JESD22簡介+目錄列表

1、JESD22標準定義及意義詳細如下順序標準編號簡稱現行版本標準狀態(tài)標準項目11A100DJul2013現行循環(huán)溫濕度偏置壽命2.A101THBCMar2009現行穩(wěn)態(tài)溫濕度偏置壽命3.A102AC)Nov2010現行加速水汽抵抗性-無偏置高壓蒸煮（高壓鍋）4._|A103HTSLDDec2010現行高溫貯存壽命TC溫度循環(huán)5.A104)Mar2009現行本實驗用來確定組件、互聯器件對交替溫度極限變化產生的機械應力的耐反性PTC上電溫循6.A105CJan2004現行適用于半導體器件,在交替的高低溫極限中周期的施加卸二|除偏壓，用于模擬樣件所遭受的最惡劣環(huán)境7A106BJun2004現行熱沖擊8

2、.A107CApr2013現行鹽霧9.A108HTOL)Nov2010現行溫度，偏置電壓，以及工作壽命10.A109BNov2011現行，指密封日軍標11A110HAST)Nov2010現行高加速溫濕度應力試驗（HAST）（有偏置電壓未飽和高壓j蒸汽）12.A111ANov2010現行安裝在單面板底面的小型表貼固態(tài)器件耐浸焊能力的評價流程13.A112n塑封表貼器件水汽誘發(fā)的應力敏感性（被J-STD-020替I/彼替代代）14.A113PCFOct2008現行塑封表貼器件可靠性試驗前的預處理15.A114FDec2008現行靜電放電敏感性試驗（ESD）人體模型（HBM）16.A115CNov2

3、010現行靜電放電敏感性試驗（ESD）機器模型（MM）17.A117COct2011現行電可擦除可編程只讀存儲器（EEPROM）編程/擦除耐久性以及數據保持試驗18.UHSTAMar2011_加速水汽抵抗性一一無偏壓HAST（無偏置電壓未飽和高A118現行壓蒸汽）高加速溫濕度應力試驗是為評估非氣密性固態(tài)設備器件在潮濕的環(huán)境中的可靠性。19.A119Nov2004現行低溫貯存壽命20.A120AJan2008現行用于集成電路的有機材料的水汽擴散率以及水溶解度試驗方法21.A121AJul2008現行錫及錫合金表面鍍層晶須生長的測試方法n22.A122Aug2007現行功率循環(huán)23.B100BJu

4、n2003現行物理尺寸24.B101BAug2009現行外部目檢25.|B102EOct2007現行可焊性26.1B103BJun20022現行振動，變頻27.B104CNov2004現行機械沖擊28.B105DJul2011現行引出端完整性29.B106DApr2008現行通孔安裝期間的耐焊接沖擊口30.B107DMar2011現行標識耐久性31.B108BSep2010現行表貼半導體器件的共面性試驗32.B109AJan2009現行倒裝芯片拉脫試驗33.B110BJul2013現行組件機械沖擊34.B111Jul2003現行手持電子產品組件的板級跌落試驗35.nB112AOct2009現行

5、高溫封裝翹曲度測試方法36.B113ASep2012現行手持電子產品組件互連可靠性特性的板級循環(huán)彎曲試驗方法37.B114AMay2011現行標識可識別性38.B115AAug2010現行焊球拉脫試驗39.B116AAug2009現行引線鍵合的剪切試驗40.B117BMay2014現行焊球剪切41口B118Mar2011現行半導體晶圓以及芯片背面外目檢42.C100/已廢止高溫連續(xù)性43.C101FOct2013現行靜電放電敏感性試驗（ESD）場誘導帶電器件模型_AEC-Q100是基，2.A100循環(huán)溫濕度|偏置壽命JESD22-A100C發(fā)布：2007年10月循環(huán)溫濕度偏置壽命試驗循環(huán)溫濕|

6、度偏置壽命試驗以評估非氣密封裝固態(tài)器件在潮濕環(huán)境中的可靠性為目的。它使用循環(huán)溫度，濕度，以及偏置條件來加速水汽對外部保護性材料（封裝或密封）或沿著外部保護材料和貫通其的金屬導體的界面的穿透作用。循環(huán)溫濕度偏置壽命試驗通常|用于腔體封裝（例如MQIADs,有蓋陶瓷引腳陣列封裝等），作為JESD22-A101或JESD22-A110的替代試驗。1.JESD22JESD22-BPublished:Sep2000SupersededJESD22-B發(fā)布：2000年9月已被取代被系列測試方法“JESD221取代SUPERSEDEDBYTHETESTMETHODSINDICATEDBY'J“JES

7、D22提一個完整的系列試驗方法，可在全球性的工程文件中取得。ESD22-'AcompletesetoftestmethodscanbeobtainedfromGlobalEngineeringDocuments于集成電路應力測試認證的失效機理的標準，它包含以下12個測試方法:AEC-Q100-001邦線切應力測試AEC-Q100-002人體模式靜電放電測試AEC-Q100-003機械模式靜電放電測試?AEC-Q100-004集成電路閂鎖效應測試?AEC-Q100-005可寫可擦除的永久性記憶的耐久性、數據保持及工作壽命的測試?AEC-Q100-006熱電效應引起的寄生閘極漏電流測試?A

8、EC-Q100-007故障仿真和測試等級?AEC-Q100-008早期壽命失效率（ELFR）?AEC-Q100-009電分配的評估?AEC-Q100-010錫球剪切測試?AEC-Q100-011帶電器件模式的靜電放電測試?AEC-Q100-01212V系統(tǒng)靈敏功率設備的短路可靠性描述二|AEC-Q101是汽車級半導體分立器件應力測試認證,它包含以下6個測試方法:?AEC-Q101-001人體模式靜電放電測試?AEC-Q101-002機械模式靜電放電測試?AEC-Q101-003邦線切應力測試?AEC-Q101-004雜項測試方法?AEC-Q101-005帶電器件模式的靜電放電測試?AEC-Q1

9、01-00612V系統(tǒng)靈敏功率設備的短路可靠性描述JESD22-A100CPublished:Oct-2007CYCLEDTEMPERATUREHUMIDITYBIASLIFETEST:TheCycledTemperature-humidity-biasLifeTestisperformedforthepurposeofevaluatingthereliabilityofnonhermeticpackagedsolidstatedevicesinhumidenvironments.Itemploysconditionsoftemperaturecycling,humidity,andbiast

10、hatacceleratethepenetrationofmoisturethroughtheexternalprotectivematerial(encapsulateorseal)oralongtheinterfacebetweentheexternalprotectivematerialandthemetallicconductorsthatpassthroughit.TheCycledTemperature-Humidity-BiasLifeTestistypicallyperformedoncavitypackages(e.g.,MQUADs,liddedceramicpingrid

11、arraysI,etc.)asanalternativetoJESD22-A101orJESD22-A110.3.A101穩(wěn)態(tài)溫濕度偏置壽命4.A102加速水汽抵抗性-無偏置高壓蒸煮JESD22-A101-BPublished:Apr-1997STEADY-STATETEMPERATUREHUMIDITYBIASLIFETEST:Thisstandardestablishesadefinedmethodandconditionsforperformingatemperaturehumiditylifetestwithbiasapplied.Thetestisusedtoevaluatether

12、eliabilityofnonhermeticpackagedsolidstatedevicesinhumidenvironments.Itemployshightemperatureandhumidityconditionstoacceleratethepenetrationofmoisturethroughexternalprotectivematerialora10nginterfacesbetweentheexternalprotectivecoatingandconductorsorotherfeatureswhichpassthroughit.Thisrevisionenhance

13、stheabilitytoperformthistestonadevicewhichcannotbebiasedtoachieveverylowpowerdissipation.JESD22-A102-CPublished:Dec-2000ReaffirmedJune2008ACCELERATEDMOISTURERESIS-TANCEUNBIASEDAUTOCLAVE:Thistestallowstheusertoevaluatethemoistureresistanceofnonhermeticpackagedsolidstatedevices.TheUnbiasedAutoclaveTes

14、tisperformedtoevaluatethemoistureresistanceintegrityofnonhermeticpackagedsolidstatedevicesusingmoisturecondensingormoisturesaturatedsteamenvironments.Itisahighlyacceleratedtestwhichemploysconditionsofpressure,humidityandtemperatureundercondensingconditionstoacceleratemoisturepenetrationthroughtheext

15、ernalprotectivematerial(encapsulantorseal)oralongtheinterfacebetweentheexternal-protectivematerialandthemetallicconductorspassingthroughit.Thistestisusedtoidentifyfailuremechanismsinternaltothepackageandisdestructive.5.A103高溫貯存壽命JESD22-A103CPublished:Nov-2004HIGHTEMPERATURESTORAGELIFE:Thetestisappli

16、cableforevaluation,screening,monitoring,and/orqualificationofallsolidstatedevices.HighTemperaturestoragetestistypicallyusedtodeterminetheeffectoftimeandtemperature,understorageconditions,forthermallyactivatedfailuremechanismsofsolidstateelectronicdevices,includingnonvolatilememorydevices(dataretenti

17、onfailuremechanisms).DuringtheJESD22-A101-B發(fā)布：1997年8月穩(wěn)態(tài)溫濕度偏置壽命試驗本標準建立了一個定義的方法，用于進行一個施加偏置電壓的溫濕度壽命試驗。本試驗用于評估非氣密封裝固態(tài)器件在潮濕環(huán)境下的可靠性。試驗采用高溫和高濕條件以加速水汽對外部保護材料或沿著外部保護材料和外部保護涂層，貫通其的導體或其他部件的穿透作用。本修訂版加強了在無法施加J偏置以達到很低功率耗散的器件上運用本試驗的能力。JESD22-A102-C發(fā)布：2000年12月，2008年6月經重新確認有效加速水汽抵抗性一一無偏置高壓蒸煮本試驗允許用戶評估非氣密封裝固態(tài)器件對水汽的抵抗力

18、。進行無偏置高壓蒸煮試驗的目的在于利用水汽冷凝或水汽飽和蒸汽環(huán)境評估非氣密封裝固態(tài)器件的水汽抵抗力。本方法是一個高加速試驗，使用冷凝條件下的壓力，濕度和溫度以加速水汽對外部保護性材料（封裝或密封）或沿著外部保護材料和貫通其的金屬導體的界面的穿透作用。這一試驗用于識|別封裝內部的失效機理，本試驗為破壞性。JESD22-A103C發(fā)布：2004年11月高溫貯存壽命：試驗可應用于所有固態(tài)器件的評估，篩選，監(jiān)控，以及鑒定。典型情況下，高溫貯存試驗用于確定在貯存條件下，時間和溫度對固態(tài)器件，包括非易失存儲器件（數據保留失效機理）的影響（由熱激發(fā)的失效機理）。在試驗中，只施加提高的溫度應testeleva

19、tedtemperatures(acceleratedtestconditions)力（加速試驗條件），而不施加電areusedwithoutelectricalstressapplied.Thistestmay應力。本試驗取決于時間，溫度bedestructive,dependingonTime,Temperatureand和包裝（如果有），可能為破壞性。Packaging(ifany).6,A104|JESD22-A104CJESD22-A104C溫度循jPublished:May-2005TEMPERATURECYCLING:發(fā)布：2005年5月環(huán)Thisstandardprovides

20、amethodfordeterminingsolidstate溫度循環(huán)：本標準提供了一種用devicescapabilitytowithstandextremetemperaturecyclin于確定固態(tài)器件耐受極限溫度循g.Changesinthisrevisionincluderequirementsthatthewor環(huán)能力的方法。在本修訂版中，st-caseloadt改變之處包括最壞條件下，加載溫emperaturemustreachthespecificextremesratherthanjust度而不是試驗箱環(huán)境溫度必須達requiringthatthechamberambient

21、temperaturereachtheex到規(guī)定的極值的要求。這保證了無tremes.Thisensuresthatthetestspecimenswillreachthespe論試驗箱負載情況如何，試驗樣品cifiedtemper均會達到規(guī)定的溫度極值。本修atureextremesregardlessofchamberloading.Definitionsa訂版提供了負載監(jiān)控傳感器，最壞reprovidedforLoad,MonitoringSensor,Worst-CaseLoa情況負載溫度，以及工作區(qū)的定dTemperature,andWorkingZone.Thetransferti

22、mehasbee義。轉換時間由5分鐘加嚴到1ntightenedfrom5minute分鐘。新增了五個試驗條件，以sto1minute.Fivenewtestconditionshavebeenaddedaswel及試驗條件超過塑封固態(tài)器件玻lasacautiono璃化轉變溫度時的注意事項。ntestconditionswhichexceedtheglasstransitiontemperatureofplasticpackagesoliddevices.7.A105JESD22-A105CJESD22-A105C上電溫Published:Jan-2004發(fā)布：2004年1月循POWERAND

23、TEMPERATURECYCLING:功率溫度循環(huán)：功率溫度循環(huán)試Thepowerandtemperaturecyclingtestisperformedtodeter驗用于確定器件耐受變化的暴露minetheabilityofadevicetowithstandalternateexposuresa于極限高低溫，同時周期性施加thighandlowtemperatureextremesandsimultaneouslythe和去除工作偏置。本試驗的目的是operatingbiasesareperiodicallyappliedandremoved.Itisi模擬應用環(huán)境中達到的最嚴苛條nte

24、ndedtosimulateworstcaseconditionsencounteredinap件。功率溫度循環(huán)試驗視為破壞pli性，且只用于器件的鑒定。本試cationenvironments.Thepowerandtemperaturecyclingte驗方法應用于需經受超溫，需要在stisconsidereddestructivean所有溫度條件上下電的半導體器disonlyintendedfordevicequalification.Thistestmethoda件。ppliestosemiconductordevicesthataresubjectedtotemperatureexc

25、ursionsandrequiredtopoweronandoffduringalltemperatures.8.A106JESD22-A106BJESD22-A106C熱沖擊Published:Jun-2004發(fā)布：2004年6月THERMALSHOCK:熱沖擊：本試驗用于確定部件對Thistestisconductedtodeterminetheresistanceofaparttos于突然暴露于極限溫變條件的抵uddenexposuretoextremechangesintemperatureandtothe抗力，以及交替暴露于這些極限effectofalternateexposures

26、totheseextremes.條件的影響。9.A107JESD22-A107CJESD22-A107CPublished:April-2013SALTATMOSPHERE:ThissaltAtmospheretestisconductedtodeterminetheresisJtanceofsolidstatedevicestocorrosion.Itisanacceleratedtestthatsimulatestheeffectsofsevereseacoastatmosphereonallexposedsurfaces.Thesaltatmospheretestisconsidered

27、destructive.Itisintendedforlotac_|ceptance,processmonitor,andqualificationtesting.ThelatestrevisionofMethod1041ofMIL-STD-750shallbeusedfordiscretesolid-statedevices.ThelatestrevisionofMethod1009ofMIL-STD-883shallbeusedforsolid-statemicrocircuits,integratedcircuits,hybrids,andmodules.發(fā)布：2013年4月鹽霧：本鹽霧

28、試驗用于確定固態(tài)器件對于腐蝕的抵抗力。本方法是一個加速試驗方法，模擬嚴酷的海濱氣氛環(huán)境對所有暴露表面的影響。本鹽霧試驗視為破壞性。本試驗可用于批接收，工藝監(jiān)控，以及鑒定試驗。MIL-STD-750試驗方法1041的最后修訂版應用于分立固態(tài)器件。MIL-STD-883試驗方法1009的最后修訂版應用于固態(tài)微電路、集成電路及組件。10.A108以及工作壽命JESD22-A108CPublished:Jun-2005TEMPERATURE,BIAS,ANDOPERATINGLIFE:Arevisedmethodfordeterminingtheeffectsofbiasconditionsandte

29、mperature,overtime,onsolidstatedevicesisnowavailable.RevisionBofA108includeslowtemperatureoperatinglife(LTOL)andhightemperaturegatebibias(HTGB)stressconditions,revisedcooldownrequirementsforhightemperaturestress,andaproceduretofollowifpartsarenottestedwithintheallowedtimewindow.發(fā)布：2005年6月溫度，偏置電壓，以及工

30、作壽命：JESD22-A108C本標準提供了一個可用的經修訂的試驗方法，用于確定偏置條件和溫度在長時間下對固態(tài)器件的作用。A108修訂版B包括了低溫工作壽命（LTOL）以及高溫柵偏（HTGB）應力條件，修訂了高溫應力的冷卻需求，以及如果樣品沒有在允許的時間窗口中測試的情況下，應遵循的程序。11.A109密封（指向軍標）JESD22-A109BPublished:Nov-2011,RewriteoftotaldoctopointtoMilitarystandards.HERMETICITY:Mostofthesetestsarecontrolledandupdatedinthemilitarys

31、tandards,thetwostandardsthatapplyareMIL-STD-750forDiscretes,&MIL-STD-883formicrocircuits.Thetestwithinthesestandardscanbeusedforallpackagetypes.Withinthesestandardsthetestsaresimilar;MIL-STD-750TestMethod1071HermeticSealisrecommendedforanycommercialhermeticrequirements.ForMIL-STD-883theapplicabl

32、etestmethodis1014Seal.12.A110高加速JESD22-A110DPublished:Nov-2010JESD22-A109A發(fā)布：2011年11月，重新編制了整份文檔以指向軍用標準。密封：大部分這些試驗在軍用標準中控制和更新，應用的兩份標準分別是MIL-STD-750（分立器件），以及MIL-STD-883（微電路）。這些試驗能夠被用于所有的封裝類型。在這些標準中，試驗方法是類似的，MIL-STD-750試驗方法1071推薦作為所有商用密封的要求。對于MIL-STD-883,可應用的試驗方法是試驗方法1014密封。JESD22-A110D發(fā)布：2010年11月HIGHL

33、YACCELERATEDTEMPERATUREANDHU應力試驗溫濕度(HASTMIDITYSTRESSTEST(HAST)Thepurposeofthisnewtestmethodistoevaluatethereliabilityofnonhermeticpackagedsolidstatedevices)inhumidenvironments.Itemployssevereconditionsoftemperature,humidity,andbiasthatacceleratethepenetrationofmoisturethroughtheexternalprotectivemat

34、erial(encapsulantorseal)oralongtheinterfacebetweentheexternalprotectivematerialandthemetallicconductorswhichpassthroughit.高加速溫濕度應力試驗（HAST）:該新的試驗方法的目的是評價非氣密封裝固態(tài)器件在潮濕環(huán)境下的可靠性。它采用嚴酷的溫度、濕度和偏執(zhí)電壓以加速水汽對外部保護材料（封裝或密封）或沿著外部保護性材料和金屬導體間的界面的穿透作用。JESD22-A111APublished:May-2004EVALUATIONPROCEDUREFORDETERMININGCAPAB

35、ILITYTOBOTTOMSIDEBOARDATTACHBYFULLBODYSOLDERIMMERSIONOFSMALLSURFAJESD22-A111A發(fā)布：2004年5月安裝在單面板底面的小型表貼固態(tài)器件耐浸焊能力的評價流程：小型表貼器件（SMDs）常常被貼14.A112CEMOUNTSOLIDSTATEDEVICES:裝在印制線路板底面，通過Frequently,smallSurfaceMountDevices(SMDs)areattachedtothebottomsideofaprintedcircuitboardbypassingthemthroughawavesolder(full

36、bodyimmersion)whilesimultaneouslysolderingdeviceswithpinsonthetopoftheboard(platedthroughholeattach).Asaresult,thesesmallSMDsmaybeexposedtohightemperaturesashighas265波峰焊接（整體浸焊）同時焊接表貼器件和安裝在印制線路板正面的插裝器件（通過通孔安裝）果是在這種組裝方法下，這些小型SMDs可能暴露于高至265C的高溫。如果足夠多的水汽°CduringthistypecfbSaTd寸裝內，暴露于熔化的焊料attachmeth

37、od.Ifsufficientmoistureexistsinthepackage,exposuretothemoltensoldercausesthemoisturetoturntovapor,resultinginincreasedpressurewithinthepackagewhichinturnmaycausequalityand/orreliabilitydegradation.Thetestmethodinthisdocumentwilladdresstheissuesrelatedtothedeterminationofthecapabilityofasolidstatedev

38、icetowithstandthestressesoffullbodywavesolderimmersionandsubsequentfielduse.JESD22-A112-APublished:Nov-1995RescindedMay2000MOISTURE-INDUCEDSTRESSSENSITIVITYFORPLASTICSUR引起水分變?yōu)檎羝?，導致封裝內部壓強，可引起質量和可靠性退化。本試驗方法關注與確定固態(tài)器件耐受整體波峰/浸焊能力，以及隨后的使用相關的問題。JESD22-A112-A發(fā)布：1995年11月，2000年發(fā)的應020A,April1999.J-STD-020isnow

39、onrevisionD.01.替代，1999年4月。J-STD-020力敏感性（被J-STD-020替代）現行版本為修訂版D.01.15.A113塑表JESD22-A113FPublished:Oct-2008JESD22-A113F發(fā)布：2008年8月貼器件PRECONDITIONINGOFPLASTICSURFACEMOUN塑封表貼器件可靠性試驗前的預1貼器件水汽誘FACEMOUNTDEVICES-SUPERSEDEDBYJ-STD-5月取消塑封表貼器件水汽誘發(fā)的應力敏感性，被J-STD-020A處理：本試驗方法建立了一個非氣密固態(tài)SMDs（表面貼裝器件）的工業(yè)標準化的預處理流程，這一流程

40、代表了一個典型的工業(yè)化多次回流焊接操作。這些SMDs在由半導體制造商進行規(guī)定的內部可靠性試驗（鑒定及可靠性監(jiān)控）前，應經受本文檔中適當的M延理,列，以評估7長期可靠性|（器件的長期可靠性可能受到回流焊接過程的影響）。JESD22-A114F發(fā)布：2008年12月靜電放電敏感性試驗（ESD）人體模型（HBM）:本試驗方法建立了一個通過將微電路暴露在定義的人體模型的靜電放電應力下，根據其受損或降級的敏感度，對微電路進行試驗和評級的標準化流程。目標是提供可靠的，可重復性的HBMESD試驗結果，以使準確的等級評定能夠進行。A115A發(fā)布：1997年10月。本試驗方法有效，然而卻不是業(yè)界常用標準，推薦的

41、工業(yè)試驗方法為JESD22A114或JESD22C101靜電放電敏感性試驗（ESD）機器模型（MM）:本試驗方法建立了一個通過將微電路暴露在定義的人體模型的靜電放電應力下，根據其受損或降級的敏感度，對微電路進行試驗和評級的標準化流程。目標是提供可靠的，可重復性的MMESD試驗結果，以使準確的等級評定能夠進行。JESD22-JESD22-A117A發(fā)布：2006年3月電可擦除可編程只讀存儲器（EEPROM）編程/擦除耐久性以及數據保持試驗：本方法建立了一個標準化的流程，以確定非易失1存儲單元的數據循環(huán)耐久性和數TDEVICESPRIORTORELIABILITYTESTING:ThisTestM

42、ethodestablishesanindustrystandardpreconditioningflowfornonhermeticsolidstateSMDs(surfacemountdevices)thatisrepresentativeofatypicalindustrymultiplesolderreflowoperation.TheseSMDsshouldbesubjectedtotheappropriatepreconditioningsequenceofthisdocumentbythesemiconductormanufacturerpriortobeingsubmitted

43、tospecificin-housereliabilitytesting(qualificationandreliabilitymonitoring)toevaluatelongtermreliability(whichmightbeimpactedbysolderreflow).JESD22-A114FPublished:Dec-2008ELECTROSTATICDISCHARGE(ESD)SENSITIVITYTESTINGHUMANBODYMODEL(HBM):Thistestmethodestablishesastandardprocedurefortestingandclassify

44、ingmicrocircuitsaccordingtotheirsusceptibilitytodamageordegradationbyexposuretoadefinedelectrostaticHumanBodyModel(HBM)discharge(ESD).Theobjectiveistoprovidereliable,repeatableHBMESDtestresultssothataccurateclassificationscanbeperformed.JESD22-A115APublished:Oct1997。Thisisavalidtestmethod,howeveriti

45、snotcurrentlybeingusedintheindustry,thepreferredindustrytestmethodsareJESD22A114orJESD22C101ELECTROSTATICDISCHARGE(ESD)SENSITIVITYTESTINGMACHINEMODEL(MM):Thismethodestablishesastandardprocedurefortestingandclassifyingmicrocircuitsaccordingtotheirsusceptibilitytodamageordegradationbyexposuretoadefine

46、dMachineModel(MM)electrostaticdischarge(ESD).Theobjectiveistoprovidereliable,repeatableMMESDtestresultssothataccurateclassificationscanbeperformed.JESD22-A117APublished:Mar-2006ELECTRICALLYERASABLEPROGRAMMABLEROM(EEPROM)PROGRAM/ERASEENDURANCEANDDATARETENTIONTEST:Thismethodestablishesastandardprocedu

47、refordeterminingthedatacyclingenduranceanddataretentioncapabilityo程/擦除fnon-據保持能力。本試驗方法可用十鑒耐久性volatilememorycells.Itisintendedasaqualificationandmo定和監(jiān)控試驗流程。本試驗也可以及數nitortestprMTFLASHEEPROM集成電路據保持ocedure.ThistestisalsoapplicabletoFLASHEEPROMint以及帶有內嵌的EEPROM或試驗egratedcircuitsandFLASH存儲器的可擦除可編程ErasableP

48、rogrammableLogicDevices(EPLD)withembe邏輯器件（EPLD）oddedEEPROMorFLASHmemory.19.A118JESD22-A118AJESD22-A118A加速水Published:Mar-2011發(fā)布：2011年3月汽抵抗ACCELERATEDMOISTURERESISTANCE-加速水汽抵抗性一-無偏壓性UNBIASEDHAST:HAST:無偏壓HAST用于評估無偏壓TheUnbiasedHASTisperformedforthepurposeofevaluati非氣密封裝固態(tài)器件在潮濕環(huán)境HASTngthereliabilityofnon

49、-hermeticpackagedsolid-下的可靠性。這是一個高加速試statedevicesinhumidenvironments.Itisahi驗方法，利用非冷凝條件下的溫度ghlyacceleratedtestwhichemploystemperatureandhumid和濕度來加速水汽對外部保護性ityundernoncondensingconditionstoacceleratethepenetr材料（封裝或密封）或沿著外部保ationofmoisturethroughtheexternalprotectivematerial(e護材料和貫通其的金屬導體的界ncapsulanto

50、rseal)oralongtheinterfacebetweentheexterna面的穿透作用。不施加偏壓以保lprotectiv證被偏置電壓掩蓋的失效機理能ematerialandthemetallicconductorswhichpassthroughit.夠被發(fā)現（如：賈凡尼式腐蝕（原Biasisnotappliedinthistesttoensurethefailuremechanism電池腐蝕）。本試驗用于確定封裝spotentiallyo內部的失效機理，為破壞性試驗。vershadowedbybiascanbeuncovered(e.g.galvaniccorrosion).Th

51、istestisusedtoidentifyfailuremechanismsinternaltothepackageandisdestructive.20.JESD22-A119JESD22-A119A119低Published:Nov-2004發(fā)布：2004年11月溫貯存LOWTEMPERATURESTORAGELIFE低溫貯存壽命：本試驗可用于所壽命Thetestisapplicableforevaluation,screening,monitoring,有固態(tài)器件的評估，篩選，監(jiān)控以and/orqualificationofallsolidstatedevices.Lo及鑒定。低溫貯存試驗通常用于wTemperaturestoragetestistypicallyusedtodeterminethe確定在貯存條件下，時間和溫度對effectoftimeandtemp