旋軸3不等價置換、攙雜量〔溶質(zhì)數(shù)量〕、固溶度4陰離子間隙型、P、正比、增大5垂直、┴、平行、6六方7〔111〕、〔0001〕控制料漿的pH值、有機外表活性物質(zhì)的吸附1、什么是1.陶瓷經(jīng)燒結(jié)后在宏觀上的變化表述不正確的選項是〔〕A.強度增加B.體積收縮C.氣孔率降低D.致密度減少2.在反響溫度下，當固相反響的*一相發(fā)生晶型轉(zhuǎn)變時，反響速度是〔〕A.無影響B(tài).加快C.減慢3.外表擴散系數(shù)Ds，界面擴散系數(shù)Dg，晶格擴散系Db的關(guān)系是〔〕A.Ds﹥Dg﹥DbB.Ds﹥Db﹥DgC.Db﹥Ds﹥DgD.Db﹥Dg﹥Ds4.以下屬于逆擴散過程的是〔〕A.二次再結(jié)晶B.雜質(zhì)的富集于晶界C.布朗運動5.A，B進展反響生成AmBn,為擴散控制的固相反響，假設(shè)DB"DA，則在AmBn-A界面上，反響物B的濃度CB為〔〕A.1B.0C.不確定6.燒結(jié)中晶界移動的推動力是〔〕A.外表能B.晶界兩側(cè)自由焓差C.空位濃度差7.同一種物質(zhì)在晶體中的擴散系數(shù)〔〕在玻璃中的擴散系數(shù)A．大于B．等于C．小于D．不確定8.金斯特林格方程采用的反響截面模型為〔〕A.平板B.球體C.球殼D.圓柱9.以下過程中，哪一個能使燒結(jié)體的強度增加而不引起坯體收縮？A.蒸發(fā)-凝聚B.體積擴散C.流動傳質(zhì)D.溶解-沉淀10.純固相反響，反響過程是〔〕A.放熱過程B.等溫過程C.吸熱過程11.在制造透明Al2O3陶瓷材料時，原料粉末的粒度為2μm，在燒結(jié)溫度下保溫30分鐘，測得晶粒尺寸為10μm。假設(shè)在同一燒結(jié)溫度下保溫4小時，晶粒尺寸為〔〕,為抑制晶粒生長參加0.1％MgO，此時假設(shè)保溫4小時，晶粒尺寸為〔〕。A.16μmB.20μmC.24μmD.28μm1.燒結(jié)的主要傳質(zhì)方式有蒸發(fā)-凝聚傳質(zhì)、擴散傳質(zhì)、流動傳質(zhì)和溶解-沉淀傳質(zhì)四種，產(chǎn)生這四種傳質(zhì)的原因依次為〔〕、〔〕、〔〕和〔〕。2.均勻成核的成核速率Iv由〔〕和〔〕因子所決定的。

3.菲克第一定律的應(yīng)用條件是〔〕，菲克第二定律的應(yīng)用條件是〔〕4.液-固相變過程的推動力為〔〕、〔〕和〔〕。5.固體內(nèi)粒子的主要遷移方式有〔〕、〔〕。6.如雜質(zhì)的量增加，擴散系數(shù)與溫度關(guān)系曲線中本征與非本征擴散的轉(zhuǎn)折點〔〕。7.合成鎂鋁尖晶石，可選擇的原料為MgCO3,MgO,γ-Al2O3,α-Al2O3,從提高反響速率的角度出發(fā)選擇〔〕，〔〕原料較好。8.在均勻成核時，臨界成核位壘ΔGk=〔〕,其值相當于〔〕具有臨界半徑rk的粒子數(shù)nk/N=〔〕。9.液-固相變時，非均勻成核位壘與接觸角θ有關(guān)，當θ為〔〕時，非均勻成核位壘為零。10.成核生長機理的相變過程需要有一定的過冷或過熱，相變才能發(fā)生，在〔〕情況下需要過冷。11.在制硅磚時，參加氧化鐵和氧化鈣的原因〔〕，能否參加氧化鋁〔〕。12.在液相線以下的分相區(qū)的亞穩(wěn)區(qū)內(nèi)，其分解機理為〔〕，新相成〔〕狀，不穩(wěn)定區(qū)的分解機理為〔〕，新相成〔〕狀。1.D2.B3.A4.B5.B6.B7.C8.B9.A10.A11.D,B1.壓力差、空位濃度差、應(yīng)力-應(yīng)變和溶解度；2.受核化位壘影響的成核率因子、受原子擴散影響的成核率因子3.穩(wěn)定擴散、不穩(wěn)定擴散4.過冷度、過飽和濃度、過飽和蒸汽壓5.空位機構(gòu)、間隙機構(gòu)6.向左7.MgCO3、α-Al2O38.1/3Akγ、新相界面能的1/3、e*p〔-ΔGk/RT〕9.0o10.相變過程放熱11.作為礦化劑，產(chǎn)生不同晶型石英溶解度不同的液相，不能12.成核-生長機理、孤立的球形顆粒、旋節(jié)分解區(qū)〔Spinodale〕、高度連續(xù)性的非球形顆粒、1潤濕？改善潤濕的方法有那些？〔10分〕答：潤濕：固體與液體接觸后，體系〔固體+液體〕的吉布斯自由能降低時，就稱潤濕。改善潤濕的方法有：①降低γSLS、V兩相組成盡量接近；〔2分〕②降低γLV在液相中加外表活性劑；〔2分〕．③提高γSV去除固體外表吸附膜；〔2分〕④改變粗糙度?！?分〕2.、用KCl和CaCl2分別稀釋同一種黏土泥漿，當電解質(zhì)參加量一樣時，試比擬兩種泥漿以下性質(zhì)的差異?！?分〕〔1〕泥漿的流動性〔2〕泥漿的觸變性〔3〕泥漿的可塑性〔4〕坯體的致密度〔5〕黏土的ζ電位〔6〕泥漿的穩(wěn)定性〔1〕泥漿的流動性KCl>CaCl2〔1分〕〔2〕泥漿的觸變性KCl<CaCl2〔1分〕〔3〕泥漿的可塑性KCll<CaCl2〔1分〕〔4〕坯體的致密度KCl>CaCl2〔1分〕〔5〕黏土的ζ電位KCll>NCaCl2〔1分〕〔6〕泥漿的穩(wěn)定性KCl>CaCl2〔1分3在擴散傳質(zhì)的燒結(jié)過程中，使坯體致密的推動力是什么？哪些方法可促進燒結(jié)？說明原因?！?分〕答：在擴散傳質(zhì)的燒結(jié)過程中，系統(tǒng)內(nèi)不同部位〔頸部、顆粒接觸點、顆粒內(nèi)部〕空位濃度不同，導(dǎo)致原子或質(zhì)點由顆粒接觸點向頸部遷移，填充到氣孔中。因此使坯體致密化的推動力是空位濃度差?！?分〕對于擴散傳質(zhì)：〔1〕控制原料的起始粒度非常重要，顆粒細小的原料可促進燒結(jié)，因為頸部增長速率*/r與原料起始粒度r的3/5次方成反比；〔2〕溫度對燒結(jié)過程有決定性作用，擴散系數(shù)與溫度呈指數(shù)關(guān)系，因此提高溫度可加速燒結(jié)。4試解釋說明為什么在硅酸鹽結(jié)硅酸鹽晶體構(gòu)造分類依據(jù)是什么？可分為哪幾類，每類的構(gòu)造特點是什么？〔9分〕答：硅酸鹽晶體構(gòu)造分類依據(jù)是：構(gòu)造中硅氧四面體的連接方式?！?.5分〕可分為島狀：硅氧四面體孤立存在；〔1.5分〕組群狀：硅氧四面體以兩個、三個、四個或六個，通過共用氧相連成硅氧四面體群體，群體之間由其它陽離子連接；〔1.5分〕鏈狀：硅氧四面體通過共用氧相連，在一維方向延伸成鏈狀，鏈與鏈之間由其它陽離子連接；〔1.5分〕層狀：硅氧四面體通過三個共用氧在兩維平面內(nèi)延伸成硅氧四面體層；〔1.5分〕架狀：每個硅氧四面體的四個頂角都與相鄰的硅氧四面體共頂，形成三維空間構(gòu)造。〔1.5分〕5、構(gòu)中Al3+經(jīng)常取代[SiO4]中Si4+，但Si4+一般不會置換[AlO6]中的Al3+？〔〔配位數(shù)為6時，S14＋、A13＋和O2－的離子半徑分別為0.40?、0.53?和1.40?；配位數(shù)為4時，一離子半徑依次為0.26?、0.40?和1.38?〕〕?！?分〕答：=4,rAl3+/ro2-=0.4/1.38=0.29,Al3+四配位穩(wěn)定，故在硅酸鹽構(gòu)造中Al3+經(jīng)常取代[SiO4]中Si4+形成[AlO4]；〔3.5分〕=6，rSi4+/ro2-=0.4/1.38=0.29,Si4+四配位穩(wěn)定，六配位不穩(wěn)定，故在硅酸鹽構(gòu)造中Si4+一般不會置換[AlO6]中的Al3+，形成[SiO6]。說明影響擴散的因素？答：〔1〕化學鍵：共價鍵方向性限制不利間隙擴散，空位擴散為主。金屬鍵離子鍵以空位擴散為主，間隙離子較小時以間隙擴散為主?！?分〕〔2〕缺陷：缺陷部位會成為質(zhì)點擴散的快速通道，有利擴散?！?分〕〔3〕溫度：D=D0e*p〔-Q/RT〕Q不變，溫度升高擴散系數(shù)增大有利擴散。Q越大溫度變化對擴散系數(shù)越敏感。〔2分〕〔4〕雜質(zhì)：雜質(zhì)與介質(zhì)形成化合物降低擴散速度；雜質(zhì)與空位締合有利擴散；雜質(zhì)含量大本征擴散和非本征擴散的溫度轉(zhuǎn)折點升高。〔2分〕〔5〕擴散物質(zhì)的性質(zhì)和擴散介質(zhì)的構(gòu)造：擴散質(zhì)點和介質(zhì)的性質(zhì)差異大利于擴散?！?分〕7、試比擬楊德爾方程和金斯特林格方程的優(yōu)缺點及其適用條件。〔8分〕答：楊德爾方程在反響初期具有很好的適應(yīng)性，但楊氏模型中假設(shè)球形顆粒反響截面積始終不變，因而只適用反響初期轉(zhuǎn)化率較低的情況?！?分〕而金氏模型中考慮在反響進程中反響截面積隨反響進程變化這一事實，因而金氏方程適用范圍更廣，可以適合反響初、中期。兩個方程都只適用于穩(wěn)定擴散的情況?！?分〕8相變過程的推動力是什么？〔8分〕答：總的推動力：相變過程前后自由能的差值1、相變過程的溫度條件在等溫等壓下，ΔG=ΔH-TΔS在平衡條件下，ΔG＝0，則ΔS=ΔH/T0式中：T0——相變的平衡溫度；ΔH——相變熱。在任意一溫度了的不平衡條件下，則有ΔG=ΔH-TΔS≠0假設(shè)ΔH與ΔS不隨溫度而變化，ΔG=ΔH-TΔH/T0=ΔH〔T0-T〕/T0=ΔHΔT/T0相變過程放熱ΔH<O，要使ΔG<0，須有ΔT>O，T<T0,過冷；相變過程吸熱ΔH>O，要使ΔG<0，須有ΔT<O，T>T0,過熱。因此相平衡理論溫度與系統(tǒng)實際溫度之差即為該相變過程的推動力。(2分)2．相變過程的壓力和濃度條件(1)氣相，恒溫下ΔG=RTlnP0/P欲使ΔG<0，須P>P0即汽相過飽和。(2分)(2)溶液ΔG=RTlnC0/C欲使ΔG<0，須C>C0即液相過飽和。(2分)綜上所述，相變過程的推動力應(yīng)為過冷度、過飽和濃度、過飽和蒸汽壓。即相變時系統(tǒng)溫度、濃度和壓力與相平衡時溫度、濃度和壓力之差值。(2分)9影響固相反響的因素有那些？答：影響固相反響的因素有反響物化學組成與構(gòu)造的影響；顆粒度和分布影響；反響溫度、壓力、氣氛影響；礦化劑的影響?！?分．10燒結(jié)的主要傳質(zhì)方式有那些"分析產(chǎn)生的原因是什么"〔8分〕答：燒結(jié)初期，晶界上氣孔數(shù)目很多，此時氣孔阻止晶界移動，Vb=0?！?分〕燒結(jié)中、后期，溫度控制適當，氣孔逐漸減少?？梢猿霈F(xiàn)Vb=Vp，此時晶界帶動氣孔以正常速度移動，使氣孔保持在晶界上，氣孔可以利用晶界作為空位傳遞的快速通道而迅速聚集或消失?！?分〕繼續(xù)升溫導(dǎo)致Vb"Vp，晶界越過氣孔而向曲率中心移動，氣孔包入晶體內(nèi)部，只能通過體積擴散排除，這是十分困難的?！?分〕從實現(xiàn)致密化目的考慮，晶界應(yīng)帶動氣孔以正常速度移動，使氣孔保持在晶界上，氣孔可以利用晶界作為空位傳遞的快速通道而迅速聚集或消失?！?分〕控制方法：控制溫度，參加外加劑等?！?分〕11、試寫出少量MgO摻雜到A12O3中和少量YF3摻雜到CaF2中的缺陷反響方程與對應(yīng)的固溶式。〔7分〕解：少量MgO摻雜到A12O3中缺陷反響方程及固溶式為：，〔3.5分〕少量YF3摻雜到CaF2中缺陷反響方程及固溶式如下：，12、在擴散傳質(zhì)的燒結(jié)過程中，使坯體致密的推動力是什么？哪些方法可促進燒結(jié)？說明原因?！?分〕答：在擴散傳質(zhì)的燒結(jié)過程中，系統(tǒng)內(nèi)不同部位〔頸部、顆粒接觸點、顆粒內(nèi)部〕空位濃度不同，導(dǎo)致原子或質(zhì)點由顆粒接觸點向頸部遷移，填充到氣孔中。因此使坯體致密化的推動力是空位濃度差?！?分〕對于擴散傳質(zhì)：〔1〕控制原料的起始粒度非常重要，顆粒細小的原料可促進燒結(jié)，因為頸部增長速率*/r與原料起始粒度r的3/5次方成反比；〔2〕溫度對燒結(jié)過程有決定性作用，擴散系數(shù)與溫度呈指數(shù)關(guān)系，因此提高溫度可加速燒結(jié)。13二次再結(jié)晶與晶粒生長有何異同？生產(chǎn)中防止二次再結(jié)晶的方法有哪些？〔7分〕答：一樣點:〔1〕兩者推動力均為界面兩側(cè)質(zhì)點的吉布斯自由能之差；〔2〕進展方式都是通過界面遷移?！?分〕不同點：〔1〕前者是個別晶粒異常生長，后者是晶粒尺寸均勻生長；〔2〕前者氣孔被包裹到晶粒內(nèi)部，后者氣孔維持在晶界交匯處?！?分〕生產(chǎn)中防止二次再結(jié)晶的方法有：〔1〕合理選擇原料的細度，提高粉料粒度的均勻性；〔2〕控制溫度；〔3〕引入添加劑?！?分〕14在硅酸鹽晶體構(gòu)造中，[SiO4]四面體或孤立存在，或共頂連接，而不共棱，更不共面，解釋之?！?分〕答：在硅酸鹽晶體構(gòu)造中，[SiO4]四面體中的Si4+是高電價低配位的陽離子，以共棱、共面方式存在時，兩個中心陽離子〔Si4+〕間距離較近、排斥力較大，