多晶矽TFTLCD應(yīng)用課件

1、多晶矽TFT LCD應(yīng)用指導老師：許進明學 生：曾祥修學 號：96L0231大綱多晶矽TFT LCD元件結(jié)構(gòu)TFT LCD目前技術(shù)分為低溫多晶矽多晶矽TFT薄膜製作方法多晶矽TFT薄膜在元件之功能多晶矽TFT薄膜的特性要求多晶矽TFT薄膜的優(yōu)點參考文獻多晶矽TFT LCD元件結(jié)構(gòu)TFT-LCD 即是thin-film transistor liquid-crystal display (薄膜電晶體液晶顯示器) 的縮寫TFT-LCD。 TFT LCD目前技術(shù)分為TFT LCD目前技術(shù)分為 非晶矽(a-Si TFT) 多晶矽(Poly-Si TFT) 高溫多晶矽 必須以攝氏1000度以上製程。 低

2、溫多晶矽 600度上下製程。 準分子雷射退火法(ELA) 固相結(jié)晶法(SPC) 金屬又發(fā)結(jié)晶（MIC/MICL）低溫多晶矽（固相結(jié)晶）固相結(jié)晶技術(shù)成本最低，也是最容易使用的方式。一般的作法是將非結(jié)晶矽薄膜放在爐管中進行退火。為了得到較大的晶粒，可以改變非晶矽的沈積參數(shù)幾退火條件。低溫多晶矽（金屬誘發(fā)結(jié)晶）利用金屬語系反應(yīng)成介穩(wěn)定的矽化合物，在矽化物移動的過程中，金屬原子的自由電子Si-Si共價鍵發(fā)生反應(yīng)，降低a-Si結(jié)晶所需的能障降低，使得結(jié)晶問度降低。退火前退火後多晶矽TFT薄膜在元件之功能TFT（薄膜電晶體）靠電極間電場的驅(qū)動，引起液晶分子扭轉(zhuǎn)向列的電場效應(yīng)，以控制光源的透射或遮斷功能 。

3、多晶矽TFT薄膜在元件之功能A A為TFTB B為液晶電容多晶矽TFT薄膜的特性要求多晶矽晶膜結(jié)晶晶粒尺大小要均勻與晶粒邊界數(shù)量要一致，避免電晶體元件在電特性上成生不穩(wěn)。I.500nm S.300nm多晶矽TFT薄膜的優(yōu)點低溫多晶矽與a-Si TFT最大的差異在於p-Si TFT的電晶體需進一步接受雷射回火的製程步驟，將非晶矽的薄膜轉(zhuǎn)變?yōu)槎嗑∧樱沟胮-Si TFT在矽晶結(jié)構(gòu)上較a-Si TFT來的排列有序。多晶矽(Poly Si)TFTLCD與非晶矽(a-Si)TFTLCD特性差異大，多晶矽提升電子遷移率達200(cm2/V-sec)，反應(yīng)時間快10倍以上、多晶矽電子移動速度較快使得面板厚度可縮小、多晶矽開口率高出70%以上、多晶矽可採更低功耗背光源差異 。多晶矽TFT薄膜的優(yōu)點1. 反映速度加快 2. 輕薄化3. 降低材料成本4. 省電特性 5. 高解析度6. 降低不良率。參考文獻.tw/oesemi/new_page_24.htm國立成功大學 工程科學研究所 低溫多晶矽薄膜製成研究 陳毓儒國立雲(yún)科 光電工程研