四點探針測試技術(shù)學(xué)習(xí)教案

1、會計學(xué)1四點探針測試四點探針測試(csh)技術(shù)技術(shù)第一頁，共43頁。最常見四探針最常見四探針(tn zhn)(tn zhn)測試儀為測試儀為RTSRTS和和RDYRDY系列。系列。圖圖1.RTS-81.RTS-8型四探針型四探針(tn zhn)(tn zhn)測試儀（左測試儀（左）、）、SDY-5SDY-5型死探針型死探針(tn zhn)(tn zhn)測試儀（右測試儀（右）被測樣品被測樣品測試探針測試探針第2頁/共43頁第二頁，共43頁。圖圖2. RTS-82. RTS-8型四探針型四探針(tn zhn)(tn zhn)電氣原理圖電氣原理圖第3頁/共43頁第三頁，共43頁。 1865年年 湯

2、姆森湯姆森 首次提出四探針測試原理；首次提出四探針測試原理；1920年年 Schlunberger 第一次實際應(yīng)用，測量第一次實際應(yīng)用，測量(cling)地球地球電阻電阻 率；率；1954年年 Valdes 第一次用于半導(dǎo)體電阻率測試；第一次用于半導(dǎo)體電阻率測試；1980年代年代 具有具有Mapping技術(shù)的四點探針出現(xiàn)；技術(shù)的四點探針出現(xiàn)；1999年年 Pertersen 開發(fā)出首臺微觀四點探針開發(fā)出首臺微觀四點探針發(fā)展發(fā)展(fzhn)歷史歷史第4頁/共43頁第四頁，共43頁。四探針(tn zhn)傳統(tǒng)應(yīng)用圖圖3.四探針技術(shù)的傳統(tǒng)四探針技術(shù)的傳統(tǒng)(chuntng)應(yīng)用應(yīng)用第5頁/共43頁第五

3、頁，共43頁。四探針四探針(tn zhn)測試原理測試原理四根等距探針豎直的排成一排，同四根等距探針豎直的排成一排，同時施加適當?shù)膲毫κ蛊渑c被測樣品時施加適當?shù)膲毫κ蛊渑c被測樣品表面形成歐姆連接，用恒流源給兩表面形成歐姆連接，用恒流源給兩個外探針通以小電流個外探針通以小電流I，精準電壓，精準電壓表測量內(nèi)側(cè)兩探針間電壓表測量內(nèi)側(cè)兩探針間電壓V，根據(jù)，根據(jù)相應(yīng)相應(yīng)(xingyng)理論公式計算出理論公式計算出樣品的薄膜電阻率樣品的薄膜電阻率1.1.工作原理簡單工作原理簡單 2. 2.測試精度高測試精度高 3. 3.操作方便操作方便 圖圖 5.四探針測試原理圖四探針測試原理圖第6頁/共43頁第六頁，

4、共43頁。四探針四探針(tn zhn)測試方法分類測試方法分類 圖圖4.四探針四探針(tn zhn)測試方法分類測試方法分類第7頁/共43頁第七頁，共43頁。四探針四探針(tn zhn)測試方法測試方法 最為常用的測試方法為直線（常規(guī)最為常用的測試方法為直線（常規(guī)(chnggu)）四探針法和雙電測）四探針法和雙電測四探針法。四探針法。1.雙電測四探針法：雙電測四探針法：圖6 雙電測四探針(tn zhn)法探針(tn zhn)組合形式B: Rymaszewski法A：pertoff法第8頁/共43頁第八頁，共43頁。四探針四探針(tn zhn)測試方法測試方法 2.雙電測四探針雙電測四探針(tn

5、 zhn)法特點：法特點：1.克服探針間距不等及針尖縱向位移(wiy)帶來的影響2.對小尺寸樣品不用做幾何測量和邊緣修正3.不能消除橫向位移對測試結(jié)果的影響，探針間距不能過小第9頁/共43頁第九頁，共43頁。四探針四探針(tn zhn)計算模型計算模型 可得到距點電流(dinli)源r處的電勢為：EjVr及時0圖 7. 點電流源的半球形等位面 第10頁/共43頁第十頁，共43頁。四探針法計算四探針法計算(j sun)模型模型電阻率公式(gngsh)為： 探針(tn zhn)等距： C為探針系數(shù)，只要針距一定，它就是常數(shù) 第11頁/共43頁第十一頁，共43頁。四探針法計算四探針法計算(j sun

6、)模型模型2.薄層原理（2D模型）當樣本在能夠忽略其本身厚度情況(qngkung)下，一般認為當樣本厚度W小于探針距S時就看做薄層。當樣品為薄層時，各點電勢為： WR公式(gngsh)中為薄層電阻，也成為單位方塊電阻【6】RW:薄層電阻薄層電阻, W:薄層厚度薄層厚度 A:r無窮大時的電勢無窮大時的電勢第12頁/共43頁第十二頁，共43頁。四探針測試四探針測試(csh)的修正的修正實際測試中，要對四探針測試方法進行修正，包括厚度實際測試中，要對四探針測試方法進行修正，包括厚度(hud)修正，邊緣修正和溫度修正。修正，邊緣修正和溫度修正。1.厚度厚度(hud)修正修正)(0f)(4f 和 f0(

7、a)和f4(a)分別是對應(yīng)兩種原理時的厚度修正(xizhng)函數(shù)，a=w/s )(0f，圖8.修正f0(a)和f4(a)曲線圖第13頁/共43頁第十三頁，共43頁。四探針測試四探針測試(csh)的修正的修正 2.邊緣邊緣(binyun)修正修正計算比較復(fù)雜，難以(nny)在實際運用，常用鏡像源法，圖形變換法和有限元法 第14頁/共43頁第十四頁，共43頁。四探針測試四探針測試(csh)的修正的修正 3.溫度溫度(wnd)修正修正半導(dǎo)體材料的電阻對溫度非常敏感，溫度也是影響其測試精度(jn d)的又一個重要因素，一般情況下半導(dǎo)體電阻率的參考溫度23+0.5.第15頁/共43頁第十五頁，共43頁

8、。微觀四點探針微觀四點探針(tn zhn)的發(fā)展的發(fā)展 1.發(fā)展原因發(fā)展原因1.電子電子(dinz)元器件的不斷微型化和納米器件的出元器件的不斷微型化和納米器件的出現(xiàn)現(xiàn)2.新型生物材料的出現(xiàn)新型生物材料的出現(xiàn)3.表面科學(xué)研究的不斷深入表面科學(xué)研究的不斷深入4.顯微鏡技術(shù)和顯微鏡技術(shù)和MENS技術(shù)的發(fā)展技術(shù)的發(fā)展2.主要研究單位主要研究單位丹麥科技丹麥科技(kj)大學(xué)大學(xué) 瑞士洛桑理工學(xué)院瑞士洛桑理工學(xué)院 日本東北大學(xué)日本東北大學(xué) 日本大阪大學(xué)日本大阪大學(xué)中國科學(xué)院物理研究所納米物理與納米器件研究室中國科學(xué)院物理研究所納米物理與納米器件研究室韓國國立全南大學(xué)韓國國立全南大學(xué) 日本日本NTT公司公

9、司 丹麥丹麥Capres A/S公司公司 zvyex公司公司第16頁/共43頁第十六頁，共43頁。微觀四點探針微觀四點探針(tn zhn)的新型的新型應(yīng)用應(yīng)用1.表面敏感電導(dǎo)率以及表面電荷遷移表面敏感電導(dǎo)率以及表面電荷遷移2.導(dǎo)電聚合物薄膜電導(dǎo)率導(dǎo)電聚合物薄膜電導(dǎo)率3.納米管，納米線等納米材料電導(dǎo)測量納米管，納米線等納米材料電導(dǎo)測量4.判斷新型生物材料未知物理性質(zhì)判斷新型生物材料未知物理性質(zhì)(wl xngzh)5.霍爾效應(yīng)測定以判斷硅和鍺的超淺結(jié)處的載流子遷移率霍爾效應(yīng)測定以判斷硅和鍺的超淺結(jié)處的載流子遷移率 第17頁/共43頁第十七頁，共43頁。微觀四點探針微觀四點探針(tn zhn)測試測

10、試原理原理 微觀四點探針技術(shù)是微觀領(lǐng)域的四探針測試微觀四點探針技術(shù)是微觀領(lǐng)域的四探針測試(csh)技術(shù)，原理技術(shù)，原理與宏觀四探針類似，與宏觀四探針類似，圖圖 10.宏觀和微觀四點探針在測量宏觀和微觀四點探針在測量(cling)電導(dǎo)率時，電流流經(jīng)半導(dǎo)體電導(dǎo)率時，電流流經(jīng)半導(dǎo)體樣品示意圖樣品示意圖 電流電流渠道渠道表面層表面層空間電荷層（界面層）空間電荷層（界面層）基體基體能適用于尺寸較小樣品的測量能適用于尺寸較小樣品的測量測試精度和分辨率增加測試精度和分辨率增加消除樣品表面缺陷對測量的影響消除樣品表面缺陷對測量的影響 樣品表面損傷減小樣品表面損傷減小第18頁/共43頁第十八頁，共43頁。微觀微

11、觀(wigun)四點探針測試系四點探針測試系統(tǒng)統(tǒng)1.系統(tǒng)的分類系統(tǒng)的分類 整體式微觀整體式微觀(wigun)四點探針系統(tǒng)四點探針系統(tǒng) ：最小探針間距：最小探針間距300nm 微觀微觀(wigun)四點四點STM探針系統(tǒng)探針系統(tǒng): 最小探針間距最小探針間距30nm2.系統(tǒng)的組成系統(tǒng)的組成 機械系統(tǒng)：底座、真空室、樣品臺；機械系統(tǒng)：底座、真空室、樣品臺； 探針系統(tǒng)：探針、探針臺；探針系統(tǒng)：探針、探針臺； 信號控制與傳輸系統(tǒng)：測試儀表、電路、信號控制與傳輸系統(tǒng)：測試儀表、電路、PC機；機； 成像系統(tǒng)：成像系統(tǒng)：SEM、RHEED； 輔助裝置：真空泵、其他表面科學(xué)分析工具輔助裝置：真空泵、其他表面科學(xué)

12、分析工具第19頁/共43頁第十九頁，共43頁。整體式微觀四點探針測試整體式微觀四點探針測試(csh)系統(tǒng)系統(tǒng) 由四個測試電極由四個測試電極(dinj)或一單懸臂四點電極或一單懸臂四點電極(dinj)過定于測試系統(tǒng)探針臺上，四電極過定于測試系統(tǒng)探針臺上，四電極(dinj)位置相對固定。目前比較先進的測試系統(tǒng)為基于原子力顯微鏡（位置相對固定。目前比較先進的測試系統(tǒng)為基于原子力顯微鏡（AFM）的微觀四點探針系統(tǒng)。）的微觀四點探針系統(tǒng)。商業(yè)化微觀四點探針商業(yè)化微觀四點探針圖圖11.市場化微觀市場化微觀(wigun)四點探針測試四點探針測試儀儀圖圖12. 瑞士瑞士Capres A/S制造的四點制造的四點

13、探針，最小探針間距探針，最小探針間距5微米微米第20頁/共43頁第二十頁，共43頁。整體式微觀四點探針測試整體式微觀四點探針測試(csh)系統(tǒng)系統(tǒng)基于基于AFMAFM的整體式微觀四點探針系統(tǒng)的整體式微觀四點探針系統(tǒng) AFM AFM技術(shù)四點探針技術(shù)相結(jié)合，同時具備表面形貌表技術(shù)四點探針技術(shù)相結(jié)合，同時具備表面形貌表征征(bio zhn)(bio zhn)和表面電導(dǎo)率和表面電導(dǎo)率MappingMapping功能。功能。20052005年日本年日本東北大學(xué)開發(fā)第一臺東北大學(xué)開發(fā)第一臺AFMAFM四點探針。四點探針。圖圖13.AFM13.AFM四點探針四點探針(tn zhn)(tn zhn)測試系統(tǒng)原

14、理圖，測試系統(tǒng)原理圖，AFMAFM四點探針四點探針(tn (tn zhn)SEMzhn)SEM圖。圖。第21頁/共43頁第二十一頁，共43頁。整體式微觀四點探針測試整體式微觀四點探針測試(csh)系系統(tǒng)特點統(tǒng)特點優(yōu)點優(yōu)點(yudin) 1.結(jié)構(gòu)簡單；結(jié)構(gòu)簡單； 1.測試穩(wěn)定性好；測試穩(wěn)定性好； 3.單懸臂式相對于四懸臂式測試穩(wěn)定性聚焦好單懸臂式相對于四懸臂式測試穩(wěn)定性聚焦好；缺點缺點 探針間距固定，靈活性較差，僅能實現(xiàn)直線式探針間距固定，靈活性較差，僅能實現(xiàn)直線式測量；測量；微觀十二點探針：具有探針可調(diào)功能微觀十二點探針：具有探針可調(diào)功能圖圖14.市場化的微觀十二點市場化的微觀十二點探針探針(

15、tn zhn)，采用四點，采用四點測試模式時最小探針測試模式時最小探針(tn zhn)間距間距1.5m ，Capres A/S制造。制造。第22頁/共43頁第二十二頁，共43頁。微觀四點微觀四點STM探針探針(tn zhn)測測試系統(tǒng)試系統(tǒng) 將將STM技術(shù)與四探針原理相互結(jié)合，擁有技術(shù)與四探針原理相互結(jié)合，擁有4個可獨立驅(qū)動探針的個可獨立驅(qū)動探針的STM用于四點探針的電學(xué)表征。每個探針實現(xiàn)獨立操作用于四點探針的電學(xué)表征。每個探針實現(xiàn)獨立操作(cozu)，四點探針可以實現(xiàn)各種模式和不同探針間距的測量。四個探針，四點探針可以實現(xiàn)各種模式和不同探針間距的測量。四個探針通過檢測隧道電流進行反饋控制，使

16、四探針同時與樣品表面接觸通過檢測隧道電流進行反饋控制，使四探針同時與樣品表面接觸。通過壓電控制使其以原子級分辨率實現(xiàn)在樣品表面的掃描測量。通過壓電控制使其以原子級分辨率實現(xiàn)在樣品表面的掃描測量。完成四點探針電學(xué)表征。完成四點探針電學(xué)表征。 能夠原位、非破壞性進行四點探針測量，而且具有能夠原位、非破壞性進行四點探針測量，而且具有STM的操縱的操縱功能：最小探針間距功能：最小探針間距30nm，已經(jīng)市場化應(yīng)用。，已經(jīng)市場化應(yīng)用。 圖圖15.市場化四點市場化四點STM探針探針(tn zhn)左：對大規(guī)模集成電路測量左：對大規(guī)模集成電路測量右：右： 移動納米線移動納米線第23頁/共43頁第二十三頁，共4

17、3頁。微觀四點微觀四點STM探針測試探針測試(csh)系系統(tǒng)統(tǒng)系統(tǒng)系統(tǒng)(xtng)原理原理圖圖16.微觀四點微觀四點STM探針探針(tn zhn)系統(tǒng)原理示意圖系統(tǒng)原理示意圖第24頁/共43頁第二十四頁，共43頁。四點四點STM探針探針(tn zhn)測試系統(tǒng)測試系統(tǒng)研究進展研究進展 2001年日本東北大學(xué)研制出年日本東北大學(xué)研制出UHV-SEM-SERM-RHEED四點探針系統(tǒng)，四點探針系統(tǒng)，借助借助SEM的觀察，通過壓電陶瓷獨立的觀察，通過壓電陶瓷獨立(dl)控制四個鎢探針進行準確定位控制四個鎢探針進行準確定位和掃描測量，最小探針針間距和掃描測量，最小探針針間距600nm。圖圖917. U

18、HV-SEM-SERM-RHEED四點探針四點探針(tn zhn)系統(tǒng)結(jié)構(gòu)示意圖以系統(tǒng)結(jié)構(gòu)示意圖以俯視圖俯視圖第25頁/共43頁第二十五頁，共43頁。四點四點STM探針測試探針測試(csh)系統(tǒng)研究系統(tǒng)研究進展進展 2005 2005年美國匹茲堡大學(xué)研制出年美國匹茲堡大學(xué)研制出UHV-MBE-SEM-STMUHV-MBE-SEM-STM四點探針四點探針(tn (tn zhn)zhn)系統(tǒng)系統(tǒng), ,具有多探針具有多探針(tn zhn)STM/SEM(tn zhn)STM/SEM室，表面分析和準備室室，表面分析和準備室，分子束外延室，傳輸室。配備多種標準表面科學(xué)分析工具，分子束外延室，傳輸室。配備

19、多種標準表面科學(xué)分析工具AES AES 、XPSXPS、QMSQMS、LEED LEED 等。能夠?qū)崿F(xiàn)薄膜沉積、摻雜或量子點等。能夠?qū)崿F(xiàn)薄膜沉積、摻雜或量子點 生長生長，并做四點電學(xué)表征和其他表面分析。，并做四點電學(xué)表征和其他表面分析。圖圖18.UHV-MBE-SEM-STM四四點探針點探針(tn zhn)系統(tǒng)結(jié)構(gòu)示系統(tǒng)結(jié)構(gòu)示意圖意圖第26頁/共43頁第二十六頁，共43頁。四點四點STM探針測試探針測試(csh)系統(tǒng)系統(tǒng)研究進展研究進展 2006年中國科學(xué)院物理研究所納米物理與器件研究室制備出超高真年中國科學(xué)院物理研究所納米物理與器件研究室制備出超高真空分子束外延空分子束外延(wiyn)（MB

20、E）四探針四探針STM（Nanoprobe）設(shè)備）設(shè)備，為世界上第一臺可原位制備納米體系并研究其表面結(jié)構(gòu)、電子態(tài)結(jié)，為世界上第一臺可原位制備納米體系并研究其表面結(jié)構(gòu)、電子態(tài)結(jié)構(gòu)與電子輸運性質(zhì)的綜合系統(tǒng)，構(gòu)與電子輸運性質(zhì)的綜合系統(tǒng)， 圖圖19.四探針四探針(tn zhn)SYM-MBE-LEED系統(tǒng)系統(tǒng)第27頁/共43頁第二十七頁，共43頁。微觀微觀(wigun)四點四點STM探針測探針測試系統(tǒng)試系統(tǒng)優(yōu)點優(yōu)點 1.能獲得較小探針間距；能獲得較小探針間距； 1.探針間距任意可調(diào)；探針間距任意可調(diào)； 3.可以選用不同可以選用不同(b tn)測試模式：測試模式： 4.集成其他實驗設(shè)備，可進行薄膜器件的

21、原位制備和表集成其他實驗設(shè)備，可進行薄膜器件的原位制備和表征：征：缺點缺點 結(jié)構(gòu)極為復(fù)雜，造價昂貴結(jié)構(gòu)極為復(fù)雜，造價昂貴第28頁/共43頁第二十八頁，共43頁。如果接觸點半徑相對于探針如果接觸點半徑相對于探針(tn zhn)間距較小間距較小 ，則用下式，則用下式第29頁/共43頁第二十九頁，共43頁。圖圖21 圓形和方形小樣品圓形和方形小樣品(yngpn)局部靈敏局部靈敏度度第30頁/共43頁第三十頁，共43頁。微觀微觀(wigun)四點探針制備技四點探針制備技術(shù)術(shù) 探針在微觀四點探針表征系統(tǒng)中是核心精密部件探針在微觀四點探針表征系統(tǒng)中是核心精密部件(bjin)(bjin)，對系統(tǒng)的微型化進展

22、起著決定性作用，對系統(tǒng)的微型化進展起著決定性作用， 1.1.微觀四點微觀四點STMSTM探針制備探針制備 通常會采用鎢絲作為測試探針，或采用金屬鍍層探針，可以通常會采用鎢絲作為測試探針，或采用金屬鍍層探針，可以采用有金屬鍍層碳納米管（采用有金屬鍍層碳納米管（CNTCNT）作為探針。）作為探針。 圖圖22. PtIr- CNT四點探針四點探針對對CoSi2納米線電導(dǎo)率測納米線電導(dǎo)率測量，最小探針間距量，最小探針間距(jin j)30nm（日本東北大學(xué)（日本東北大學(xué)）第31頁/共43頁第三十一頁，共43頁。微觀四點探針制備微觀四點探針制備(zhbi)技術(shù)技術(shù)整體式微觀(wigun)四點探針制備 懸

23、臂梁制備懸臂梁制備(zhbi)導(dǎo)電電極制備導(dǎo)電電極制備金屬鍍層金屬鍍層圖圖23.整體式微觀四點探針的一般制備步驟整體式微觀四點探針的一般制備步驟基底材料：基底材料：單晶硅、多晶硅、氮硅化合物（單晶硅、多晶硅、氮硅化合物（Si3N4） 常用工藝：常用工藝：FIB 光刻光刻 、電子束光刻、電子束光刻 、傳統(tǒng)光刻、傳統(tǒng)光刻 、混合匹配光刻、混合匹配光刻 等等第32頁/共43頁第三十二頁，共43頁。微觀微觀(wigun)四點探針制備技術(shù)四點探針制備技術(shù)圖圖24 AFM懸臂梁制備懸臂梁制備(zhbi)工藝工藝(a) KOH蝕刻蝕刻(shk)V型槽型槽(b) (b)氧化硅生長氧化硅生長(c) (c) LP

24、CVD法沉積法沉積SiN層層(d) (d )光致抗蝕掩模光致抗蝕掩模(e) (e)懸臂和頂端的懸臂和頂端的SiN蝕刻蝕刻(shk) (f) ( f ) 陰陽鍵合法玻璃粘結(jié)陰陽鍵合法玻璃粘結(jié) (g) (g) 去去Si(h) (h) 鍍銅鍍銅第33頁/共43頁第三十三頁，共43頁。微觀微觀(wigun)四點探針制備技四點探針制備技術(shù)術(shù)圖圖25.最近最近(zujn)亞指出的整體式四點探針亞指出的整體式四點探針第34頁/共43頁第三十四頁，共43頁。微觀微觀(wigun)四點探針制備技四點探針制備技術(shù)術(shù)圖圖26.最近最近(zujn)亞指出的整體式四點亞指出的整體式四點探針探針第35頁/共43頁第三十五

25、頁，共43頁。微觀四點探針制備微觀四點探針制備(zhbi)技術(shù)技術(shù)探針制備方法探針制備方法FIB FIB 光刻光刻電子束光刻電子束光刻混合匹配光刻混合匹配光刻傳統(tǒng)光刻傳統(tǒng)光刻最小探針間距最小探針間距300 nm350 nm500 nm1500 nm基底材料基底材料SiO2微懸臂梁彈性系數(shù)3 N/m柔性SiO2微懸臂梁SiO2微懸臂梁0.5 N/mSiO2 微懸臂梁金屬鍍層金屬鍍層Ti /PtTi/ AuTiWTi/ Au結(jié)構(gòu)特征結(jié)構(gòu)特征單懸臂梁電極寬度200nm四平行SiO2懸臂梁頂端聚焦方向生長金屬鍍層碳納米管針尖 單懸臂梁12點探針四平行懸臂梁測試性能測試性能 與樣品表面接觸良好，探針高度

26、相同可100 nm分辨率掃描測量表面高度不同的樣品碳針尖對樣品表面有自調(diào)心功能，且探針間距可調(diào) 樣品損傷很小，參考文獻參考文獻【* *4 4】* * *2 2【* *B B】* * *1 1 表表1.一些常用一些常用(chn yn)方法制備出的整體式四點探針最小探針方法制備出的整體式四點探針最小探針間距間距第36頁/共43頁第三十六頁，共43頁。微觀四點探針微觀四點探針(tn zhn)測試技術(shù)面臨測試技術(shù)面臨的問題的問題1.探針間距受限因素探針間距受限因素 探針間電子電遷移探針間電子電遷移 熱效應(yīng)熱效應(yīng) 探針幾何參數(shù)探針幾何參數(shù)(cnsh)和強度和強度2.對樣品表面的損傷對樣品表面的損傷采用柔

27、性探針采用柔性探針 改變測試夾角改變測試夾角 采用尖銳探針采用尖銳探針3.探針壽命探針壽命 探針折斷：避免操作失誤、提高探針控制精度探針折斷：避免操作失誤、提高探針控制精度、增強探、增強探 針強度；針強度； 探針磨損：提高力控制精度、柔性探針、改變探針磨損：提高力控制精度、柔性探針、改變探針形狀探針形狀 （three-way flexible M4PP）、基體和）、基體和導(dǎo)電薄膜加過度粘結(jié)薄導(dǎo)電薄膜加過度粘結(jié)薄 第37頁/共43頁第三十七頁，共43頁。微觀四點探針測試技術(shù)面臨微觀四點探針測試技術(shù)面臨(minlng)的問題的問題5.探針探針(tn zhn)精確定位與力控制問題精確定位與力控制問題

28、 高精度高精度SEM 控制系統(tǒng)改進控制系統(tǒng)改進 6.電子束對樣品表面電學(xué)特性的影響電子束對樣品表面電學(xué)特性的影響 SEM RHEED 第38頁/共43頁第三十八頁，共43頁。結(jié)論結(jié)論(jiln)與展望與展望 綜述了四探針測試原理，應(yīng)用，分類。并報告了當今世界上最為先綜述了四探針測試原理，應(yīng)用，分類。并報告了當今世界上最為先進的微觀四點探針測試系統(tǒng)，包括測試原理以及最新應(yīng)用，并將其進的微觀四點探針測試系統(tǒng)，包括測試原理以及最新應(yīng)用，并將其劃分為兩大類型，詳細介紹分析了每一類系統(tǒng)的器件結(jié)構(gòu)、工作原劃分為兩大類型，詳細介紹分析了每一類系統(tǒng)的器件結(jié)構(gòu)、工作原理、探針制備理、探針制備, ,而且做了一定的對比。指出微觀四點探針系統(tǒng)所面而且做了一定的對比。指出微觀四點探針系統(tǒng)所面臨的主要問題。臨的主要問題。 微觀四點探針測試技術(shù)的研究涉及到半導(dǎo)體物理、表面科學(xué)、機械微觀四點探針測試技術(shù)的研究涉及到半導(dǎo)體物理、表面科學(xué)、機械、儀表自動化、電化學(xué)加工等學(xué)科，切入點很多，是一項具有挑戰(zhàn)、儀表自動化、電化學(xué)加工等學(xué)科，切入點很多，是一項具