半導(dǎo)體行業(yè)設(shè)備系列深度之一：乘自主可控趨勢東風(fēng)半導(dǎo)體設(shè)備國產(chǎn)進(jìn)程加速

1、為什么當(dāng)前亟需提升國產(chǎn)化率?國產(chǎn)化的推動因素政策、資金、產(chǎn)業(yè)三、半導(dǎo)體設(shè)備市場競爭格局與國產(chǎn)化進(jìn)度 四、相關(guān)公司開展邏輯梳理五.風(fēng)險提示）中信建投證券CHINA SECURITIESI 設(shè)備企業(yè)前瞻布局非美國地區(qū)零部件采購；1.在各類零部件中，本錢占比最大的包括直流電源、離子分析系統(tǒng)、低溫泵、EFEM等； 2.大局部品類現(xiàn)階段國內(nèi)基礎(chǔ)差，沒有成熟技術(shù)，沒有產(chǎn)品。從進(jìn)口比例來看，前十大子系統(tǒng)供應(yīng)商中, 美國市場和日本市場占比最高。設(shè)備企業(yè)正逐漸將采購鏈條從美國轉(zhuǎn)移至日本,英國等地區(qū)。圖表：前十大零部件采購需求占比及前十大子系統(tǒng)供應(yīng)商占比十大零部件需求量預(yù)測/件靜電吸盤 劑量控制系統(tǒng) 真空閥冷泵系

2、統(tǒng) 直流電源3000十大零部件需求價值預(yù)測/萬元5000100001500020000前十大子供應(yīng)商占比數(shù)據(jù)來源：中電科，中信建投證券研究開展部）中信建投證券CHINA SECURITIES;下游客戶評估國內(nèi)廠商設(shè)備的意愿增強(qiáng)圖表：下游客戶評估國內(nèi)廠商設(shè)備的意愿增強(qiáng)信投證券IINA SECURITIESL4后貿(mào)易戰(zhàn)時期，國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備廠商的一些變化；下游客戶評估國內(nèi)廠商設(shè)備的意愿增強(qiáng)I 1.國產(chǎn)設(shè)備替代原有設(shè)備驗(yàn)證周期較長，一切順利的話需要一年左右時間；2. 一旦驗(yàn)證通過成為baseline,新建工廠就省去了這些流程，可以沿用母廠設(shè)備和工藝。2. free dem。進(jìn)入晶圓廠5馬拉松測試Bla

3、nket wafer；那么試圖表：國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備驗(yàn)證流程圖表：國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備驗(yàn)證流程實(shí)驗(yàn)片到達(dá)要求耗時3-6個月數(shù)據(jù)來源:中信建投證券研究開展的4小重片口口歌lit耗時36個月產(chǎn)Rat耗時36個月工藝匹配和優(yōu)化b現(xiàn)俁重產(chǎn)證券CHINA SECURITIES證券CHINA SECURITIES一單驗(yàn)證通過成為baseline ,或者在mini fab里通過,后邈建/擴(kuò)產(chǎn)時就省去了前序工序:、國產(chǎn)化的推動因素2.全球半導(dǎo)體行業(yè)景氣度有望觸底回升2.2上游半導(dǎo)體設(shè)備銷售有望隨之向好我國政策、資金、市場環(huán)境三面扶持）中信建投證券CHINA SECURITIES:理論上看，全球半導(dǎo)體行業(yè)具有技術(shù)呈周期性

4、開展.市場呈周期性波動的特點(diǎn)19982000年，隨著手機(jī)的普及和互聯(lián)網(wǎng)興起，全球半導(dǎo)體產(chǎn)值不斷上升，尤其在2000年增長38.3%；隨著互聯(lián)網(wǎng)泡沫的破裂，2001年全球半導(dǎo)體市場下跌32%；隨后Window XP的發(fā)布，全球開始新一輪PC換機(jī)潮，半導(dǎo)體市場20022004 年處于高速增長階段；2005年半導(dǎo)體市場出現(xiàn)了周期性回落，2008年和2009年受金融危機(jī)的影響出現(xiàn)了負(fù)增長；2010年，隨著全球經(jīng)濟(jì)的好轉(zhuǎn)，全球半導(dǎo)體產(chǎn)值增長34.4%。2011-2012年受歐債危機(jī)、美國量化寬松貨幣政策、日本地震及終端電子產(chǎn)品需求下滑影響，半導(dǎo)體銷售增速分別下降為0.4%和-2.7%；2013年以來，P

5、C、手機(jī)、液晶電視等消費(fèi)類電子產(chǎn)品需求不斷增加，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)恢復(fù)增長，增速達(dá)4.8%O 2014年全球半導(dǎo)體銷售市場繼續(xù)保持增長態(tài)勢，增速達(dá)9.9%； 2015-2016年，全球半導(dǎo)體銷售疲軟。2017年，隨著AI芯片、5G芯片、汽車電子、物聯(lián)網(wǎng)等下游的興起，全球半導(dǎo)體行業(yè)重回景氣周期。2018年下半年，受到存儲器價格下降、全球需求疲軟和中美貿(mào)易戰(zhàn)的影響，全球半導(dǎo)體開展動力缺乏。但展望2019年 下半年，受益于消費(fèi)領(lǐng)域、智能手機(jī)需求回暖，全球半導(dǎo)體市場開展趨穩(wěn)并有望實(shí)現(xiàn)增長。15圖表：全球半導(dǎo)體行業(yè)呈現(xiàn)周期性波動的特點(diǎn)數(shù)據(jù)來源：（Insights、中信建投證券研究開展部）中信建投證券CHIN

6、A SECURITIES呵，2019年半導(dǎo)體設(shè)備廠商短期承壓，SEMI預(yù)計(jì)2019年全球半導(dǎo)體設(shè)備銷售下降18.4%至529億美y l o2.展望2020年，由于存儲器投資復(fù)蘇和在中國大陸新建及擴(kuò)建工廠，SEMI預(yù)計(jì)半導(dǎo)體制造設(shè)備2020年 的全球銷售額為588億美元，比2019年增長12%。其中，包括外資工廠在內(nèi)的對中國大陸銷售將到達(dá)_二與心美元癡t中HXPS成堆導(dǎo)腳造設(shè)雌最雉場jS。，二 ozTo9Toz606I0Zsoaozroaoz6OOTOZS9600ZToooooz69900ZsousoozI。，寸。Z69Z00ZsooozTooooz6000661S9Z.66I199661604

7、66TS0T66IT0A66T數(shù)據(jù)來源：SEMI、中信建投證券研究開展部）中信建投證券CHINA SECURITIES）中信建投證券CHINA SECURITIES，蟻儀夫國僅小開罡百 口牛，業(yè)同灰里加:TH怦爾，頭嘰（廠口口儂同 臼 菲I土，川火包頭嘰陋儂大國；2. 90年代消費(fèi)電子大潮，韓國半導(dǎo)體在韓國政府和財(cái)團(tuán)的共同推動下，積極開拓高性價比IC產(chǎn)品，帶 動亞洲電子產(chǎn)業(yè)鏈崛起，實(shí)現(xiàn)了長達(dá)20多年的持續(xù)崛起。而此時的臺灣那么通過創(chuàng)新的產(chǎn)業(yè)模式，從 IDM轉(zhuǎn)為垂直分工，依靠大量投資建成了世界領(lǐng)先的晶圓代工廠臺積電和聯(lián)電，在技術(shù)水平上到達(dá)世 界頂尖；1717圖表：政策支持、資金幫扶、下游產(chǎn)業(yè)支撐

8、是推動行業(yè)進(jìn)步不可或缺的幾個方面美國日本 韓國中國大陸成立半導(dǎo)體協(xié)會，并在貿(mào)易領(lǐng)域出臺了一些列政策，如與日本簽訂半導(dǎo)體協(xié)定吸收美國技術(shù)并整合國內(nèi)高質(zhì)量品控制 體系，制定電子工業(yè)振興臨時措施法 等，采用嚴(yán)格的產(chǎn)業(yè)保護(hù)制度等。成立韓國電子技術(shù)學(xué)院，啟動長期半導(dǎo) 體產(chǎn)業(yè)促進(jìn)計(jì)劃，制定了半導(dǎo)體信息技 術(shù)開發(fā)方向的投資計(jì)劃。出臺出一步豉皿軟懺和柒成電造產(chǎn)業(yè) 開展的假設(shè)干偵測等一些列產(chǎn)業(yè)優(yōu)惠政 策和研發(fā)工程等扶持政策。數(shù)據(jù)來源：Ofweek、中信建投證券研究開展 部每年投資近億美元計(jì)劃投資1500億美元,乂證券CHINA SECURITIES政策支持IC設(shè)計(jì)晶圓代工封裝測試設(shè)備材料3500億元 CAGR2

9、O%：871O 億元行動通訊網(wǎng)絡(luò)通訊32/28nm制程量產(chǎn)中高階封測占比30%65-40nm 制程關(guān)鍵設(shè)備12寸晶圓材料行動通訊、網(wǎng)絡(luò)通訊、云計(jì)算物聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)重大科技專項(xiàng)16/14nm制程量產(chǎn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)投資基金封測技術(shù)達(dá)國際大廠水平打入國際采購供應(yīng)鏈信建投證券研究開展部資訊服務(wù)國際合作兩岸合作CHINA SECURITIES稅收優(yōu)惠.*綱要，明確顯示了政策扶持半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的決心。. 2014年9月，國家IC產(chǎn)業(yè)基金正式成立。以直接入股方式，對半導(dǎo)體企業(yè)給予財(cái)政支持或協(xié)助購并國 際大廠。.目前我國半導(dǎo)體產(chǎn)他的自給率才只有不到15%,中國制造2025的目標(biāo)是2020年自給率達(dá)40%,2050年到達(dá)

10、50%表：根據(jù)規(guī)劃，20152020年，IC產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值CAGR達(dá)20%以上2015年政策目標(biāo)2020年政策目標(biāo)18數(shù)據(jù)來源：中國電子網(wǎng)、中的17%；在封裝測試產(chǎn)業(yè)方面，大基金那么重點(diǎn)支持長電科技、華天科技、通富微電等工程，占承諾投資額的10%;3.相比之下，大基金在裝備和材料環(huán)節(jié)的投資規(guī)模和力度要小很多，但仍然在推進(jìn)光刻、刻蝕、離子 注入等核心裝備抓住產(chǎn)能擴(kuò)張時間窗口，擴(kuò)大應(yīng)用領(lǐng)域。圖表：國家大基金資金主要投向集成電路制造環(huán)節(jié)設(shè)備材料（占比約6% ）北方華創(chuàng)（全人中微半導(dǎo)體（全卜睿勵、長川（檢測）、拓荊（薄膜）等封裝測試（占比約10% ）一長電科技、華天科技、通富微電等（前三）,芯片設(shè)計(jì)（占比約

11、17% ）紫光展銳、中興微電子、艾派克、兆易創(chuàng)新、國科微、北斗星通、深圳國微等集成電路制造（占比約67% ）中芯國際（先進(jìn)工藝制造）、上海華虹（先進(jìn)工藝制造）、士蘭微（特色工藝制造）長江存儲（存儲器制造）、三安光電（化合物半導(dǎo)體制造）、耐威科技等CHINA SECURITY數(shù)據(jù)來源：中信建投證券研究開展部資金：大基金二期募資規(guī)模2000億左右，加強(qiáng)設(shè)備領(lǐng)域投資北方華創(chuàng)：非公開發(fā)行募集資金總額不超過20億元，其中國家大基金增資9.1億元（一期）； 長川科技：預(yù)計(jì)大基金二期將持續(xù)支持；精測電子：子公司增資5.5億，大基金出資1億（一期）。圖表：二期大基金將加強(qiáng)設(shè)備領(lǐng)域投資（二期大基金未來投資布局及

12、規(guī).支持龍頭企業(yè)做大做強(qiáng)，提升成線能力首期基金主要完成產(chǎn)業(yè)布局，二期基金將對在刻蝕機(jī)、薄膜設(shè)備、測試設(shè)備和清洗設(shè)備等領(lǐng)域已布局的企業(yè)保持高強(qiáng)度的持續(xù)支持，推動龍頭企業(yè)做大做強(qiáng)，形成系列化、成套化裝備產(chǎn)品對照綱要繼續(xù)填補(bǔ)空白，加快開展光刻機(jī)、化學(xué)機(jī)械研磨設(shè)備等核心設(shè)備以及關(guān)鍵零部件的投資布局，保障 產(chǎn)業(yè)鏈平安.產(chǎn)業(yè)聚集，抱團(tuán)開展，組團(tuán)出海i.i.動建立專屬的集成電路裝備廣業(yè)園區(qū)，吸引裝備零部件企業(yè)集中投資研發(fā)中心或產(chǎn)業(yè)化基地,實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)資源和人才的聚集，加強(qiáng)上下游聯(lián)系交流，提升研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化配套能力，形成產(chǎn)業(yè)聚集的合力積極推動國內(nèi)外資源整合、重組，壯大骨干企業(yè)，培育中國大陸“應(yīng)用材料”或“東京電子”

13、的企業(yè)苗子，加強(qiáng)基金所投企業(yè)間的.持續(xù)推進(jìn)國產(chǎn)裝備材料的下游應(yīng)用充分發(fā)揮基金在全產(chǎn)業(yè)鏈布局的優(yōu)勢，持續(xù)推進(jìn)裝備與集成電路制造、封測企業(yè)的協(xié)同）中信建投證券CHINA SECURITIES上下游結(jié)合，加速裝備從驗(yàn)證到批量采購的過程，為本土裝備材料企業(yè)爭取更多地市場機(jī)會 催促制造企業(yè)提高國產(chǎn)裝備驗(yàn)證及采購比例，為更多國產(chǎn)設(shè)備材料提供工藝驗(yàn)證條件，擴(kuò)大采購規(guī)模展部我國半導(dǎo)體市場供需兩層不匹配，國產(chǎn)化率亟需提升一方面，終端產(chǎn)品供需不匹配。2018年中國集成電路市場規(guī)模1550億美元，但國產(chǎn)集成電路規(guī)模僅238億美 元，國產(chǎn)化率僅約15%；另一方面，制造端的設(shè)備供需不匹配。國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備市場規(guī)模約145

14、億美元，但國 產(chǎn)設(shè)備規(guī)模僅14億美元不到，國產(chǎn)化率僅約10%。因此，從產(chǎn)業(yè)開展的角度，一方面，國內(nèi)半導(dǎo)體制造領(lǐng)域 仍有較大開展空間；另一方面，制造領(lǐng)域的設(shè)備仍有較大的國產(chǎn)提升空間。貿(mào)易戰(zhàn)對我國半導(dǎo)體核心技術(shù)卡脖子半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中，上游半導(dǎo)體設(shè)備和中游制造對美依存度極高，核心芯片的國產(chǎn)化比率極低，存在受技術(shù)限制 的可能性；相比之下，中游封測和下游終端市場領(lǐng)域?qū)γ酪来娑刃?，受到影響較小。貿(mào)易戰(zhàn)背景下，一方面設(shè) 備企業(yè)前瞻布局非美國地區(qū)零部件采購，另一方面國內(nèi)代工廠/存儲器廠評估國內(nèi)設(shè)備廠商的意愿增強(qiáng)。根據(jù) 某下游大廠近期的設(shè)備采購規(guī)劃，其2018年國產(chǎn)裝備的采購額占總裝備采購額的比例僅13，但湫19

15、年開始， 國產(chǎn)化率快速提升，預(yù)計(jì)至2020年將到達(dá)30左右/下游廠商加速擴(kuò)產(chǎn)，帶動國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備需求當(dāng)前大陸成為全球新建晶圓廠最積極的地區(qū)，以長江存儲/合肥長鑫為代表的的存儲器工程和以中芯國際/華 力為代表的代工廠正處于加速擴(kuò)產(chǎn)的階段，預(yù)計(jì)帶來大量的設(shè)備投資需求。判斷2020年國內(nèi)半導(dǎo)體晶圓制造 設(shè)備市場空間達(dá)1000億以上，而封裝和測試設(shè)備市場空間約200億左右。細(xì)分設(shè)備的國產(chǎn)化空間以刻蝕3成膜、量測、清洗、測試設(shè)備為例，分析細(xì)分領(lǐng)域設(shè)備的國產(chǎn)化進(jìn)程及成長空間。資金：大基金撬動地方基金，集成電路產(chǎn)業(yè)正迎來密集投資期. IC產(chǎn)業(yè)屬于資本開支較重的產(chǎn)業(yè)，“大投入，大收益；中投入，沒收益，小投入，

16、大虧損”；.全球看，每年半導(dǎo)體資本開支接近600億美元，而英特爾、臺積電、三星等巨頭每年的資本開支均在100億美元左右，只憑大基金的支持仍然投入有限；.根據(jù)我們的統(tǒng)計(jì)，除了規(guī)模近1400億的大基金之外，各集成電路產(chǎn)業(yè)聚集的省市亦紛紛成立地方集 成電路基金，截至到2019年4月，全國有15個以上的省市成立了規(guī)模不等的地方集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金，總計(jì)規(guī)模到達(dá)了5000億元左右。通過大基金、地方基金、社會資金以及相關(guān)的銀行貸款等債券 融資，未來10年中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)新增投資規(guī)模有望到達(dá)10000億元水平。21數(shù)據(jù)來源：電子工程網(wǎng)、中信建投證券研究開展圖表：中國各省市開始密集投資布局半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)釣魚!3 強(qiáng)

17、北無錫：200億上海：500億昆山：100億 ：500600億）中信建投證券CHINA SECURITIES市場：大陸建廠潮為半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)提供了巨大的市場空間1.根據(jù)SEMI發(fā)布的全球晶圓廠預(yù)測報告預(yù)估，2017-2020年的四年間，全球預(yù)計(jì)新建62條晶圓加工 線，其中中國大陸將新建26座晶圓廠，成為全球新建晶圓廠最積極的地區(qū)，整體投資金額預(yù)計(jì)占全球 新建晶圓廠的42%,為全球之最。）中信建投證券CHINA SECURITIES）中信建投證券CHINA SECURITIESH公司1 地點(diǎn)擊信：大R需坐與2嘮物交1嗨增長，的半導(dǎo)體設(shè)管1發(fā)）展奧金額1億美元）月產(chǎn)能（萬片）冢狀開工時間投產(chǎn)時間S

18、B產(chǎn)時間1紫光集團(tuán)一聞京-|以 蝙也的卻心地山,一 31JD MAXD.FLuh, DR.AM _ _ 69 ._10510一 5世-2QU/2xL2 202A if fi ifBI(Bab6)Boundry65-28nm2363.5革嚴(yán)2004 年2005年北爪I2H B27-B2AFoundry2nm224生產(chǎn)2013年2016年2017年B2BFoundry2nm2量嚴(yán)2015/10/29北京12寸83廠B3Foundry55nm2633.5在建2016年10月2018年寧波12寸晶圓廠待定特種_E藝集成電路芯片100規(guī)劃待定深圳12 寸 Fabl6 廣Fab 16Foundry65/5

19、5nm664在建2016年II月2017年華力微電一上海12寸HH KAB5JHH FAB5Foundry50-40-28nm2193.5fit嚴(yán)2010/9/82015年2017 年子上海12寸HHFAB6 廠HH FAB6Foundry28-14nm3874在建2016/12/302018年年月2020年華虹宏力無錫12寸晶圓廠Fab 7一期特色工藝集成電路芯片90-65/55nm159254在建2018/4/32OI9H22022年寸晶圓1Fab 7二期邏珥芯片477規(guī)劃合肥長鑫合肥12寸晶圓廠Rui-LiDRAMI9nm4947212.5在建2017年5月2018年福建晉華泉州12寸晶

20、圓廠DRAM32-20nm37056.56 （年產(chǎn)值12億美元）在建2016/7/162018年9月晶合/力晶合肥12寸HF廠一期N1廠LCD驅(qū)動芯片65-55n in128.1204量產(chǎn)2015/10/202017/6/292017/12/6聯(lián)電廈門12寸尸“62乂廠Fabl2XFoundry55-40-28nm400625在建2015年10月2016/11/162017-2018臺枳電南樂12J-NJJNJFoundryI6nm198302 （買林可以租到6）旺錢2016年7月2018年5月Intel大連12寸 Fab68 廠Fab68原本處理器晶片65nm176255.2被改造2OO7R

21、/82010年2010 年Hab68改造3D NAND Hash55預(yù)計(jì)3-4力標(biāo):產(chǎn)2015年2016/7/252016年7月Fab68另隹3D NAND Flash2()VAt2-3/j任建2017/5/102019年3月二星西安I2JTU3D NAND Flash20-IOnmCMOS62010012 （年產(chǎn)值200衫億兀）量產(chǎn)20I2WI22014/5/920I6HI二期3D NAND Flash46370-iTi-任處2018年3月2019年美國AOS重慶12寸晶圓廠一期功率半導(dǎo)體芯片66102在建2016/3/302018H1格羅方德成都12寸Fab 11/Fab 11(迎)Fou

22、ndry0.13-0.18 um RF-SOI6591002在建2017年3月2018H2Fab 11（二期）邏輯芯片22nm FD-SOI6.5規(guī)劃待定20I9Q4德科塔準(zhǔn)女12、丁晶閱1一期囪保情忠器芯片65nm15025r任建2016年3月2019上蘭微廈門12寸晶圓廠MEMS、功率半導(dǎo)體器件90-65nm1708規(guī)劃待定SK海力士無錫12寸HC2廠HC2一期DRAM90nni80.55 （包括轉(zhuǎn)給華一 潤那條Fj 13 v Pl bR/M 1。力，MobileDRAM 3萬)w.嚴(yán)工UlOYTM2006年11H48.6 Nikon、Canon Ultratech等上海微裝、四十八所、四

23、十五所等（30%投資額）顯影涂膠/顯影設(shè)備TEL (90%)、SUSS、EVG等七星電子、沈陽芯源等干刻干法刻蝕設(shè)備Applied Materialss Lam JuSung TES等中微半導(dǎo)體、北方微電子、四十八所等刻蝕濕刻濕法刻蝕設(shè)備DNS、Applied Materialss Mattson等七星電子、上海盛美、上海新陽、沈陽芯源、蘇州偉仕泰克等(Etch)去膠等離子去膠機(jī)清洗清洗設(shè)備DNS Applied Materialss Mattson等盛美半導(dǎo)體、上海新陽、沈陽芯源、蘇州偉仕泰克等離子注入離子注入機(jī)AMAT (70%)、Nissin等四十八所、中科信等離子注入去膠等禽子去膠機(jī)(

24、Ion Implant)清洗清洗設(shè)備DNS、Applied MaterialsMattson等盛美半導(dǎo)體、上海新陽、沈陽芯源、蘇州偉仕泰克等CVD化學(xué)氣相沉積設(shè)備Tokkis ASM、日本島津、Lam Research等中微半導(dǎo)體、北方微電子、四十五所等薄膜沉積(DielectricPVD物理氣相沉積設(shè)備Applied Materials PVD Products Cemecon等北方微電子、南光實(shí)業(yè)、四十八所、科睿設(shè)備等Deposition)RTPRTP設(shè)備清洗清洗設(shè)備DNS Applied Materialss Mattson等盛美半導(dǎo)體、上海新陽、沈陽芯源、蘇州偉仕泰克等CMPCMP設(shè)備

25、Applied MaterialsRtec等華海清科、盛美、四十五所等拋光刷片刷片機(jī)(CMP)清洗清洗設(shè)備DNSn Applied MaterialsMattson等盛美半導(dǎo)體、上海新陽、沈陽芯源、蘇州偉仕泰克等測量測量設(shè)備KLA Applied Materials Hitachi Camtek等睿勵科學(xué)儀器等PVD物理氣相沉積設(shè)備Applied Materials PVD Products Ccmccon等北方微電子、四十八所、科睿設(shè)備等金屬化CVD化學(xué)氣相淀積設(shè)備Tokki、ASM、日本島津、Lam Research等中微半導(dǎo)體、北方微電子、四十五所等(Metalization)電鍍電鍍設(shè)

26、備DNS Applied Materials Mattson等盛美半導(dǎo)體、上海新陽、沈陽芯源、蘇州偉仕泰克等DNS Applied MaterialsMattson等盛美半導(dǎo)體、上海新陽、沈陽芯源、蘇州偉仕泰克等清洗 清洗設(shè)備數(shù)據(jù)來源：中信建投證券研究開展劭；封裝(后道,Back-End )測試圖表：封裝測試環(huán)節(jié)具體設(shè)備及主要廠商生產(chǎn)環(huán)節(jié)反面減薄(Back Grinding)晶圓切割(Wafer Saw)貼片/裝片(Die Attach )引線鍵合(Wire Bonding)(最關(guān)鍵工藝之)模塑電鍍工藝進(jìn)料檢測7iqc )貼膜(wafertape )反面研磨(back grinding )測量

27、剝膜(detape )晶圓安裝(wafer mount)晶圓切割(wafer saw )晶圓清洗(wafer wash )光學(xué)檢測點(diǎn)漿(write epoxy )芯片粘接(die attach )固化(die cure )引線鍵合(wire bond )清洗光學(xué)檢測等離子體清洗注塑(molding )激光打標(biāo)(laser mark )烘烤(post mold cure )檢測去溢料/電鍍(de-flash/plating)電鍍退火(annealing )具體設(shè)備國外廠商國內(nèi)廠商切筋成型成品測僦/終測切筋/成型(trim/form )光學(xué)檢測終測(final test)數(shù)據(jù)來源：中信建投證券研究

28、開展部檢測設(shè)備KLA、Applied Materials、Hitachi貼膜機(jī)切割減薄設(shè)備 DISCO、OKAMOTO、Camtek等厚度/粗糙度測量儀KLA、Applied Materials, Hitachi,剝膜機(jī)晶圓安裝晶圓切割機(jī)清洗設(shè)備AOI設(shè)備DISCO 等KLA、Applied Materials、HitachiCamtek 等Camtek 等Camtek 等北京中電科等四十五所、中電科、大族激光等貼片機(jī)烤箱鍵合封裝設(shè)備微波/等離子清洗AOI設(shè)備等離子體清洗機(jī)注塑機(jī)激光打標(biāo)機(jī)烤爐X-ray設(shè)備電鍍設(shè)備退火爐切筋成型設(shè)備AOI設(shè)備測試設(shè)備SUSS、EVG等上海微電子等KLA、App

29、lied Materials、Hitachi、KLA、Applied Materials、Hitachi、Camtek 等Camtek 等DNS、Applied Materials、Mattson等盛美、新陽、沈陽芯源、偉仕泰克等KLA、Applied Materials、Hitachi、Camtek等KLA、Applied Materials、Hitachi、Camtek等長川科技/華峰測控中信建投證券CHINA SECURITIES.從分布看，全球前十大集成電路裝備公司基本上被美國、日本、歐洲企業(yè)占據(jù)；.從比例看，全球前十大拿走行業(yè)80%的份額；應(yīng)用材料（美國）、ASML （荷蘭）、TEL

30、東京電子、 泛林（美國）、科磊（美國）位列前五，前五名拿走68%的份額；前30拿走92%的份額，前20拿 走87%的份額。圖表：全球IC裝備市場高度壟斷2017年全球十大IC設(shè)備供應(yīng)商排名 公司名（英文）公司名（中文）主要產(chǎn)品領(lǐng)域2017年?duì)I收（億美元）2017/2016年增長1Applied Materials2Lam Research3Tokyo Electron4ASML5KLA-TencorScreen6SemiconductorSolutions7SEMES8Hitachi High- Technologies9Hitachi Kokusai10Daifuku11ASM Intern

31、ational12Nikon1Applied Materials2Lam Research3Tokyo Electron4ASML5KLA-TencorScreen6SemiconductorSolutions7SEMES8Hitachi High- Technologies9Hitachi Kokusai10Daifuku11ASM International12Nikon應(yīng)用材料林電斯天 泛東阿科迪恩士細(xì)美事 日立高新日立國際電氣大福先域尼康數(shù)據(jù)來源29IC insights,中信建投證券研部沉積、刻蝕、離子注入、化學(xué)機(jī)械研磨等10738%刻蝕、沉積、清洗等84.462%沉積、刻蝕、勻膠顯

32、影設(shè)備72.0348%光刻設(shè)備71.8641%硅片檢測、測量設(shè)備28.217%刻蝕、清洗設(shè)備13.91%清洗、光刻、封裝設(shè)備10.5142%沉積、刻蝕、檢測設(shè)備、封裝貼片設(shè)備等10.35%熱處理設(shè)備9.784%無塵室搬運(yùn)等6.946%沉積、封裝縫合設(shè)備等方;a A/6.531%xn/7匕刻攻備6.2即 CHINA SECURITIES全球IC制造細(xì)分設(shè)備市場也高度壟斷| 1.從細(xì)分設(shè)備來看，每個具體設(shè)備基本上大局部份額被前三大企業(yè)占據(jù)，基本上都是80-90%的份額;；2.前三大廠商中，也基本都是一家獨(dú)大，第一占據(jù)了40-50%的份額。圖表：細(xì)分設(shè)備市場也高度壟斷數(shù)據(jù)來源：（insights、中

33、信建投證券研究開展部氧化擴(kuò)散光刻刻蝕離子注入成膜/薄膜Thermal ProcessRTPLITHOETCHIon implantPVDCVD日立43.1%AMAT 50%ASM 75.3%LAM 52.7%AMAT 73%AMAT 64.9%AMAT 29.6%TEL 37.9%TELNikon 11.3%TEL 19.7%Axcelis 17%Evatec 25.9%TEL 20.9%ASM 13.8%SCREENCanon 6.2%AMAT 18.1%Uvac 5.4%LAM 19.5%Others 5.2%Others 7.2%Others 9.5%Others 3.8%Others

34、30%TOP3 = 95%TOP3=92.8%TOP3 = 90.5%TOP2 = 90%TOP3=96.2%TOP3 = 70%中信建投證券CHINA SECURITIES為什么當(dāng)前亟需提升國產(chǎn)化率我國半導(dǎo)體市場規(guī)模和占比不斷提升.2我國半導(dǎo)體市場供需兩層不匹配1.4，貿(mào)易戰(zhàn)對我國半導(dǎo)體核心技術(shù)“卡脖子）中信建投證券CHINA SECURITIES我國集成電路裝備市場高端占比偏小，且大局部為國外廠商1.2.產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備銷售額預(yù)計(jì)為109億元;2018年中國半導(dǎo)體設(shè)備市場規(guī)模到達(dá)131.1億美元，但據(jù)中國電子專用設(shè)備工業(yè)協(xié)會統(tǒng)計(jì)，2018年國預(yù)計(jì)2020年中國半導(dǎo)體設(shè)備總市場規(guī)模將超1000億

35、。圖表：國內(nèi)廠商規(guī)模普遍較小，且大局部在光伏、LED領(lǐng)域占比擬高）中信建投證券CHINA SECURITIES）中信建投證券CHINA SECURITIES公司16年半導(dǎo)體設(shè)備收入（億）占國產(chǎn)市場份額 主要產(chǎn)品券研究開展部中電科集團(tuán)（包含41/45/48 所、北京中科信、北京中 電科）9.2819.8%IC、光伏、LED：離子注入機(jī)、退火爐等IC裝備；擴(kuò)散爐、刻 蝕機(jī)、PECVD、高溫?zé)Y(jié)爐等光伏裝備晶盛機(jī)電6.7514.4%光伏、LED：單晶爐等晶體生長設(shè)備捷佳偉創(chuàng)新能源7.1115.1%光伏：晶硅電池設(shè)備、硅片清洗設(shè)備北方華創(chuàng)8.1317.3%IC、光伏、LED：刻蝕設(shè)備、CVD設(shè)備、晶片

36、清洗、封裝設(shè)備中微半導(dǎo)體4.8510.3%IC、LED：高端刻蝕機(jī)、局部成膜設(shè)備上海微電子2.96.2%【C、其他：光刻機(jī)、晶圓檢測設(shè)備北京京運(yùn)通2.685.7%光伏：多晶硅鑄錠爐、單晶爐等晶體生長設(shè)備天通吉成2.144.6%光伏、LED：粉末成形機(jī)盛美半導(dǎo)體1.643.5%IC：晶圓清洗設(shè)備深圳格蘭達(dá)1.53.2%光伏、LED：激光打標(biāo)機(jī)、光檢機(jī)等自動化設(shè)備合計(jì)46.98邊際變化：在諸多工藝環(huán)節(jié)中，開始出現(xiàn)了一些國產(chǎn)廠商表：主流6528nm客戶不定量的采購的12類設(shè)備清單表：主流6528nm客戶不定量的采購的12類設(shè)備清單1.分地區(qū)看，形成三個產(chǎn)業(yè)集群：北京：北方華創(chuàng)、中電科集團(tuán)、天津華海清

37、科(CMP)；上海：上海微 電子、上海中微半導(dǎo)體、上海盛美、上海睿勵科學(xué)儀器；沈陽：沈陽拓荊、沈陽芯源；圖表：國內(nèi)已有9項(xiàng)應(yīng)用于14nm的裝備開始進(jìn)入生產(chǎn)線步入驗(yàn)證類型廠商技術(shù)節(jié)點(diǎn)主要應(yīng)用工藝當(dāng)前狀態(tài)序號類型廠商主要應(yīng)用工藝AIOETCH、PASS介質(zhì)刻蝕機(jī)中微半導(dǎo)體65-28nm已采購5()1硅刻蝕機(jī)北方華創(chuàng)STI ETCHETCH硅刻蝕機(jī)PVD設(shè)備北方華創(chuàng)北方華創(chuàng)65-28nmSTI ETCH己采購20己采購2()2HM PVD設(shè)備北方華創(chuàng)HM DEP65-28nmHMDEP、AI DEP單片退火設(shè)備北方華創(chuàng)65-28nmAnneal己采購203單片退火設(shè)備北方華創(chuàng)Anneal清洗設(shè)備北方

38、華創(chuàng)65-28nmPost-ET clean已采購204LPCVD北方華創(chuàng)SiO2 Film Deposition清洗機(jī)上海盛美北方華創(chuàng)65-28nmWafer recycle己采購20已采購105AI PVD設(shè)備北方華創(chuàng)AI DEP立式爐65-28nmPoly DEP、AA OX離子注入機(jī)北京中科信65-28nmWELL IMP已采購106ALD北方華創(chuàng)Hi-K insulator光學(xué)尺寸測量儀器睿勵科學(xué)儀器65-28nmFilm Thickness已采購107介質(zhì)刻蝕機(jī)中微半導(dǎo)體AIO ETCH PASS ETCHPECVD設(shè)備沈陽拓荊65-28nmPEOX DEP已采購308光學(xué)尺寸測量

39、儀睿勵科學(xué)儀器Film Thickness/OCD光照清洗設(shè)備瑞澤微電子90nmMask Clean已采購10m占化學(xué)機(jī)械研磨設(shè)備華海清科Wafer reclaim己采購 59清洗機(jī)上海盛美Wafer recycle數(shù)據(jù)來源：中信建投證券研究開展部數(shù)據(jù)來源：中信建投證券研究開展部）中信建投證券CHINA SECURITIES邊際變化：在諸多工藝環(huán)節(jié)中，開始出現(xiàn)了一些國產(chǎn)廠商.分地區(qū)看，形成三個產(chǎn)業(yè)集群：北京：北方華創(chuàng)、中電科集團(tuán)、天津華海清科(CMP)；上海：上海微 電子、上海中微半導(dǎo)體、上海盛美、上海睿勵科學(xué)儀器；沈陽：沈陽拓荊、沈陽芯源；備及零部件研發(fā)已所在地區(qū)技術(shù)節(jié)點(diǎn)(nm )W光亥IJ

40、光刻機(jī)上海微裝曝 光勻膠機(jī)(TRACK)沈陽芯源(LithoETCH介質(zhì)刻蝕機(jī)(CCP)上海中微硅刻蝕機(jī)北方華創(chuàng)薄 膜PVD/LPCVD北方華創(chuàng)CVDALD北方華創(chuàng)M0CVD上海中微PECVD沈陽拓荊薄 膜Hardmask PVD北方華創(chuàng)PVDAI Pad PVD北方華創(chuàng)PVD上海中微離子注離子注入機(jī)北京中科信入 IMPL濕 法清洗機(jī)北方/盛美WETCMP華海清科/盛美/45所鍍銅/清洗盛美檢測光學(xué)檢測(OCD、膜厚)上海睿勵/中科飛測/東方晶源測試(ATE)長川科技/精測電子/華峰/御渡熱處理退火爐、合金爐、單片退火北方/Mattson京儀/Mattson上海沈陽上海北京上沈北北上海陽京京海

41、北京/上海天津/上海/北京上海上海/深圳/北京杭州/武漢/北京/上海北京上海/北京90/6590/6565/45/28/14/7 65/45/28/14 65/28/1428/14/765/28/14 65/45/28/14 65/45/28/1465/45/2865/45/2865/45/2828/1428/1465/28/1465/45/28先進(jìn)封裝光刻機(jī)已出貨40余臺，占國內(nèi)先進(jìn)封 裝光刻機(jī)的80%市場份額產(chǎn)品涵蓋2寸、4寸、6寸、8寸和12寸晶圓的勻 膠和顯影7納米設(shè)備進(jìn)入臺積電全球五大供應(yīng)商之一17年訂單200臺，發(fā)貨106臺，占據(jù)國內(nèi)60%的 份額12英寸單晶圓片清洗設(shè)備在多個客戶

42、端45-22 納米技術(shù)的產(chǎn)線上大規(guī)模應(yīng)用目前唯一進(jìn)入三星的國產(chǎn)集成電路生產(chǎn)設(shè)備)中信建投證券CHINA SECURITIES 7580%的資本開支使用在設(shè)備投資里，設(shè)備投資中的7080%在晶圓制造環(huán)節(jié)設(shè)備里.光刻設(shè)備、刻蝕設(shè)備、薄膜設(shè)備（ALD/CVD53%、PVD47%）占比最高，分別20-25%、25%、20-25%.擴(kuò)散設(shè)備、拋光設(shè)備、離子注入設(shè)備各占設(shè)備投資的5%,量測設(shè)備占設(shè)備投資的510%。圖表：7580%的資本開支使用在設(shè)備投資里環(huán)節(jié)資金分配比例廠房投資25%凈化系統(tǒng)25%設(shè)備投資中央設(shè)施10%運(yùn)行設(shè)施35%其他10%圖表：晶圓生產(chǎn)線各類設(shè)備投資占比拋光設(shè)備CMP離子注入設(shè)備 5

43、%IMPLANT5%數(shù)據(jù)來源：電子工程網(wǎng)、中信建投證券研究圖表：設(shè)備投資中的80%以上在晶圓制造環(huán)節(jié)設(shè)備里單位：億201620172018占比同比增長晶圓制造設(shè)備327.00450.00508.0081%13%組裝封裝設(shè)備30.2038.0042.007%11%測試設(shè)備36.9045.0049.008%9%其他17.8026.0028.004%8%總計(jì)411.90559.00627.00100%12%刻蝕設(shè)備ETCH 25%量測設(shè)備 METROLOGY 10%光刻設(shè)備光刻設(shè) 備 LITHOGRAPHY 25%物理氣相沉積設(shè)備PVD15%化學(xué)氣相沉積設(shè) 備CVD 10%擴(kuò)散設(shè)備diffusion

44、 5%數(shù)據(jù)來源：Global foundries中信建投證券研究開展部）中信建投證券CHINA SECURITIES二光刻工藝是最復(fù)雜的工藝，光刻機(jī)是最貴的機(jī)臺.主流微電子制造過程中，光刻是最復(fù)雜,昂貴和關(guān)鍵的工藝，占總本錢的1/3；目前的28nm工藝那么 需要20道以上光刻步驟，耗費(fèi)時間約占整個硅片工藝的4060%。光刻工藝決定著整個IC工藝的特征 尺寸，代表著工藝技術(shù)開展水平；.具體流程：首先要在硅片上涂上一層耐腐蝕的光刻膠，隨后讓強(qiáng)光通過一塊刻有電路圖案的鏤空掩 模板照射在硅片上。被照射到的局部（如源區(qū)和漏區(qū)）光刻膠會發(fā)生變質(zhì)，而構(gòu)筑柵區(qū)的地方不會被 照射到，所以光刻膠會仍舊粘連在上面。

45、接下來就是用腐蝕性液體清洗硅片，變質(zhì)的光刻膠被除 去，露出下面的硅片，而柵區(qū)在光刻膠的保護(hù)下不會受到影響。.光刻機(jī)是生產(chǎn)線上最貴的機(jī)臺，千萬-億美元/臺。主要是貴在成像系統(tǒng)（由1520個直徑為200 300mm的透鏡組成）和定彳立系統(tǒng)（定位精度小于10nm）。一般來說一條產(chǎn)線需要幾臺光刻機(jī)，其 折舊速度非?？?，大約39萬人民幣/天，所以也稱之為印鈔機(jī)。圖表：光刻設(shè)備使用在刻蝕設(shè)備之前圖形曝光（光刻,Photolithography） f占 總本錢的1/3圖形加工形轉(zhuǎn)移（刻蝕，Etching ）數(shù)據(jù)來源：中信建投證券研究開展部）中信建投證券CHINA SECURITIES且領(lǐng)先地位無人撼動且領(lǐng)先

46、地位無人撼動/ ASML占據(jù)70.80%市場份額，I 1.荷蘭ASML占據(jù)超過70%的高端光刻機(jī)市場，且最新的產(chǎn)品EUV光刻機(jī)售價高達(dá)1億美元，依舊供不應(yīng)求。緊隨其后的是Nikon和Canon。光刻機(jī)研發(fā)本錢巨大，Intel、臺積電、三星都主動出資入股ASML 支持研發(fā)，并有技術(shù)人員駐廠；格羅方德、聯(lián)電及中芯國際等的光刻機(jī)主要也是來自ASML；2.國內(nèi)光刻機(jī)廠商有上海微電子、中電科集團(tuán)四十五研究所、合肥芯碩半導(dǎo)體等。在這幾家公司中， 處于技術(shù)領(lǐng)先的是上海微電子，其已量產(chǎn)的光刻機(jī)中性能最好的是90nin光刻機(jī)。由于技術(shù)難度巨 大，短期內(nèi)還是處于相對劣勢的地位。圖表：1970年起，光刻機(jī)價格每4.

47、4年翻一倍L3億美元數(shù)據(jù)來源：電子工程網(wǎng)、中信建投證券研究開展部36中信建投證券CHINA SECURITIES: 國產(chǎn)刻蝕機(jī)的機(jī)臺市場份額已約15%.工藝流程：所謂刻蝕，狹義理解就是光刻腐蝕，先通過光刻將光刻膠進(jìn)行曝光處理，然后通過其它 方式實(shí)現(xiàn)腐蝕處理掉所需除去的局部。刻蝕可分為干法刻蝕和濕法刻蝕。顯而易見，它們的區(qū)別就 在于濕法使用溶劑或溶液來進(jìn)行刻蝕。.刻蝕設(shè)備分類：在8寸晶圓時代，介質(zhì)（40%）、多晶硅（50%）及金屬刻蝕（10%）是刻蝕設(shè)備三大 塊；進(jìn)入12寸后，隨著銅互連的開展，介質(zhì)刻蝕份額逐漸加大，目前已近50%；.中微半導(dǎo)體的16nHi刻蝕機(jī)已實(shí)現(xiàn)商業(yè)化量產(chǎn)并在客戶的產(chǎn)線上運(yùn)

48、行，7T0nm刻蝕機(jī)設(shè)備以到達(dá)世界 先進(jìn)水平。截至2018年末，中微半導(dǎo)體累計(jì)已有1100多個反響臺服務(wù)于國內(nèi)外40余條先進(jìn)芯片生產(chǎn) 線。目前中微產(chǎn)品已經(jīng)進(jìn)入第三代lOnm、7nm工藝（臺積電），5納米等離子體刻蝕機(jī)已經(jīng)臺積電驗(yàn) 證；除中微外，北方華創(chuàng)在硅刻蝕機(jī)方面也有突破。圖表：國產(chǎn)刻蝕機(jī)的市場份額有了較快提升 理氣相淀積（PVD）兩大類工藝；一條投資70億美元的芯片制造生產(chǎn)線，需用約5億美金采購100多臺 PECVD設(shè)備；從全球范圍看，AMAT在CVD設(shè)備和PVD設(shè)備領(lǐng)域都保持領(lǐng)先；373714 12 .10 .8 .6 .4 .2 -0數(shù)據(jù)來源:國產(chǎn)IC刻蝕機(jī)出貨量（億美元） 進(jìn)口 IC

49、刻蝕機(jī)出貨量（億美元）國內(nèi)市占率r 7耳2.北方華創(chuàng).中微公司等企業(yè)等小有突破：其中北方微電子的PVD可用于28nni的hard mask工藝，并且 可以量產(chǎn)；中微兩條線推進(jìn)CVD, 一方面中微應(yīng)用于LED領(lǐng)域的M0CVD市占率已經(jīng)全球領(lǐng)先,另一方 面投資沈陽拓荊，完善產(chǎn)品線布局。圖表：AMAT在CVD設(shè)備和PVD設(shè)備領(lǐng)域都保持領(lǐng)先圖表：總體看，PVD是國產(chǎn)化進(jìn)展較快的一類設(shè)備成膜/薄膜設(shè)備成膜/薄膜設(shè)備PVDAMAT 64.9%Evatec 25.9%Uvac 5.4%Others 3.8%TOP3=96.2%數(shù)據(jù)來源:IC Insights、CVDAMAT 29.6%TEL 20.9%LA

50、M 19.5%Others 30%TOP3 = 70% 中信建投證券研究開展部數(shù)據(jù)來源：中信建投證券研究開展部）中信建投證券CHINA SECURITIES.其中前道檢測更多偏向于外觀性/物理性檢測，主要使用光學(xué)檢測設(shè)備、各類inspection設(shè)備；后道 測試更多偏向于功能性/電性測試，主要使用ATE設(shè)備及探針臺和分選機(jī)；.從價值量占比看，前道量測設(shè)備也可稱為工藝控制檢測設(shè)備，是晶圓制造設(shè)備的一局部，占晶圓制 造設(shè)備投資占比約10%;后道測試設(shè)備獨(dú)立于晶圓制造設(shè)備，占全部半導(dǎo)體設(shè)備比例約8%。圖表：可以簡單把加工過程劃分為前道晶圓制造與后道封裝測試圖表：量測設(shè)備和測試設(shè)備屬于兩個不同環(huán)節(jié)晶前

51、喻裂充設(shè)計(jì)邏般計(jì)圖嬲t犒/臃晶前喻裂充設(shè)計(jì)邏般計(jì)圖嬲t犒/臃數(shù)據(jù)來源：SEMI、中信建投證券研窕開展部后道加片設(shè)備用途設(shè)備名稱投資占比光刻設(shè)備24%薄膜沉積設(shè)備18%刻蝕設(shè)備10%晶圓制造工藝控制設(shè)備10%清洗設(shè)備6%離子注入設(shè)備3%其他晶圓加工設(shè)備11%封測設(shè)備數(shù)據(jù)來源.中信建投證封裝設(shè)備10%測試設(shè)備（終測+成測） /LZX.7TTTP8%中信建投證券CHINA SECURITIES.在芯片制造過程中，為了保證晶圓按照預(yù)定的設(shè)計(jì)要求被加工，必須進(jìn)行大量的檢測和量測，包括 芯片線寬度的測量、各層厚度的測量、各層外表形貌測量，以及各個層的一些電子性能的測量；）中信建投證券CHINA SECUR

52、ITIES.用到的設(shè)備：缺陷檢測設(shè)備、晶圓形狀測量設(shè)備、掩膜板檢測設(shè)備、CD-SEM （微距量測掃描式電子 顯微鏡）、顯微鏡等。圖表：晶圓測試環(huán)節(jié)涉及到大量的外觀性檢驗(yàn)數(shù)據(jù)來源：中信建投證券研究開展部質(zhì)量檢驗(yàn)植入擴(kuò)散薄膜金屬介電層研磨蝕刻光學(xué)顯影1薄膜厚度Vqqq72片電阻3薄膜應(yīng)力q4折射率qq5摻質(zhì)濃度6未圖案化的外表缺陷qqqq7圖案化的外表缺陷q178臨界尺寸q1 N9階梯覆蓋qq10重迭對準(zhǔn)qq11電容-電壓q豁主:卻蝴媼程包括一-氧化、沉積、擴(kuò)散、回火、合金。q401.1我國半導(dǎo)體市場規(guī)模和占比不斷提升. 2010年起，全球半導(dǎo)體行業(yè)保持穩(wěn)步增長，過去十年（ 2009-2018年）

53、全球半導(dǎo)體銷售額CARG為 7.55%,全球GDP CAGR為3.99%,而我國集成電路銷售額CARG為25.03%,我國行業(yè)整體增速為全球半 導(dǎo)體行業(yè)增速的3.3倍，而全球半導(dǎo)體行業(yè)整體增速是全球GDP增速的2倍左右；.與此同時，在PC、智能手機(jī)等領(lǐng)域強(qiáng)大的整機(jī)組裝制造能力使我國成為全球最大的半導(dǎo)體消費(fèi)市場，在全球占比到達(dá)了33%,比第二名的美洲高出11個百分點(diǎn)，我國半導(dǎo)體市場無論是絕對規(guī)模增速 還是占比都不斷提升。圖表：我國半導(dǎo)體規(guī)模和占比不斷提升 圖表：2018年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)市場規(guī)模分布33%35%30%25%20%15%10%5%0%2008 2009 2010 2011 2012

54、2013 2014 2015 2016 2017 2018中國美洲歐洲| 日本其他美洲,22%全球半導(dǎo)體銷售額（億美元）中國集成電路市場規(guī)模（億美元）占比5,000.004,500.004,000.003,500.003,000.002,500.002,000.001,500.001,000.00500.000.00數(shù)據(jù)來源：SEMI、中信建投證券研究開展部 數(shù)據(jù)來源：WSTS、中信建投證券研究開展部中信建投證券CHINA SECURITIES)、探針卡(Probe Card) 探針臺(Prober)以及測試機(jī)與探針卡之間的接口等。2.后道終測(FT , final test),主要在芯片封裝

55、后：測試每顆封裝好的芯片(chip)的邏輯。簡單 來說，F(xiàn)T是把壞的封裝好的chip挑出來，可以直接檢驗(yàn)出封裝環(huán)節(jié)的良率；用到的設(shè)備：測試機(jī)(IC Tester)、分揀機(jī)/分類機(jī)(Handler)等。圖表：中測是在晶圓片切割前做的測試4141一個晶囪在其頂端通常有一個平 的缺口，這是為了在生產(chǎn)和測試 過程中確保方向。，晶圓上通常含有與制造無關(guān)的、 法有晶圓都一樣的工藝監(jiān)測 dice,用來在制造過程中驗(yàn)證工藝 參數(shù)是否正確。壞的die已被罌點(diǎn)標(biāo)示。+數(shù)據(jù)來源：日月光、中信建投證券研究開展部口 i.:-l:be0 pse三菱7$ 戛粵. :、?;u 要s. 警1加&-蒙ri-.cMIHW 整*?號

56、息？SW-&建同素掌膏詈 3.尸舞展.索u s)9. ? P .利g整-& 8= 9 具夏惠W 9sar）中信建投證券CHINA SECURITIES/：測試設(shè)備三大設(shè)備之ATE競爭格局：/ 1.測試設(shè)備包括三大類：測試機(jī)、探針臺、分選機(jī)，其中測試機(jī)市場空間占比過半；2.全球集成電路測試設(shè)備市場主要由美國泰瑞達(dá)和日本愛德萬占據(jù)，兩者總體合計(jì)市占率超過50%O細(xì)分來看，在測試機(jī)市場中，S0C測試機(jī)、存儲器測試機(jī)的市場占比合計(jì)近90%,而愛德萬+泰 瑞達(dá)的市場份額超過80%；3.目前國內(nèi)已經(jīng)裝配的測試系統(tǒng)主要偏重在低檔數(shù)字測試系統(tǒng)、模擬及數(shù)模混合測試系統(tǒng)等，領(lǐng) 先廠商包括長川科技、華峰測控、上海中

57、藝等。本土廠商在中高檔測試能力局部目前仍十分薄 弱，尚無法與國外業(yè)者相抗衡(包括愛德萬Advantest、泰瑞達(dá)Teradyne、Verigy居諾JUNO半 導(dǎo)體等)。但目前國產(chǎn)中、高檔測試系統(tǒng)已經(jīng)研制成功，正進(jìn)入小批量生產(chǎn)階段。上市公司中 ，國產(chǎn)廠商長川科技正全面布局?jǐn)?shù)模混合、模擬、數(shù)字信號測試機(jī)+探針臺；精測電子已布局 memory ATE和面板驅(qū)動IC ATE,期待后續(xù)產(chǎn)品出貨。測試設(shè)備三大設(shè)備之探針臺競爭格局：.探針測試臺(Prober)是前后道工序之間用于對半導(dǎo)體器件芯片的電參數(shù)特性進(jìn)行測試的關(guān)鍵設(shè) 備，它可以將電參數(shù)特性不符合要求的芯片用打點(diǎn)器(INKER)做一明顯標(biāo)記，便于在后道

58、工序 中及時將其剔除，這樣就有效地提高了半導(dǎo)體器件生產(chǎn)的成品率，大大降低器件的制造本錢。 在具體測試的時候，晶圓被固定在真空吸力的卡盤上，并與很薄的探針電測器對準(zhǔn)，同時探針 與芯片的每一個焊盤相接觸。電測器在電源的驅(qū)動下測試電路并記錄下結(jié)果。測試的數(shù)量、順 序和類型由計(jì)算機(jī)程序控制。. 一般來說，探針臺的單價在百萬級別，遠(yuǎn)高于分選機(jī)。根據(jù)統(tǒng)計(jì)，探針臺的市場份額約占總測,試機(jī)+探針臺+分選機(jī)的市場空間的15-20%左右。以東京電子(TEL)為代表的廠商雄霸全球探針測試設(shè)備市場，而國內(nèi)廠商中，長川科技已有探針臺產(chǎn)品布局。；血中信建投證券42CfflR/TSECURITIES四、相關(guān)公司開展邏輯梳理

59、4.2北方華創(chuàng)：綜合性半導(dǎo)體設(shè)備廠商，國內(nèi)第一梯隊(duì)4. 1沖微公司：MOCVD與刻蝕設(shè)備雙輪開展，產(chǎn)品競爭力較強(qiáng)4.3至純科技：高純工藝系統(tǒng)供應(yīng)商，正積極切入清洗設(shè)備領(lǐng)域長川科技：半導(dǎo)體測試設(shè)備龍頭f國家隊(duì)加持）中信建投證券CHINA SECURITIES精測電子：面板檢測設(shè)備龍頭，布局半導(dǎo)體檢測+測試設(shè)備43圖表：產(chǎn)品線齊全，除光刻機(jī)外幾乎囊括大局部設(shè)備柵極/淺槽隔離刻 蝕TiN掩膜刻蝕深硅刻蝕掩膜PVD銅硅麴蝕D鋪榜槌畫/利蝕通用金屬PVD保護(hù)層PECVD薄膜CVD系統(tǒng)功率器件集成電路建投證券研究開展部刻蝕機(jī)市占率51% , 300臺；PECVD市占率硅通孑L封裝PVD晶圓級封裝PVD凸點(diǎn)

60、下/再分布層先進(jìn)PVD硅通孔刻蝕藍(lán)寶石襯底刻蝕GaN刻蝕透明AIN緩沖層濺射設(shè)備保護(hù)層PECVDI）中信建投證券CHINA SECURITIES產(chǎn)品技術(shù)世界一流，核心設(shè)備均有布局目前公司半導(dǎo)體設(shè)備進(jìn)展順利，刻蝕機(jī)和PVD設(shè)備已在全球主要企業(yè)得到廣泛應(yīng)用:.刻蝕機(jī)：14nm等離子硅刻蝕機(jī)已交付客戶，深硅刻蝕設(shè)備成功進(jìn)入東南亞市場；. PVD設(shè)備：28nm hardmask PVD、Al-pad PVD率先進(jìn)入國際供應(yīng)鏈，其中28nmPVD機(jī)臺已成為中芯 國際的首選機(jī)臺；14nm PVD和ALD設(shè)備也預(yù)計(jì)近期交付客戶。曷產(chǎn)驗(yàn)證LED、MEMS、光伏、先進(jìn)封裝等IC領(lǐng)域累計(jì)出貨客戶設(shè)備大類設(shè)備類別使