電子科技模擬電路期中2006年11月2007-2008a

1、電子科技大學(xué)二零零 七 至二零學(xué)年第 一 學(xué)期期 中 模擬電路基礎(chǔ) 課程題 B 卷 （ 120 分鐘）形式： 開卷 日期 2006 年 11 月 11日課程成績：平時10分， 期中30分， 實(shí)驗(yàn)0分， 期末60分一（10 分）、問答題1（3 分）普通二極管的最主要的特性是什么？利用這一特性，二極管可以哪些應(yīng)用電路（列出四類不同的應(yīng)用電路）？分析這些應(yīng)用電路的工作原理時，分別采用二極管的什么模型？2（1 分）穩(wěn)壓二極管工作在擊穿區(qū)時的交流小信號等效電阻與正偏導(dǎo)通時的交流小信號等效電阻比較，一般來說，哪個大？3（2 分）基本共射放大電路中，在無負(fù)載的情況下，動態(tài)范圍最大值是什么？為了獲得最大的動態(tài)

2、范一二三四五合計圍，靜態(tài)工作點(diǎn)應(yīng)如何設(shè)置？4（3 分）BJT 放大電路中，判斷波形失真（飽和失真或截止失真）、動態(tài)范圍通常采用直流負(fù)載線還是交流負(fù)載線？靜態(tài)工作點(diǎn)的變化如何影響失真類型和動態(tài)范圍？5（1 分）BJT 的rce 和 MOSFET 的rds 與厄利電壓之間的關(guān)系式描述了晶體管輸出特性曲線的什么現(xiàn)象？二（4 分）、試推導(dǎo) BJT 和 MOSFET 的 gm 的表達(dá)式，并說明：在一般情況下，為什么單級 MOSFET 放大電路增益不及單級BJT 放大電路大？三（8 分）、放大電路如圖 1 所示，已知BJT 的 VBE=0.7V，rbb=0， =200。（1）求放大電路在中頻段的輸入電阻

3、Ri 和電壓放大倍數(shù) Av；（2）說明電阻 RE 的作用。（3）去掉電路中的電容 CE 后，重新計算輸入電阻 Ri 和電壓放大倍數(shù) Av。（4）根據(jù)（1）和（3）的結(jié)果說明電容 CE 的作用。圖 1四（8 分）、電路如圖 2 所示，晶體管參數(shù)為：開啟電壓（或門限電壓）VTN = 1V，Kn = 1mA/V2，rDS=。電路參數(shù)為 VDD = 8V，R1=444k ，R2=922k ，RS=1.5k 。（1） 計算靜態(tài)工作點(diǎn)。（2）求輸入電阻Ri 、小信號電壓增益 Av = vo/vi 和輸出電阻 Ro。圖 2電子科技大學(xué)二零零 七 至二零學(xué)年第 一 學(xué)期期 中 模擬電路基礎(chǔ) 課程題 B 卷 （

4、 120 分鐘）形式： 開卷 日期 2006 年 11 月 11日課程成績：平時10分， 期中30分， 實(shí)驗(yàn)0分， 期末60分參考及評分標(biāo)準(zhǔn)一（10 分）、問答題1（3 分）普通二極管的最主要的特性是什么？利用這一特性，二極管可以哪些應(yīng)用電路（列出四類不同的應(yīng)用電路）？分析這些應(yīng)用電路的工作原理時，分別采用二極管的什么模型？答：單向?qū)щ娦?。? 分）整流電路、限幅電路、箝位電路、倍壓電路、邏輯電路等。（1 分）理想開關(guān)模型或恒壓降模型。（1 分）2（1 分）穩(wěn)壓二極管工作在擊穿區(qū)時的交流小信號等效電阻與正偏導(dǎo)通時的交流小信號等效電阻比較，一般來說，哪個大？答：后者大。3（2 分）基本共射放大電

5、路中，在無負(fù)載的情況下，動態(tài)范圍最大值是什么？為了獲得最大的動態(tài)范圍，靜態(tài)工作點(diǎn)應(yīng)如何設(shè)置？答：(VCC-V)/2。（1 分）放大區(qū)的。（1 分）4（3 分）BJT 放大電路中，判斷波形失真（飽和失真或截止失真）、動態(tài)范圍通常采用直流負(fù)載線還是交流負(fù)載線？靜態(tài)工作點(diǎn)的變化如何影響失真類型和動態(tài)范圍？答：交流負(fù)載線。（1 分）靜態(tài)工作點(diǎn)靠近飽和區(qū)時，先出現(xiàn)飽和失真；靠近截止區(qū)時，先出現(xiàn)截止失真。（1 分）都會使動態(tài)范圍變小。（1 分）5（1 分）BJT 的rce 和 MOSFET 的rds 與厄利電壓之間的關(guān)系式描述了晶體管輸出特性曲線的什么現(xiàn)象？答：在放大區(qū)微微上翹的現(xiàn)象。（1 分）二（4 分）、試推導(dǎo) BJT 和 MOSFET 的 gm 的表達(dá)式，并說明：在一般情況下，為什么單級 MOSFET 放大電路增益不及單級BJT 放大電路大？答：BJT 的 gm 的推導(dǎo)過程（略）（1 分）MOSFET 的 gm 的推導(dǎo)過程（略）（1 分）因?yàn)锽JT 的 gm 與集電極電流成正比（1 分），而 MOSFET 的 gm 與漏極電流的平方根成正比（1 分）。三（8 分）、放大電路如圖 1 所示，已知BJT 的 VBE=0.7V，rbb=0， =200。（1）求放大電路在中頻段的輸入電阻 Ri 和電壓放大倍數(shù) Av；（2）說明電阻 RE 的作用。（3）去掉電路