cmos工藝鋰電池保護(hù)電路圖的實(shí)現(xiàn)_第1頁(yè)
cmos工藝鋰電池保護(hù)電路圖的實(shí)現(xiàn)_第2頁(yè)
cmos工藝鋰電池保護(hù)電路圖的實(shí)現(xiàn)_第3頁(yè)
cmos工藝鋰電池保護(hù)電路圖的實(shí)現(xiàn)_第4頁(yè)
cmos工藝鋰電池保護(hù)電路圖的實(shí)現(xiàn)_第5頁(yè)
全文預(yù)覽已結(jié)束

下載本文檔

版權(quán)說(shuō)明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)

文檔簡(jiǎn)介

1、CMOS 工藝鋰電池保護(hù)電路圖的實(shí)現(xiàn)1 引 言設(shè)計(jì)了一種低功耗的單節(jié)鋰離子電池保護(hù)電路,此保護(hù)電路不僅對(duì)鋰離子電池提供過(guò)充電,過(guò)放電,放電過(guò)流保護(hù),還提供充電異常保護(hù),零伏電池充電CMOS 工藝實(shí)現(xiàn)。等功能。用 1. 0m 雙阱2 鋰電池保護(hù)IC 的功能原理分析鋰電池保護(hù)電路的原理圖如圖 1如下:所示,E +和 E -端之間加充電器或負(fù)載。電路工作原理圖 1 鋰電池保護(hù)原理圖正常狀態(tài):當(dāng)電池電壓在過(guò)放電檢測(cè)電壓以上且在過(guò)充電檢測(cè)電壓以下,VM 端子的電壓在充電器檢測(cè)電壓以上且在過(guò)電流檢測(cè)電壓以下時(shí),充電控制用FET2 和放電控制用 FET1的兩方均打開。這時(shí)可以進(jìn)行的充電和放電。這種狀態(tài)叫做正

2、常狀態(tài)。過(guò)充電保護(hù):在充電過(guò)程中,當(dāng)電池電壓高于過(guò)充電檢測(cè)電壓,且該狀態(tài)持續(xù)到過(guò)充電檢測(cè)延遲時(shí)間后,控制電路輸出一個(gè)低電平,關(guān)斷充電控制用 FET2,充電。過(guò)放電保護(hù):在放電過(guò)程中,當(dāng)電池電壓低于過(guò)放電檢測(cè)電壓,且該狀態(tài)持續(xù)到過(guò)放電檢測(cè)延遲時(shí)間后,控制電路輸出一個(gè)低電平,關(guān)斷放電控制用 FET1,放電。過(guò)電流保護(hù):過(guò)電流保護(hù)包括一級(jí)過(guò)流保護(hù),二級(jí)過(guò)流保護(hù),短路保護(hù),當(dāng)放電電流過(guò)大,VM 端電壓上升,超過(guò)過(guò)流檢測(cè)電壓,且該狀態(tài)持續(xù)時(shí)間超過(guò)過(guò)流檢測(cè)延遲時(shí)間后,控制電路輸出低電平,關(guān)斷放電控制用 FET1,放電。在放電過(guò)程中, VM 端電壓就是兩個(gè)處通態(tài)的 FET 上的壓降(見圖 1) ,即VVM

3、= I 2RFET.式中 I 是通過(guò) FET 的電流,即放電電流, RFET 是 FET 的通態(tài)電阻。充電異常保護(hù):電池在充電過(guò)程中如果電流過(guò)大,使VM 端電壓下降,當(dāng)?shù)陀谀硞€(gè)設(shè)定值,并且這個(gè)狀態(tài)持續(xù)到過(guò)充電檢測(cè)延遲時(shí)間以上時(shí),控制電路關(guān)斷充電控制用 FET2,停止充電。當(dāng) VM 端電壓重新上升到設(shè)定值以上后,充電控制用 FET1 打開,充電保護(hù)異常解除。零伏電池充電:電池在久放不用的情況下,會(huì)自身放電使電池電壓下降,甚至為零伏,有些鋰電池因其特性的原因在被完全放電后不適宜再度充電。當(dāng)電池電壓低于某個(gè)設(shè)定值時(shí),充電控制用FET2 的柵極被固定在低電位,止充電電壓以上時(shí),才被允許充電。充電。只有

4、電池本身電壓在零伏電池禁3 電路設(shè)計(jì)如圖 2 所示,鋰電池保護(hù)電路主要由基準(zhǔn)源,比較器,邏輯控制電路以及一些附加功能塊組成。比較器檢測(cè)所用到的基準(zhǔn)電壓都要通過(guò)一個(gè)基準(zhǔn)源電路來(lái)提供,此基準(zhǔn)源在正常工作情況下,必須高精度,低功耗,以滿足要求,且能夠在電源電壓低至 2. 2V 時(shí)正常工作。圖 2 鋰電池保護(hù)電路的結(jié)構(gòu)圖 3 就是符合此要求的帶隙基準(zhǔn)源。在該電路中, P4, P5, P6, P7,N3,N4, N6 組成一個(gè)二級(jí)運(yùn)放作為基準(zhǔn)源的反饋,而運(yùn)放的偏置電壓由基準(zhǔn)源來(lái)提供,既簡(jiǎn)化了電路與版圖,又減少了額外功耗。通過(guò)調(diào)節(jié) MOS 管的尺寸,使運(yùn)放具有較高增益,較低失調(diào)電壓?;鶞?zhǔn)源采用級(jí)連二極管的

5、形式, Q1, Q2 發(fā)射區(qū)面積相等, Q3, Q4 發(fā)射區(qū)面積相等,為了減少功耗,取 Q3 的面積為Q2 的兩倍。級(jí)連二極管形式能有效減少運(yùn)放失調(diào)對(duì)輸出基準(zhǔn)電壓精度的影響。保護(hù)電路中所用的檢測(cè)電壓一般較低,比如一級(jí)過(guò)流檢測(cè)電壓為 0. 15V 左右,二級(jí)過(guò)流檢測(cè)電壓為 0. 6V 左右,但一般帶隙基準(zhǔn)電路只能輸出 1. 2V 左右的電壓,電阻 R5 的引入就是通過(guò)對(duì)輸出基準(zhǔn)電壓進(jìn)行再次分壓來(lái)解決這個(gè)問(wèn)題。以下給出輸出基準(zhǔn)電壓的計(jì)算公式:圖 3 基準(zhǔn)源電路結(jié)構(gòu)從式(4)中可以看出 2 ln ( IS3 / IS2 ) VT 相對(duì)于 ln( IS3 / IS2 )VT 受失調(diào)電壓VOS的影響明顯

6、減少,即級(jí)連二極管的采用使基準(zhǔn)電壓受運(yùn)放失調(diào)影響減少。式中產(chǎn)生因子 R5 / (R4 +R5 ) ,通過(guò)調(diào)整 R4 , R5 的電阻值,可以得到小于 1. 2V 的基準(zhǔn)電壓。圖 1 中 N1,N2, P1, P2, P3, C1 作為啟動(dòng)電路,有源電阻 P1, P2 起限流作用。N5, P13 為開關(guān)管,當(dāng)保護(hù)電路處于休眠狀態(tài)時(shí),電路必須停止工作,使功耗降為最低,此時(shí)通過(guò)控制電路使 L1 為低電位,P13 管打開,使偏置點(diǎn) VB IAS 上升為高電位,P4, P7, P8, P9 , P10, P11, P12 管截止,N5 管關(guān)閉,切斷由 P13,N6 形成的支路,該電路停止工作,電流幾乎為

7、零。經(jīng)仿真,該基準(zhǔn)電路在 2. 2V 電壓下可正常工作。以下介紹此款鋰電池保護(hù) IC 的附加功能,包括充電異常檢測(cè)功能,零伏電池充電如圖 4 所示。功能。圖 4 附加功能電路結(jié)構(gòu)當(dāng)鋰電池接上充電器進(jìn)行充電時(shí), VM 端相當(dāng)于充電器的負(fù)端(見圖 1) ,產(chǎn)生一個(gè)- 4V 左右的脈沖電壓,N1 管瞬間導(dǎo)通,同時(shí) OUT1 端也產(chǎn)生- 4V 的脈沖電壓,當(dāng)邏輯電路監(jiān)測(cè)到 OUTI 端的負(fù)脈沖電壓后通過(guò)邏輯控制使 L2 為高電位,使 N3 管導(dǎo)通,又因?yàn)?P1 管的柵極接地,當(dāng) VDD 大于 P1 管的閾值電壓時(shí), P1 管導(dǎo)通, D1 點(diǎn)為高電位, N2 管導(dǎo)通,D2點(diǎn)為低電位, P4 管導(dǎo)通, C

8、O 為高電位,充電控制用FET2 打開,允許充電,即充電器檢測(cè)完成。當(dāng)鋰電池由于自放電使自身電壓降為 PMOS 管閾值以下時(shí), P1 管截止, D1 為低電位,使N2 管截止,節(jié)點(diǎn) D2 無(wú)法下降到 VM 端電壓, P4 管截止, CO 端為低電位,充電控制用FET2 關(guān)閉充電,即為零伏電池充電功能。在充電過(guò)程中,VM 端電位為- I 2RFET(見圖 1) ,I 為充電電流, RFET 為 FET 導(dǎo)通電阻。當(dāng)電流過(guò)大, 使VM 端電位下降到負(fù)的 NMOS 閾值以下時(shí),N5 管導(dǎo)通, D3 電位下降, P6 管導(dǎo)通,輸出OUT2 為高電位,當(dāng)該狀態(tài)持續(xù)一段時(shí)間以后,控制邏輯判斷該狀態(tài)有效,使 L2 為低電位,N3 管截止, P3管導(dǎo)通,D2 為高電位,使 CO 端為低,充電控制用 FET2 關(guān)閉,充電停止,即為充電異常檢測(cè)功能。4 仿真時(shí)序圖圖 5 為過(guò)充與過(guò)放電檢測(cè)的 HSPICE 仿真時(shí)序圖,從中可以看出,當(dāng)比較器檢測(cè)到電池過(guò)充,在這里過(guò)充檢測(cè)點(diǎn)為 4. 25V,且該狀態(tài)保持時(shí)間達(dá)到過(guò)充電檢測(cè)延遲時(shí)間,在這里約為 1. 2秒, CO 輸出低電平,關(guān)斷充電用FET2,停止充電。當(dāng)檢測(cè)到電池過(guò)放電,這里過(guò)放電檢測(cè)點(diǎn)為 2. 25V,且該狀態(tài)保持時(shí)間達(dá)到過(guò)放電檢測(cè)延遲時(shí)間約 150 毫秒,DO 輸出低電平,關(guān)斷放電用 FET1,停止放電。其它如放電過(guò)流檢測(cè)等功能經(jīng)

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無(wú)特殊說(shuō)明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁(yè)內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽,若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 人人文庫(kù)網(wǎng)僅提供信息存儲(chǔ)空間,僅對(duì)用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對(duì)用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請(qǐng)與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評(píng)論

0/150

提交評(píng)論