模擬電路基礎(chǔ)功率器件及極限參數(shù)限制_第1頁(yè)
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Chap6 模擬集成單元電路（10學(xué)時(shí)，第5課） 一. 雙極型功率晶體管（BJT） 1. 功率管的選擇 (1) PTmax0.2PLmax (2) |BVCEO|2VCC(3) ICmaxVCC/RC在互補(bǔ)推挽功率放大電路中,功率管的極限參數(shù)應(yīng)滿足以下關(guān)系：功 率 器 件1. V型NMOS管的結(jié)構(gòu) 結(jié)構(gòu)剖面圖二. 功率MOSFET s 源極 g 柵極 金屬源極S i O2溝道溝道外延層襯底d 漏極_N +PPNN +N +2. V型NMOS管的主要特點(diǎn)(1) 開(kāi)關(guān)速度高 (2) 驅(qū)動(dòng)電流小 (3) 過(guò)載能力強(qiáng) (4) 易于并聯(lián) IGBT等效電路dT1gsRT2IGBT電路符號(hào)gsdT三. 絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）IGBT主要特點(diǎn)：(1) 輸入阻抗高(2) 工作速度快(3) 通態(tài)電阻低(4) 阻斷電阻高(5) 承受電流大兼顧了MOSFET和BJT的優(yōu)點(diǎn)，成為當(dāng)前功率半導(dǎo)體器件發(fā)展的重要方向。

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