我國(guó)區(qū)熔硅單晶產(chǎn)品發(fā)展現(xiàn)狀分析

1、國(guó)內(nèi)外區(qū)區(qū)熔硅單單晶生產(chǎn)產(chǎn)技術(shù)工工藝發(fā)展展路徑及及商業(yè)應(yīng)應(yīng)用前景景咨詢報(bào)報(bào)告區(qū)熔硅單單晶也稱稱區(qū)熔硅硅單晶，是電子子信息材材料中最最基礎(chǔ)性性材料，屬半導(dǎo)導(dǎo)體材料料類(lèi)。區(qū)區(qū)熔硅單單晶是電電力電子子器件的的關(guān)鍵材材料。區(qū)區(qū)熔硅單單晶是較較一般電電子級(jí)單單晶硅具具有更高高純度和和更高電電阻率。區(qū)熔硅硅單晶采采用的多多晶硅材材料成本本大大高高于直拉拉單晶硅硅所用材材料，而而其產(chǎn)品品銷(xiāo)售價(jià)價(jià)格也數(shù)數(shù)倍于直直拉單晶晶。半導(dǎo)導(dǎo)體單晶晶硅材料料行業(yè)的的高速發(fā)發(fā)展，有有利于分分立器件件行業(yè)的的發(fā)展；如果上上游行業(yè)業(yè)處于低低谷，而而分立器器件行業(yè)業(yè)沒(méi)有采采取相應(yīng)應(yīng)的應(yīng)對(duì)對(duì)策略，則分立立器件行行業(yè)亦將將進(jìn)入低低谷。

2、中國(guó)市場(chǎng)場(chǎng)來(lái)說(shuō)，區(qū)熔硅硅單晶的的生產(chǎn)商商只有幾幾家。從從全球來(lái)來(lái)看，該該趨勢(shì)全全球并購(gòu)購(gòu)也非常常明顯，我們認(rèn)認(rèn)為，未未來(lái)進(jìn)一一步的整整合還會(huì)會(huì)繼續(xù)。目前全全球區(qū)熔熔硅單晶晶產(chǎn)業(yè)集集中度已已經(jīng)較高高，主要要為日本本Shiin-EEtsuuHanndottai、小松公公司Koomattsu（已被SSumcco 收收購(gòu)），丹麥TTOPSSIL、德國(guó)SSilttronnic (由WWackker Cheemiee AGG 控股股)、中中環(huán)股份份（環(huán)歐歐）等五五家公司司。目 錄錄TOC o 1-3 n u第一章中中國(guó)區(qū)熔硅硅單晶產(chǎn)產(chǎn)品發(fā)展展現(xiàn)狀分分析第一節(jié)區(qū)區(qū)熔硅單單晶行業(yè)業(yè)發(fā)展現(xiàn)現(xiàn)狀一、20010年年

3、國(guó)內(nèi)區(qū)區(qū)熔硅單單晶行業(yè)業(yè)發(fā)展概概況二、國(guó)內(nèi)內(nèi)區(qū)熔硅硅單晶行行業(yè)企業(yè)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格格局第二節(jié)區(qū)區(qū)熔硅單單晶行業(yè)業(yè)產(chǎn)業(yè)政政策一、產(chǎn)業(yè)業(yè)政策二、技術(shù)術(shù)壁壘三、人民民幣升值值影響分分析第三節(jié)區(qū)區(qū)熔硅單單晶產(chǎn)品品供求格格局一、20008-20110年區(qū)區(qū)熔硅單單晶市場(chǎng)場(chǎng)產(chǎn)品總總產(chǎn)量統(tǒng)統(tǒng)計(jì)二、20008-20009年區(qū)區(qū)熔硅單單晶市場(chǎng)場(chǎng)細(xì)分產(chǎn)產(chǎn)品產(chǎn)量量統(tǒng)計(jì)三、20005-20110年區(qū)區(qū)熔硅單單晶市場(chǎng)場(chǎng)產(chǎn)品市市場(chǎng)容量量統(tǒng)計(jì)四、20010-20112年我我國(guó)區(qū)熔熔硅單晶晶市場(chǎng)供供求預(yù)測(cè)測(cè)第四節(jié)區(qū)區(qū)熔硅單單晶行業(yè)業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈鏈構(gòu)成模模型分析析一、區(qū)熔熔硅單晶晶行業(yè)產(chǎn)產(chǎn)業(yè)鏈構(gòu)構(gòu)成二、區(qū)熔熔硅單晶晶行業(yè)產(chǎn)產(chǎn)業(yè)鏈模模型分析析

4、第二章 20008-220099年區(qū)熔熔硅單晶晶產(chǎn)品生生產(chǎn)技術(shù)術(shù)市場(chǎng)調(diào)調(diào)查第一節(jié)區(qū)區(qū)熔硅單單晶產(chǎn)品品構(gòu)成一、區(qū)熔熔硅單晶晶行業(yè)產(chǎn)產(chǎn)品分類(lèi)類(lèi)標(biāo)準(zhǔn)二、區(qū)熔熔硅單晶晶行業(yè)主主要產(chǎn)品品市場(chǎng)份份額第二節(jié)國(guó)國(guó)內(nèi)區(qū)熔熔硅單晶晶產(chǎn)品生生產(chǎn)技術(shù)術(shù)應(yīng)用現(xiàn)現(xiàn)狀第三節(jié)國(guó)國(guó)外區(qū)熔熔硅單晶晶產(chǎn)品生生產(chǎn)技術(shù)術(shù)應(yīng)用現(xiàn)現(xiàn)狀第四節(jié)我我國(guó)區(qū)熔熔硅單晶晶產(chǎn)品技技術(shù)應(yīng)用用成熟度度分析第五節(jié)區(qū)區(qū)熔硅單單晶產(chǎn)品品生產(chǎn)技技術(shù)與應(yīng)應(yīng)用市場(chǎng)場(chǎng)關(guān)系第三章220088-20009年年區(qū)熔硅硅單晶當(dāng)當(dāng)前生產(chǎn)產(chǎn)工藝革革新路徑徑第一節(jié)區(qū)區(qū)熔硅單單晶生產(chǎn)產(chǎn)工藝介介紹第二節(jié)區(qū)區(qū)熔硅單單晶生產(chǎn)產(chǎn)工藝發(fā)發(fā)展歷程程第三節(jié)國(guó)國(guó)外區(qū)熔熔硅單晶晶生產(chǎn)工工藝發(fā)展展階段比比

5、較第四節(jié)我我國(guó)區(qū)熔熔硅單晶晶生產(chǎn)工工藝革新新路徑第五節(jié)國(guó)國(guó)內(nèi)區(qū)熔熔硅單晶晶生產(chǎn)設(shè)設(shè)備介紹紹第六節(jié)國(guó)國(guó)內(nèi)區(qū)熔熔硅單晶晶生產(chǎn)設(shè)設(shè)備應(yīng)用用現(xiàn)狀第七節(jié)我我國(guó)區(qū)熔熔硅單晶晶技術(shù)研研發(fā)現(xiàn)狀狀第四章國(guó)國(guó)內(nèi)外典典型區(qū)熔熔硅單晶晶企業(yè)生生產(chǎn)技術(shù)術(shù)工藝應(yīng)應(yīng)用調(diào)查查第一節(jié)中中環(huán)股份份一、企業(yè)業(yè)基本情情況二、企業(yè)業(yè)技術(shù)發(fā)發(fā)展歷程程三、企業(yè)業(yè)技術(shù)實(shí)實(shí)力分析析第二節(jié)企企業(yè)生產(chǎn)產(chǎn)技術(shù)工工藝應(yīng)用用情況一、企業(yè)業(yè)區(qū)熔硅硅單晶產(chǎn)產(chǎn)品生產(chǎn)產(chǎn)技術(shù)選選擇二、企業(yè)業(yè)區(qū)熔硅硅單晶工工藝設(shè)備備配置三、企業(yè)業(yè)區(qū)熔硅硅單晶生生產(chǎn)技術(shù)術(shù)研發(fā)與與革新?tīng)顮顩r第五章國(guó)國(guó)內(nèi)外區(qū)區(qū)熔硅單單晶產(chǎn)品品技術(shù)工工藝研發(fā)發(fā)動(dòng)態(tài)第一節(jié)國(guó)國(guó)內(nèi)區(qū)熔熔硅單晶晶產(chǎn)品技技術(shù)工藝

6、藝研發(fā)動(dòng)動(dòng)態(tài)第二節(jié)國(guó)國(guó)外區(qū)熔熔硅單晶晶產(chǎn)品技技術(shù)工藝藝研發(fā)動(dòng)動(dòng)態(tài)第三節(jié)220111-20012年年區(qū)熔硅硅單晶技技術(shù)工藝藝研發(fā)趨趨勢(shì)分析析第四節(jié)國(guó)國(guó)內(nèi)外企企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)爭(zhēng)力對(duì)比比分析1. 研研發(fā)競(jìng)爭(zhēng)爭(zhēng)力分析析2. 生生產(chǎn)競(jìng)爭(zhēng)爭(zhēng)力分析析3. 銷(xiāo)銷(xiāo)售競(jìng)爭(zhēng)爭(zhēng)力分析析4. 管管理競(jìng)爭(zhēng)爭(zhēng)力分析析第五節(jié)國(guó)國(guó)外主要要代表性性企業(yè)研研究一、德國(guó)國(guó)瓦克（Wacckerr Chhemiie AAG）二、日本本信越（Shiin-EEtsuu Haandootaii）三、日本本小松四、丹麥麥Toppsill第六節(jié)區(qū)區(qū)熔硅單單晶產(chǎn)品品現(xiàn)行技技術(shù)同類(lèi)類(lèi)替代技技術(shù)發(fā)展展第六章 20009-220122年區(qū)熔熔硅單晶晶產(chǎn)品技技術(shù)工

7、藝藝應(yīng)用前前景研判判第一節(jié)國(guó)國(guó)外區(qū)熔熔硅單晶晶產(chǎn)品技技術(shù)工藝藝應(yīng)用前前景第二節(jié)我我國(guó)區(qū)熔熔硅單晶晶技術(shù)工工藝應(yīng)用用前景第三節(jié)我我國(guó)區(qū)熔熔硅單晶晶技術(shù)工工藝發(fā)展展對(duì)行業(yè)業(yè)項(xiàng)目投投資的影影響第七章我我國(guó)區(qū)熔熔硅單晶晶行業(yè)典典型投資資項(xiàng)目分分析第一節(jié)項(xiàng)項(xiàng)目總投投資估算算一、固定定資產(chǎn)建建設(shè)投資資估算二、流動(dòng)動(dòng)資金估估算三、項(xiàng)目目總投資資第二節(jié)資資金籌措措及投資資計(jì)劃一、資金金來(lái)源與與出資方方式二、項(xiàng)目目籌資方方案三、投資資使用計(jì)計(jì)劃四、借款款償還計(jì)計(jì)劃第三節(jié)項(xiàng)項(xiàng)目財(cái)務(wù)務(wù)評(píng)價(jià)一、計(jì)算算依據(jù)及及相關(guān)說(shuō)說(shuō)明二、總成成本費(fèi)用用估算三、銷(xiāo)售售收入、銷(xiāo)售稅稅金及附附加和增增值稅估估算四、損益益及利潤(rùn)潤(rùn)及分配配第

8、四節(jié)盈盈利能力力分析一、投資資利潤(rùn)率率，投資資利稅率率二、財(cái)務(wù)務(wù)內(nèi)部收收益率、財(cái)務(wù)凈凈現(xiàn)值、投資回回收期三、項(xiàng)目目財(cái)務(wù)現(xiàn)現(xiàn)金流量量表四、項(xiàng)目目資本金金財(cái)務(wù)現(xiàn)現(xiàn)金流量量表五、盈虧虧平衡分分析六、敏感感性分析析第五節(jié)效效益分析析一、經(jīng)濟(jì)濟(jì)效益二、社會(huì)會(huì)效益第八章 20110-220122年區(qū)熔熔硅單晶晶市場(chǎng)行行情第一節(jié)市市場(chǎng)狀況況分析及及預(yù)測(cè)（20110-220122年）第二節(jié)供供需狀況況分析及及預(yù)測(cè)（20110-220122年）第三節(jié)進(jìn)進(jìn)出口狀狀況分析析一、20005-20110年區(qū)區(qū)熔硅單單晶市場(chǎng)場(chǎng)產(chǎn)品進(jìn)進(jìn)口量統(tǒng)統(tǒng)計(jì)二、20008-20009年區(qū)區(qū)熔硅單單晶市場(chǎng)場(chǎng)產(chǎn)品出出口量統(tǒng)統(tǒng)計(jì)三、2001

9、0-20112年區(qū)區(qū)熔硅單單晶市場(chǎng)場(chǎng)產(chǎn)品出出口預(yù)測(cè)測(cè)第九章區(qū)區(qū)熔硅單單晶銷(xiāo)售售策劃第一節(jié)國(guó)國(guó)內(nèi)外市市場(chǎng)分布布第二節(jié)部部分國(guó)內(nèi)內(nèi)需求廠廠家及聯(lián)聯(lián)系方式式第三節(jié)部部分國(guó)外外需求廠廠家及聯(lián)聯(lián)系方式式第十章區(qū)區(qū)熔硅單單晶技術(shù)術(shù)開(kāi)發(fā)、項(xiàng)目投投資、生生產(chǎn)及銷(xiāo)銷(xiāo)售注意意事項(xiàng)第一節(jié)產(chǎn)產(chǎn)品技術(shù)術(shù)開(kāi)發(fā)注注意事項(xiàng)項(xiàng)第二節(jié)項(xiàng)項(xiàng)目投資資注意事事項(xiàng)第三節(jié)產(chǎn)產(chǎn)品生產(chǎn)產(chǎn)注意事事項(xiàng)第四節(jié)產(chǎn)產(chǎn)品銷(xiāo)售售注意事事項(xiàng)第十一章章華經(jīng)縱縱橫主要要研究結(jié)結(jié)論及策策略建議議第一節(jié)策策略建議議主要理理論及數(shù)數(shù)據(jù)支持持說(shuō)明第二節(jié)針針對(duì)客戶戶需求給給出獨(dú)家家策略建建議一、宏觀觀策略角角度二、中觀觀產(chǎn)業(yè)角角度三、微觀觀企業(yè)角角度第一章 中國(guó)區(qū)區(qū)熔硅單

10、單晶產(chǎn)品品發(fā)展現(xiàn)現(xiàn)狀分析析第一節(jié) 區(qū)熔硅硅單晶行行業(yè)發(fā)展展現(xiàn)狀一、20010年年國(guó)內(nèi)區(qū)區(qū)熔硅單單晶行業(yè)業(yè)發(fā)展概概況區(qū)熔硅單單晶也稱稱區(qū)熔硅硅單晶，是電子子信息材材料中最最基礎(chǔ)性性材料，屬半導(dǎo)導(dǎo)體材料料類(lèi)。區(qū)區(qū)熔硅單單晶是電電力電子子器件的的關(guān)鍵材材料。區(qū)區(qū)熔硅單單晶是較較一般電電子級(jí)單單晶硅具具有更高高純度和和更高電電阻率。區(qū)熔硅硅單晶采采用的多多晶硅材材料成本本大大高高于直拉拉單晶硅硅所用材材料，而而其產(chǎn)品品銷(xiāo)售價(jià)價(jià)格也數(shù)數(shù)倍于直直拉單晶晶。半導(dǎo)導(dǎo)體單晶晶硅材料料行業(yè)的的高速發(fā)發(fā)展，有有利于分分立器件件行業(yè)的的發(fā)展；如果上上游行業(yè)業(yè)處于低低谷，而而分立器器件行業(yè)業(yè)沒(méi)有采采取相應(yīng)應(yīng)的應(yīng)對(duì)對(duì)策略

11、，則分立立器件行行業(yè)亦將將進(jìn)入低低谷。二、國(guó)內(nèi)內(nèi)區(qū)熔硅硅單晶行行業(yè)企業(yè)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格格局中國(guó)市場(chǎng)場(chǎng)來(lái)說(shuō)，區(qū)熔硅硅單晶的的生產(chǎn)商商只有幾幾家。從從全球來(lái)來(lái)看，該該趨勢(shì)全全球并購(gòu)購(gòu)也非常常明顯，我們認(rèn)認(rèn)為，未未來(lái)進(jìn)一一步的整整合還會(huì)會(huì)繼續(xù)。目前全全球區(qū)熔熔硅單晶晶產(chǎn)業(yè)集集中度已已經(jīng)較高高，主要要為日本本Shiin-EEtsuuHanndottai、小松公公司Koomattsu（已被SSumcco 收收購(gòu)），丹麥TTOPSSIL、德國(guó)SSilttronnic (由WWackker Cheemiee AGG 控股股)、中中環(huán)股份份（環(huán)歐歐）等五五家公司司。第二節(jié) 區(qū)熔硅硅單晶行行業(yè)產(chǎn)業(yè)業(yè)政策一、產(chǎn)業(yè)業(yè)政策高

12、純的區(qū)區(qū)熔硅單單晶是制制作各種種探測(cè)器器、傳感感器的關(guān)關(guān)鍵原材材料，其其市場(chǎng)增增長(zhǎng)趨勢(shì)勢(shì)也很明明顯。另另外采用用高阻區(qū)區(qū)熔硅制制造微波波單片集集成電路路（MMMIC）以及微微電子機(jī)機(jī)械系統(tǒng)統(tǒng)（MEEMS）等高端端微電子子器件，被廣泛泛應(yīng)用于于微波通通訊、雷雷達(dá)、導(dǎo)導(dǎo)航、測(cè)測(cè)控、醫(yī)醫(yī)學(xué)等領(lǐng)領(lǐng)域，也也顯示出出巨大的的應(yīng)用前前景。區(qū)區(qū)熔硅單單晶的具具有重要要的戰(zhàn)略略意義，20111年科科技重大大專項(xiàng)項(xiàng)項(xiàng)目指南南中，我我們看到到了區(qū)熔熔硅單晶晶片產(chǎn)業(yè)業(yè)化技術(shù)術(shù)與國(guó)產(chǎn)產(chǎn)設(shè)備研研制項(xiàng)目目。面向向高壓大大功率IIGBTT芯片產(chǎn)產(chǎn)品制造造需求，我國(guó)研研究開(kāi)發(fā)發(fā)直徑1150mmm和2000mm區(qū)區(qū)熔硅單單晶片產(chǎn)

13、產(chǎn)業(yè)化技技術(shù)，形形成性能能穩(wěn)定的的批量生生產(chǎn)能力力；滿足足12000V33000V IGBBT芯片片產(chǎn)業(yè)化化對(duì)區(qū)熔熔硅單晶晶的要求求和4550065000V以以上IGGBT芯芯片的研研制需求求。20012年年提供生生產(chǎn)線用用戶考核核認(rèn)證，20113年形形成50000片片/月以以上的銷(xiāo)銷(xiāo)售。研研究開(kāi)發(fā)發(fā)國(guó)產(chǎn)區(qū)區(qū)熔單晶晶爐，220122年進(jìn)入入生產(chǎn)線線考核并并通過(guò)用用戶驗(yàn)證證，形成成批量供供貨，提提供IGGBT材材料項(xiàng)目目使用。主要產(chǎn)業(yè)業(yè)政策如如下：1、調(diào)整整和振興興規(guī)劃出出臺(tái)電子子信息產(chǎn)產(chǎn)業(yè)企穩(wěn)穩(wěn)回升態(tài)態(tài)勢(shì)明朗朗20099年4月月15日日電子子信息產(chǎn)產(chǎn)業(yè)調(diào)整整和振興興規(guī)劃發(fā)布。規(guī)劃提提出，今今后

14、三年年電子信信息產(chǎn)業(yè)業(yè)要圍繞繞計(jì)算機(jī)機(jī)、電子子元器件件、視聽(tīng)聽(tīng)產(chǎn)品、集成電電路、新新型顯示示器件、軟件、通信設(shè)設(shè)備、信信息服務(wù)務(wù)、信息息技術(shù)應(yīng)應(yīng)用等99個(gè)重點(diǎn)點(diǎn)領(lǐng)域，完成確確保骨干干產(chǎn)業(yè)穩(wěn)穩(wěn)定增長(zhǎng)長(zhǎng)、戰(zhàn)略略性核心心產(chǎn)業(yè)實(shí)實(shí)現(xiàn)突破破、通過(guò)過(guò)新應(yīng)用用帶動(dòng)新新增長(zhǎng)三三大任務(wù)務(wù)。2、3GG牌照發(fā)發(fā)放通信信制造業(yè)業(yè)保持平平穩(wěn)發(fā)展展 工業(yè)和信信息化部部1月77日正式式宣布，批準(zhǔn)中中國(guó)移動(dòng)動(dòng)通信集集團(tuán)公司司增加基基于TDD-SCCDMAA技術(shù)制制式的第第三代移移動(dòng)通信信(3GG)業(yè)務(wù)務(wù)經(jīng)營(yíng)許許可，中中國(guó)電信信集團(tuán)公公司增加加基于CCDMAA20000技術(shù)術(shù)制式的的3G業(yè)務(wù)務(wù)經(jīng)營(yíng)許許可，中中國(guó)聯(lián)合合網(wǎng)絡(luò)通通信

15、集團(tuán)團(tuán)公司增增加基于于WCDDMA技技術(shù)制式式的3GG業(yè)務(wù)經(jīng)經(jīng)營(yíng)許可可。中國(guó)國(guó)電信業(yè)業(yè)全面進(jìn)進(jìn)入3GG時(shí)代。20009年前前10個(gè)個(gè)月，我我國(guó)3GG發(fā)展總總體進(jìn)展展順利，3G用戶戶總數(shù)達(dá)達(dá)到9777萬(wàn)，其中中中國(guó)移動(dòng)動(dòng)TD用用戶達(dá)到到3944萬(wàn)。 3、物聯(lián)聯(lián)網(wǎng)等新新業(yè)態(tài)興興起戰(zhàn)略略性新興興產(chǎn)業(yè)成成為新增增長(zhǎng)點(diǎn)20099年8月月，溫家家寶總理理指示要要加快傳傳感網(wǎng)研研究，把把傳感系系統(tǒng)和33G中的的TD技技術(shù)結(jié)合合起來(lái)，盡快建建立“感知中國(guó)國(guó)”中心。99月，中中國(guó)傳感感器網(wǎng)絡(luò)絡(luò)標(biāo)準(zhǔn)工工作組成成立。除除了物聯(lián)聯(lián)網(wǎng)以外外，以可可再生能能源技術(shù)術(shù)、節(jié)能能減排技技術(shù)、清清潔煤技技術(shù)及核核能技術(shù)術(shù)支撐的的

16、新能源源產(chǎn)業(yè)，以傳感感網(wǎng)、物物聯(lián)網(wǎng)關(guān)關(guān)鍵技術(shù)術(shù)、后IIP時(shí)代代相關(guān)技技術(shù)支撐撐的信息息網(wǎng)絡(luò)產(chǎn)產(chǎn)業(yè)，以以微電子子及光電電子材料料和器件件、新型型功能材材料、高高性能結(jié)結(jié)構(gòu)材料料、納米米技術(shù)和和材料支支撐的微微電子和和光電子子材料和和器件產(chǎn)產(chǎn)業(yè)，以以醫(yī)療器器械關(guān)鍵鍵核心技技術(shù)支撐撐的先進(jìn)進(jìn)醫(yī)療設(shè)設(shè)備制造造等，逐逐漸成為為戰(zhàn)略性性新興產(chǎn)產(chǎn)業(yè)和新新的經(jīng)濟(jì)濟(jì)增長(zhǎng)點(diǎn)點(diǎn)。下游的推推動(dòng)將會(huì)會(huì)直接擴(kuò)擴(kuò)大區(qū)熔熔硅單晶晶市場(chǎng)需需求。從從世界范范圍來(lái)講講，我國(guó)國(guó)出臺(tái)十十項(xiàng)措施施時(shí)機(jī)選選得比較較好，是是對(duì)金融融危機(jī)的的危險(xiǎn)性性看準(zhǔn)摸摸清了火火候到了了的時(shí)候候才出手手的。我我國(guó)出臺(tái)臺(tái)十項(xiàng)措措施對(duì)我我國(guó)的區(qū)區(qū)熔硅單單晶行業(yè)

17、業(yè)也是利利好，有有利于企企業(yè)自主主創(chuàng)新和和結(jié)構(gòu)調(diào)調(diào)整，有有利于技技術(shù)進(jìn)步步和產(chǎn)業(yè)業(yè)升級(jí)。我國(guó)的人人民幣匯匯率實(shí)現(xiàn)現(xiàn)了有限限的浮動(dòng)動(dòng)政策，人民幣幣的升值值壓力逐逐漸釋放放。我國(guó)國(guó)貨幣的的升值不不可避免免的使得得進(jìn)口產(chǎn)產(chǎn)品的價(jià)價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)爭(zhēng)力增加加。區(qū)熔熔硅單晶晶市場(chǎng)的的價(jià)格目目前還處處于高位位運(yùn)行，國(guó)內(nèi)外外產(chǎn)商均均通過(guò)維維持市場(chǎng)場(chǎng)高價(jià)來(lái)來(lái)獲取高高額利潤(rùn)潤(rùn)。如果果我國(guó)的的匯率繼繼續(xù)向著著人民幣幣升值的的方向發(fā)發(fā)展，將將會(huì)有利利于我國(guó)國(guó)進(jìn)口。預(yù)計(jì)未未來(lái)幾年年隨著我我國(guó)匯率率的調(diào)整整和人民民幣的升升值，國(guó)國(guó)內(nèi)的區(qū)區(qū)熔硅單單晶進(jìn)口口價(jià)格的的下降趨趨勢(shì)，這這主要體體現(xiàn)在我我國(guó)人民民幣升值值帶來(lái)的的一系列列好處

18、。與此同時(shí)時(shí)，國(guó)外外市場(chǎng)的的疲軟，對(duì)于國(guó)國(guó)內(nèi)區(qū)熔熔硅單晶晶行業(yè)來(lái)來(lái)說(shuō)是一一個(gè)好機(jī)機(jī)會(huì)，引引入技術(shù)術(shù)和設(shè)備備的成本本也比較較低，將將很好的的促進(jìn)國(guó)國(guó)內(nèi)區(qū)熔熔硅單晶晶行業(yè)的的技術(shù)更更新和產(chǎn)產(chǎn)品改造造工作，也降低低了國(guó)內(nèi)內(nèi)區(qū)熔硅硅單晶的的成本和和價(jià)格。二、技術(shù)術(shù)壁壘高反壓、大電流流電力電電子器件件的發(fā)展展要求區(qū)區(qū)熔硅單單晶直徑徑進(jìn)一步步增大。大直徑徑區(qū)熔硅硅單晶的的拉制，最大困困難在于于高頻加加熱設(shè)備備能力和和成晶工工藝條件件。由于于技術(shù)封封鎖，研研制和生生產(chǎn)大直直徑區(qū)熔熔硅單晶晶的工藝藝條件需需要摸索索，特別別是加熱熱線圈結(jié)結(jié)構(gòu)和拉拉晶參數(shù)數(shù)。購(gòu)買(mǎi)買(mǎi)國(guó)際先先進(jìn)的技技術(shù)儀器器，仿效效學(xué)習(xí)并并研發(fā)出出

19、自己的的技術(shù)，前期購(gòu)購(gòu)買(mǎi)儀器器成本太太高，一一般的小小型公司司難以承承擔(dān)先進(jìn)進(jìn)的Tyyp-FFZ系列列儀器高高昂的價(jià)價(jià)格。因因此，國(guó)國(guó)內(nèi)企業(yè)業(yè)只有在在生產(chǎn)中中不停地地摸索，克服技技術(shù)壁壘壘，逐步步研發(fā)并并填補(bǔ)我我國(guó)大直直徑區(qū)熔熔硅單晶晶生產(chǎn)技技術(shù)的空空白。在半導(dǎo)體體單晶硅硅材料產(chǎn)產(chǎn)業(yè)鏈中中，多晶晶硅是生生產(chǎn)硅單單晶的原原料，是是半導(dǎo)體體器件的的上游基基礎(chǔ)材料料。20006年年國(guó)內(nèi)包包括半導(dǎo)導(dǎo)體器件件和硅晶晶體太陽(yáng)陽(yáng)能電池池的多晶晶硅年需需量超過(guò)過(guò)10,0000噸，而而國(guó)內(nèi)的的生產(chǎn)能能力僅為為3000噸/年年左右，因此多多晶硅材材料絕大大部分依依賴進(jìn)口口。單晶晶硅材料料的支撐撐體系薄薄弱，所所需

20、的關(guān)關(guān)鍵設(shè)備備和檢測(cè)測(cè)儀器主主要依賴賴進(jìn)口，形成了了產(chǎn)品更更新一代代就必須須從國(guó)外外引進(jìn)新新一代設(shè)設(shè)備的局局面，這這就客觀觀上加大大了產(chǎn)業(yè)業(yè)發(fā)展的的投入，在一定定程度上上制約了了國(guó)內(nèi)半半導(dǎo)體材材料企業(yè)業(yè)的發(fā)展展。三、人民民幣升值值影響分分析我國(guó)的人人民幣匯匯率實(shí)現(xiàn)現(xiàn)了有限限的浮動(dòng)動(dòng)政策，人民幣幣的升值值壓力逐逐漸釋放放。我國(guó)國(guó)貨幣的的升值不不可避免免的使得得進(jìn)口產(chǎn)產(chǎn)品的價(jià)價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)爭(zhēng)力增加加。區(qū)熔熔單晶硅硅市場(chǎng)的的價(jià)格目目前還處處于高位位運(yùn)行，國(guó)內(nèi)外外產(chǎn)商均均通過(guò)維維持市場(chǎng)場(chǎng)高價(jià)來(lái)來(lái)獲取高高額利潤(rùn)潤(rùn)。如果果我國(guó)的的匯率繼繼續(xù)向著著人民幣幣升值的的方向發(fā)發(fā)展，將將會(huì)有利利于我國(guó)國(guó)進(jìn)口。預(yù)計(jì)未未來(lái)幾

21、年年隨著我我國(guó)匯率率的調(diào)整整和人民民幣的升升值，國(guó)國(guó)內(nèi)的區(qū)區(qū)熔單晶晶硅進(jìn)口口價(jià)格的的下降趨趨勢(shì)，這這主要體體現(xiàn)在我我國(guó)人民民幣升值值帶來(lái)的的一系列列好處。與此同時(shí)時(shí)，國(guó)外外市場(chǎng)的的疲軟，對(duì)于國(guó)國(guó)內(nèi)區(qū)熔熔單晶硅硅行業(yè)來(lái)來(lái)說(shuō)是一一個(gè)好機(jī)機(jī)會(huì)，引引入技術(shù)術(shù)和設(shè)備備的成本本也比較較低，將將很好的的促進(jìn)國(guó)國(guó)內(nèi)區(qū)熔熔單晶硅硅行業(yè)的的技術(shù)更更新和產(chǎn)產(chǎn)品改造造工作，也降低低了國(guó)內(nèi)內(nèi)區(qū)熔單單晶硅的的成本和和價(jià)格。第三節(jié) 區(qū)熔硅硅單晶產(chǎn)產(chǎn)品供求求格局一、20008-20110年區(qū)區(qū)熔硅單單晶市場(chǎng)場(chǎng)產(chǎn)品總總產(chǎn)量統(tǒng)統(tǒng)計(jì)20055-20008年年，我國(guó)國(guó)區(qū)熔硅硅單晶行行業(yè)產(chǎn)量量呈現(xiàn)快快速增長(zhǎng)長(zhǎng)的趨勢(shì)勢(shì)，20009年年產(chǎn)

22、量有有所下降降，20005年年產(chǎn)量為為71噸噸，20006年年為766.311噸，增增速為77.488，到到了20009年年為711.544噸，增增長(zhǎng)率比比20008年下下降了116.553，20110年11-5月月份為339.112噸。同比增增長(zhǎng)率為為8.442%.圖表 220088-20010年年區(qū)熔硅硅單晶市市場(chǎng)產(chǎn)品品總產(chǎn)量量資料來(lái)源源：中國(guó)國(guó)產(chǎn)業(yè)競(jìng)競(jìng)爭(zhēng)情報(bào)報(bào)網(wǎng)二、20008-20009年區(qū)區(qū)熔硅單單晶市場(chǎng)場(chǎng)細(xì)分產(chǎn)產(chǎn)品產(chǎn)量量統(tǒng)計(jì)區(qū)熔硅單單晶目前前的主要要應(yīng)用產(chǎn)產(chǎn)品包括括2 種種：氣相相摻雜（Gass Doopsiitonn）和中中子嬗變變摻雜（NTDD）。其其中GDD目前市市場(chǎng)規(guī)模模約占

23、區(qū)區(qū)熔硅總總體規(guī)模模的800%左右右，主要要的應(yīng)用用領(lǐng)域?yàn)闉閭鹘y(tǒng)電電子電力力器件，特別是是高壓大大功率器器件，4400VV以上電電壓產(chǎn)品品等；NNTD規(guī)規(guī)模約占占20%左右，主要應(yīng)應(yīng)用于鐵鐵路、電電站以及及由新型型能源技技術(shù)所推推動(dòng)的變變壓變頻頻器件應(yīng)應(yīng)用中。前者受受電源管管理等市市場(chǎng)的節(jié)節(jié)能需求求的推動(dòng)動(dòng)；后者者由于鐵鐵路、電電廠的大大規(guī)模建建設(shè)以及及新型能能源如風(fēng)風(fēng)能發(fā)電電等市場(chǎng)場(chǎng)的發(fā)展展，目前前有較快快的市場(chǎng)場(chǎng)增長(zhǎng)。20055年GDD產(chǎn)量為為58.22噸噸，NTTD為112.778噸，到了220099年GDD產(chǎn)量為為58.92噸噸，NTTD為112.662噸。20110年11-5月月份G

24、DD與NTTD分別別31.92噸噸7.22噸。220099年之前前，產(chǎn)量量均保持持了較為為平穩(wěn)的的增長(zhǎng)趨趨勢(shì)。圖表 220088-20010年年區(qū)熔硅硅單晶市市場(chǎng)細(xì)分分產(chǎn)品總總產(chǎn)量資料來(lái)源源：中國(guó)國(guó)產(chǎn)業(yè)競(jìng)競(jìng)爭(zhēng)情報(bào)報(bào)網(wǎng)三、20005-20110年區(qū)區(qū)熔硅單單晶市場(chǎng)場(chǎng)產(chǎn)品市市場(chǎng)容量量統(tǒng)計(jì)20055區(qū)熔硅硅單晶行行業(yè)市場(chǎng)場(chǎng)容量為為79.41噸噸，20006年年為944.1噸噸，增速速為188.5，20009年年市場(chǎng)容容量達(dá)到到1188.744噸。同同比增長(zhǎng)長(zhǎng)4.556%，20110年11-5月月份為668.991噸，同比增增長(zhǎng)188.144。圖表 220055-20010年年區(qū)熔硅硅單晶市市場(chǎng)產(chǎn)品品

25、市場(chǎng)容容量資料來(lái)源源：中國(guó)國(guó)產(chǎn)業(yè)競(jìng)競(jìng)爭(zhēng)情報(bào)報(bào)網(wǎng)四、20010-20112年我我國(guó)區(qū)熔熔硅單晶晶市場(chǎng)供供求預(yù)測(cè)測(cè)從下表可可以看出出，近年年來(lái)，GGD比重重在811%-882%之之間浮動(dòng)動(dòng)，變化化不大，市場(chǎng)比比例處于于較為穩(wěn)穩(wěn)定的狀狀態(tài)。圖表 220055-20010年年中國(guó)區(qū)區(qū)熔硅單單晶市場(chǎng)場(chǎng)產(chǎn)品結(jié)結(jié)構(gòu)變化化資料來(lái)源源：中國(guó)國(guó)產(chǎn)業(yè)競(jìng)競(jìng)爭(zhēng)情報(bào)報(bào)網(wǎng)第四節(jié) 區(qū)熔硅硅單晶行行業(yè)產(chǎn)業(yè)業(yè)鏈構(gòu)成成模型分分析一、區(qū)熔熔硅單晶晶行業(yè)產(chǎn)產(chǎn)業(yè)鏈構(gòu)構(gòu)成產(chǎn)業(yè)鏈即即從一種種或幾種種資源通通過(guò)若干干產(chǎn)業(yè)層層次不斷斷向下游游產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)移直至至到達(dá)消消費(fèi)者的的路徑，它包含含四層含含義：一一是產(chǎn)業(yè)業(yè)鏈?zhǔn)钱a(chǎn)產(chǎn)業(yè)層次次的表達(dá)達(dá)；二是是產(chǎn)

26、業(yè)鏈鏈?zhǔn)钱a(chǎn)業(yè)業(yè)關(guān)聯(lián)程程度的表表達(dá)；產(chǎn)產(chǎn)業(yè)關(guān)聯(lián)聯(lián)性越強(qiáng)強(qiáng)，鏈條條越緊密密，資源源的配置置效率也也越高；三是產(chǎn)產(chǎn)業(yè)鏈?zhǔn)鞘琴Y源加加工深度度的表達(dá)達(dá)；產(chǎn)業(yè)業(yè)鏈越長(zhǎng)長(zhǎng)，表明明加工可可以達(dá)到到的深度度越深；四是產(chǎn)產(chǎn)業(yè)鏈?zhǔn)鞘菨M足需需求程度度的表達(dá)達(dá)。產(chǎn)業(yè)業(yè)鏈?zhǔn)加谟谧匀毁Y資源、止止于消費(fèi)費(fèi)市場(chǎng)，但起點(diǎn)點(diǎn)和終點(diǎn)點(diǎn)并非固固定不變變。區(qū)熔硅單單晶產(chǎn)業(yè)業(yè)鏈結(jié)構(gòu)構(gòu)分析：上游原原材料供供應(yīng)商，中游區(qū)區(qū)熔硅單單晶生產(chǎn)產(chǎn)廠家，下游大大功率器器件、電電力機(jī)車(chē)車(chē)的牽引引系統(tǒng)等等相關(guān)區(qū)區(qū)熔硅單單晶消費(fèi)費(fèi)者，此此外還有有貫穿產(chǎn)產(chǎn)業(yè)鏈的的物流配配送廠家家等。圖表 區(qū)熔硅硅單晶產(chǎn)產(chǎn)業(yè)鏈結(jié)結(jié)構(gòu)圖區(qū)熔硅單晶生產(chǎn)商原材料供應(yīng)商下游消費(fèi)物流配送

27、大功率器件企業(yè)等多晶硅中環(huán)股份等資料來(lái)源源：中國(guó)國(guó)產(chǎn)業(yè)競(jìng)競(jìng)爭(zhēng)情報(bào)報(bào)網(wǎng)二、區(qū)熔熔硅單晶晶行業(yè)產(chǎn)產(chǎn)業(yè)鏈模模型分析析1、上游游原材料料供應(yīng)單晶硅由由多晶硅硅制得，而近幾幾年，太太陽(yáng)能電電池產(chǎn)業(yè)業(yè)快速發(fā)發(fā)展，多多晶硅供供應(yīng)急劇劇增加。20008年國(guó)國(guó)內(nèi)多晶晶硅產(chǎn)量量超過(guò)445000噸，產(chǎn)產(chǎn)能超過(guò)過(guò)1萬(wàn)噸噸。根據(jù)據(jù)最新的的統(tǒng)計(jì)數(shù)數(shù)據(jù)顯示示，我國(guó)國(guó)目前在在建和籌籌建的多多晶硅項(xiàng)項(xiàng)目總能能將接近近8萬(wàn)噸噸，而需需求量?jī)H僅為4.6萬(wàn)噸噸，如果果產(chǎn)能全全部釋放放，將過(guò)過(guò)剩近一一半的多多晶硅產(chǎn)產(chǎn)品。20099年9月月26日日，國(guó)務(wù)務(wù)院轉(zhuǎn)發(fā)發(fā)國(guó)家發(fā)發(fā)改委、工業(yè)和和信息化化部等110部委委關(guān)于于抑制部部分行業(yè)業(yè)產(chǎn)能過(guò)

28、過(guò)剩和重重復(fù)建設(shè)設(shè)引導(dǎo)產(chǎn)產(chǎn)業(yè)健康康發(fā)展的的若干意意見(jiàn)（以下簡(jiǎn)簡(jiǎn)稱388號(hào)文），正式式將多晶晶硅列入入產(chǎn)能過(guò)過(guò)剩和重重復(fù)建設(shè)設(shè)行業(yè)的的“黑名單單”里，各各地已被被要求收收緊多晶晶硅項(xiàng)目目，地方方未建的的多晶硅硅項(xiàng)目也也已基本本叫停。產(chǎn)能過(guò)剩剩是下游游需求轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)暖未能能傳導(dǎo)至至上游的的主要原原因。我我們估計(jì)計(jì)明年全全球光伏伏多晶硅硅需求量量在6萬(wàn)萬(wàn)噸，而而供給量量在100萬(wàn)噸（已扣除除半導(dǎo)體體行業(yè)用用量），其中44萬(wàn)噸來(lái)來(lái)自中國(guó)國(guó)。因此此我們認(rèn)認(rèn)為多晶晶硅現(xiàn)貨貨價(jià)格還還將繼續(xù)續(xù)下跌，我們目目前假設(shè)設(shè)20110220111年均價(jià)價(jià)分別為為55和和50美美元/公公斤，該該假設(shè)有有下調(diào)空空間。擺擺在中國(guó)國(guó)

29、多晶硅硅企業(yè)面面前的迫迫切任務(wù)務(wù)是降成成本，途途徑有二二：一是是在現(xiàn)有有還原西西門(mén)子法法基礎(chǔ)上上降成本本，例如如采用更更先進(jìn)的的氫化方方法循環(huán)環(huán)利用四四氯化硅硅/二氯氯二氫硅硅、自產(chǎn)產(chǎn)三氯氫氫硅、申申請(qǐng)直供供電降低低電費(fèi)等等等，但但該類(lèi)方方法難以以將成本本降至330美元元之下；二是采采用更先先進(jìn)的還還原方法法，例如如硅烷法法可以產(chǎn)產(chǎn)生很少少副產(chǎn)品品，成本本可望降降低至225美元甚至至更低。從價(jià)格看看，多晶晶硅的價(jià)價(jià)格風(fēng)光光不再，70美美元/公公斤現(xiàn)貨貨價(jià)格以以下已經(jīng)經(jīng)徘徊數(shù)數(shù)月，生生產(chǎn)商的的盈利空空間進(jìn)一一步被壓壓縮。目目前國(guó)內(nèi)內(nèi)技術(shù)基基本采用用改良西西門(mén)子發(fā)發(fā)，生產(chǎn)產(chǎn)成本基基本控制制在500

30、-600美元/公斤之之間，部部分較好好企業(yè)可可以達(dá)到到40多多美元/公斤，即便如如此，產(chǎn)產(chǎn)能過(guò)剩剩帶來(lái)的的多晶硅硅售價(jià)的的緩慢回回落依然然使我們們對(duì)行業(yè)業(yè)前景堪堪憂。從污染和和耗能角角度看，國(guó)內(nèi)多多晶硅項(xiàng)項(xiàng)目在現(xiàn)現(xiàn)有條件件下屬于于高排放放，高污污染行業(yè)業(yè)，主要要是對(duì)于于尾氣中中四氯化化硅、氯氯化氫的的回收率率不高。雖然目目前，國(guó)國(guó)內(nèi)企業(yè)業(yè)引進(jìn)的的第三代代設(shè)備完完全可以以做到尾尾氣的閉閉路回收收，現(xiàn)在在已經(jīng)解解決了污污染的問(wèn)問(wèn)題，但但這需要要較高的的成本，只有大大企業(yè)才才能實(shí)現(xiàn)現(xiàn)，小規(guī)規(guī)模生產(chǎn)產(chǎn)企業(yè)排排放問(wèn)題題依然沒(méi)沒(méi)有得到到有效解解決。提提高準(zhǔn)入入標(biāo)準(zhǔn)可可以有效效控制污污染。圖表 220088-20010年年多晶硅硅現(xiàn)貨價(jià)價(jià)格走勢(shì)勢(shì)資料來(lái)源源：中