電源層和地層的劃分

1、電源層和地層的劃分點擊“Place”（快捷鍵PL） “Line”然后就可以畫定區(qū)域了通過Shift+ 空格來改變畫線的方式-圈定一個區(qū)域之后-雙擊該區(qū)域-就可以定義你所需 要的電源了。一種電源不能被另一種電源完全包圍。當包圍另一種電源的電源不是最外層 時，這種包圍就會造成回路。這樣制出來的電路板是錯誤的。一電源層的劃分（電源層要比地層小一些，20H的原則，H：絕緣介質的厚 度）：盡量將所有相同的電源過孔全部圈定在該區(qū)域中，極少量的較邊遠的話可以 在電路圖中用較粗導線連接;例如要給+5V的電源割出一塊，可采用這樣的方法： 按住Ctrl鍵，鼠標點擊任意一個+5V，然后所有的+5V點都會高亮顯示出來

2、，通 過“”“”可以增加/減小對比度（可以通過MASK）。這樣你就知道+5V的電源都 在哪些位置了。一一切割即可。（也可以按L進入層設置中，選擇只顯示信號層 選項，這樣比較好些）。一般分割區(qū)域都以方形為界定（直角拐彎）劃分電源層的時候注意了：（1）一些短的，電流不大的，要求不高的可以放到表層用走線來實現(xiàn)。因為 如劃分的話會破會電源層的完整性。（2）信號跨區(qū)，這個問題到EMI應該是有影響的，但對于4層板來說，復 雜點的板子想不跨電源區(qū)是比較難的，只是要注意到關鍵信號不要跨區(qū)如：CLK 等高速信號。（電源要盡量保證完整性小片的直接連線比較好）（3）電源線盡量短，走直線,而且最好走樹形,不要走環(huán)形（

3、4）根據(jù)印制線路板電流的大小，盡量加租電源線寬度,減少環(huán)路電阻.同時， 使電源線,地線的走向和數(shù)據(jù)傳遞的方向一致，這樣有助于增強抗噪聲能力.二.地層的分割：可以這樣理解地層：它是一個回路，提供信號回路，其實任何信號都可以看 做是電源分來的驅動信號，可以從I/O 口的結構上理解，大面積的銅，那么阻抗 就會很小，這樣，輻射就會少一些，因為信號有沿著阻抗最小的通道返回到驅動 端，阻抗太大，就會選擇空氣作為返回介質，也就是輻射。還有影響回路阻抗的 是環(huán)路面積，驅動端-信號線-接收端-地-驅動端。環(huán)路面積越小，感抗就越小。 阻抗就越小，則EMC就不是問題了。而且阻抗的的話，還回造成串擾的問題， 這個和電

4、磁場有關系，本質和上邊是一個道理。還有返回通路和信號傳輸方向一 致的話，二者的電磁場會抵消，減少EMI。地層在內層起的就是屏蔽的作用，盡量和主電源層還有高頻高速信號層相 鄰，這樣可以減少回路感抗，還可以對高頻高速信號層起到好的屏蔽效果（地層 要和電源層的絕緣介質的厚度要小些，滿足絕緣就可以了，目的是增加這倆層的 耦合度）第三點1）數(shù)字地與模擬地分開.若線路板上既有邏輯電路又有線性電路，應使 它們盡量分開.低頻（1MHz）電路的地應盡量采用單點并聯(lián)接地，實際布線有 困難時可部分串聯(lián)后再并聯(lián)接地.高頻電路宜采用多點串聯(lián)接地，地線應短而租， 高頻元件周圍盡量用柵格狀大面積地箔.（2）接地線應盡量加粗

5、.若接地線用很紉的線條，則接地電位隨電流的變化而 變化，使抗噪性能降低.因此應將接地線加粗，使它能通過三倍于印制板上的允許 電流.如有可能，接地線應在23mm以上.（3）接地線構成閉環(huán)路.只由數(shù)字電路組成的印制板，其接地電路布成團環(huán)路 大多能提高抗噪聲能力.（我認為這個和屏蔽一個原理，相當于外殼接地或 者楞次定律）（4）數(shù)字地與模擬地分開.若線路板上既有邏輯電路又有線性電路，應使它們 盡量分開.低頻（1MHz）電路的地應盡量采用單點并聯(lián)接地，實際布線有困難 時可部分串聯(lián)后再并聯(lián)接地.高頻電路宜采用多點串聯(lián)接地,地線應短而租，高頻 元件周圍盡量用柵格狀大面積地箔.（5）接地線應盡量加粗.若接地線

6、用很紉的線條，則接地電位隨電流的變化而 變化，使抗噪性能降低.因此應將接地線加粗，使它能通過三倍于印制板上的允許 電流.如有可能，接地線應在23mm以上.（6）接地線構成閉環(huán)路.只由數(shù)字電路組成的印制板，其接地電路布成團環(huán)路 大多能提高抗噪聲能力.（我認為這個和屏蔽一個原理，相當于外殼接地或 者楞次定律）（7）地線環(huán)路問題:對于數(shù)字電路來說，地線環(huán)路造成的地線環(huán)流也就是幾十毫伏 級別的，而TTL的抗干擾門限是1.2V,CMOS電路更可以達到1/2電源電壓，也就 是說地線環(huán)流根本就不會對電路的工作造成不良影響.相反，如果地線不閉合，問 題會更大，因為數(shù)字電路在工作的時候產生的脈沖電源電流會造成各點的地電位 不平衡,比如本人實測74LS161在反轉時地線電流1.2A（用 2Gsps示波器測出，地 電流脈沖寬度7ns）.在大脈沖電流的沖擊下,如果采用枝狀地線（線寬25mil）分布, 地線間各個點的電位差將會達到百毫伏級別.而采用地線環(huán)路 之后，脈沖電流會 散布到地線的各個點去，大大降低了干擾電路的可能.采用閉合地線,實測出各器 件的地線最大瞬時電位差是不閉合地線的二分之一到五分之一.當然不同密度 不同速度的電路板實測數(shù)據(jù)差異很大，我上面所說，指的是大約相當于Protel 99SE所附帶的Z80 Demo板