2022年?yáng)|芯股份發(fā)展現(xiàn)狀及競(jìng)爭(zhēng)格局分析

1、2022年?yáng)|芯股份發(fā)展現(xiàn)狀及競(jìng)爭(zhēng)格局分析1. 東芯股份：聚焦利基型存儲(chǔ)，SLC NAND 龍頭廠商1.1 深耕存儲(chǔ)領(lǐng)域，擁有多類(lèi)產(chǎn)品解決方案中小容量通用型存儲(chǔ)芯片領(lǐng)先廠商。東芯股份成立于 2014 年 11 月 26 日，2021 年 12 月 10 日在上交所科創(chuàng)板掛牌上市，是一家專(zhuān)注于中小容量通用型存儲(chǔ)芯片研 發(fā)、設(shè)計(jì)和銷(xiāo)售的芯片設(shè)計(jì)企業(yè)，并能為優(yōu)質(zhì)客戶(hù)提供芯片定制化開(kāi)發(fā)服務(wù)。自成立 以來(lái)致力于實(shí)現(xiàn)本土存儲(chǔ)芯片的技術(shù)突破，依靠在存儲(chǔ)芯片設(shè)計(jì)領(lǐng)域積累的大量技術(shù) 經(jīng)驗(yàn)、自有知識(shí)產(chǎn)權(quán)以及研發(fā)設(shè)計(jì)體系，成功研發(fā)并量產(chǎn)了 NADN、NOR、DRAM 等主流存儲(chǔ)芯片。憑借高可靠性、低功耗等特點(diǎn)，產(chǎn)品獲

2、得高通、博通、聯(lián)發(fā)科、中 興微、瑞芯微、北京君正、恒玄科技、紫光展銳等多家知名平臺(tái)廠商認(rèn)證并進(jìn)入三星 電子、?？低?、歌爾股份、傳音控股、惠爾豐等國(guó)內(nèi)外標(biāo)桿客戶(hù)的供應(yīng)鏈體系，被 廣泛應(yīng)用于通信、安防、消費(fèi)電子等下游終端設(shè)備。立足 NAND Flash，產(chǎn)品矩陣豐富。公司于 2014 年成立后，通過(guò)市場(chǎng)調(diào)研與競(jìng) 品分析，確立了 SLC SPI NAND 的研發(fā)計(jì)劃，開(kāi)始在中芯國(guó)際 38nm 的工藝平臺(tái)上 進(jìn)行 SLC SPI NAND Flash 的研發(fā)。2015 年收購(gòu)韓國(guó)芯片設(shè)計(jì)公司 Fidelix 后，通過(guò) 吸收整合雙方研發(fā)經(jīng)驗(yàn)和團(tuán)隊(duì)，成功實(shí)現(xiàn)國(guó)內(nèi)第一顆 1Gb SLC SPI NAND

3、Flash 芯 片流片，并于 2017 年 9 月實(shí)現(xiàn) 2Gb SLC SPI NAND 產(chǎn)品流片。基于在中芯國(guó)際工 藝平臺(tái)成功的研發(fā)經(jīng)驗(yàn)，又陸續(xù)推出 2Gb、4Gb 等系列產(chǎn)品，豐富了 SLC NAND 系 列產(chǎn)品線，目前已經(jīng)實(shí)現(xiàn) SLC NAND 產(chǎn)品從 1Gb 到 32Gb 的量產(chǎn)或流片。此外基于 Fidelix 已有的 NOR Flash 技術(shù)儲(chǔ)備，以低功耗需求為切入點(diǎn)，將該產(chǎn)品的工藝制程從 90nm 推進(jìn)至 65nm，2017 年憑借“提高擦除可靠性”以及“數(shù)據(jù)自動(dòng)刷新”等 核心技術(shù)，在力積電 48nm 工藝平臺(tái)實(shí)現(xiàn) NOR Flash 量產(chǎn)，進(jìn)一步豐富 NOR Flash 產(chǎn)品線并

4、通過(guò)制程升級(jí)提升了產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力。韓國(guó) Fidelix 主要從事 DRAM 和 MCP 存 儲(chǔ)芯片產(chǎn)品的研發(fā)和銷(xiāo)售，在 DRAM 和 MCP 領(lǐng)域具備較強(qiáng)的技術(shù)儲(chǔ)備，擁有完整 的知識(shí)產(chǎn)權(quán)，收購(gòu) Fidelix 后公司順利承接 DRAM 和 MCP 產(chǎn)品線，至此公司已經(jīng)擁 有 NAND Flash、NOR Flash、DRAM 等存儲(chǔ)芯片的完整解決方案，涵蓋主流的中小 容量存儲(chǔ)芯片產(chǎn)品。技術(shù)積累厚積薄發(fā)，扭虧為盈快速增長(zhǎng)。憑借多年的技術(shù)積累與產(chǎn)品的不斷更新 迭代，公司推出了一系列具備技術(shù)領(lǐng)先性與市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力的產(chǎn)品，疊加存儲(chǔ)行業(yè)景氣度 回升，公司收入規(guī)模實(shí)現(xiàn)持續(xù)增長(zhǎng)。2018-2021 年?duì)I業(yè)收入分別為

5、 5.1 億元、5.14 億元、7.84 億元和 11.34 億元，3 年 CAGR 為 30.5%；2018-2021 年歸母凈利潤(rùn)分 別為-0.22 億元、-0.64 億元、0.2 億元和 2.62 億元，2018-2019 年盈利為負(fù)主要原 因?yàn)楫a(chǎn)品價(jià)格隨行業(yè)周期波動(dòng)下行，研發(fā)投入較大的同時(shí)規(guī)模效應(yīng)尚未形成，隨著公 司產(chǎn)品線的不斷豐富以及對(duì)客戶(hù)導(dǎo)入逐步完成，產(chǎn)品放量規(guī)模效應(yīng)顯現(xiàn)，2020 年實(shí) 現(xiàn)扭虧為盈并在 2021 年實(shí)現(xiàn)快速增長(zhǎng)，歸母凈利潤(rùn)同比增長(zhǎng) 1240.27%。面向利基市場(chǎng)，已成國(guó)內(nèi) SLC NAND 龍頭。存儲(chǔ)芯片產(chǎn)品按照流行程度與規(guī)格 分為主流產(chǎn)品和利基產(chǎn)品，主流產(chǎn)品是指

6、容量大于 4Gb 的 MLC/TLC NAND、PC DRAM、Mobile DRAM、Server DRAM，該市場(chǎng)以國(guó)外三星、美光、海力士等主流 存儲(chǔ)芯片廠商為主；利基型產(chǎn)品主要包括 SLC NAND、容量小于 4Gb 的 MLC/TLC NAND、利基 DRAM、NOR Flash 等，利基市場(chǎng)主要以中國(guó)臺(tái)灣的旺宏、華邦、南 亞科技、大陸的兆易創(chuàng)新及公司為主。公司 NAND 存儲(chǔ)芯片主要為 SLC NAND，2021 年 NAND 產(chǎn)品收入為 6.6 億元，同比增長(zhǎng) 65.63%，實(shí)現(xiàn)快速增長(zhǎng)。1.2 股權(quán)結(jié)構(gòu)穩(wěn)定，研發(fā)人員背景深厚股權(quán)集中穩(wěn)定，員工持股助力長(zhǎng)期發(fā)展。第一大股東為東方恒信

7、，共持有公司 32.38%股份，實(shí)際控制人為董事長(zhǎng)蔣學(xué)明先生和董事蔣雨舟女士，二人通過(guò)東方恒 信和東芯科創(chuàng)控制 49.96%的表決權(quán)。其中東方科創(chuàng)為公司的員工持股平臺(tái)，共持有 公司 5.09%的股份，2017 年公司通過(guò)東芯科創(chuàng)實(shí)施員工持股計(jì)劃，聞起投資、犀華 投資將其持有 5.81%、5.44%的股權(quán)分別轉(zhuǎn)給東芯科創(chuàng)，并確認(rèn)股份支付費(fèi)用 4162.5 萬(wàn)元。2022 年 2 月公司發(fā)布股權(quán)激勵(lì)計(jì)劃，向符合首次授予條件的 77 名激勵(lì)對(duì)象 授予 170.04 萬(wàn)股限制性股票，進(jìn)一步綁定公司于核心骨干人才的利益。員工持股計(jì) 劃的實(shí)施有利于凝聚公司發(fā)展源動(dòng)力，維護(hù)公司長(zhǎng)期穩(wěn)定發(fā)展。收購(gòu) Fidel

8、ix 戰(zhàn)略互補(bǔ)，吸納人才完善研發(fā)體系。子公司 Fidelix 專(zhuān)注于利基型 存儲(chǔ)器市場(chǎng)，是三星、LG、日本瑞薩等國(guó)際知名公司的長(zhǎng)期穩(wěn)定供應(yīng)商，創(chuàng)始人安 承漢（AHN SEUNG HAN）擁有超過(guò) 30 年的芯片行業(yè)從業(yè)經(jīng)驗(yàn)，是韓國(guó)最早的一批 從事存儲(chǔ)芯片設(shè)計(jì)的技術(shù)研發(fā)工程師，曾就職于海力士 DRAM 事業(yè)部。公司收購(gòu) Fidelix 后，在研發(fā)團(tuán)隊(duì)建設(shè)方面與 Fidelix 進(jìn)行高度的互補(bǔ)，任命安承漢先生為 Fidelix代表理事，組建了以安承漢、康太京（KANG TAE GYOUNG）、李炯尚（LEE HYUNG SANG）和賴(lài)榮欽等為研發(fā)核心的存儲(chǔ)芯片研發(fā)團(tuán)隊(duì)，研發(fā)團(tuán)隊(duì)主體位于大陸，具備

9、獨(dú)立研發(fā)的能力和技術(shù)水平，可以從事電路設(shè)計(jì)、版圖設(shè)計(jì)、版圖驗(yàn)證、測(cè)試等完整 的產(chǎn)品研發(fā)環(huán)節(jié)。此外公司還搭建了完整的研發(fā)體系，建立了以研發(fā)部為核心，多部 門(mén)協(xié)同參與的研發(fā)體系，并基于研發(fā)團(tuán)隊(duì)多年對(duì)電路設(shè)計(jì)、工藝制造、封裝測(cè)試等環(huán) 節(jié)的經(jīng)歷與經(jīng)驗(yàn)，匹配了對(duì)應(yīng)的技術(shù)分析并將分析結(jié)果上傳至本地?cái)?shù)據(jù)庫(kù)，建立了可 查詢(xún)、可對(duì)比的產(chǎn)品研發(fā)平臺(tái)，實(shí)現(xiàn)研發(fā)資源的高效共享。1.3 上游建立戰(zhàn)略合作，下游多元市場(chǎng)布局建立穩(wěn)定可靠的上游供應(yīng)鏈體系。成立以來(lái)公司一直采取 Fabless 模式經(jīng)營(yíng)，專(zhuān) 注于產(chǎn)品的研發(fā)設(shè)計(jì)與市場(chǎng)開(kāi)拓，生產(chǎn)主要采用委托外包方式。輕資產(chǎn)、側(cè)重產(chǎn)品研 發(fā)與市場(chǎng)銷(xiāo)售的經(jīng)營(yíng)模式有利于提高公司的整體營(yíng)

10、運(yùn)效率。為了把控產(chǎn)品質(zhì)量、保證 供應(yīng)鏈的運(yùn)轉(zhuǎn)效率，公司積極與國(guó)內(nèi)外多家知名晶圓廠、封測(cè)廠建立互助、互利、互 信的合作關(guān)系，打造具備“本土深度、全球廣度”特點(diǎn)的供應(yīng)鏈體系。具體來(lái)看公司 與大陸最大的晶圓代工廠中芯國(guó)際在高可靠性、低功耗存儲(chǔ)芯片的特色工藝平臺(tái)上已 經(jīng)開(kāi)展了連續(xù)多年的深度技術(shù)合作，研發(fā)了多種閃存芯片的標(biāo)準(zhǔn)工藝，提高了晶圓的 產(chǎn)品良率和生產(chǎn)效率，繼共同開(kāi)發(fā)大陸第一條 NAND Flash 工藝線后，目前已經(jīng)將 NAND Flash 工藝制程推進(jìn)至 24nm；與全球最大的存儲(chǔ)芯片代工廠力積電建立緊密合作，在其多條存儲(chǔ)芯片先進(jìn)制程的生產(chǎn)線實(shí)現(xiàn)了產(chǎn)品的穩(wěn)定量產(chǎn)，進(jìn)一步擴(kuò)充了產(chǎn) 品品類(lèi)；封裝測(cè)

11、試方面已經(jīng)與紫光宏茂、華潤(rùn)安盛、南茂科技、AT Semicon 等境內(nèi) 外知名封測(cè)廠商建立了穩(wěn)定的合作關(guān)系。開(kāi)拓多元化市場(chǎng)布局。隨著新興應(yīng)用領(lǐng)域和智能終端產(chǎn)品對(duì)存儲(chǔ)芯片需求日益增 加，公司將通過(guò)持續(xù)的研發(fā)創(chuàng)新、制程升級(jí)和性能迭代，保持公司現(xiàn)有產(chǎn)品的性能領(lǐng) 先與競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)；憑借多種類(lèi)存儲(chǔ)芯片產(chǎn)品的優(yōu)勢(shì)，加大對(duì)物聯(lián)網(wǎng)、智能硬件應(yīng)用、汽 車(chē)電子、醫(yī)療健康等新興領(lǐng)域的開(kāi)拓，提高公司產(chǎn)品的市場(chǎng)占有率，同步提升定制化 產(chǎn)品及服務(wù)的能力；堅(jiān)持以存儲(chǔ)產(chǎn)品為核心，拓展智能化外延并以應(yīng)用為導(dǎo)向，開(kāi)發(fā) 具有特色的存儲(chǔ)產(chǎn)品，通過(guò)差異化提升盈利空間；持續(xù)開(kāi)拓國(guó)內(nèi)優(yōu)質(zhì)客戶(hù)，服務(wù)行業(yè) 重要客戶(hù)，開(kāi)始有計(jì)劃、有步驟地拓展海外市

12、場(chǎng)，提升公司在歐美的市場(chǎng)地位和影響 力。1.4 自主研發(fā)核心技術(shù)，工藝和性能?chē)?guó)內(nèi)領(lǐng)先持續(xù)加大研發(fā)投入，知識(shí)產(chǎn)權(quán)自主清晰。為了提高創(chuàng)新能力，增強(qiáng)技術(shù)優(yōu)勢(shì)，提 升盈利能力與市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力，公司高度重視研發(fā)投入與研發(fā)團(tuán)隊(duì)建設(shè)，2021 年研發(fā)費(fèi) 用達(dá)到 0.75 億元，同比增長(zhǎng) 57.37%，研發(fā)費(fèi)用率達(dá)到 6.6%；2021 年新增研發(fā)人 員 20 人，同比增長(zhǎng) 29.85%，截至 2021 年年底，公司共有 87 名研發(fā)人員，占員工 總?cè)藬?shù)的 47.28%。經(jīng)過(guò)長(zhǎng)期的研發(fā)創(chuàng)新，公司在 NAND、NOR、DRAM 等存儲(chǔ)芯 片的設(shè)計(jì)環(huán)節(jié)都具備了自主研發(fā)能力與核心技術(shù)。截至 2021 年年底，公司已經(jīng)擁

13、有 境內(nèi)外有效專(zhuān)利 78 項(xiàng)、軟件著作權(quán) 13 項(xiàng)、集成電路布圖設(shè)計(jì)權(quán) 48 項(xiàng)、注冊(cè)商標(biāo) 9 項(xiàng)；累計(jì)申請(qǐng)境內(nèi)外專(zhuān)利 87 項(xiàng)，獲得專(zhuān)利授權(quán) 69 項(xiàng)；核心技術(shù)主要包括 6 項(xiàng) NAND Flash 相關(guān)技術(shù)、兩項(xiàng) NOR Flash 相關(guān)技術(shù)以及 1 項(xiàng) DRAM 相關(guān)技術(shù)。2. 景氣度上行，新興應(yīng)用驅(qū)動(dòng)利基型市場(chǎng)擴(kuò)容2.1 NAND、NOR 和 DRAM 為主流存儲(chǔ)芯片存儲(chǔ)芯片通過(guò)對(duì)存儲(chǔ)介質(zhì)進(jìn)行電子或電荷的充放電標(biāo)記不同的存儲(chǔ)狀態(tài)實(shí)現(xiàn)數(shù) 據(jù)存儲(chǔ)，根據(jù)斷電后存儲(chǔ)的信息是否留存分為易失性存儲(chǔ)芯片與非易失性存儲(chǔ)芯片。 1）易失性存儲(chǔ)芯片斷電后數(shù)據(jù)丟失，主要包括動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器 DRAM 和靜態(tài)隨

14、機(jī)存 儲(chǔ)器 SRAM，其中 DRAM 常用作內(nèi)存，需求量高于 SRAM。SRAM 速度快但成本較 DRAM 高，一般用作 CPU 的高速緩存；2）非易失性存儲(chǔ)芯片斷電后數(shù)據(jù)不會(huì)丟失， 主要包括閃存 FLASH MEMORY、電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器 EEPROM 等，其中 FLAHS 又可以細(xì)分為 NAND Flash 和 NOR Flash，NAND 寫(xiě)入和擦除的速度快，存 儲(chǔ)密度高、容量大，但不能直接運(yùn)行 NAND 上的代碼，適用于高容量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)。 NOR 的優(yōu)勢(shì)是可直接運(yùn)行所存儲(chǔ)的代碼，容量較小，一般為 1Mb-2Gb。公司產(chǎn)品覆蓋 NAND Flash、NOR Flash、DRAM

15、以及集成產(chǎn)品 MCP：1）NAND Flash：存儲(chǔ)陣列由存儲(chǔ)單元通過(guò)串聯(lián)方式連接而成，以“頁(yè)”為單 位進(jìn)行讀寫(xiě)操作，以“塊”為單位進(jìn)行擦除操作，具備存儲(chǔ)容量大、寫(xiě)入/ 擦除速度快等特點(diǎn)。根據(jù)產(chǎn)品結(jié)構(gòu)維度不同，可分為 2D NAND Flash 和 3D NAND Flash；根據(jù)存儲(chǔ)單元密度不同，可分為 SLC NAND Flash、MLC NAND Flash、TLC NAND Flash、QLC NAND Flash，對(duì)應(yīng)一個(gè)存儲(chǔ)單元分 別可以存放 1、2、3、4 個(gè) bit 數(shù)據(jù)，一般來(lái)講，存儲(chǔ)單元密度越大，產(chǎn)品壽 命越短，速度越慢，但容量越大，成本越低。公司聚焦 2D SLC NAN

16、D Flash 的設(shè)計(jì)與研發(fā)，主要的產(chǎn)品采用浮柵型工藝結(jié)構(gòu)，通信接口有 SPI 或 PPI 供選擇，主要用于支持 Linux、RTOS 等應(yīng)用系統(tǒng)代碼的存儲(chǔ)和運(yùn)行，實(shí)現(xiàn) 數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)及快速改寫(xiě)，被廣泛應(yīng)用于如 5G 通訊模塊和集成度要求較高的 終端系統(tǒng)運(yùn)行模塊；2）NOR Flash：存儲(chǔ)陣列是各存儲(chǔ)單元通過(guò)并聯(lián)連接組成，實(shí)現(xiàn)按位快速隨機(jī) 讀取數(shù)據(jù)的同時(shí)，允許系統(tǒng)直接從存儲(chǔ)單元中讀取代碼執(zhí)行，因此具有芯片 內(nèi)執(zhí)行、讀取速度快等特點(diǎn)，通常被用于存儲(chǔ)相關(guān)數(shù)據(jù)和代碼程序，來(lái)滿足 快速啟動(dòng)應(yīng)用系統(tǒng)的需求，普遍應(yīng)用于可穿戴設(shè)備、移動(dòng)終端等領(lǐng)域。公司 主要的產(chǎn)品為 SPI NOR Flash，存儲(chǔ)容量覆蓋

17、2Mb 至 256Mb，支持多種數(shù) 據(jù)傳輸格式，主要應(yīng)用場(chǎng)景包括在功能手機(jī)中存放通信數(shù)據(jù)交換時(shí)的啟動(dòng)程 序、在智能手機(jī)的攝像頭模組中存放校正圖像分辨率的指令代碼、在藍(lán)牙無(wú) 線耳機(jī)中存放啟動(dòng)時(shí)的引導(dǎo)程序，終端客戶(hù)包括為三星、LG、傳音控股、歌 爾股份等；3）DRAM：工作原理是利用電容內(nèi)存儲(chǔ)電荷的多寡來(lái)表示一個(gè)二進(jìn)制 bit，具備 運(yùn)算速度快，斷電后數(shù)據(jù)丟失的特點(diǎn)，常被用于系統(tǒng)硬件的運(yùn)行內(nèi)存，對(duì)系 統(tǒng)中的指令和數(shù)據(jù)進(jìn)行處理，主要用在服務(wù)器、PC 和手機(jī)等設(shè)備。目前 DRAM 產(chǎn)品主要包括 DDR DRAM（Double Data Rate DRAM，雙信道同步 動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存）和 LPDDR

18、DRAM（Low Power DDR DRAM，低功耗 雙信道同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存），DDR 可以在一個(gè)時(shí)鐘讀寫(xiě)兩次數(shù)據(jù)，使得 傳輸數(shù)據(jù)加倍，目前已經(jīng)發(fā)展至第五代，每一次升級(jí)都伴隨著傳輸速度的提 升和工作電壓的下降；LPDDR 通過(guò)與處理器緊鄰、減少通道寬度等方法降 低功耗。公司 DRAM 產(chǎn)品包括 DDR3 和 LPDDR 系列產(chǎn)品（LPDDR1 和 LPDDR2），主要用于通信設(shè)備、智能終端、可穿戴設(shè)備等，下游客戶(hù)包括 LG、瑞薩、索喜、惠爾豐、偉創(chuàng)力等；4）MCP：將閃存芯片與 DRAM 進(jìn)行合封的產(chǎn)品，以此來(lái)實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)與數(shù)據(jù)處理 功能，節(jié)約空間的同時(shí)提高了存儲(chǔ)密度，主要用于空間受限的電子

19、產(chǎn)品，包括移動(dòng)終端、通信設(shè)備等。公司 MCP 產(chǎn)品容量分布較多，包括 4G2G、2G1G、 2G1G、1G1G、2G512M、1G512M 等，憑借設(shè)計(jì)優(yōu)勢(shì)已經(jīng)在紫光展銳、高 通、聯(lián)發(fā)科的 4G 模塊平臺(tái)通過(guò)認(rèn)證，應(yīng)用于手機(jī)、MIFI、網(wǎng)絡(luò)電話、POS 機(jī)等產(chǎn)品，獲得了 TCL、日海智能、捷普等知名企業(yè)的認(rèn)可。NAND 和 DRAM 占據(jù)九成以上市場(chǎng)，NOR 具備不可替代性。存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)主 要包括 DRAM、NAND Flash 和 NOR Flash 三種產(chǎn)品，其中 DRAM 和 NAND 約占 90%以上的市場(chǎng)份額，是最重要的兩類(lèi)存儲(chǔ)芯片。根據(jù) IC Insights 數(shù)據(jù)，2020 年全

20、 球 DRAM 銷(xiāo)售額約占整個(gè)存儲(chǔ)市場(chǎng)的 53%，NAND Flash 約占 44%，兩者合計(jì)占有 全球 97%的市場(chǎng)份額，2020 年 NOR Flash 市場(chǎng)份額大約占全球存儲(chǔ)市場(chǎng)的 1%。盡 管 NOR Flash 占全球存儲(chǔ)市場(chǎng)份額較小，但由于其具備讀取速度快、穩(wěn)定高、斷電 后數(shù)據(jù)不丟失等特點(diǎn)，使得其在汽車(chē)、工業(yè)等部分對(duì)可靠性要求高的應(yīng)用場(chǎng)景難以被 其余存儲(chǔ)芯片取代。2.2 市場(chǎng)空間：需求強(qiáng)勁，高景氣持續(xù)存儲(chǔ)芯片：集成電路最重要的細(xì)分市場(chǎng)之一。存儲(chǔ)芯片是電子系統(tǒng)中存儲(chǔ)和計(jì)算 數(shù)據(jù)的載體，是應(yīng)用面最廣、市場(chǎng)比例最高的集成電路基礎(chǔ)性產(chǎn)品之一。根據(jù) Frost&Sullivan 數(shù)據(jù)，201

21、5-2018 年全球集成電路市場(chǎng)規(guī)模不斷增長(zhǎng)，從 2015 年的 2745 億美元增長(zhǎng)至 2018 年的 3932.9 億美元，3 年 CAGR 為 16.03%，受到國(guó)際貿(mào) 易摩擦影響，2019 年全球集成電路市場(chǎng)規(guī)模同比下降 16%達(dá)到 3303.5 億美元。隨著 5G 通信、物聯(lián)網(wǎng)和人工智能等新興產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，全球集成電路市場(chǎng)規(guī)模在 2020 年同比增長(zhǎng) 5.26%達(dá)到 3477.2 億美元，集成電路迎來(lái)新一輪成長(zhǎng)。根據(jù) Frost&Sullivan 數(shù)據(jù)，預(yù)計(jì) 2021 年全球集成電路市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到 3751.8 億美元，到 2025 年將達(dá)到 4364.9 億美元，2021-202

22、5 年 CAGR 為 3.86%。根據(jù)功能不同，集 成電路可以分為存儲(chǔ)芯片、邏輯芯片、微處理器和模擬芯片，根據(jù) WSTS 數(shù)據(jù)，2021 年存儲(chǔ)芯片約占全球集成電路市場(chǎng)規(guī)模的 35.05%，其次為邏輯芯片（32.49%）、微 處理器（16.82%）和模擬芯片（15.64%）。存儲(chǔ)芯片存在明顯的周期特性。存儲(chǔ)芯片不存在明顯的季節(jié)性或者區(qū)域性，作為 集成電路產(chǎn)業(yè)的“風(fēng)向標(biāo)”，其在單價(jià)及數(shù)量上呈現(xiàn)較強(qiáng)的周期性變化，這主要是因 為存儲(chǔ)芯片產(chǎn)品的通用性較高，導(dǎo)致廠商在行業(yè)景氣度上行周期擴(kuò)產(chǎn)增收、景氣度下 行周期降價(jià)清理庫(kù)存；同時(shí)存儲(chǔ)芯片的市場(chǎng)集中度高，為了維持產(chǎn)品的市場(chǎng)份額，一 家廠商在景氣度上行周期擴(kuò)

23、產(chǎn)時(shí)，通常其他廠商也會(huì)跟隨擴(kuò)產(chǎn)，從而逐步造成產(chǎn)能過(guò) 剩出現(xiàn)供過(guò)于求的市場(chǎng)情況，導(dǎo)致存儲(chǔ)芯片的產(chǎn)品價(jià)格下跌，而行業(yè)處于產(chǎn)能收縮期 時(shí)，由于相反的原因，最終導(dǎo)致市場(chǎng)需求大于供給，產(chǎn)品價(jià)格上漲，形成周期性。新興行業(yè)崛起加速存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)發(fā)展，迎來(lái)新一輪景氣上行。根據(jù) WSTS 數(shù)據(jù)，全 球存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)規(guī)模由 2014 年的 792 億美元增長(zhǎng)至 2018 年的 1580 億美元，2019 年受到貿(mào)易摩擦及產(chǎn)品價(jià)格下降影響，全球存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)規(guī)模下降 14.1%達(dá)到 1356 億美元。隨著科技創(chuàng)新技術(shù)的不斷成熟和應(yīng)用，5G 通訊、汽車(chē)電子、可穿戴設(shè)備等 新興行業(yè)迎來(lái)快速發(fā)展，5G 基站、ADAS、智能電子產(chǎn)品

24、等終端設(shè)備持續(xù)涌現(xiàn)，其 對(duì)文件處理、圖像感知、代碼執(zhí)行等數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和執(zhí)行能力要求也不斷提升，帶動(dòng)對(duì)存 儲(chǔ)芯片數(shù)量及性能需求提升。在下游應(yīng)用需求復(fù)蘇及漲價(jià)大背景下，全球存儲(chǔ)芯片市 場(chǎng)迎來(lái)新一輪增長(zhǎng)周期，根據(jù) IC Insights 數(shù)據(jù)，預(yù)計(jì) 2021-2023 年全球存儲(chǔ)芯片市 場(chǎng)規(guī)模分別為 1552 億美元、1804 億美元和 2196 億美元，2021-2023 年 CAGR 為 18.95%。從國(guó)內(nèi)來(lái)看，隨著我國(guó)電子制造水平的不斷提升，國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)芯片產(chǎn)品的需 求量逐步攀升，根據(jù) WSTS 數(shù)據(jù)，2018 年國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)規(guī)模為 5775 億元，同 比增長(zhǎng) 34.18%，預(yù)計(jì) 2023 年國(guó)

25、內(nèi)存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到 6492 億元，發(fā)展空間 廣闊，國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)芯片自給率僅 15.79%，產(chǎn)品替代的邏輯為國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)芯片廠商帶來(lái)巨 大發(fā)展機(jī)遇。公司面向 SLC NAND、NOR Flash 和利基型 DRAM 中小容量細(xì)分市場(chǎng)。近年 來(lái)，隨著應(yīng)用場(chǎng)景的不斷拓展，如通訊設(shè)備、汽車(chē)電子、物聯(lián)網(wǎng)、可穿戴設(shè)備和工業(yè) 控制等新興應(yīng)用的出現(xiàn)，下游市場(chǎng)對(duì)具備可靠性、低功耗等特點(diǎn)的中小容量存儲(chǔ)芯片 需求持續(xù)上升：1）SLC NAND：相對(duì)資金投入巨大的中高容量存儲(chǔ) IDM 廠商，公司專(zhuān)注于中 小容量存儲(chǔ)市場(chǎng)，以 SLC NAND 產(chǎn)品切入積極開(kāi)拓市場(chǎng)，實(shí)現(xiàn)了部分產(chǎn)品 的替代。與大容量 NAND 存儲(chǔ)產(chǎn)品追

26、求單位存儲(chǔ)密度的發(fā)展趨勢(shì)不同，SLC NAND 目前主要應(yīng)用于對(duì)可靠性要求高的相關(guān)領(lǐng)域，如 5G 通信設(shè)備、安防 監(jiān)控、可穿戴設(shè)備等；根據(jù) Gartner 數(shù)據(jù)，2019 年 SLC NAND 全球市場(chǎng)規(guī) 模達(dá)到 16.71 億美元，除 2019 年受到行業(yè)周期性影響略有下降，從 2020 年 開(kāi)始保持增長(zhǎng)趨勢(shì)，預(yù)計(jì)在原有剛性需求支撐和下游不斷涌現(xiàn)的新興應(yīng)用領(lǐng) 域的影響下，2019-2023 年 SLC NAND 全球市場(chǎng)規(guī)模將從 16.71 億美元增 長(zhǎng)至 23.24 億美元；2）NOR Flash：由于近年來(lái) DRAM、NAND Flash 需求高增，國(guó)際存儲(chǔ)芯片廠 商將產(chǎn)能轉(zhuǎn)出中小容量

27、NOR Flash 市場(chǎng)，聚焦高毛利大容量 NOR Flash， 或轉(zhuǎn)向 DRAM 和 NAND Flash 業(yè)務(wù)；由于具備芯片內(nèi)執(zhí)行、讀取速度快、沒(méi)有壞塊、穩(wěn)定性高等特點(diǎn)，NOR Flash 在部分場(chǎng)景具備不替代性，隨著應(yīng) 用場(chǎng)景不斷拓展，如物聯(lián)網(wǎng)、可穿戴設(shè)備和工業(yè)控制等新興應(yīng)用的出現(xiàn)，NOR Flash 市場(chǎng)規(guī)模呈現(xiàn)穩(wěn)定增長(zhǎng)，根據(jù) CINNO 數(shù)據(jù)，預(yù)計(jì) 2022 年全球 NOR Flash 市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到 37 億美元；3）利基型 DRAM：DRAM 被廣泛用于移動(dòng)設(shè)備、服務(wù)器、個(gè)人計(jì)算機(jī)、消費(fèi) 電子等領(lǐng)域，公司專(zhuān)注于中小容量 DRAM 產(chǎn)品，主要用于利基型市場(chǎng)，終 端產(chǎn)品包括數(shù)字機(jī)頂盒

28、、PON 等通訊設(shè)備及功能手機(jī)、行車(chē)記錄儀等移動(dòng) 終端等應(yīng)用，根據(jù) DRAMeXchange 數(shù)據(jù)，2019 年全球利基型 DRAM 市場(chǎng) 規(guī)模約為 55 億美元，未來(lái)隨著下游應(yīng)用領(lǐng)域的穩(wěn)定性發(fā)展，利基型 DRAM 市場(chǎng)規(guī)模將保持增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。汽車(chē)電子成為中小容量 NAND Flash、NOR Flash 重要驅(qū)動(dòng)力量。隨著消費(fèi)者 對(duì)于駕駛安全性、舒適性的需求不斷提升，汽車(chē)智能化迎來(lái)快速發(fā)展期。ADAS 作為 汽車(chē)智能化變革中的一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)，正成為推動(dòng)汽車(chē)領(lǐng)域存儲(chǔ)芯片增長(zhǎng)的主要力量。 從先進(jìn)輔助駕駛到完全自動(dòng)駕駛，復(fù)雜的汽車(chē)應(yīng)用需要更高容量的閃存芯片，NAND Flash 和 NOR Flash

29、單位成本具有優(yōu)勢(shì)，能夠?yàn)檩^大容量車(chē)規(guī)閃存提供良好的解決 方案。根據(jù) Gartner 數(shù)據(jù)，2019 年全球 ADAS 中對(duì) NAND Flash 的存儲(chǔ)需求為 2.2 億 Gb，同比增長(zhǎng) 300%，預(yù)計(jì)到 2024 年全球 ADAS 對(duì)于 NAND Flash 的存儲(chǔ)需求 將達(dá)到 41.5 億 Gb，2019-2024 年 CAGR 為 79.8%。高容量 NOR Flash 在汽車(chē)電子 中應(yīng)用廣泛，根據(jù) IHS 數(shù)據(jù)，2016 年全球汽車(chē)電子市場(chǎng)規(guī)模為 1160 億美元，預(yù)計(jì) 2022 年將達(dá)到 1602 億美元，年均復(fù)合增速為 5.51%，其中 ADAS 板塊 2016 年市 場(chǎng)規(guī)模為 7

30、0.88 億美元，2022 年預(yù)計(jì)將達(dá)到 214.47 億美元。TWS 藍(lán)牙耳機(jī)驅(qū)動(dòng) NOR Flash 市場(chǎng)增長(zhǎng)。TWS 耳機(jī)由主耳機(jī)通過(guò)無(wú)線方式向 副耳機(jī)傳輸音頻信號(hào)，左右兩個(gè)耳機(jī)通過(guò)藍(lán)牙組成立體聲系統(tǒng)，由于完全解決了物理 線材束縛，使得便攜性大幅提升。主控藍(lán)牙芯片內(nèi)存有限，為了存儲(chǔ)更多固件和代碼 程序，需外擴(kuò)一顆小體積、低功耗的 NOR Flash 芯片。隨著越來(lái)越多的廠家加入空 中下載功能 OTA，NOR Flash 的容量需求逐漸從原先的 8Mb、16Mb，提升至 32Mb、 64Mb 甚至 128Mb。根據(jù) Counterpoint Research 及 IDC 數(shù)據(jù)，2020 年

31、全球 TWS 耳 機(jī)出貨量將達(dá) 1.2 億副，增速超過(guò) 160，預(yù)計(jì) 2023 年全球智能耳戴式裝置出貨量 將達(dá) 2.74 億臺(tái)，2019-2023 年復(fù)合年均增速達(dá)到 41.3%。隨著 TWS 耳機(jī)功能的提 升和拓展，對(duì) NOR Flash 的容量和性能將提出更高要求，進(jìn)一步促進(jìn) NOR Flash 需求的穩(wěn)步提升。2.3 競(jìng)爭(zhēng)格局：國(guó)外壟斷主流，國(guó)內(nèi)發(fā)力利基市場(chǎng)國(guó)外廠商主導(dǎo)大容量市場(chǎng)，形成壟斷格局。在存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域，國(guó)外廠商憑借先發(fā) 技術(shù)優(yōu)勢(shì)及在終端市場(chǎng)的品牌影響力，占據(jù)了大部分的市場(chǎng)份額，行業(yè)頭部廠商包括 三星電子、美光科技、海力士、鎧俠和西部數(shù)據(jù)等已經(jīng)在各自專(zhuān)注的大容量存儲(chǔ)產(chǎn)品 領(lǐng)域形成

32、了寡頭壟斷的競(jìng)爭(zhēng)格局。在 DRAM、NAND Flash 和 NOR Flash 三個(gè)領(lǐng)域 中，DRAM 市場(chǎng)份額最集中，NOR Flash 以中國(guó)臺(tái)灣、中國(guó)大陸廠商為主，根據(jù)前 瞻產(chǎn)業(yè)研究院數(shù)據(jù)，2020 年全球 DRAM 市場(chǎng)份額前三為三星電子（43%）、SK 海力 士（30%）和美光科技（23%），CR3 為 96%，壟斷程度最高；2020 年全球 NAND Flash 市場(chǎng)份額前六分別為三星電子（33%）、鎧俠（19%）、西部數(shù)據(jù)（15%）、美光科技 （11%）、SK 海力士（11%）和英特爾（10%），CR6 為 99%，壟斷程度次之；2020 年全球 NOR Flash 市場(chǎng)份額前

33、六為華邦電子（25%）、旺宏（22%）、兆易創(chuàng)新（16%）、 賽普拉斯（11%）、美光科技（4%）和武漢新芯（4%），CR6 為 82%，壟斷程度最 低。利基型市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局分散，國(guó)內(nèi)廠商迎來(lái)替代機(jī)遇：1）SLC NAND 主要參與者為中國(guó)臺(tái)灣和大陸廠商。國(guó)外存儲(chǔ)巨頭三星、鎧俠、 SK 海力士、美光科技等廠商專(zhuān)注于大容量的 NAND Flash，公司所在的 SLC NAND 市場(chǎng)主要供應(yīng)商為中國(guó)臺(tái)灣和大陸廠商包括華邦電子、旺宏電子、兆 易創(chuàng)新等，其中華邦電子和旺宏電子占據(jù)了較高市場(chǎng)份額，隨著國(guó)產(chǎn)化需求 的不斷提高，公司 SLC NAND 產(chǎn)品有望憑借領(lǐng)先制程、高性能優(yōu)勢(shì)取得更 大市場(chǎng)份額；2）N

34、OR Flash 替代空間大。根據(jù) CINNO 數(shù)據(jù)，2020 年 Q1 前四大企業(yè)市場(chǎng) 份額達(dá)到 83%且產(chǎn)品在下游各有側(cè)重點(diǎn)，華邦電子和旺宏電子側(cè)重于工業(yè)控 制領(lǐng)域，賽普拉斯布局工業(yè)市場(chǎng)、航天市場(chǎng)和汽車(chē)電子市場(chǎng)，兆易創(chuàng)新作為 大陸的存儲(chǔ)芯片設(shè)計(jì)公司占比達(dá)到 18%。隨著下游新興應(yīng)用領(lǐng)域的不斷涌現(xiàn)， NOR Flash 市場(chǎng)空間隨之增大，公司在該領(lǐng)域發(fā)展的發(fā)展空間廣闊；3）中國(guó)臺(tái)灣廠商占據(jù)利基型 DRAM 市場(chǎng)半壁江山。公司所處的利基型 DRAM 市場(chǎng) 主要參與者為華邦電子和南亞科技，根據(jù) DRAMeXchange 數(shù)據(jù)，2019 年 利基型 DRAM 市場(chǎng)份額前二分別為南亞科技（39%）和

35、華邦電子（18%）， 其次為美光科技（14%）、三星電子（13%）和 SK 海力士（10%），公司目 前市場(chǎng)份額還較小，未來(lái)會(huì)致力于 DRAM 產(chǎn)品的制程升級(jí)、提高產(chǎn)品性能 以此來(lái)提升市場(chǎng)份額。3. 立足中小容量特點(diǎn)鮮明，差異化競(jìng)爭(zhēng)邁向主流3.1 SLC NAND：拳頭產(chǎn)品，開(kāi)發(fā)大容量必經(jīng)之路SLC NAND 已成優(yōu)勢(shì)產(chǎn)品，營(yíng)收占比逐年提升。NAND Flash 產(chǎn)品核心技術(shù)優(yōu) 勢(shì)明顯，工藝制程已經(jīng)從 2015 年的 38nm 升級(jí)至 2021 年的 24nm，SPI NAND Flash 采用了業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的單芯片集成技術(shù)，將存儲(chǔ)芯片、邏輯電路與接口模塊統(tǒng)一集成在同 一芯片內(nèi)，有效節(jié)約了芯片面積

36、，降低產(chǎn)品成本，提高產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力。產(chǎn)品在耐久性和 數(shù)據(jù)保持性等特性方面表現(xiàn)穩(wěn)定，不僅在工業(yè)溫控標(biāo)準(zhǔn)下單顆芯片擦寫(xiě)次數(shù)超過(guò) 10 萬(wàn)次，同時(shí)可在-40-105的極端環(huán)境下保持?jǐn)?shù)據(jù)有效性長(zhǎng)達(dá)十年，憑借領(lǐng)先的工藝 和出色的性能，NAND Flash 營(yíng)收占比逐年提升，收入從 2018 年的 1.77 億元增長(zhǎng)至 2021 年的 6.6 億元，營(yíng)收占比從 2018 年的 34.7%增長(zhǎng)至 2021 年的 58.2%，收入占 比超過(guò) 5 成。技術(shù)水平引領(lǐng)國(guó)內(nèi)，追趕國(guó)際先進(jìn)水平。為了滿足多樣化的終端需求，2021 年 公司基于中芯國(guó)際 24nm 工藝完成了最大值 32Gb 產(chǎn)品設(shè)計(jì)流片，至此完成了從 1Gb

37、 到 32Gb 系列產(chǎn)品設(shè)計(jì)研發(fā)的全覆蓋；在工藝制程上，與中芯國(guó)際深度合作，基于 19nm 工藝平臺(tái)完成了首顆 SLC NAND Flash 流片，制程微縮進(jìn)入 20nm 有利于降低 產(chǎn)品成本，提升產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力，比肩國(guó)外先進(jìn)技術(shù)水平；產(chǎn)品容量擴(kuò)容進(jìn)一步擴(kuò)充產(chǎn)品 體系，為下一步滿足更多下游應(yīng)用場(chǎng)景奠定基礎(chǔ)。大容量 3D 堆疊是趨勢(shì)，SLC NAND 為拓展奠定基礎(chǔ)。3D NAND 于 2014 年實(shí) 現(xiàn)商業(yè)化量產(chǎn)，它的基本結(jié)構(gòu)是將存儲(chǔ)單元堆疊起來(lái)，帶來(lái)的效果包括總體容量大幅 提升和單位容量大幅提升。存儲(chǔ)單元包括 SLC NAND、MLC NAND、TLC NAND 和 QLC NAND，目前 3D

38、 NAND 存儲(chǔ)單元以 TLC NAND 為主，以 QLC 為基本存儲(chǔ)單 元的 3D NAND 產(chǎn)品比重在逐步提升。SLC NAND 產(chǎn)品憑借高可靠性的擦除、高帶 寬、壽命長(zhǎng)等優(yōu)勢(shì)在下游多領(lǐng)域被廣泛應(yīng)用，是向大容量 3D NAND 拓展的基石。3.2 閃存進(jìn)入 1xnm 時(shí)代，布局車(chē)規(guī)產(chǎn)品切入汽車(chē)電子閃存產(chǎn)品制程升級(jí)進(jìn)展順利。2021 年公司 IPO 募集資金建設(shè) 1xnm 閃存產(chǎn)品研 發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目進(jìn)展順利，公司已于 2021 年下半年基于中芯國(guó)際 19nm 平臺(tái)完成首 顆 SLC NAND 芯片流片。芯片制程的升級(jí)意味著單位存儲(chǔ)面積上的存儲(chǔ)單元密度增 加，降低了存儲(chǔ)芯片的生產(chǎn)成本；該項(xiàng)目的

39、順利實(shí)施也有利于公司響應(yīng)國(guó)家戰(zhàn)略，縮 小與國(guó)外廠商產(chǎn)品的制程差距，完成國(guó)產(chǎn)替代。我們看好 NAND Flash 在制程進(jìn)一步 升級(jí)的情況下，持續(xù)受益于下游應(yīng)用數(shù)據(jù)快速增長(zhǎng)對(duì)于存儲(chǔ)需求高增。順應(yīng)智能汽車(chē)發(fā)展戰(zhàn)略，打造高附加值車(chē)規(guī)存儲(chǔ)產(chǎn)品。汽車(chē)智能化的進(jìn)程已經(jīng) 加速，隨著智能駕駛等級(jí)的提升以及智能座艙、車(chē)載信息娛樂(lè)系統(tǒng)、多攝像頭傳感器 方案等功能的引入，汽車(chē)對(duì)于存儲(chǔ)的需求大幅提升，根據(jù)搜狐汽車(chē)研究室數(shù)據(jù)，2019 年全球汽車(chē)存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)規(guī)模為 36 億美元，預(yù)計(jì) 2025 年將達(dá)到 83 億美元， 2019-2025 年 CAGR 為 14.9%。車(chē)規(guī)級(jí)存儲(chǔ)芯片在工藝技術(shù)、使用環(huán)境、抗震能力、 可靠性等方面比傳統(tǒng)消費(fèi)電子類(lèi)存儲(chǔ)芯片要求更高，因此該類(lèi)存儲(chǔ)芯片具有高附加值、 高技術(shù)門(mén)檻等特點(diǎn)，目前公司的 SLC NAND 已經(jīng)可以