PIV技術(shù)真空開關(guān)電弧流場(chǎng)實(shí)驗(yàn)分析_第1頁
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文檔簡介

1、PIV技術(shù)真空開關(guān)電弧流場(chǎng)實(shí)驗(yàn)分析 為了對(duì)真空開關(guān)電弧燃燒過程及熱形態(tài)變化規(guī)律研究,本文采用粒子成像測(cè)速( PIV) 技術(shù)對(duì)短間隙真空開關(guān)電弧開展了實(shí)驗(yàn)研究,觀察分析了電弧流場(chǎng)的信息,有明顯的漩渦區(qū)。實(shí)驗(yàn)結(jié)果說明,運(yùn)用PIV 技術(shù)能較好地獲取真空開關(guān)電弧燃燒二維速度場(chǎng)分布; 隨著電弧電流不斷增大,真空間隙中金屬蒸氣壓力不斷增大,電弧加速向四周擴(kuò)散運(yùn)動(dòng),當(dāng)電弧電流增大到一定值時(shí),在電弧四周產(chǎn)生明顯的渦流區(qū)域; 電弧電流峰值過后,渦流區(qū)域不斷減小,當(dāng)電弧電流減小到一定值時(shí),電弧不再向外擴(kuò)散,而是向弧柱中心做集聚運(yùn)動(dòng)。 真空滅弧室是真空開關(guān)的核心部件之一,深入研究真空滅弧室關(guān)鍵技術(shù)是促進(jìn)真空開關(guān)發(fā)展

2、的關(guān)鍵所在。開展真空電弧根底理論研究,特別是對(duì)電弧燃燒分布及變化規(guī)律研究對(duì)真空滅弧室的設(shè)計(jì)制造有著重要的指導(dǎo)意義。由于真空開關(guān)電弧是在封閉的真空環(huán)境中產(chǎn)生,這就給真空電弧研究工作帶來困難和挑戰(zhàn)。自從開展真空滅弧室研究以來,在真空電弧研究領(lǐng)域主要是采用實(shí)驗(yàn)診斷和仿真計(jì)算模擬兩種方法。在實(shí)驗(yàn)診斷方面,國內(nèi)外主要是采用光學(xué)技術(shù)實(shí)現(xiàn)電弧動(dòng)態(tài)圖像采集,進(jìn)而實(shí)現(xiàn)對(duì)電弧燃燒過程的分析。如P. G. Slade研究了真空電弧起弧和燃弧過程中弧柱形態(tài)變化; Heberlein利用高速攝像對(duì)平板構(gòu)造觸頭的電弧開展了分析; 武建文采用自行設(shè)計(jì)的光纖陣列對(duì)真空電弧圖像開展了采集,并對(duì)中頻電弧形態(tài)開展了研究; 苑舜等對(duì)

3、插接式真空滅弧室電弧形態(tài)開展了試驗(yàn)研究; 董華軍運(yùn)用高速CMOS 攝像機(jī)對(duì)短間隙真空開關(guān)電弧圖形開展了采集及分析。在電流流場(chǎng)仿真方面,吳翊等對(duì)觸頭打開過程中低壓空氣電弧等離子體的動(dòng)態(tài)分析。這些研究分析了電弧燃燒過程,促進(jìn)了對(duì)真空開關(guān)電弧物理特性的了解。但目前在真空開關(guān)電弧領(lǐng)域,依舊存在很多根底理論未知領(lǐng)域,特別是在電弧燃燒過程中很多細(xì)節(jié)特征及流場(chǎng)特性無法掌握,不能實(shí)現(xiàn)對(duì)電弧有效調(diào)控,導(dǎo)致真空滅弧室設(shè)計(jì)缺少理論依據(jù)和技術(shù)支持,從而影響和制約了真空滅弧室的發(fā)展。 粒子成像測(cè)速( PIV,Particle Imaging Velocimetry)技術(shù)是在流動(dòng)顯示技術(shù)的根底上,利用圖像處理技術(shù)發(fā)展起來

4、的一種非接觸式流場(chǎng)測(cè)量技術(shù)。PIV 技術(shù)具有以下顯著特點(diǎn): 能研究空間全流場(chǎng)的速度分布; 可獲得流場(chǎng)隨時(shí)間的變化規(guī)律; 對(duì)流場(chǎng)干擾小。國內(nèi)引入PIV 測(cè)試技術(shù)已有十余年,在工農(nóng)業(yè)機(jī)械、航空航天及醫(yī)學(xué)等諸多領(lǐng)域發(fā)揮著重要的作用。在燃燒診斷領(lǐng)域里張鴻雁等應(yīng)用PIV 對(duì)二維溫室繞流流場(chǎng)開展了實(shí)驗(yàn)研究,分析了繞流瞬態(tài)流場(chǎng)和時(shí)均流場(chǎng)的信息。顏應(yīng)文等應(yīng)用PIV 研究了具有兩級(jí)軸向旋流器的航空發(fā)動(dòng)機(jī)燃燒室旋流流場(chǎng)特性( 包括冷態(tài)流場(chǎng)和燃燒流場(chǎng)) 。但在真空開關(guān)電弧研究領(lǐng)域應(yīng)用報(bào)道不多,本文針對(duì)真空開關(guān)電弧研究現(xiàn)狀,開展了基于PIV 技術(shù)電弧實(shí)驗(yàn)研究。獲得真空電弧的速度分布及粒子的運(yùn)動(dòng)軌跡,同時(shí)顯示了電弧在電

5、磁作用下的渦流場(chǎng),為真空開關(guān)電弧流場(chǎng)研究提供了新的試驗(yàn)技術(shù)手段。 1、實(shí)驗(yàn)裝置及PIV 系統(tǒng) 可拆滅弧室上端為電極陽極,下端為電極陰極,陰極通過金屬波紋管連接,可上下調(diào)節(jié)保證觸頭陰極和陽極之間的開距,也可連接操動(dòng)機(jī)構(gòu)實(shí)現(xiàn)真空開關(guān)關(guān)合動(dòng)作。以可拆滅弧室為主體的實(shí)驗(yàn)電路如圖1 所示,實(shí)驗(yàn)裝置主要有4 個(gè)組成部分,第一部分是由電容C0、L0及二極管D 組成的電源部分,合適的選擇電容、電感參數(shù),可產(chǎn)生工頻交流源; 第二部分是可拆滅弧室主體,主要包括兩個(gè)可視玻璃窗口;第三部分是真空單元,主要包括由機(jī)械泵,分子泵組成的抽氣系統(tǒng),由電阻規(guī)和電離規(guī)組成的真空度檢測(cè)部分,確定真空腔體的真空度高于10 -2 Pa

6、 才能開展真空電弧實(shí)驗(yàn); 第四部分是真空電弧伏安特性檢測(cè)單元,主要包括分壓器和分流器,通過示波器采集信號(hào)可得到電弧伏安特性。 圖1 真空電弧實(shí)驗(yàn)裝置系統(tǒng) 二維PIV 測(cè)試系統(tǒng)一般包括光路系統(tǒng)、圖像采集系統(tǒng)、反映流場(chǎng)特性的示蹤粒子及圖像數(shù)據(jù)分析系統(tǒng)組成。真空開關(guān)電弧壽命較短,一般只有10ms 左右,因此需選用高速攝像機(jī)實(shí)現(xiàn)電弧圖像高分辨率的采集,實(shí)驗(yàn)中選用型號(hào)為Cam Record 1000 C的高速攝像機(jī),相機(jī)在1280 1024 分辨率下每秒采集速度可達(dá)1000 幀,并且相機(jī)帶了4 G 的緩存,在此條件下可以連續(xù)拍攝3. 2 s。在分辨率為1280 4 下每秒采集速度可達(dá)200 000 幀,

7、在此條件下可以連續(xù)拍攝4. 2 s,可滿足實(shí)驗(yàn)的需要。在真空開關(guān)電弧蒸氣里面,由于電弧等離子體中粒子是多相流動(dòng)的一部分,因此電弧粒子本身就是研究對(duì)象,即示蹤粒子。光學(xué)系統(tǒng),由于真空開關(guān)電弧本身產(chǎn)生很強(qiáng)的光亮,本實(shí)驗(yàn)研究真空開關(guān)電弧流場(chǎng)特性,因此不需輔助光源。 2、實(shí)驗(yàn)結(jié)果及分析 運(yùn)用PIV 軟件對(duì)采集得到的電弧圖像開展分析,分別診斷起弧階段,電弧燃燒擴(kuò)散階段及熄滅階段的粒子運(yùn)行特征。圖2 為PIV 實(shí)驗(yàn)診斷結(jié)果,圖中箭頭表示矢量運(yùn)動(dòng)方向,箭頭長短表示瞬時(shí)速度大小; 顏色只是為了顯示不同區(qū)域效果,無實(shí)際意義。由圖2( a) 所示可看出,在起弧階段,真空間隙中金屬蒸氣壓力較低,電弧向外擴(kuò)散速度不是

8、很快,且由中心向四周較均勻擴(kuò)散; 圖2( b) 、( c) 中電弧電流增大到一定程度,金屬蒸氣充滿了真空間隙,內(nèi)部蒸氣壓力較大,電弧迅速向四周擴(kuò)散運(yùn)動(dòng),且由于電磁場(chǎng)作用,在電極觸頭邊緣區(qū)域產(chǎn)生渦流,渦流產(chǎn)生以后隨著電流減小,渦流區(qū)域變小,且有向弧柱中心運(yùn)動(dòng)趨勢(shì); 在圖2( d) 中,電弧電流進(jìn)一步減小,真空間隙中電弧不能形成橋,而是孤立的陰極斑團(tuán)在陰極表面擴(kuò)散運(yùn)動(dòng),此時(shí)真空間隙中金屬蒸氣壓力變小,電弧粒子擴(kuò)散速度也發(fā)生了改變,不再是由中心向四周擴(kuò)散,而是由四周向中心集聚。 圖2 電弧流場(chǎng)PIV 診斷結(jié)果 3、結(jié)論 本文嘗試將PIV 技術(shù)應(yīng)用到真空開關(guān)電弧流場(chǎng)診斷上,根據(jù)實(shí)驗(yàn)結(jié)果可得到結(jié)論如下: (1) 運(yùn)用PIV 技術(shù)可實(shí)現(xiàn)真空開關(guān)電弧燃燒二維速度場(chǎng)分布圖繪制,取得了很好的效果,有效的分析了電弧流場(chǎng)及渦流特征。 (2) 真空開關(guān)電弧產(chǎn)生后,金屬蒸氣迅速向四周做擴(kuò)散運(yùn)動(dòng),且弧柱中心由于金屬蒸氣壓力,相對(duì)擴(kuò)散速度較慢,弧柱四周擴(kuò)散速度相對(duì)較高; 當(dāng)電弧電流值增大到一定值,在電弧弧柱周圍產(chǎn)生漩渦,電弧電流越

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