精選模擬電路圖講義

1、（優(yōu)選）模擬電路版圖課件第一頁(yè)，共一百零四頁(yè)。主要內(nèi)容概述寄生參數(shù)匹配噪聲問(wèn)題第二頁(yè)，共一百零四頁(yè)。6.1 概述在模擬電路的版圖設(shè)計(jì)中，設(shè)計(jì)規(guī)則不象數(shù)字電路一樣重要，但是也可以使用。在高質(zhì)量的數(shù)字電路中，其設(shè)計(jì)方法通常類似于模擬電路，即所謂的全定制設(shè)計(jì)方法。 第三頁(yè)，共一百零四頁(yè)。數(shù)字技巧和模擬技巧的對(duì)比一、規(guī)模不同二、主要目標(biāo)不同數(shù)字電路的目標(biāo)：優(yōu)化芯片的尺寸和提高集成度模擬電路的目標(biāo)：優(yōu)化電路的性能、匹配程度、速度和各種功能方面的問(wèn)題。在模擬電路版圖設(shè)計(jì)中，性能比尺寸更重要。第四頁(yè)，共一百零四頁(yè)。數(shù)字技巧和模擬技巧的對(duì)比三、團(tuán)隊(duì)工作方式不同在模擬集成電路的版圖設(shè)計(jì)中，團(tuán)隊(duì)溝通更加重要，例如

2、，需要從電路設(shè)計(jì)者了解電路需要的匹配、屏蔽、特定的器件防止方向等信息。在整個(gè)的設(shè)計(jì)流程中，都要不斷溝通，以保證所設(shè)計(jì)的版圖不僅功能正確，且性能最優(yōu)。第五頁(yè)，共一百零四頁(yè)。數(shù)字技巧和模擬技巧的對(duì)比四、完成進(jìn)度不同在數(shù)字電路設(shè)計(jì)中，芯片的絕大部分電路往往在開(kāi)始版圖工作時(shí)，就已經(jīng)完成。而模擬電路則不同，電路設(shè)計(jì)和版圖設(shè)計(jì)可能會(huì)同時(shí)進(jìn)行。第六頁(yè)，共一百零四頁(yè)。數(shù)字技巧和模擬技巧的對(duì)比五、創(chuàng)新要求不同與數(shù)字電路不同，模擬電路的版圖設(shè)計(jì)重復(fù)性不多，創(chuàng)新很重要。六、約束條件不同在模擬電路中，版圖設(shè)計(jì)幾乎沒(méi)有什么規(guī)則，最終的目標(biāo)就是電路的性能。數(shù)字版圖設(shè)計(jì)中的規(guī)則可以選擇，也可以不選擇。第七頁(yè)，共一百零四頁(yè)。

3、數(shù)字技巧和模擬技巧的對(duì)比七、對(duì)電路技術(shù)理解程度的要求不同模擬電路版圖設(shè)計(jì)比數(shù)字電路版圖設(shè)計(jì)更需要了解電路技術(shù)。如：電壓、電流及相互關(guān)系差分對(duì)需要匹配等第八頁(yè)，共一百零四頁(yè)。三個(gè)關(guān)鍵問(wèn)題一、問(wèn)題1：這個(gè)電路是做什么用的電路的功能決定了下面的一些關(guān)鍵問(wèn)題：絕緣匹配布局均衡覆蓋保護(hù)方法I/O導(dǎo)線的位置器件分割平面布置第九頁(yè)，共一百零四頁(yè)。三個(gè)關(guān)鍵問(wèn)題二、問(wèn)題2a：它需要多大的電流所影響的問(wèn)題：器件的選擇金屬線尺寸的選擇布置方案第十頁(yè)，共一百零四頁(yè)。三個(gè)關(guān)鍵問(wèn)題例如，最小導(dǎo)線寬度的確定：根據(jù)工藝手冊(cè)（認(rèn)識(shí)工藝規(guī)則）中查到的金屬線的所能承受的最大電流，計(jì)算某個(gè)器件中所需要的最小線寬。第十一頁(yè)，共一百零四

4、頁(yè)。三個(gè)關(guān)鍵問(wèn)題三、問(wèn)題2b：大電流路徑和小電流路徑在哪電路中的各個(gè)部分所需要的電流大小是不同的，因此導(dǎo)線寬度的要求也不同，要根據(jù)實(shí)際需要進(jìn)行設(shè)計(jì)。四、問(wèn)題3：有哪些匹配要求第十二頁(yè)，共一百零四頁(yè)。雙極性模擬電路其規(guī)則比CMOS版圖設(shè)計(jì)要簡(jiǎn)單，主要是器件簡(jiǎn)單。對(duì)模擬版圖設(shè)計(jì)者的期望：不要太相信電路設(shè)計(jì)者。第十三頁(yè)，共一百零四頁(yè)。6.2寄生參數(shù) 三種主要的寄生參數(shù)：寄生電容寄生電阻寄生電感第十四頁(yè)，共一百零四頁(yè)。寄生電容各層金屬線之間，以及金屬線與襯底之間，都會(huì)產(chǎn)生寄生電容。對(duì)于高頻電路，由于要求版圖的電路速度高，電容就會(huì)變得越加重要。一、導(dǎo)線長(zhǎng)度如果知道某些部分的布線寄生參數(shù)要小，實(shí)現(xiàn)方法之一

5、就是讓那一部分導(dǎo)線盡量短，以減少重疊。第十五頁(yè)，共一百零四頁(yè)。寄生電容第十六頁(yè)，共一百零四頁(yè)。寄生電容二、選擇金屬層一般來(lái)說(shuō)，最關(guān)心的寄生電容來(lái)自金屬層與襯底之間，因此，一般的經(jīng)驗(yàn)是選擇遠(yuǎn)離襯底的金屬層走線。但是這個(gè)經(jīng)驗(yàn)也要與實(shí)際情況相結(jié)合來(lái)使用。還與工藝規(guī)則有關(guān)系，比如工藝規(guī)則所規(guī)定的最小線寬，可能會(huì)使得高層金屬的電容更大。例子第十七頁(yè)，共一百零四頁(yè)。寄生電容第十八頁(yè)，共一百零四頁(yè)。寄生電容第十九頁(yè)，共一百零四頁(yè)。寄生電容不能僅僅采用普遍適用的方法，也并不是簡(jiǎn)單地提倡讓每一樣?xùn)|西都盡可能短和盡可能小，應(yīng)該根據(jù)電路的功能和可用的工藝來(lái)進(jìn)行選擇。第二十頁(yè)，共一百零四頁(yè)。寄生電容三、金屬疊著金屬在

6、數(shù)字電路中，有一些關(guān)鍵導(dǎo)線對(duì)噪聲非常敏感，如果僅僅依賴工具自動(dòng)布線，而不加干預(yù)，會(huì)產(chǎn)生很嚴(yán)重的后果。在布線時(shí)最好繞過(guò)電路模塊，而不是僅僅簡(jiǎn)單的在它上面走線。應(yīng)該讓敏感的信號(hào)遠(yuǎn)離。因此再次說(shuō)明了，版圖設(shè)計(jì)人員在設(shè)計(jì)版圖時(shí)，必須與電路設(shè)計(jì)人員進(jìn)行足夠的溝通。第二十一頁(yè)，共一百零四頁(yè)。寄生電容第二十二頁(yè)，共一百零四頁(yè)。寄生電容第二十三頁(yè)，共一百零四頁(yè)。寄生電容第二十四頁(yè)，共一百零四頁(yè)。寄生電阻一、計(jì)算IR壓降當(dāng)根據(jù)電流計(jì)算出來(lái)所需要的導(dǎo)線寬度后，還有一項(xiàng)任務(wù)就是計(jì)算導(dǎo)線的電阻。如果導(dǎo)線電阻過(guò)大，會(huì)導(dǎo)致過(guò)多的電壓損失，在模擬電路中，會(huì)產(chǎn)生很嚴(yán)重的后果。降低電阻的方法：導(dǎo)線加寬。第二十五頁(yè)，共一百零四頁(yè)

7、。寄生電阻第二十六頁(yè)，共一百零四頁(yè)。寄生電阻二、布線方案針對(duì)某一種要求，會(huì)有不同的布線方案進(jìn)行選擇。P8889的一個(gè)例子。經(jīng)驗(yàn)：如果一段導(dǎo)線的壓降大于10mv，就應(yīng)該與電路設(shè)計(jì)人員進(jìn)行溝通。為了降低寄生電阻，可以選擇較厚的金屬，其方塊電阻較小。第二十七頁(yè)，共一百零四頁(yè)。方塊電阻ohms per square，薄層電阻又稱方塊電阻，其定義為正方形的半導(dǎo)體薄層，在電流方向所呈現(xiàn)的電阻，單位為歐姆每方。簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，方塊電阻（Sheet Resistance）就是指導(dǎo)電材料單位厚度單位面積上的電阻值。簡(jiǎn)稱方阻，理想情況下它等于該材料的電阻率除以厚度。方塊電阻有一個(gè)特性，即任意大小的正方形邊到邊的電阻都是

8、一樣的，不管邊長(zhǎng)是1m還是0.1m，它們的方阻都是一樣，這樣方阻僅與導(dǎo)電膜的厚度和電阻率有關(guān)。方塊電阻計(jì)算公式：R=L/S ，為物質(zhì)的電阻率，單位為歐姆米(. m)，L為長(zhǎng)度，單位為米(m)，S為截面積，單位為平方米（m2），長(zhǎng)寬相等時(shí)，R=/h ，h為薄膜厚度。材料的方阻越大，器件的本征電阻越大，從而損耗越大。第二十八頁(yè)，共一百零四頁(yè)。寄生電阻第二十九頁(yè)，共一百零四頁(yè)。寄生電阻第三十頁(yè)，共一百零四頁(yè)。寄生電阻第三十一頁(yè)，共一百零四頁(yè)。寄生電阻第三十二頁(yè)，共一百零四頁(yè)。寄生電阻并聯(lián)布線：將上下層金屬線重疊起來(lái)，形成疊層結(jié)構(gòu)，實(shí)際上是幾層金屬線的并聯(lián)，相當(dāng)于加寬了導(dǎo)線。第三十三頁(yè)，共一百零四頁(yè)。

9、寄生電阻第三十四頁(yè)，共一百零四頁(yè)。寄生電感在高頻電路中，寄生電感不可忽略。利用寄生參數(shù)不能依賴寄生參數(shù)作為電路的一個(gè)成分，因?yàn)闊o(wú)法很好的控制它們，通常的誤差可以是正負(fù)50%。但是在不關(guān)心電路參數(shù)的大小，例如只想要一個(gè)大電容，可以利用寄生參數(shù)來(lái)滿足。第三十五頁(yè)，共一百零四頁(yè)。器件的寄生參數(shù)一、CMOS晶體管由阱至襯底的電容由柵極至阱的電容這些寄生參數(shù)會(huì)使得電路的工作速度變慢。第三十六頁(yè)，共一百零四頁(yè)。器件的寄生參數(shù)第三十七頁(yè)，共一百零四頁(yè)。器件的寄生參數(shù)一種技術(shù)：減少多晶硅的串聯(lián)電阻?？梢酝ㄟ^(guò)將多晶硅分成多個(gè)“指形”的結(jié)構(gòu)，然后用導(dǎo)線將它們并聯(lián)起來(lái)以降低電阻。通過(guò)分成多個(gè)器件以及源漏共享可以大大

10、減小CMOS晶體管上的寄生參數(shù)。第三十八頁(yè)，共一百零四頁(yè)。器件的寄生參數(shù)二、雙極型晶體管沒(méi)有太好的辦法減小參數(shù)，因?yàn)榧纳娙菖c器件的尺寸關(guān)系固定，只能依靠模擬對(duì)它們的作用進(jìn)行掌握。兩個(gè)該晶體管不能靠的太近，會(huì)引起一個(gè)大的電阻。第三十九頁(yè)，共一百零四頁(yè)。器件的寄生參數(shù)第四十頁(yè)，共一百零四頁(yè)。器件的寄生參數(shù)三、全定制方案采用某些全定制技術(shù)可以將器件做的很小。通常的做法式把幾個(gè)較小的器件組合成一個(gè)較大的器件，一般都在一個(gè)公共的N阱中，可以使得N阱的總面積較小，從而縮小了至襯底的電容。第四十一頁(yè)，共一百零四頁(yè)。6.3匹配什么叫做匹配？平衡我們希望無(wú)論是cd播放器還是其它音響,它們相搭檔的器件反應(yīng)完全一

11、樣。也就是說(shuō)，其中一個(gè)放大器的頻率和幅值能完全符合并跟蹤另一個(gè)運(yùn)放的頻率和幅值響應(yīng)，達(dá)到這一目標(biāo)的方法之一就是匹配。實(shí)現(xiàn)匹配過(guò)程中，版圖設(shè)計(jì)是一個(gè)非常重要的環(huán)節(jié)。一個(gè)優(yōu)秀的版圖可以大大提升一個(gè)設(shè)計(jì)。第四十二頁(yè)，共一百零四頁(yè)。版圖的重要性匹配與版圖的關(guān)系相當(dāng)密切，對(duì)電路的成敗至關(guān)重要。匹配規(guī)則之一：把需要匹配的器件相互靠近放置。避免由于周圍器件環(huán)境的不同而導(dǎo)致匹配器件的工作差異。第四十三頁(yè)，共一百零四頁(yè)。版圖的重要性不重復(fù)性：兩個(gè)完全相同的CAD版圖在被生產(chǎn)出來(lái)后，它們的作用和工作可能會(huì)差別很大。雖然版圖上的每一樣?xùn)|西看上去都一樣，但是由于某些原因，就是無(wú)法在兩個(gè)器件中重復(fù)同樣的性質(zhì)。良好的習(xí)慣

12、可以免除某些費(fèi)力的匹配工作。將版圖設(shè)計(jì)規(guī)則形成一種習(xí)慣。第四十四頁(yè)，共一百零四頁(yè)。交流的重要性要了解電路設(shè)計(jì)者的意圖，知道在什么時(shí)候應(yīng)當(dāng)在版圖中運(yùn)用匹配技術(shù)。第四十五頁(yè)，共一百零四頁(yè)。簡(jiǎn)單匹配匹配規(guī)則之二：注意周圍器件。（如周圍器件的發(fā)熱等）由于不同方向上制造工藝的誤差，在屏幕上看似相同的圖形可能會(huì)有不同的實(shí)際尺寸。匹配規(guī)則之三：保持器件的方向一致。第四十六頁(yè)，共一百零四頁(yè)。簡(jiǎn)單匹配第四十七頁(yè)，共一百零四頁(yè)。簡(jiǎn)單匹配當(dāng)把所有的器件都保持同一方向時(shí)，可能由于器件尺寸的原因，使版圖很難實(shí)現(xiàn)，此時(shí)就應(yīng)該與電路設(shè)計(jì)人員交流，找出最不重要的器件，將其轉(zhuǎn)向或做其他的處理。第四十八頁(yè)，共一百零四頁(yè)。簡(jiǎn)單匹配

13、匹配規(guī)則之四：與電路設(shè)計(jì)者交流匹配規(guī)則之五：掩膜設(shè)計(jì)者不會(huì)心靈感應(yīng)。電路設(shè)計(jì)者應(yīng)該清楚他們需要哪些匹配，并讓版圖設(shè)計(jì)者知道這一點(diǎn)。第四十九頁(yè)，共一百零四頁(yè)。根器件方法例如電阻在這里，根部件指的是這樣一個(gè)電阻，可以根據(jù)這個(gè)電阻設(shè)計(jì)出所有其他的電阻。這樣在工藝過(guò)程中，所有電阻的工藝差別將會(huì)保持一致。第五十頁(yè)，共一百零四頁(yè)。根器件方法第五十一頁(yè)，共一百零四頁(yè)。根器件方法例如圖5.2，通常許多人會(huì)選擇一個(gè)最小的電阻作為根部件，形成圖5.3所示的情況。另外一種做法是采用一個(gè)中間值作為根部件，其他的電阻由串聯(lián)和并聯(lián)實(shí)現(xiàn)，如圖5.4。這樣做節(jié)省了接觸電阻的總數(shù)，而根電阻又較大，所以接觸電阻在總電阻中所占的比

14、例就較小。第五十二頁(yè)，共一百零四頁(yè)。根器件方法第五十三頁(yè)，共一百零四頁(yè)。根器件方法第五十四頁(yè)，共一百零四頁(yè)。根器件方法匹配規(guī)則之六：選擇一個(gè)中間值作為根部件。根部件方法不禁適用于電阻，也適用于任何其他類型的器件。第五十五頁(yè)，共一百零四頁(yè)。指狀交叉器件通常在電路中有些大堆部件都必須與一個(gè)給定的器件匹配，這個(gè)器件稱為定義部件。把根部件圍起來(lái)，使它處于中間，是解決上述匹配問(wèn)題的一個(gè)非常好的解決方法，也稱為簡(jiǎn)單匹配，或者指狀交叉匹配。匹配規(guī)則之七：采用指狀交叉方式第五十六頁(yè)，共一百零四頁(yè)。指狀交叉器件第五十七頁(yè)，共一百零四頁(yè)。指狀交叉器件例子：如圖5.6的兩串電阻需要匹配，解決方案是圖5.7，注意其排

15、列方式A1，B3，A2，B2，A3，B1。指狀交叉部件的布線方式可以采用蛇形線，如圖5.8.這種交叉排列技術(shù)不僅適用于電阻，也適用于其他任何器件。第五十八頁(yè)，共一百零四頁(yè)。指狀交叉器件第五十九頁(yè)，共一百零四頁(yè)。指狀交叉器件第六十頁(yè)，共一百零四頁(yè)。指狀交叉器件第六十一頁(yè)，共一百零四頁(yè)。虛設(shè)器件在圖5.8中，邊上的期間A1和B1的外邊不再有器件，這也會(huì)造成不一致，因?yàn)樵谶M(jìn)行刻蝕時(shí)，邊上的器件會(huì)被刻蝕的重一些，從而使它們比中間的器件要窄。如圖5.9。第六十二頁(yè)，共一百零四頁(yè)。虛設(shè)器件第六十三頁(yè)，共一百零四頁(yè)。虛設(shè)器件解決方法：在邊上加虛設(shè)器件。如圖5.10和5.11。匹配規(guī)則之八：用虛設(shè)器件圍起來(lái)。

16、第六十四頁(yè)，共一百零四頁(yè)。虛設(shè)器件第六十五頁(yè)，共一百零四頁(yè)。虛設(shè)器件第六十六頁(yè)，共一百零四頁(yè)。共心將器件圍繞一個(gè)公共的中心點(diǎn)放置，稱為共心布置。甚至把器件在一條直線上對(duì)稱放置也可以看做是共心技術(shù)。共心技術(shù)對(duì)減少在集成電路中存在的熱或工藝的線性梯度影響非常有效。圖5.12和圖5.13：共心布置的一些例子第六十七頁(yè)，共一百零四頁(yè)。共心一、四方交叉把一個(gè)器件分為兩半，然后把他們成對(duì)角線放置。這種特殊的工薪技術(shù)稱為四方交叉。如電路圖5.14中的兩個(gè)晶體管需要高度匹配，可以講它們采用四方交叉技術(shù)，設(shè)計(jì)成如圖5.15所示的模式。第六十八頁(yè)，共一百零四頁(yè)。共心第六十九頁(yè)，共一百零四頁(yè)。共心第七十頁(yè)，共一百零

17、四頁(yè)。共心匹配規(guī)則之九：將成對(duì)器件四方交叉當(dāng)需要匹配時(shí)，需要記住，要讓每一樣?xùn)|西看起來(lái)都完全一樣，可能會(huì)有一些不必要的重疊，如圖5.16第七十一頁(yè)，共一百零四頁(yè)。共心第七十二頁(yè)，共一百零四頁(yè)。共心經(jīng)濟(jì)性四方交叉，或稱為A-B-B-A線性形式。如圖5.17，其中也有一些不必要的重疊，是為了使布線上的寄生參數(shù)相匹配。第七十三頁(yè)，共一百零四頁(yè)。共心第七十四頁(yè)，共一百零四頁(yè)。共心匹配規(guī)則之十：使布線上的寄生參數(shù)匹配對(duì)稱性是器件匹配中要考慮的問(wèn)題。尤其在高頻電路版圖中，如果希望使寄生參數(shù)匹配，就必須在一條對(duì)稱軸的兩邊布置功能塊。如圖5.18和圖5.19匹配規(guī)則之十一：使每一樣?xùn)|西都對(duì)稱第七十五頁(yè)，共一百

18、零四頁(yè)。共心第七十六頁(yè)，共一百零四頁(yè)。共心第七十七頁(yè)，共一百零四頁(yè)。匹配信號(hào)路徑一種需要高度匹配的電路技術(shù)就是所謂的差分邏輯。只要涉及到差分問(wèn)題，就要特別注意匹配問(wèn)題。兩條導(dǎo)線并排排列，每條導(dǎo)線傳遞同樣的信息，但信息的狀態(tài)相反。在差分邏輯中，每個(gè)信號(hào)由兩條導(dǎo)線，這兩條導(dǎo)線上的兩個(gè)信號(hào)之間的差別就是邏輯狀態(tài)。如圖5.21，A和B分別是差分邏輯中的兩個(gè)信號(hào)，B-A決定了差分邏輯狀態(tài)。第七十八頁(yè)，共一百零四頁(yè)。匹配信號(hào)路徑第七十九頁(yè)，共一百零四頁(yè)。匹配信號(hào)路徑因此，為了使差分邏輯能很好的工作，必須使版圖中的兩個(gè)信號(hào)線長(zhǎng)度匹配，其寄生參數(shù)也匹配，時(shí)間常數(shù)一致，這樣才能在圖5.22中的B端看到兩個(gè)輸入信

19、號(hào)在同一時(shí)間上升和下降。差分邏輯依賴于完全一致的布線。圖5.24差的匹配，所導(dǎo)致的的信號(hào)波形如圖5.25所示。匹配規(guī)則之十二：使差分布線一致第八十頁(yè)，共一百零四頁(yè)。匹配信號(hào)路徑第八十一頁(yè)，共一百零四頁(yè)。匹配信號(hào)路徑第八十二頁(yè)，共一百零四頁(yè)。匹配信號(hào)路徑第八十三頁(yè)，共一百零四頁(yè)。器件尺寸的選擇匹配規(guī)則之十三：使器件的寬度一致，比如電阻。需要匹配的器件選擇一個(gè)統(tǒng)一的合理的尺寸，使電阻的寬度一致，只改變長(zhǎng)度。匹配規(guī)則之十四：采用較大的器件。這樣可以減少工藝偏差的影響。經(jīng)驗(yàn)之談：電阻的最小寬度為5um，最小長(zhǎng)度為10um第八十四頁(yè)，共一百零四頁(yè)。6.4 噪聲問(wèn)題由于模擬電路和數(shù)字電路是在非常不同的噪聲

20、電平上工作，所以混合信號(hào)電路的噪聲問(wèn)題最多。在數(shù)字電路中，每當(dāng)邏輯狀態(tài)改變時(shí)，F(xiàn)ET門的電容就充電或放點(diǎn)一次。這一充放電電流通過(guò)晶體管流至軌線就會(huì)引起另一個(gè)電流脈沖。在模擬電路中，有時(shí)需要接收一個(gè)非常小的信號(hào)，然后用很多放大器對(duì)其進(jìn)行放大，但同時(shí)也放大了一些不必要的噪聲。模擬電路的輸出也會(huì)對(duì)輸入信號(hào)形成噪聲干擾。第八十五頁(yè)，共一百零四頁(yè)。利用常識(shí)解決噪聲的方法一、調(diào)小音量（減小信號(hào)擺幅）使得觸發(fā)器發(fā)生切換時(shí)，具有較小的能量交換。混合芯片中，最主要的噪聲來(lái)源是數(shù)字信號(hào)。二、讓搖滾樂(lè)隊(duì)搬進(jìn)他們自己的屋里將產(chǎn)生噪聲的電路部分隔離起來(lái)。第八十六頁(yè)，共一百零四頁(yè)。利用常識(shí)解決噪聲的方法隔離的方法有很多種，其中之一是用一大圈接地的襯底接觸把整個(gè)模塊圍起來(lái)。而襯底接觸的尺寸要選擇較大的。接地的導(dǎo)線也應(yīng)該選擇導(dǎo)電良好的粗大導(dǎo)線，不要使用很細(xì)的導(dǎo)線。保護(hù)環(huán)或保護(hù)帶，作用都是為了屏蔽噪聲。第八十七頁(yè)，共一百零四頁(yè)。利用常識(shí)解決噪聲的方法第八十八頁(yè)，共一百零四頁(yè)。利用常識(shí)解決噪聲的方法三、回到自己的屋里將受保護(hù)的電路模塊也放到保護(hù)環(huán)之內(nèi)，所謂的雙重隔離。保護(hù)帶應(yīng)該嚴(yán)密（把窗子關(guān)好）第八十九頁(yè)，共一百零四頁(yè)。利用常識(shí)解決噪聲的方法四、安排時(shí)序?qū)⒃肼曤娐泛褪鼙Ｗo(hù)電路的操作時(shí)間錯(cuò)開(kāi)。這是電路設(shè)計(jì)的一個(gè)手段，但是版圖設(shè)計(jì)人員可以在必要的時(shí)候提