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文檔簡介

勞埃法及其應用大家回顧一下晶體的衍射強度

2I

F(s

)

L(s

)I電子勞埃函數推導出方程和布拉格公式s=g

2dsin=結構因素推導出消光規(guī)律勞埃法及其應用由

方程和愛瓦德圖解了解了各種衍射方法單色光照射單晶體單色光照射轉動的單晶體連續(xù)光照射單晶體單色光照射多晶體a*0010b*100020晶體So/S/s=g勞埃法實驗原理圖底片衍射線透射2θ晶體x-ray50mm反射底片2θ晶體30mm衍射線勞埃法實驗勞埃法-------連續(xù)光照射單晶體對光源的要求：光強高，波長范圍寬－－－增加勞埃斑點的強度和數目一般用W靶

V=30~70kV另外底片要標記正

（一是方底片左上角切角，另一是在底片盒上加標記）通常一次裝三張底片勞埃法的愛瓦德圖解010b*勞埃法-------連續(xù)光照射單晶體020100S/2

晶體20不容易直觀解釋衍射現象，亦不易看出衍射方向勞埃法的愛瓦德圖解010110球200100

000將愛瓦德圖解作一簡單變換020衍射方向020連續(xù)X射線波長在一定范圍內變化將 球直徑由1/改為1將g=1/d作倒易點陣改為g=λ/d即倒易球不變，而倒易點陣變勞埃法的愛瓦德圖解很容易看出(hk

l)(2h

2k

2l)

(3h

3k

3l)等價晶面衍射方向一致，形成同一個勞埃斑2dsin=n

dhkl=2d2h2k2l=3d3h3k3l換句話說，,/2,

/3波長的X射線衍射形成同一個斑點所以低指數面衍射斑點強（例外是特征線衍射高指數面）勞埃法 特征000晶體因橢圓和雙曲線均是同一晶帶的晶面衍射斑點，稱其為晶帶曲線點多的為低指數晶帶入射線透射背射勞埃法測定單晶取向單晶取向的測定勞埃斑與晶面極點透射法測定單晶取向背射法測定單晶取向001111110

001

010100001勞埃斑點的晶面極點tg2=S/DθθR勞埃斑極點θR=1/S反射面2θ

DR1=D+S變換尺格氏網對于背射勞埃也可以用上述方法找到其與極射投影間的關系，但由于很大，投影集中于中間，上述方法誤差較大。因此，背射采用格氏網將勞埃斑轉換成極射投影。格氏網－－將吳氏網代替倒易點陣投影獲得。格氏網經線緯線透射法測定單晶取向底片衍射線2θ50mm透射晶體x-ray勞埃斑極射投影透射法測定單晶取向透射法測定單晶取向背射法測定單晶取向背射法測定單晶取向勞埃法的其他應用舉例單晶體的定向切割塑性變形的研究雙面法測滑移面極點軌跡測攣生面滑移方向的測定雙面法測滑移面取一單晶試樣磨出兩個相互垂直的金相平面變形出滑移線用金相測出其，NABXY-XY雙面法測滑移面NA面滑移線SB面NSX-Y滑移面

極點軌跡滑移線滑移面

極點軌跡Y-XPB面轉90度NSSNAB

XY用勞埃法測出P點的指數極點軌跡測攣生面001011111001011轉換成標準投影111001110112123111012變形＋拋光＋偏振光觀察照勞埃相重復多次即可獲得孿生面滑移方向的測定1

12滑移面拉

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