絲網(wǎng)常見異常匯總

1、絲網(wǎng)常見異常匯總整理目錄1、電性能參數(shù)關(guān)系2、絲網(wǎng)印刷異常3、電性能失效異常電性能參數(shù)關(guān)系EFF影響因素：ISC、UOC、FF、RS、環(huán)境潔凈度、測試、片源、漿料、工藝方案等1、太陽能電池片轉(zhuǎn)換效率公式： EFF=（開路電壓*短路電流*填充因子）/（電池面積*光照幅度）*100%2、UOC、ISC、FF不同的工藝方案對(duì)應(yīng)的參數(shù)影響較大，環(huán)境與片源主要影響FF的大小。ISC影響因素：制絨絨面、擴(kuò)散方阻、減反&鈍化效果、RS增大、RSH偏小、電阻率低、少子壽命低、印刷質(zhì)量差、漿料導(dǎo)電性差1、制絨絨面差，反射率偏高、光的吸收利用率較差，導(dǎo)致ISCC偏低。2、擴(kuò)散方阻參雜濃度偏低，PN結(jié)結(jié)淺，擴(kuò)散方阻

2、偏高，引起RS偏高，導(dǎo)致ISC偏低3、PECVD鍍膜效果差，達(dá)不到更好的鈍化效果以及減反效果，硅片內(nèi)部復(fù)合電流較大，引起ISC偏低。4、印刷質(zhì)量、燒結(jié)等效果較差，制程工藝污染等導(dǎo)致的RS偏高，和RSH偏低引起ISC偏低。5、P型硅電池片內(nèi)部少子為電子，少子壽命指少數(shù)載流子生存的時(shí)間，越低ISC越小，F(xiàn)F越小。一、影響效率各項(xiàng)因素UOC影響因素：制絨絨面差、擴(kuò)散方阻高結(jié)淺、鈍化效果差、背場濕重低、并聯(lián)電阻低、電阻率高、硅片厚度薄、材料質(zhì)量差、暗電流大、擴(kuò)散潔凈度低1、絨面晶界或者制絨坑洞過深，高溫?zé)Y(jié)引起漏電，導(dǎo)致UOC偏低2、擴(kuò)散PN結(jié)結(jié)淺，導(dǎo)致高溫?zé)Y(jié)，銀擴(kuò)散至PN結(jié)，破壞PN結(jié)結(jié)構(gòu)，復(fù)合電

3、流增大，導(dǎo)致UOC偏低3、PE鈍化效果差，硅片體內(nèi)復(fù)合電流偏大，UOC偏低。4、背場濕重偏低，不能形成較好的P-P+層，少子擴(kuò)散能力減弱、鈍化效果差，UOC偏低。5、硅片厚度低于200m時(shí)，對(duì)光的的吸收減弱，UOC也會(huì)減小。6、硅片內(nèi)部缺陷，復(fù)合電流較大，起因UOC偏低。7、制程污染，漏電較大，起因UOC偏低。FF影響因素：RS高、RSH低、IREV2大、品質(zhì)因子差1、印刷質(zhì)量差、漿料不匹配、測試探針壓偏、燒結(jié)不匹配等引起RS偏高，導(dǎo)致FF偏低2、電池片漏電較大，RSH偏低，硅片體內(nèi)復(fù)合電流較大，引起FF偏低3、電池片少子壽命低、晶格缺陷等，引起FF偏低一、影響效率各項(xiàng)因素RS影響因素：擴(kuò)散方

4、阻高、印刷濕重低、印刷斷柵虛印、燒結(jié)溫度高、燒結(jié)溫度低、測試探針壽命到、探針壓偏1、電池片濕重偏低，高溫?zé)Y(jié)后導(dǎo)電銀粉也會(huì)隨之減少，收集能力下降，RS增加2、電池片印刷質(zhì)量差，斷柵虛印，局部不導(dǎo)通，RS增加3、燒結(jié)溫度不匹配，過燒或欠燒，不能形成良好的歐姆接觸處，RS偏高4、測試機(jī)探針壽命到，或者探針壓偏，或者探針排不導(dǎo)通，RS偏高環(huán)境潔凈度：電池片污染、電池片外觀不良、濕重等影響1、環(huán)境潔凈度、衛(wèi)生等情況影響電池片外觀品質(zhì)、電性能、電性能良率等測試影響：測試溫度高、測試光強(qiáng)低，測試探針壓偏、測試盒異常、校準(zhǔn)差異、標(biāo)片不統(tǒng)一1、測試機(jī)溫度偏高，UOC減小，-0.38%/2、博格光強(qiáng)：10005

5、0W/m2 halm光強(qiáng)：10005W/m23、測試軟件、校準(zhǔn)差異等會(huì)很直觀的影響電性能各參數(shù)一、影響效率各項(xiàng)因素二、效率偏低排查圖效率偏低測試電性能印刷片源環(huán)境校準(zhǔn)壓偏標(biāo)片更換探針壽命下壓深度UOCISCRSRSHFF虛印加粗濕重異常高寬比EL漿料溫濕度潔凈度少子壽命晶格缺陷金屬雜質(zhì)電阻率碳氧含量硅片厚度三、串聯(lián)電阻RS組成與影響因素1、RS組成材料體電阻正面電極金屬柵線電阻背面背電極電阻正背面金屬電極與硅片接觸電阻正面擴(kuò)散層電阻探針與硅片接觸電阻2、解決方法檢查探針壽命是否到期、觀察探針測試時(shí)是否壓偏測試印刷濕重、觀察印刷是否有虛印斷柵等情況檢查使用漿料是否污染、偏干、型號(hào)是否新批次檢查來

6、料方阻是否偏大核對(duì)電池片來料電阻率是否偏大檢查燒結(jié)爐溫度是否異常，燈管好壞、燒結(jié)溫度高低波動(dòng)、排風(fēng)是否異常等四、并聯(lián)電阻RSH組成與影響因素1、RSH組成刻蝕不足、過刻二號(hào)機(jī)鋁漿污染導(dǎo)致燒穿漏電方阻與燒結(jié)不匹配制絨絨面坑洞過大硅片體內(nèi)雜質(zhì)偏高工藝工程中污染2、解決方法硅片來料異常，金屬雜質(zhì)含量過高，導(dǎo)致漏電刻蝕不足、過刻導(dǎo)致漏電，通知前道調(diào)節(jié)刻蝕流量或吹風(fēng)或腐蝕度等PE膜致密性較差，容易燒穿導(dǎo)致漏電燒結(jié)溫度過高，調(diào)試燒結(jié)溫度排風(fēng)等擴(kuò)散方阻偏高，擴(kuò)散結(jié)較淺導(dǎo)致燒結(jié)不匹配，引起燒穿漏電，從新匹配燒結(jié)工藝工藝過程中污染，規(guī)范員工操作習(xí)慣，定期檢查清理機(jī)臺(tái)臟污、每日工藝衛(wèi)生點(diǎn)檢等。五、開路電壓UOC組

7、成與影響因素1、UOC偏低硅片電阻率高少子壽命低硅片厚度偏薄制絨絨面損傷層未完全去除，減薄量小擴(kuò)散PN結(jié)較差PE擴(kuò)散鈍化效果較差背場濕重低RSH小，暗電流大2、解決方法來料PL抽測，測試來料硅片少子壽命硅片厚度根據(jù)實(shí)際需要控制增大減薄量，制作較好的絨面優(yōu)化擴(kuò)散工藝，控制方阻均勻性、匹配最優(yōu)的燒結(jié)工藝優(yōu)化PE工藝，控制最優(yōu)的膜厚折射率控制絲網(wǎng)二道印刷質(zhì)量，在保證無印刷不良、無翹曲、無掉粉、無鋁包等情況下進(jìn)來增加二道濕重嚴(yán)格管控工藝衛(wèi)生檢查燒結(jié)溫度、是否因?yàn)檫^燒導(dǎo)致。六、短路電流ISC組成與影響因素1、ISC偏低硅片電阻率低少子壽命低制絨絨面較差擴(kuò)散PN結(jié)較深、方阻偏低PE減反鈍化效果不好背RSH

8、小，暗電流大印刷虛印斷柵、形貌不好濕重偏低，高寬比較差探針壓偏，RS偏大燒結(jié)異常，未形成良好的歐姆接觸2、解決方法來料PL抽測，測試硅片來料少子壽命前清洗藥液壽命、濃度控制，制作良好的絨面優(yōu)化擴(kuò)散工藝，控制方阻均勻性、匹配最優(yōu)的燒結(jié)工藝優(yōu)化PE工藝，控制最優(yōu)的膜厚折射率嚴(yán)格管控工藝衛(wèi)生檢查漿料、網(wǎng)版、刮刀、機(jī)臺(tái)參數(shù)等解決斷柵調(diào)整機(jī)臺(tái)參數(shù)、更換刮刀、漿料稀釋劑添加、漿料離心攪拌等調(diào)試濕重優(yōu)化印刷形貌，必要時(shí)更換網(wǎng)版；從新匹配網(wǎng)版網(wǎng)版參數(shù)。測試機(jī)臺(tái)校準(zhǔn)差異，氙燈壽命、探針壽命、探針使用壓偏等燒結(jié)溫度匹配，燒結(jié)排風(fēng)檢查、燈管、功率溫度檢查等絲網(wǎng)印刷異常濕重異常調(diào)節(jié)1、重新測試四個(gè)臺(tái)面濕重是否在范圍；

9、是否單個(gè)臺(tái)面出現(xiàn)該問題；2、濕重偏輕：抬高網(wǎng)版間距，減小壓力 ；關(guān)注印刷質(zhì)量，如斷線、虛印等。3、濕重偏重：降低網(wǎng)版間距，增大壓力；關(guān)注印刷質(zhì)量，如加粗、粘版等。4、調(diào)試參數(shù)無效果的情況下，可反裝刮條或者更換新掛條；如果效果不明顯可根據(jù)網(wǎng)版壽命，電性能情況，高寬比等因素更換新網(wǎng)版。5、如果漿料偏干，可重新離心攪拌或者添加稀釋劑使用；前提不影響電性能。注：調(diào)試過程中保證snap-off和down-stop同加同減，保證delta值小于150；粘版1、壓力偏大，減小印刷壓力；2、增加網(wǎng)版間距、減小刮刀深度，保證delta值小于150；3、漿料黏度偏低；4、臺(tái)面真空偏低；增加臺(tái)面真空；缺失1、網(wǎng)版粘

10、有碎片或其他異物2、網(wǎng)版間距偏高3、印刷壓力偏低翹曲1、硅片厚度?。嚎刂苼砹瞎杵穸?、二道印刷濕重重：控制二道鋁漿濕重3、燒結(jié)溫度高：調(diào)節(jié)主燒結(jié)區(qū)溫度，調(diào)節(jié)燒結(jié)排風(fēng)4、燒結(jié)冷卻水效果不好：檢查風(fēng)扇情況，檢查冷卻水水壓5、印刷薄厚不均：檢查回墨刀是否裝平，檢查漿料是否攪拌6、鋁漿自身有問題鋁包1、印刷濕重輕：厚度較薄，增加印刷重量。2、燒結(jié)溫度較高：檢查排風(fēng)、降低燒結(jié)溫度3、漿料攪拌不均勻：使用前攪拌均勻4、印刷不平：檢查刮刀是否裝平5、未烘干:二號(hào)機(jī)印刷未烘干6、漿料顆粒度較大：顆粒之間間隙較大斷柵虛印1、刮刀沒有裝平：更換刮刀或重裝2、印刷壓力太?。涸龃笥∷毫?、網(wǎng)版間距太高：增加網(wǎng)版間

11、距4、刮刀深度太低：增加刮刀深度5、網(wǎng)版軌道不平：重新調(diào)整軌道6、印刷臺(tái)面不平：更換臺(tái)面7、漿料黏度太大，舊漿料偏干：檢查漿料批次，舊漿料過濾后離心后使用或添加稀釋劑8、網(wǎng)版參數(shù)異常：紗厚膜厚過后，網(wǎng)版線寬偏窄，乳劑透墨性欠佳、網(wǎng)版堵塞粗線1、網(wǎng)版壽命過長張力不夠：更換網(wǎng)版2、網(wǎng)版參數(shù)不合格：核對(duì)網(wǎng)版參數(shù)；更換網(wǎng)版3、漿料太稀，攪拌時(shí)間太長：控制漿料來料黏度、控制稀釋劑用量、控制離心攪拌時(shí)間4、印刷參數(shù)不合理：網(wǎng)版間距太低，刮刀深度過大，壓力過大，5、回墨刀未裝平：重新安裝回墨刀6、干漿料：漿料過濾，刮漿板&掛條使用后及時(shí)處理，漿料使用過后及時(shí)封蓋拉力偏低1、濕重低：增加濕重；調(diào)試機(jī)臺(tái)參數(shù)、匹

12、配網(wǎng)版參數(shù)、網(wǎng)版壽命末期濕重降低2、烘干溫度過低或者過高：銀硅未形成良好的的歐姆接觸3、網(wǎng)版主柵擋點(diǎn)偏大或者擋點(diǎn)印刷過程張脫落：主柵沒有漿料或者沒有高度4、燒結(jié)溫度低：不能形成很好的銀硅晶體5、焊接溫度高：溫度過高導(dǎo)致過焊6、測試差異：電池測試機(jī)與組件端對(duì)標(biāo)鋁珠1、根本原因即電池片表面受熱溫度較高；解決方法：降低燒結(jié)溫度或者增加燒結(jié)帶速；注：調(diào)試燒結(jié)溫度的同時(shí)，注意電性能變化；鋁刺1、二道鋁漿未烘干，燒結(jié)是導(dǎo)致鋁刺；2、印刷濕重偏重，導(dǎo)致未烘干，燒結(jié)導(dǎo)致鋁刺；3、燒結(jié)溫度偏高；4、燒結(jié)爐帶長久未清洗，絲網(wǎng)電性能失效異常燒穿1、PN結(jié)較淺，高溫?zé)Y(jié)導(dǎo)致燒穿；2、制絨面晶界導(dǎo)致制絨坑洞過深，高溫?zé)?/p>

13、結(jié)是Ag擴(kuò)散至PN結(jié)3、二道鋁漿污染，生產(chǎn)過程中工藝衛(wèi)生較差；4、AG長期暴露在空氣中或其他方式導(dǎo)致污染；5、片源金屬雜質(zhì)過高或者內(nèi)部晶格缺陷導(dǎo)致燒穿；漏電1、二號(hào)機(jī)漏漿或者二號(hào)機(jī)工藝衛(wèi)生差；2、前道工藝過程污染，列入鍍膜表面有雜質(zhì)；3、銀漿污染4、燒結(jié)溫度過高或者絨面坑洞過大或PN結(jié)淺導(dǎo)致PN結(jié)燒穿導(dǎo)致漏電；5、刻蝕不足或過刻；6、晶格漏電7、銀漿與燒結(jié)溫度不匹配；漿料污染1、銀漿使用過程中污染：二道鋁漿污染、不同廠家漿料混用等；虛印1、三號(hào)機(jī)網(wǎng)版間距偏高、刮刀深度較低2、三號(hào)機(jī)印刷壓力偏小3、印刷漿料偏干，舊漿料未添加稀釋劑或者未攪拌等4、網(wǎng)版線寬偏窄，總厚偏厚，乳劑透墨性較差等。5、網(wǎng)版壽命較長，使用過程中堵網(wǎng)；6、漿料黏度偏高隱裂1、工藝衛(wèi)生較差，臺(tái)面有碎片或異物導(dǎo)致碎片；2、臺(tái)面不平、壓力較大，導(dǎo)致隱裂；3、生產(chǎn)過程中碰撞導(dǎo)致隱裂；4、來料不良，電