關于公布正研級崗位設置情況的通知

1、PAGE PAGE 14關于公布布正研級級崗位設設置情況況的通知知按照半半導體研研究所研研究應用用系統(tǒng)正正研級崗崗位聘用用辦法【半發(fā)人教字200739號】的相關要求，現(xiàn)將此次公開招聘的正研級崗位設置情況公布如下：項目崗位名稱稱崗位職責責1研究員研究內(nèi)容容：單光子過過程的物物理及其其器件，固固態(tài)量子子比特的的物理方方案、實實驗驗證證，量子子結構中中自旋極極化流的的產(chǎn)生、操控及及其新概概念器件件探索，自自旋相干干過程、自旋相相干操作作及其它它半導體體中相干干超快研研究等。工作目標標：能夠承擔擔、參與與國家重重點基礎礎研究任任務，在在低維半半導體量量子調(diào)控控方向做做出國內(nèi)內(nèi)領先、國際先先進的基基礎研

2、究究成果。2高質(zhì)量半半導體低低維材料料的可控控生長及及器件應應用（支支撐類）研究內(nèi)容容：研究半導導體低維維結構材材料的可可控生長長技術，在在提高材材料質(zhì)量量的基礎礎上研制制出高性性能的低低維半導導體光電電器件。探索納納米尺度度圖形化化襯底模模板上半半導體低低維材料料的控位位生長技技術，進進一步提提高量子子點、量量子線的的生長可可控性。研究半半導體低低維結構構與光電電功能材材料的MMBE工工藝兼容容性，提提高超薄薄層微結結構材料料的質(zhì)量量。工作目標標：1）實現(xiàn)現(xiàn)對自組組織量子子點、線線材料的的結構、光電特特性的有有效生長長調(diào)控，研研制出室室溫連續(xù)續(xù)工作、閾值電電流密度度1000A/ccm2、最大

3、輸輸出功率率5W的的高性能能量子點點激光器器，以及及高性能能GaAAs基長長波長量量子點激激光器和和超短脈脈沖量子子點激光光器。2）研制制出用于于單量子子點發(fā)光光等方面面研究的的高質(zhì)量量半導體體低維材材料。3）為本本單位其其它相關關研究方方向和崗崗位的工工作及時時提供充充足的高高質(zhì)量半半導體低低維材料料。2新型寬禁禁帶化合合物半導導體低維維結構材材料與物物理研究內(nèi)容容：研究寬禁禁帶半導導體低維維結構材材料的生生長機理理、p型型摻雜機機理；探探索寬禁禁帶低維維結構材材料的MMOCVVD生長長技術；發(fā)展柔柔性襯底底理論與與襯底制制備技術術，探索索MOCCVD-HVPPE復合合工藝制制備無裂裂紋大尺

4、尺寸GaaN自支支撐襯底底技術。工作目標標：得到ZnnO、AAlN和和InNN單晶薄薄膜，獲獲得p型型ZnOO材料，并并實現(xiàn)ZZnO多多層結構構的室溫溫紫外發(fā)發(fā)光；發(fā)展可實實用的柔柔性（可可協(xié)變）襯襯底，并并GaNN、ZnnO和AAlN的的異質(zhì)外外延生長長；實現(xiàn)在SSi襯底底上用MMOCVVD-HHVPEE復合工工藝制備備2英寸寸GaNN自支撐撐襯底； 揭示ZnnO低維維結構（如如一維納納米棒、零維量量子點）與與InNN新穎納納米結構構（如六六角納米米花、四四角納米米花結構構）材料料的生長長機理，發(fā)發(fā)現(xiàn)新規(guī)規(guī)律、新新現(xiàn)象和和新結構構，并探探索其在在新型量量子器件件方面的的應用。3寬禁帶外外延材

5、料料及應用用研究研究內(nèi)容容：高性能SSiC外外延設備備研制與與改進；高溫、大功率率、高反反壓SiiC材料料及器件件應用研研究；新新型MEEMS用用高質(zhì)量量SiCC外延材材料的研研制工作目標標：SiC外外延設備備的主要要性能指指標接近近或達到到國際商商用設備備的水平平；使得得SiCC外延材材料及相相關器件件在一定定領域占占有重要要地位。3寬禁帶單單晶材料料的研制制：研究內(nèi)容容：ZnO、AlNN寬禁帶帶單晶材材料的研研制與開開發(fā)，包包括單晶晶生長設設備研制制、晶體體生長技技術研究究以及晶晶體加工工技術研研究。工作目標標：實現(xiàn)寬禁禁帶單晶晶的實用用化，使使其成為為半導體體照明及及其它光光電子器器件應

6、用用領域的的重要基基礎支撐撐材料。4硅基低維維納米結結構材料料生長和高效發(fā)發(fā)光器件件與高速速光電探探測器研研制研究內(nèi)容容：UHV/CVDD生長SSi基（SSiGee/Sii、Gee/Sii等）應應變異質(zhì)質(zhì)低維納納米材料料及其生生長動力力學研究究；Si基納納米圖案案的制備備與轉(zhuǎn)移移技術及及大面積積高成品品率Sii基片低低溫鍵合合技術研研究；三維納米米結構的的Si基基材料中中，激子子運動的的受限與與帶間輻輻射躍遷遷增強機機理和高高效發(fā)光光器件的的研究1.555微米波波長響應應Si基基異質(zhì)結結構高速速響應光光電探測測器的設設計與研研制。工作目標標：理論和實實驗研究究低位錯錯密度、高熒光光效率SSi基

7、納納米結構構異質(zhì)材材料生長長動力學學規(guī)律；實驗掌握握200nm尺尺寸納米米圖案的的制備和和轉(zhuǎn)移技技術，SSiO22/Sii與Sii基片大大面積低低溫鍵合合成品率率達到550%；在低維SSi基異異質(zhì)納米米圖案結結構中光光泵浦實實現(xiàn)光增增益并研研究實現(xiàn)現(xiàn)電注入入高效發(fā)發(fā)光的有有效途徑徑；研究出對對1.555微米米波長響響應，33dB帶帶寬為110GHHz的SSi基光光電探測測器，完完成8663和9973(1)的的課題任任務；研究出一一種有光光增益的的Si基基發(fā)光材材料并實實現(xiàn)電注注入高效效發(fā)光，完完成9773(22)課題題任務；培養(yǎng)碩士士和博士研研究生44-5名名。4Si基納納米線波波導電光光開關

8、及及微納結結構電動動力學問問題的研研究研究內(nèi)容容理論模擬擬解決納納米線中中的模場場問題；設計制造造單模波波導、彎彎曲波導導、MMMI、MMZI、 SSSC、AAIR、MRRR、OGGC等光光子元件件；開展高分分辨率光光刻和干干法刻蝕蝕等工藝藝研究，解解決納米米量級工工藝制造造問題；光子集成成：研究究集成技技術、工工藝兼容容性，在在同一SSOI基基片上制制備微納納波導光光開關。工作目標標理論上解解決納米米線中的的模場問問題和器器件結構構，設計計制造出出微納尺尺寸開關關；優(yōu)化工藝藝技術，解解決納米米量級工工藝制造造問題，探探索材料料、結構構、電光光性能的的關系；最終指標標（9773和8863任任務

9、的最最終目標標）：222 SSOI電電光開關關陣列：開關時時間 1 ns、信道串串擾 200 dBB、輸入入/輸出出插入損損耗 155 dBB、單元元功耗 330 mmW、單單元尺寸寸小于 5 m1000 m。培養(yǎng)養(yǎng)碩士、博士研研究生44-5名名。5氮化鎵基基藍紫光光激光器器的研制制與產(chǎn)品品開發(fā)研究內(nèi)容容：氮化鎵基基藍紫光光激光器器的結構構優(yōu)化設設計；激激光器結結構材料料的MOOCVDD生長技技術；PP型GaNN、Al11-xGGaxNN的活化化技術；激光器器的脊形形波導條條形結構構制備技技術；激激光器 F-PP腔的腔腔面的解解理技術術；P型GaNN和N型GaNN歐姆接接觸技術術；激光光器腔面

10、面鍍膜技技術；激激光器倒倒裝的熱熱沉設計計和制備備技術；激光器器的倒裝裝焊技術術。大功功率氮化化鎵基藍藍紫光激激光器的的研制和和應用研研究。工作目標標：在研制成成功室溫溫連續(xù)工工作的氮氮化鎵激激光器的的基礎上上，進一一步優(yōu)化化器件的的結構設設計、材材料生長長工藝技技術和激激光器的的圖形化化工藝技技術等，激激光器連連續(xù)工作作的閾值值電壓小小于100伏，激激光器連連續(xù)工作作的輸出出功率大大于200毫瓦。氮化鎵鎵基藍紫紫光大功功率激光光器在脈脈沖條件件下單管管輸出功功率大于于1瓦，列列陣輸出出功率大大于100瓦，并并在某些些領域獲獲得應用用。5GaAss基近紅紅外低維維光電子子器件與與光子集集成芯片

11、片研究內(nèi)容容：以受限電電子、光光子體系系中的量量子物理理現(xiàn)象研研究為基基礎，開開辟低維維量子結結構中新新現(xiàn)象、新效應應在新型型光電發(fā)發(fā)射和探探測器件件中的新新應用，探探索寬帶帶光纖與與無線信信息網(wǎng)絡絡、量子子信息技技術所急急需的量量子光電電子材料料與器件件，研究究光子集集成關鍵鍵技術，研研制新一一代GaaAs基基1.001.555m波段光光電器件件及集成成芯片。工作目標標：1.555m波段段高速、窄帶響響應、高高線形保保真度光光電探測測器，GGaAss基長波波長波長長可控垂垂直腔型型收發(fā)集集成芯片片，一體體化微弱弱信號接接收模塊塊，GaaAs基基1.00m1.555m波段量量子阱、量子點點及異

12、變變結構激激光器，以以及高靈靈敏度量量子線FFET探探測器。6超高速光光電子器器件、多多波長激激光器及及其集成成模塊研究內(nèi)容容：研究以EEA調(diào)制制器為基基本單元元的高速速功能集集成器件件的結構構設計、工作機機理和特特性的優(yōu)優(yōu)化，研研究基于于EA調(diào)調(diào)制器和和探測器器全光邏邏輯信息息處理單單元；研究多種種單片集集成技術術的內(nèi)在在規(guī)律和和深層機機理,整整合和拓拓展這些些技術以以以完善善InPP基光電電子功能能材料集集成技術術平臺；研究實現(xiàn)現(xiàn)微波信信號與光光波信號號間匹配配，設計計出可在在40GGb/ss以上工工作的行行波電極極結構高高頻光電電子集成成器件，研研究高性性能高速速率光模模塊，提提高模擬擬

13、光發(fā)射射器件的的工作頻頻率，研研制用于于產(chǎn)生微微波信號號的光外外差光源源；研究可調(diào)調(diào)諧、面面發(fā)射、環(huán)境監(jiān)監(jiān)測用激激光器以以及與其其它功能能器件的的集成。在現(xiàn)有高高速光電電子器件件測試平平臺的基基礎上，擴擴大測試試參數(shù)內(nèi)內(nèi)容和指指標范圍圍；工作目標標：光“與門門”或“非門”邏輯功功能器件件,運算算速度為為Gb/s量級級；研制400Gb/s行波波EAMM調(diào)制器器和400Gb/s行波波EMLL集成功功能器件件；研究究用于440Gbb/s光光信息處處理用電電吸收調(diào)調(diào)制器和和相關集集成器件件，研制制出用于于時鐘恢恢復的自自脈動激激光器。研制毫米米波無線線通信和和微波產(chǎn)產(chǎn)生技術術的集成成光源，實實現(xiàn)頻率率

14、在122.5118GHHz范圍圍內(nèi)連續(xù)續(xù)可調(diào)，單單頻工作作時最高高工作頻頻率為660GHHz；研制符合合ITUU標準的的調(diào)諧范范圍為330440nmm的可調(diào)調(diào)諧激光光器，以以及多波波長陣列列激光器器和1.662m波段環(huán)環(huán)境監(jiān)測測用激光光器, 研究100Gb/s長波波長面發(fā)發(fā)射激光光器測試試分析，等等效電路路模型，優(yōu)優(yōu)化設計計和器件件封裝；研制波段段為Kuu和K模模擬通信信用激光光器，形形成小批批量產(chǎn)品品生產(chǎn)和和銷售；建設高速速光電子子芯片和和器件測測試平臺臺，實現(xiàn)現(xiàn)光電子子器件112.55Gb/s大信信號和440GHHz小信信號相應應特性智智能化測測試分析析，光譜譜和頻譜譜分析，分分辨率達達到

15、1HHz。6可調(diào)諧激激光器和和可集成成全光邏邏輯信息息處理單單元7大面陣及及雙色量量子阱紅紅外焦平平面探測測器件技技術研究究研究內(nèi)容容：（1）單單色量子子阱紅外外探測器器結構設設計。針針對長波波的高精精度、高高耦合效效率、高高均勻性性的光柵柵制備關關鍵技術術研究。（2）雙雙色疊層層長波GGaAss/AllGaAAs多量量子阱結結構和中中波InnGaAAs/AAlGaaAs多多量子阱阱器結構構設計。耦合光光柵的結結構設計計及工藝藝制作，雙光柵效應研究、雙光柵的設計、雙光柵的制備。等平面互聯(lián)與電極引出技術研究：等平面化研究、高填充因子的電極引出方案設計大面陣陣芯片制制備的成成套工藝藝技術研研究32

16、002566像元長長波量子子阱紅外外焦平面面探測器器器件面面向工程程化的相相關技術術研究工作目標標：32002566像元長長波量子子阱紅外外焦平面面探測器器器件64005122像元長長波量子子阱紅外外焦平面面探測器器器件關關鍵技術術研究32002566像元中中波/長長波雙色色量子阱阱紅外焦焦平面探探測器關關鍵技術術的基礎礎研究7表面等離離子物理理、材料料和器件件崗位職責責：表面等離離子體物物理和器器件的研研究已經(jīng)經(jīng)成為國國際上的的研究熱熱點，原原因就是是通過亞亞波長結結構可以以控制和和導引光光波。從從而獲得得線度遠遠小于目目前技術術的由波波導,開開關,耦耦合器等等組成的的微型光光學系統(tǒng)統(tǒng)。使得

17、得傳統(tǒng)的的光學和和光子學學又有了了新的科科學內(nèi)容容和發(fā)展展的空間間。三期期創(chuàng)新研研究工作作期間，本本崗位的的職責就就要為這這樣的光光子探控控系統(tǒng)的的實現(xiàn)進進行理論論、材料料、器件件的研究究。為在在不久的的將來尋尋求光子子學研究究的突破破性進展展打下基基礎。面面向微納納結構對對傳統(tǒng)光光電子器器件的影影響以及及光子集集成的發(fā)發(fā)展，建建立表面面等離子子亞波長長光學的的理論研研究和模模擬平臺臺，突破破納米結結構中的的關鍵技技術問題題，以表表面等離離子體微微納周期期性結構構激光器器、微納納結構光光子天線線、表面面等離子子體微納納周期性性結構波波導、重重摻半導導體表面面等離子子效應器器件等光光電子及及其集

18、成成的核心心器件為為主要研研究對象象，使表表面等離離子體效效應的研研究水平平獲得顯顯著的提提升，探探索表面面等離子子亞波長長光學半半導體集集成器件件機理和和器件結結構，獲獲得具有有自主知知識產(chǎn)權權的亞波波長光子子學器件件。在器器件性能能上達到到國際先先進水平平。7超高效率率大功率率激光二二極管列列陣技術術研究與與高可靠靠性大功功率半導導體激光光器批產(chǎn)產(chǎn)技術。研究方向向 超高效率率、超高高功率密密度大功功率激光光二極管管列陣技技術研究究，高可可靠性大大功率半半導體激激光器批批產(chǎn)技術術。崗位職責責：積極爭取取國家任任務，負負責超高高效率、超高功功率密度度大功率率激光二二極管列列陣技術術研究，負負責

19、高可可靠性大大功率半半導體激激光器批批產(chǎn)技術術研究及及大功率率半導體體激光二二極管列列陣貫標標線的質(zhì)質(zhì)量管理理，開發(fā)發(fā)具有自自主知識識產(chǎn)權的的超高效效率、超超高功率率密度大大功率激激光二極極管技術術與產(chǎn)品品，協(xié)助助項目負負責人保保證本研研究方向向（1）相相關任務務的完成成；制定本研研究方向向（1）相相關任務務的實施施方案，分分解任務務；協(xié)助項目目負責人人培養(yǎng)研研究生；十一五期期間爭取取課題經(jīng)經(jīng)費5000萬元元以上。7超高功率率密度大大功率激激光二極極管列陣陣器件技技術及光光束整形形與應用用技術研研究。研究方向向： 超高功率率密度大大功率激激光二極極管列陣陣器件技技術及光光束整形形與應用用技術研

20、研究。崗位職責責：積極爭取取國家任任務，負負責超高高功率密密度大功功率激光光二極管管列陣器器件及光光束整形形與應用用技術研研究及相相關產(chǎn)品品的研制制與開發(fā)發(fā)，協(xié)助助項目負負責人保保證本研研究方向向（2）相相關任務務的完成成；負責列陣陣激光器器光束質(zhì)質(zhì)量檢測測技術研研究，實實現(xiàn)列陣陣器件的的光束合合束、偏偏振合束束以及多多波長疊疊層器件件的合束束，研制制超高亮亮度器件件，達到到實用化化水平；負責大功功率光纖纖激光器器泵源的的研制與與開發(fā)；協(xié)助項目目負責人人培養(yǎng)研研究生。十一五期期間爭取取課題經(jīng)經(jīng)費5000萬元元以上。9高功率全全固態(tài)激激光器研研究崗位職責責：開展多級級激光模模塊串接接功率擴擴展技

21、術術、高功率率激光器器整機熱熱管理技技術等研研究，力力爭在短短期內(nèi)研研制出55kW級級高光束束質(zhì)量、高穩(wěn)定定性工業(yè)業(yè)級全固固態(tài)激光光器。并并在未來來355年里研研制出1101100 kW級級高光束束質(zhì)量、高穩(wěn)定定性全固固態(tài)激光光器。9高功率全全固態(tài)激激光器系系統(tǒng)工程程應用研研究崗位職責責：研究大功功率激光光器的工工程化技技術、人人機界面面交互技技術、系系統(tǒng)化集集成技術術等，開開展以55kW級級高功率率全固態(tài)態(tài)激光器器為核心心的激光光工業(yè)加加工裝備備研究并并力爭產(chǎn)產(chǎn)業(yè)化；研究高高功率全全固態(tài)激激光器的的光束控控制技術術，開展展以1001000kWW高光束束質(zhì)量、高可靠靠性激光光器為核核心的特特種

22、應用用研究。10新型光電電傳感器器集成陣陣列的集集成技術術和工藝藝開發(fā)崗位職責責建立適合合GaAAs集成成工藝的的全新SSiN薄薄膜淀積積設備開發(fā)出適適合GaaAs集集成工藝藝的全新新SiNN薄膜淀淀積工藝藝，滿足足可室溫溫淀積、可兼容容lifftofff工藝藝的要求求按照新型型光電傳傳感器集集成陣列列的要求求, 設設計制定定集成工工藝方案案, 配配合工藝藝流程進進行優(yōu)化化參加新型型光電傳傳感器集集成陣列列的建模模工作專業(yè)要求求要求具有有低維半半導體量量子器件件物理方方面的堅堅實基礎礎，并具具有十年年以上從從事這方方面工作作的經(jīng)歷歷要求已掌掌握新型型量子倍倍增機制制的原理理要求己掌掌握適合合G

23、aAAs集成成工藝的的全新SSiN薄薄膜淀積積工藝和和集成工工藝方案案10新 新型光光電傳感感器單元元器件研研制、性性能測試試和結構構設計優(yōu)優(yōu)化崗位職責責新原理高高增益光光電傳感感器原理理、物理理過程的的研究新原理高高增益光光電傳感感器的結結構優(yōu)化化新原理高高增益光光電傳感感器的特特性表征征方法和和測試分分析新原理高高增益光光電傳感感器的特特性模擬擬專業(yè)要求求要求具有有低維半半導體量量子器件件物理方方面的堅堅實基礎礎，并具具有十年年以上從從事這方方面工作作的經(jīng)歷歷要求已掌掌握新型型量子倍倍增機制制的原理理要求己掌掌握新原原理高增增益光電電傳感器器特性的的表征和和測試方方法12固 固態(tài)照照明關鍵

24、鍵材料外外延技術術開發(fā)及及產(chǎn)業(yè)化化研究研究內(nèi)容容：高效大功功率用高高質(zhì)量GGaN材材料的開開發(fā)，包包括藍寶寶石圖形形襯底制制備技術術及相關關外延技技術的開開發(fā)，垂垂直結構構大功率率的設計計和材料料外外延技術術的開發(fā)發(fā)，大功功率材料料外外延的均均勻性、重復性性研究和和產(chǎn)業(yè)化化應用。工作目標標：實現(xiàn)藍寶寶石圖形形襯底的的產(chǎn)業(yè)化化應用，開開發(fā)出基基于垂直直結構的的大功率率高效外外延材料料，與國國內(nèi)企業(yè)業(yè)合作為為實現(xiàn)1100llm/WW半導體體照明制制造技術術提供自自主研制制的圖形形襯底和和外外延技術術。12GaNGGaN基基材料MMOCVVD外延延及深紫紫外大功功率LEED技術術開發(fā)研究內(nèi)容容：藍寶

25、石襯襯底的高高質(zhì)量GGaN基基LEDD結構材材料的MMOCVVD外延延技術研研究，高高Al組組份AllGaNN材料的的MOCCVD外外延及摻摻雜技術術研究，非非極性面面藍寶石石襯底及及SiCC、GaaN等新新型襯底底的GaaN材料料外延技技術研究究，深紫紫外毫瓦瓦級LEED的MMOCVVD材料料生長及及器件制制備。工作目標標：獲得高質(zhì)質(zhì)量GaaN基LLED結結構材料料，為1130llm/WW的半導導體照明明集成技技術提供供外延材材料支撐撐，開發(fā)發(fā)出3000nmm深紫外外毫瓦級級LEDD器件材材料自主主外延技技術，培培養(yǎng)高水水平MOOCVDD外延技技術開發(fā)發(fā)人才。13微納機械械系統(tǒng)集集成研究內(nèi)容容：MEMSS/NEEMS薄薄膜材料料表征研研究新型超高高頻高品品質(zhì)因子子（Q）微微納共振振體的研研究新型RFF MEEMS開開關的研研究SiC基基高溫壓壓力傳感感器的研研究工作目標標：建立常用用MEMMS/NNEMSS薄膜材材料機械械性能及及其可靠靠性的數(shù)數(shù)據(jù)庫，為為微納器器件的設設計提供供重要的的指導；研制出出122種具有有超高