JFET的特性規(guī)格表

BoylestadandNashelsky

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Allrightsreserved.1§6-4JFET的特性規(guī)格表摩托羅拉(Motorola)所提供之2N5457n-通道JFET之特性規(guī)格表：

2N5457外殼29-04,形態(tài)5TO-92(TO-226AA)

1汲極3閘極2源極JFETs一般用途N-通道－空乏最大功率消耗方程式：

PD=VDSID2N2844外殼22-03,形態(tài)12TO-18(TO-226AA)

(外殼)3汲極2閘極1源極一般用途之p-通道JFETs(頂帽連接器之型態(tài))外殼結(jié)構(gòu)與端點指示：BoylestadandNashelsky

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Allrightsreserved.2§6-4JFET的特性規(guī)格表BoylestadandNashelsky

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Allrightsreserved.3§6-4JFET的特性規(guī)格表線性放大器設(shè)計之正常操作範圍：?特性規(guī)格表與每一VGS大小之夾止範圍所定義的曲線可規(guī)範汲極特性之線性放大操作區(qū)域。?歐姆區(qū)定義每一VGS之最小允許VDS

之值。夾止範圍之軌跡(IDmax)歐姆區(qū)放大器設(shè)計之正常操作區(qū)域BoylestadandNashelsky

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Allrightsreserved.§6-5儀表42N4416JFET顯示在曲線循跡器

之

汲極特性：VGS

=0V

→

ID

=IDSS

ID=?IDSS→VGS

?0.3VpID=0mA

→VGS

=Vp(每步級)→VGS

=0V,-0.5V,-1V,-1.5V,-2V此為n-通道裝置,設(shè)定顯示五步級---十步級?ps：當(dāng)VGS愈變愈負時，曲線間的距離愈縮減。BoylestadandNashelsky

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Allrightsreserved.§6-6重要關(guān)係式5待定參數(shù)分析結(jié)構(gòu)起點→BoylestadandNashelsky

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Allrightsreserved.基本結(jié)構(gòu)(n-通道空乏型MOSFET)： ?SiO2

是一種特殊的絕緣體被稱為

電介質(zhì)，當(dāng)有外加電場時即在電介質(zhì)內(nèi)建立起反向電場。?SiO2

之絕緣層導(dǎo)致裝置極高之輸

入阻抗，值與典型之JFET差不多。→直流偏壓結(jié)構(gòu)下IG=0A?閘極與通道間的絕緣層導(dǎo)致裝置之別名：絕緣閘FET

或IGFET§6-7空乏型MOSFET6

?MOSFETs

分為空乏型與增強型；這兩種MOSFET有不同特性與不同基本操作模式。

?空乏型MOSFET與JFET介於截止與飽和IDSS之間有相同特性，但有增加延伸至相反VGS極性區(qū)域之特性。(汲極)金屬接點(源極)(閘極)n通道n型區(qū)域(SubStrate)基體SSP基體有時內(nèi)↓s(絕緣用薄層)矽基板BoylestadandNashelsky

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Allrightsreserved.§6-7空乏型MOSFET7復(fù)合過程p-材料基體電洞被吸引至閘極之負電位電子被閘極之負電位所排斥金屬接點n-通道SiO2層(VGS

<0)基本操作與特性：(n-通道空乏型MOSFET) ?VGS

偏壓愈負，電子與電洞復(fù)合率愈高?

ID↓。(如右圖)∴，VGS

=0V→ID

=IDSS，VGS

<0V→ID<IDSS ?其汲極電流與轉(zhuǎn)移曲線和JFET相似。?VGS

>0，將從p-型基體吸引更多的自由載子-電子(由於逆向漏電流之故)，同時加速質(zhì)點間碰撞產(chǎn)生新載子。?VGS

>0↑，ID?>IDSS(如圖)?因ID?

>IDSS

，故須知道

最大汲極電流額定值。?基於通道中自由載子數(shù)是否“增強”?→在汲極或轉(zhuǎn)移特性曲線上，正閘極電壓區(qū)域被稱為增強區(qū)，截止與IDSS飽和值間區(qū)域被稱為空乏區(qū)BoylestadandNashelsky

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Allrightsreserved.8§6-7空乏型MOSFET

空乏區(qū)增強區(qū)

增強區(qū)↑↓空乏區(qū)BoylestadandNashelsky

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Allrightsreserved.9§6-7空乏型MOSFET：畫出IDSS=10mA及VP=-4V，n-通道空乏型MOSFET

之轉(zhuǎn)移特性。解：蕭克萊方程式

①VGS=0V

→ID=IDSS=10mA

②ID=0mA

→VGS

=Vp=-4V

③VGS=?Vp=?(-4V)

=-2V

→ID=?IDSS=?(10mA)=2.5mA

④ID=?IDSS=?(10mA)

=5mA

→VGS

?0.3Vp=0.3(-4V)

=-1.2V

⑤因VGS

>0↑,ID?>IDSS，故值不可代太大

VGS=+1V

→

將①~⑤點繪製曲線→右圖轉(zhuǎn)移曲線①②③④⑤10§6-7空乏型MOSFETp-通道空乏型MOSFET： ?結(jié)構(gòu)與n-通道相反，即有n-型基體與p-型通道。----??所有電壓極性與電流方向均相反。(VDS<0→ID>0且VGS有相反極性)---?,??VGS

之變號將導(dǎo)致轉(zhuǎn)移特性(對於ID軸)鏡像反射。(VGS↓?ID↑)----??蕭克萊方程式仍可適用。???IDSS

=6mA11§6-7空乏型MOSFET符號： ?符號反映裝置之真實結(jié)構(gòu)。?閘極與通道間所缺乏的直接連接(由於閘極絕緣)用符號之閘極與其他端子

間的間隔來表示。?每種型態(tài)的通道有兩種符號，此反映某些情況下基體可外接。

n-通道

p-通道BoylestadandNashelsky

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Allrightsreserved.12§6-7空乏型MOSFET規(guī)格表與外殼結(jié)構(gòu)：2N3797外殼22-03,形態(tài)2TO-18(TO-206AA)

3汲極2閘極1源極MOSFETs低功率音顏N-通道－空乏型BoylestadandNashelsky

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