EM技術(shù)員培訓(xùn)教材Ippt課件

1、真空導(dǎo)電電鍍引見 EMIEMI鍍膜主要分類有兩大種類： 蒸發(fā)堆積鍍膜和濺射堆積鍍膜，詳細(xì)那么包括很多種類，包括真空離子蒸發(fā)，磁控濺射，MBE分子束外延，溶膠凝膠法等等蒸發(fā)鍍膜 普通是加熱靶材使外表組分以原子團(tuán)或離子方式被蒸發(fā)出來，并且沉降在基片外表，經(jīng)過成膜過程散點島狀構(gòu)造-迷走構(gòu)造-層狀生長構(gòu)成薄膜。 厚度均勻性主要取決于： 1、基片資料與靶材的晶格匹配程度 2、基片外表溫度 3、蒸發(fā)功率，速率 4、真空度 5、鍍膜時間，厚度大小。 組分均勻性： 蒸發(fā)鍍膜組分均勻性不是很容易保證，詳細(xì)可以調(diào)控的要素同上，但是由于原理所限，對于非單一組分鍍膜，蒸發(fā)鍍膜的組分均勻性不好。 晶向均勻性： 1、晶格

2、匹配度 2、基片溫度 3、蒸發(fā)速率 濺射類鍍膜 利用電子或高能激光轟擊靶材，并使外表組分以原子團(tuán)或離子方式被濺射出來，并且最終堆積在基片外表，閱歷成膜過程，最終構(gòu)成薄膜 Ar基板Pump抽真空靶材(Ni)電極Ar+ArArArArAr1.真空中通入氬氣(Ar)，含有 微量的氬離子(Ar+) 。8.假設(shè)氬氣持續(xù)通入，則電漿持 續(xù)產(chǎn)生。濺 鍍 原 理電源供應(yīng)器2.於電極板加負(fù)高壓電。 3.帶正電的氬離子 (Ar+) 被負(fù) 高壓電吸引。Ale-4.Ar+撞擊靶材產(chǎn)生電子(e-) 及轟擊出鎳原子(Nl) 。Ar+e-e-5.e-撞擊Ar Ar+ e- + e-。Al6.鋁原子沉積在素材基板上。7.Ar

3、+重複 3. 6. 。鍍膜參數(shù)介紹氣體壓力製程氣體通量鍍膜功率鍍膜時間運用靶數(shù)T/S(Target/Substrate)距離氣 體 壓 力 (一)壓力低 腔體內(nèi)部氣體粒子少 撞擊靶材的Ar+變少壓力高 腔體內(nèi)部氣體粒子多Ar+變多 Ar+到達(dá)靶材前碰撞其他粒子機率變大 靶原子到達(dá)基板前與氣體碰撞的機率變大Ar低真空鍍膜AlAlAr+Ar+Ar+AlAr高真空鍍膜Ar+AlAlAlAr+氣 體 壓 力 (二)常用的濺鍍壓力10-3 10-2 Torr (110m Torr)粗略真空中度真空高真空超高真空壓力(Torr)760 11 10-310-3 10-7 10-7平均自在徑(cm) 10-2

4、10-2 1010 105 105製 程 氣 體 通 量1.通入太少 無法維持電漿2.通入太多 未參與碰撞之Ar變成殘餘氣體 添加pump之負(fù)荷 與靶原子一同沉積在基板上的 機率變大3.須視鍍膜壓力來設(shè)定通入量1.高功率單一離子所擊出的靶原子較多 可縮短鍍膜時間瞬間產(chǎn)生的熱較多2.低功率單一離子所擊出的靶原子較少 會延長鍍膜時間鍍膜溫度較低鍍 膜 功 率功率 - 時間 - 靶數(shù)之關(guān)係 鍍膜厚度的直接影響參數(shù)可利用功率時間靶數(shù)之乘積變換不同參數(shù)鍍一樣膜厚 ，例如： 8KW 2S 3靶 8KW 3S 2靶 低功率時，鍍膜速率與功率非呈線性，例如：8KW 2S 3靶4KW 4S 3靶2KW 8S 3

5、靶T / S 距 離1.靶材到基板距離2.T/S短可添加鍍膜率,但基板受熱亦添加3.T/S太長,則沉積的靶原子與其他粒子碰撞機率增大 鍍膜速率降低 基板受熱降低EMI消費工藝流程治具設(shè)計及成型的要求1.EMI治具要求，密封嚴(yán)實，一切需遮鍍位置配合尺度為0對0，以免呵斥產(chǎn)品多鍍，飛油。2.EMI治具死角位置設(shè)計要求有倒角，防止因角度過小鍍膜層過薄而導(dǎo)致電阻偏高 。3.成型原料要求為一次性PC水口料，因蒸渡時，爐內(nèi)溫度約為300oC,要求具有一定耐高溫性，防止變形，保證治具量產(chǎn)中質(zhì)量，嚴(yán)禁有拉膜治具流入，殘留膠絲/毛邊須修整平齊、不允許有變形及明顯的縮水景象、水口位須修剪平整,不可高于水口平臺、治具外表上不允許有油污。4.一切治具設(shè)計外觀面不得出現(xiàn)有加強筋。如圖。5.產(chǎn)品、治具裝配大面積接觸面要留意保證省模平整度。死角位置留意倒角，保證電阻治具外觀面不得出現(xiàn)有此類加強筋 對素材要求檢驗條件1檢驗應(yīng)在40Wx