存儲器技術(shù)精品課件

1、存儲器技術(shù)第1頁，共25頁，2022年，5月20日，16點5分，星期二Home內(nèi)容簡介3.存儲器簡介第2頁，共25頁，2022年，5月20日，16點5分，星期二Home重點與難點3.存儲器簡介第3頁，共25頁，2022年，5月20日，16點5分，星期二HomeNext3.1 存儲器簡介1點擊演示！1.存儲器分類第4頁，共25頁，2022年，5月20日，16點5分，星期二HomeNext3.1 存儲器簡介2點擊演示！內(nèi)存儲器按其在微機系統(tǒng)中的位置可分成兩大類： HomeNextBack第5頁，共25頁，2022年，5月20日，16點5分，星期二2.存儲器的主要性能指標HomeBack33.1 存

2、儲器簡介 存儲容量 存取速度 可靠性 功耗 性能/價格比第6頁，共25頁，2022年，5月20日，16點5分，星期二1.靜態(tài)讀寫存儲器 （SRAM）13.2 讀寫存儲器 (以6264芯片為例)8K8bit的CMOS RAM芯片HomeNext第7頁，共25頁，2022年，5月20日，16點5分，星期二6264芯片與系統(tǒng)的連接23.2 讀寫存儲器D0D7A0A12WEOECS1CS2A0A12MEMWMEMR譯碼電路高位地址信號D0D7 HomeNextHomeNextBack第8頁，共25頁，2022年，5月20日，16點5分，星期二6264芯片與系統(tǒng)的連接33.2 讀寫存儲器D0D7A0A1

3、2WEOECS1CS2A0A12MEMWMEMR譯碼電路高位地址信號D0D7 HomeNextHomeNextBack第9頁，共25頁，2022年，5月20日，16點5分，星期二2.動態(tài)讀寫存儲器 （DRAM）43.2 讀寫存儲器特點：DRAM是靠MOS電路中的柵極電容來存儲信息的，由于電容上的電荷會逐漸泄漏，需要定時充電以維持存儲內(nèi)容不丟失（稱為動態(tài)刷新），所以動態(tài)RAM需要設置刷新電路，相應外圍電路就較為復雜。刷新定時間隔一般為幾微秒幾毫秒DRAM的特點是集成度高（存儲容量大，可達1Gbit/片以上），功耗低，但速度慢（10ns左右），需要刷新。DRAM在微機中應用非常廣泛，如微機中的內(nèi)存

4、條（主存）、顯卡上的顯示存儲器幾乎都是用DRAM制造的。HomeNextHomeNextBack第10頁，共25頁，2022年，5月20日，16點5分，星期二53.2 讀寫存儲器典型的動態(tài)存儲器芯片2164A2164A：64K1采用行地址和列地址來確定一個單元；行列地址分時傳送，共用一組地址線；地址線的數(shù)量僅為同等容量SRAM芯片的一半。10001 0 0 0列地址HomeNextHomeNextBack第11頁，共25頁，2022年，5月20日，16點5分，星期二63.2 讀寫存儲器動態(tài)存儲器芯片2164A的工作原理三種操作： 數(shù)據(jù)讀出 數(shù)據(jù)寫入 刷新將存放于每位中的信息讀出再照原樣寫入原單

5、元的過程。HomeNextHomeNextBack第12頁，共25頁，2022年，5月20日，16點5分，星期二3.可重寫的只讀存儲器（EPROM）73.2 讀寫存儲器特點： 可多次編程寫入； 掉電后內(nèi)容不丟失； 內(nèi)容的擦除需用紫外線擦除器。HomeNextHomeNextBack第13頁，共25頁，2022年，5月20日，16點5分，星期二83.2 讀寫存儲器8K8bit芯片，其引腳與SRAM 6264完全兼容地址信號：A0 A12數(shù)據(jù)信號：D0 D7輸出信號：OE片選信號：CE編程脈沖輸入：PGM典型的EPROM 2764HomeNextHomeNextBack第14頁，共25頁，2022

6、年，5月20日，16點5分，星期二93.2 讀寫存儲器EPROM 2764的工作方式編程寫入的特點：每出現(xiàn)一個編程負脈沖就寫入一個字節(jié)數(shù)據(jù)數(shù)據(jù)讀出編程寫入擦除標準編程方式快速編程方式工作方式HomeNextHomeNextBack第15頁，共25頁，2022年，5月20日，16點5分，星期二4.電擦除可編程只讀存儲器（EEPROM）103.2 讀寫存儲器特點： 可在線編程寫入； 掉電后內(nèi)容不丟失； 內(nèi)容的擦除需用電擦除器。HomeNextHomeNextBack第16頁，共25頁，2022年，5月20日，16點5分，星期二3.2 讀寫存儲器8K8bit芯片13根地址線（A0 A12）8位數(shù)據(jù)線

7、（D0 D7）輸出允許信號（OE）寫允許信號（WE）選片信號（CE）狀態(tài)輸出端（READY/BUSY）典型的EEPROM 98C64A11HomeNextHomeNextBack第17頁，共25頁，2022年，5月20日，16點5分，星期二3.2 讀寫存儲器EEPROM 98C64A的工作方式12數(shù)據(jù)讀出編程寫入擦除字節(jié)寫入：每一次BUSY正脈沖寫 入一個字節(jié)自動頁寫入：每一次BUSY正脈寫 入一頁（1 32字節(jié)）字節(jié)擦除：一次擦除一個字節(jié)片擦除：一次擦除整片HomeNextHomeNextBack第18頁，共25頁，2022年，5月20日，16點5分，星期二5.閃速EEPROM（FLASH）

8、133.2 讀寫存儲器特點： 通過向內(nèi)部控制寄存器寫入命令的方法來控制芯片的工作方式，而非用引腳的信號來控制芯片的工作。應用： BIOS，便攜式閃存硬盤HomeNextHomeNextBack第19頁，共25頁，2022年，5月20日，16點5分，星期二HomeBack3.2 讀寫存儲器FLASH的工作方式14數(shù)據(jù)讀出編程寫入 擦 除讀單元內(nèi)容讀內(nèi)部狀態(tài)寄存器內(nèi)容讀芯片的廠家及器件標記數(shù)據(jù)寫入，寫軟件保護字節(jié)擦除，塊擦除，片擦除擦除掛起第20頁，共25頁，2022年，5月20日，16點5分，星期二HomeNext3.3 存儲器擴展技術(shù)1位擴展擴展每個存儲單元的位數(shù)字擴展擴展存儲單元的個數(shù)字位擴

9、展二者的綜合用多片存儲芯片構(gòu)成一個需要的內(nèi)存空間，它們在整個內(nèi)存中占據(jù)不同的地址范圍，任一時刻僅有一片（或一組）被選中。第21頁，共25頁，2022年，5月20日，16點5分，星期二HomeNext2HomeNextBack3.3 存儲器擴展技術(shù)位擴展存儲器的存儲容量等于： 單元數(shù)每單元的位數(shù)當構(gòu)成內(nèi)存的存儲器芯片的字長小于內(nèi)存單元的字長時，就要進行位擴展，使每個單元的字長滿足要求。位擴展方法： 將每片的地址線、控制線并聯(lián)，數(shù)據(jù)線分別引出。位擴展特點：存儲器的單元數(shù)不變，位數(shù)增加。字節(jié)數(shù)字長第22頁，共25頁，2022年，5月20日，16點5分，星期二HomeNext3HomeNextBack

10、3.3 存儲器擴展技術(shù)字擴展擴展的含義：地址空間的擴展。芯片每個單元中的字長滿足，但單元數(shù)不滿足。擴展原則：每個芯片的地址線、數(shù)據(jù)線、控制線并聯(lián)，僅片選端分別引出，以實現(xiàn)每個芯片占據(jù)不同的地址范圍。第23頁，共25頁，2022年，5月20日，16點5分，星期二HomeNext4HomeNextBack3.3 存儲器擴展技術(shù)字位擴展根據(jù)內(nèi)存容量及芯片容量確定所需存儲芯片數(shù)；進行位擴展以滿足字長要求；進行字擴展以滿足容量要求。若已有存儲芯片的容量為LK，要構(gòu)成容量為M N的存儲器，需要的芯片數(shù)為： （M / L） （N / K）第24頁，共25頁，2022年，5月20日，16點5分，星期二本章小 結(jié)通過本章的學習：熟悉存儲器的分類及各類存儲器的特點和使用場合； 熟悉半導體存儲器芯片的結(jié)構(gòu)；掌握S