HIT電池知識大全

1、HIT電池知識大全HIT效率提升潛力高+降本空間大，是未來最有前景的太陽能電池技術(shù)。1HIT（異質(zhì)結(jié)電池）：PERC之后最有前景的太陽能電池技術(shù)當前晶體硅太陽能電池技術(shù)基本上是以表面的鈍化為主線發(fā)展的。相對于傳統(tǒng)晶硅技術(shù)，由于非晶硅薄膜的引入，硅異質(zhì)結(jié)太陽電池的晶硅襯底前后表面實現(xiàn)了良好的鈍化，因而其表面鈍化更趨完善。且非晶硅薄膜隔絕了金屬電極與硅材料的直接接觸，其載流子復合損失進一步降低，可以提升轉(zhuǎn)換效率。HIT技術(shù)較為先進，將成為高效光伏電池技術(shù)的領(lǐng)跑者，帶領(lǐng)光伏電池在效率提升的路上更進一步。圖1：HIT太陽能電池基本結(jié)構(gòu)MetallineTCOpa-Sii-a-5in-c-Si圖2：HI

2、T太陽能電池產(chǎn)品特性圖3：HIT太陽能電池生產(chǎn)流程思耳治總亠一歸枷心4忠壯盤磁舷一低MPECflMtUk丸耳身用邸務也斗FI-v渕&、FECV口樁立前塔炭向善品軋&黃后如負生卜恨電蟻4帀屜七K1.1.HIT歷史：效率提升顯著，未來前景可期HIT電池最早由日本的三洋公司研發(fā)，1991年三洋首次在硅異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)的太陽能電池中應用本征非晶硅薄膜，降低了界面缺陷態(tài)密度，使載流子復合降低，實現(xiàn)了異質(zhì)結(jié)界面鈍化作用，得到本征薄膜異質(zhì)結(jié)電池，其轉(zhuǎn)換效率高達18.1%。此后HIT電池的轉(zhuǎn)換效率不斷提高，在2003年，三洋通過優(yōu)化異質(zhì)結(jié)、減少光學損失、增大有效電池面積等方法，使得HIT太陽能電池的

3、實驗室效率達到了21.3%。2013年，松下（已收購三洋）研制了厚度僅有98um的HIT電池，效率達24.7%。2014年，松下采用IBC技術(shù)，將HIT電池的轉(zhuǎn)換效率提升到25.6%。2016年，日本Kaneka公司將IBC-HIT太陽電池的效率提升到26.63%。量產(chǎn)效率方面，根據(jù)鈞石能源的CTO，2019年鈞石能源的HIT產(chǎn)線平均效率23%，在建的新產(chǎn)線效率將超過25%。圖4：HIT電池發(fā)展歷程（截止到2009年）初護芨展階ftBn*濟出中祈勺注構(gòu)屮nS牛刑fl"m.i-z<nji<fiEiis：fliTtinaffB":HJtq甩葩專9臺于規(guī)IT社畀力L&

4、#165;辟>>¥M說*上*晶琳嘛.毗占尹榕卻訃是呻轟址刈卜具殲T耳豪甘郵實:辭M*囁桃*甲誦4怦卅菲JUMIL叱椚上皿單«irt.挖址竽址MIL陰亭諧丁料乙知寸小上AdLjJ舸U材斤4皿j4#E亠4出站b*卄述±<i.a姑齊m也抽艮todilhilniftmMHB=二*曲或LMbJiLi叩"4lnuJut.KiHlM-F-啊丈申心I魯MWTit劇人詛2l：.J<jLT0fTL>ir-KI>1S51跡3QGI圖5：HIT電池發(fā)展歷程(2009年到2018年)fH*很上Ig.3JLItJIjl人込葩*1.4盤從-虬繪&g

5、t;J*ftiLionrnJLa-WftBG-HII鼻宦址屮4tH駁1wJt-o*!a7fl*.4*-11逍L也tM,楫LF*E-_匸西口史i孚電!.»Hf5.B!圍金噸圖屢輯聲良鴉liJMf片上iKEKL_F.見電出蔓縣20»旺塞f肚片%珂靜#gf去時一申臉4比=T4.MAfHlfliHIT業(yè)工恵NTH冶*R壽苕欄.就曝尢遽莎予札衛(wèi)十沖iflUIT赳罪己徑逸啤|*虛總棄憶科丸蘋齡并注-國再為壯T柚崗總酒趙*ar*«t1Tftii-.H廿近珥訐參鼓趾正虛進昨睛1L包就果HJ4焙&臉才苛研*干2015年后，松下對于HIT電池的專利已經(jīng)過期，技術(shù)壁壘消除，是我

6、國大力發(fā)展并推廣HIT技術(shù)的良好時機。但HIT電池的技術(shù)門檻高，且長期掌握在以松下和Kaneka為代表的日本企業(yè)手中，我國關(guān)于HIT技術(shù)的研究明顯落后與日本。但是國內(nèi)企業(yè)在專利過期后，均投入研發(fā)力量投入HIT研發(fā)。2017年，晉能公司開始試生產(chǎn)HIT電池，2018年實際產(chǎn)能已經(jīng)達到50MW,2019年3月，晉能HIT電池量產(chǎn)平均效率突破23.79%。2019年5月，鈞石能源收購了松下馬來西亞異質(zhì)結(jié)電池工廠，鈞石能源控股占比達90%，完善了鈞石能源在HIT電池領(lǐng)域的布局。2019年7月，鈞石能源與山煤國際能源集團簽訂了合作協(xié)議，根據(jù)該協(xié)議，雙方將共建高達10GW的異質(zhì)結(jié)太陽能電池(HIT)生產(chǎn)基

7、地。此次合作開啟了中國內(nèi)地異質(zhì)結(jié)電池的最大規(guī)模的投產(chǎn)，市場關(guān)注度極高。圖6：太陽能電池效率不斷提升吿dirit此IVI(mi?'hji5卜1M-E-HM1.2.效率提升潛力高+降本空間大，HIT技術(shù)將成下一個風口相比于傳統(tǒng)的太陽能電池，利用非晶硅薄膜與單晶硅襯底異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)的HIT電池結(jié)合了單晶硅與非晶硅電池的優(yōu)點，主要表現(xiàn)在：1）效率提升潛力高。HIT電池采用的N型硅片具有較高的少子壽命，非晶硅鈍化的對稱結(jié)構(gòu)也可以獲得較低的表面復合速率，因而硅異質(zhì)結(jié)太陽電池的開路電壓遠高于傳統(tǒng)單晶硅太陽電池，其效率潛力比當前使用P型硅片的PERC電池要高1.5%-2%。當前P型單晶PERC電池的轉(zhuǎn)換記

8、錄是由晶科能源創(chuàng)造的23.95%，而HIT電池的轉(zhuǎn)換記錄則是日本Kaneka公司創(chuàng)造的26.63%圖7：HIT、PERC、TOPCon電池平均效率對比CE(%)26.OS25.0%24.OS2019202020212022202320242025"li-TOPCon"p-PERC數(shù)據(jù)來源：中國光厭行業(yè)協(xié)會.東吳證蘇研究所圖8：HIT、PERC、TOPCon平均功率對比3802019202020212022202320242025ModuleM4.1.5°4)CTMJavgpowerfWp400n-HITn-TOPConp-PEf?C就據(jù)棗源：中國光伏行業(yè)協(xié)會.柔吳

9、證版研究所此外，如果將HIT與其他技術(shù)線路疊加起來，電池效率的提升空間會進一步加大。例如，HBC是利用疊加技術(shù)，將HIT電池的高開路電壓和IBC電池的高短路電流的優(yōu)勢結(jié)合，電池效率可以達到25%以上；而HIT與鈣鈦礦技術(shù)結(jié)合的疊層電池甚至可以達到28%以上。圖9：HIT與IBC技術(shù)結(jié)合的HBC電池效率可以達25%以上圖10：HIT與鈣鈦礦技術(shù)結(jié)合的疊層電池效率可以達28%以上疊層電池數(shù)據(jù)來源：OFWEEKt東吳證券研究所整理2) HIT電池擁有更大的降成本空間。HIT電池結(jié)合了薄膜太陽能電池低溫的制造優(yōu)點，避免了傳統(tǒng)的高溫工藝，不僅大大的節(jié)約燃料能源，而且低溫加工環(huán)境有利于實現(xiàn)HIT電池薄片化

10、，減少硅的使用量，降低硅原料成本。另外，HIT工藝流程相對簡化，全部生產(chǎn)流程只需四步即可完成，而P-PERC為了實現(xiàn)23.9%的轉(zhuǎn)化效率，需要疊加多種技術(shù),工藝步驟多達8步，由此帶來了更高的成本。圖11：硅片薄片化后成本測算2113Ik創(chuàng)紐ILIGHg-K.?!Lu>It?_I耐1to3S和iiliJ即SflMJ»l斗緯吃1"111何HPItth(ual-(»*13)*24S21CJL憂赴鮭缶*片*1A曷由h乩3“】-酣疔雷対址暑M.Ld即沖W土耳柑僧養(yǎng)、叫帕弼恂|IW1謝I1XS4.UD加.聞?Z.ai£j?AjIlM«'*Ut

11、ij博T93USS1-4貿(mào)勺套骼泊H屯車!4/11化,岡3呼0*531bl止甘札電i備彷1iia】8D-85Q.7?life>iAl.b/Hi19112;昭JIL?Rl."e-t4"4'1ii=b111$n1訃轉(zhuǎn))2M24L2111為t：*nZ2J.衛(wèi)倫2IJ%冉加劇11rs1沁IBfi展gfu4«>7廿即了110閒D.SWWIXHjL!站-L4TM：*肚爲扎*靭盯!）（為ItXf*：SI吐占平EJBlJKbMg*：丄匹池賈1斗*iUHRL也器計妙以処幅w*-innn”.丄片4f?勺卜.心1,u:電;瓷ppr二廣:m“i丄半才山占_-ti-；.

12、n?-4巧；“4右上3）具有更高的雙面率。HIT的雙面對稱結(jié)構(gòu)，正面和背面基本無顏色差異，有利于制造雙面電池，封裝制備成雙面電池組件之后，可以獲得10%以上的年發(fā)電量增益。而且其雙面率（指電池背面效率與正面效率之比）已經(jīng)達到85%，未來有望增長到98%，更加有效的降低裝配過程中正反面安裝失誤產(chǎn)生的功率損失。相比之下，P-PERC雙面率目前為82%，但是由于其背面開槽、缺少對稱性的形狀特點，未來提高雙面率的難度系數(shù)非常大。圖12:由于HIT的雙面對稱結(jié)構(gòu)，具有更高的雙面率rr-a找據(jù)來菲:樺耶博軸-耒臭證H発斷FERCTOPCOMn護亡亡型->:H'>1-lTiIRi4）低溫

13、度系數(shù)，穩(wěn)定性高，可有效降低熱損失。太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率一般是在25°C的條件下測試的，但實際使用時，由于日照原因工作溫度顯然會高出，高溫下的性能表現(xiàn)尤為重要。HIT組件的溫度系數(shù)（-0.258%）小于常規(guī)P型電池的溫度系數(shù)（-0.46%），從而HIT電池組件功率損失明顯小于常規(guī)組件。根據(jù)實驗數(shù)據(jù)顯示，在82度的外部環(huán)境下，HIT電池的效率最高會比傳統(tǒng)組件高出13%。HIT電池結(jié)合了薄膜太陽能電池的低溫(250°C)制造優(yōu)勢，整個工藝環(huán)節(jié)的溫度一般在200C左右，而傳統(tǒng)的高溫擴散工藝形成p-n結(jié)的溫度在900C以上。這種低溫工藝不僅可以節(jié)省能源，也能有效地降低高溫對硅片

14、的熱損傷。5) 具有更低的光致衰減。P型組件通常會發(fā)生光致衰減現(xiàn)象，主要是由于以“硼”為主要參雜元素的P型硅片會出現(xiàn)硼氧復合體，降低電池少子壽命，產(chǎn)生光致衰減的困擾。而HIT電池的N型硅片以“磷”為主要參雜元素，不存在硼氧復合因子，根除了初始光衰的可能性，衰減速度非常慢。根據(jù)松下HIT組件戶外衰減數(shù)據(jù)顯示，HIT電池10年衰減小于3%，25年發(fā)電量的下降僅為8%。6) 制備工藝流程相對于其他光伏電池大為簡化，只有制絨清洗、非晶硅薄膜的沉積制備、TCO薄膜的沉積制備以及電極的制備(通常使用絲網(wǎng)印刷)四個步驟°HIT電池比傳統(tǒng)光伏電池少了擴散和刻蝕2個步驟，比當前最流行的PERCH藝少了

15、4個步驟。而TOPcon電池則還需在PERC電池上增加4步，工藝更多。圖13：HIT、TOPCon、PERC主要電池參數(shù)對比HITPEKCN型吐片P空呈片U型環(huán)片工L,歌哥丁藝曲鳳v?Q0C羽畦電也，S.-Lt缶逹電總，離區(qū)工藝丸電曲程詠豐A倉亠加誠總亦23勺；#界目阿雖昂可追?&.如HIT荀1帕招夸憎W盤】i亍堵-申血世聲就率：nivn?stA：22疵弋一藥蒂品PERL-0.WVC-0.陽皤弋B550fc配伸ft城無楚袁減(LID).電仕謝找屣減(PID)弒耳壯失耒孔(LL7ID)出山曽半益応史阿.瞄，10年氐劊命臨左京補農(nóng)PIEL孤舊。希城：督年知晦，箭年巨敗=1州狡S腮上占足改袁

16、減(110)、電電瀟域i<(FIQ)開禮死眛耗減ILETID)枷請澤袁城丸薊匚帝鉛100寥；亂舉孔商時;氏纖較商1?期；匣牟罰虬報低2HIT電池降本提效進行中，市場空間潛力大HIT需要高昂的生產(chǎn)原材料和設備投入成為了制約其快速發(fā)展的重要因素之一。未來，降低成本、增加效率成為HIT電池行業(yè)的主要發(fā)展方向。圖14：HIT電池降本提效路線誹：厲就廉蔵裁LIccm忙麻CVDCVD一FVD羌站誼孤的直廣化奄奮也祖優(yōu)也；尺盧嘆強紅円申武址b無菲.$XAi'.SRanwire吐片丸薄;|WJ-1阿目需的屯曲I術(shù)笳就扭屯妙張#r嶇.從生產(chǎn)原材料構(gòu)成角度來說，截止至2018年底，HIT電池生產(chǎn)成本

17、約為1.22元/W,其中硅片成本和漿料成本占比最高，分別為47.13%和24.34%。圖15：HIT電池成本構(gòu)成（單位：元）為了實現(xiàn)降本的目標，HIT電池生產(chǎn)企業(yè)主要可以從1）降低硅片厚度、減少硅使用量；2）控制銀漿消耗量、實現(xiàn)低溫銀漿國產(chǎn)化和本土化；3）提高設備單產(chǎn)效率和規(guī)?；?；4）生產(chǎn)設備從進口為主轉(zhuǎn)向依靠國產(chǎn)自足等途徑實現(xiàn)。目前設備折舊約占電池成本的15%，未來有望通過設備國產(chǎn)化和設備效率的提升，將設備折舊降低到7-8%。圖16：HIT電池成本下降實現(xiàn)方法預計到202M-HITA軋醤豬爲少呻心¥從材料角度出發(fā)：1）降低硅片厚度，減少硅原材料的使用量是控制成本的有效途徑°

18、;HIT電池采用較低溫度（240°C）的加工技術(shù)，能夠確保N型單晶硅片在薄片化后不會影響到硅片的電性能，仍保持較高的發(fā)電效率。相比之下，P-PERC加熱溫度高達800-900C，如果降低P型硅片厚度，容易出現(xiàn)翹邊問題；此外，由于P-PERC背部的鋁背場溫度系數(shù)和硅片溫度系數(shù)存在差異，過薄的P型硅片容易出現(xiàn)隱裂。所以，相比之下，HIT可以在保證電池效率的同時，降低N型硅片的厚度，節(jié)約硅原料成本。目前HIT硅片厚度為180um，隨著技術(shù)的不斷提升，有望降低到100um。2）HIT低溫銀漿消耗量有望減少，國產(chǎn)自足成為控本新突破。HIT電池正面電極通常在200度的低溫狀態(tài)下燒結(jié)，因此必須使用

19、低溫電極漿料。而相較于高溫燒結(jié)型銀漿料，低溫銀漿生產(chǎn)工藝要求更高，且運輸過程必須采用冷鏈物流，采購成本價格更高，大約是普通銀漿的1.1-1.2倍。隨著無主柵電池和組件封裝技術(shù)的推廣和應用，HIT的低溫銀漿消耗量有望降低2/3。根據(jù)目前的方案，HIT電池片的正反面共需低溫銀漿280-300mg/片，合計成本1.8元/片；梅耶博格最新推出SmartWire智能網(wǎng)柵連接技術(shù)，正反面銀漿用量將降低到90-100mg/片，成本將大幅降至0.6元/片。此外，與過往只能依靠價格高昂的進口漿料不同，如果低溫銀漿實現(xiàn)了國產(chǎn)自足，成本將會下降到與傳統(tǒng)P型電池常規(guī)銀漿同一水平線上。截止目前，低溫銀漿國產(chǎn)化以及本地化

20、進程不斷加快，中國企業(yè)紛紛布局，現(xiàn)已有中國的合資企業(yè)、民企具備了生產(chǎn)低溫銀漿的能力。圖17：低溫銀漿國產(chǎn)化+用量減少是大勢所趨從工序設備角度來看，相較于PERC的8道工序，HIT雖然只有4步工藝，但是需要在高真空設備中進行，技術(shù)難度系數(shù)非常高，比肩半導體生產(chǎn)要求。例如，CVD設備對于鍍膜厚度要求非常嚴苛（10nm層），PVD設備要求確保高真空環(huán)境，制絨表面不能存在金屬離子，清洗技術(shù)要求更高。因此，HIT生產(chǎn)制造環(huán)節(jié)的成本也隨著更加高級的技術(shù)設備規(guī)格而增加。目前，控制設備投資成本主要依靠規(guī)?；蛧a(chǎn)化兩種途徑。3）提高單機產(chǎn)能效率，實現(xiàn)規(guī)模化生產(chǎn)。HIT電池生產(chǎn)線包括制絨、PECVD、PVD、印

21、刷四道工藝，其中第一、三、四道工藝基本上已經(jīng)達到每臺200MW的產(chǎn)能，約合6000片電池。但是第二道工藝PECVD目前只能實現(xiàn)每臺100MW（約合3000片）的產(chǎn)能。如果要充分發(fā)揮產(chǎn)線所有設備的生產(chǎn)能力，就必須突破PECVD單機產(chǎn)能低的瓶頸，從而實現(xiàn)生產(chǎn)的規(guī)?；?，降低單位產(chǎn)能的投資成本。正如VonArdenne新推出的PVD設備價格提高了12.5%,但是產(chǎn)能提升了56.3%，單位投資額降低了26.4%,PECVD作為HIT工藝中價值量占比最高的設備，其產(chǎn)能的提升有望為投資成本的降低帶來更大彈性。4）設備國產(chǎn)化有利于降低成本。HIT生產(chǎn)設備目前仍主要依靠國外進口，整線設備投資高達10億元/GW左

22、右。如果將工藝材料（靶材、低溫銀漿等）轉(zhuǎn)為依靠國內(nèi)生產(chǎn)的情況下，HIT國產(chǎn)設備的整線投資額能夠降低到5-6億元/GW，這將會推動國內(nèi)電池片廠商積極進入HIT設備國產(chǎn)化進程中，降低HIT生產(chǎn)設備成本，實現(xiàn)產(chǎn)能規(guī)模化。目前捷佳偉創(chuàng)、理想、邁為、均石紛紛在HIT的不同工序布局。但HIT國產(chǎn)設備相較于PERC2-3億元/GW的設備投資額，成本仍然非常高。我們預測，隨著HIT設備投資額能降至5億元/GW以下的水平，憑借HIT電池穩(wěn)定產(chǎn)出、良率高的優(yōu)質(zhì)性能，有望對PERC產(chǎn)線實現(xiàn)大規(guī)模替代，HIT電池的市場空間非常大。3HIT技術(shù)路線設備數(shù)量少但難度高，鍍膜設備是核心設備3.1.HIT電池制備工藝較PER

23、C顯著減少，鍍膜設備地位提升HIT電池的生產(chǎn)工藝相對簡單，只需要4大類設備：分別是制絨清洗設備（投資占比10%）、非晶硅沉積設備（投資占比50%）、透明導電薄膜設備（投資占比25%）和印刷設備（投資占比15%）。相比于PERC電池少了擴散、激光和刻蝕步驟。但是這四步工藝的難度相對較大，而且HIT生產(chǎn)設備和PERC電池生產(chǎn)所需的設備的工藝重合度較小。通過下圖，我們可以更直觀的看到目前主要三類電池制備工藝的對比。主流的PREC工藝需要8道工藝，TOPCON電池需要10道工藝，而HIT電池只需要4道工藝。這不僅減少了生產(chǎn)時所需設備的數(shù)量，還可以降低電池的不良率、人工成本和維護成本。圖18：HIT工藝

24、步驟最少，只有4步tt耶riUFdNTH£RAEL曙玖誨衍靑圭怦投SiGUiri甘鮭mAmpuceIlli高耐徵弼間在HITDD-I卻!fit1Reul尬的IFar-il,331.1I-5l和mdk1口治山|也卜.春iiTpwJ'-rHirHHdIU1I!*«：«IMSLJni1-曲町心陽tMI.cr14-u.ifS5:S0%l<g<s<E0Hlfrf-r悅jSI-N4釋耶毗匕半皿1JSO-lSffllV.1Iriuu!1En-TiDUTEiiil»®-：wr-c洋xwimm卻曲：a-Wnjin其中，第一步和第四步設備

25、，制絨清洗設備和絲網(wǎng)印刷設備，國內(nèi)的捷佳偉創(chuàng)和邁為股份已經(jīng)可以進行國產(chǎn)替代。而最關(guān)鍵的鍍膜設備，PVD和CVD,則很大程度上依賴于進口設備廠商，如梅耶博格、Singulus。優(yōu)秀的國內(nèi)廠商，如邁為股份、捷佳偉創(chuàng)和理想能源已經(jīng)開始了鍍膜設備的研制開發(fā)且小批量出貨，關(guān)鍵的CVD設備也開始進入主流電池片廠商的產(chǎn)品認證過程中。圖19：HIT4類設備的廠商布局TOHCON工序數(shù):料步窕©步靈PEKCHIT步驟©圖20：精曜科技整線圖在TCO鍍膜環(huán)節(jié)使用RPD圖21:梅耶博格整線圖在TCO環(huán)節(jié)使用PVD,其余和精曜科技布局一樣（1）制絨清洗設備主要是利用化學制劑對硅片進行清洗和表面結(jié)構(gòu)

26、化。該工藝涉及到的設備是濕式化學清洗設備，雖然HIT電池和PERC電池的制絨清洗設備功能相近，但是比PREC電池要求更高。此外，這個環(huán)節(jié)中絨面質(zhì)量和化學試劑密切相關(guān)，制絨液中的乙醇或異丙醇、NaOH、硅酸納三者濃度比例決定著溶液的腐蝕速率和角錐體形成情況。主要廠商有日本YAC、Singulus和捷佳偉創(chuàng)。（2）非晶硅沉積設備主要用CVD（化學沉積）的方式來鍍本征非晶硅層、P型非晶硅層、N型非晶硅層，該步驟取代了傳統(tǒng)PERCH藝中的擴散工藝，是構(gòu)造異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵，難度較高。主要設備包括PECVD、Cat-CVD等，相比于平面鍍膜工藝的PECVD具備自動化設備用量少、鍍膜均勻、生產(chǎn)節(jié)奏快等明顯優(yōu)

27、點，縱向?qū)盈B式工藝的CAT-CVD設備雖然的薄膜質(zhì)量高、系統(tǒng)簡單，但是對自動化要求高，且設備復雜成本高，不容易做大規(guī)模。在供應商方面，主要以進口設備為主。PECVD的供應商有MeyerBurger（梅耶博格）、AMAT（應用材料）等，國內(nèi)邁為股份和理想能源也研發(fā)了PECVD設備；CAT-CVD的供應商有ULVAC（日本真空）和捷佳偉創(chuàng)（和日本真空合作）。（3）透明導電薄膜設備主要設備有RPD和PVD，目前主流技術(shù)路線是用PVD（物理氣相沉淀）的方式制備前后表面的TCO膜。相較于PVD，RPD的效率和質(zhì)量更高，但是受制于日本住友公司對設備和靶材的壟斷，有著成本高等缺點。RPD的設備供應商有Sum

28、itomo（日本住友,專利所有者）和捷佳偉創(chuàng)（獲得專利授權(quán)）；PVD的設備供應商有MeyerBurger（梅耶博格）、VonArdenne（馮阿登納）、Singulus等。（4）印刷設備主要是在硅片的兩面制造精細的電路，將電極金屬化。有絲網(wǎng)印刷（包括絲網(wǎng)印刷機，燒結(jié)爐，分選機）和電鍍銅電極兩種技術(shù)路線。相較于絲網(wǎng)印刷，電鍍銅電極更便宜，但是也有工序較多、工藝復雜、廢水處理等問題，而且電鍍銅電極的環(huán)評存在風險。電鍍銅電極工藝不是主流，供應商只有鈞石能源一家。絲網(wǎng)印刷設備主要供應商有Baccini（AMAT的子公司）、邁為股份、捷佳偉創(chuàng)，其中以絲網(wǎng)印刷機起家的邁為股份具備較為明顯的優(yōu)勢。圖22：H

29、IT電池生產(chǎn)工藝簡單，只需要4大類設備HIT路線的大規(guī)模應用受限于成本，我們認為設備是降本增效的關(guān)鍵。HIT降成本主要體現(xiàn)在設備、銀漿、靶材、N型硅片四個環(huán)節(jié)，目前這些環(huán)節(jié)均有不同程度的下降。在這四個環(huán)節(jié)中，我們認為設備是降本增效的關(guān)鍵：以前HIT的設備投資是10億/GW,隨著梅耶博格、邁為股份、捷佳偉創(chuàng)等公司的介入，我們預計到2019年年底設備成本很快會降到6億/GW以下，但跟PERC電池2.5億/GW的投資還有一定差距。非晶硅沉淀環(huán)節(jié)仍面臨100MW的產(chǎn)能瓶頸。目前對外資公司而言（梅耶博格等），250MW產(chǎn)能的產(chǎn)線是最經(jīng)濟的，價格為2-2.5億元。在HIT的四道工藝里，其他三道工藝都可以達

30、到250MW的產(chǎn)能。只有第二道工藝，非晶硅沉淀，仍然面臨100MW的產(chǎn)能瓶頸。就國內(nèi)廠商而言，邁為現(xiàn)在可以做出價格在1.5億元的250MW的產(chǎn)線。其整條線都由一臺套設備完成，即為1臺清洗制絨設備，1套PECVD設備（1臺做P型非晶硅沉積，一臺做N型非晶硅沉積），1臺PVD和1臺絲網(wǎng)印刷機。表1：邁為股份報價最低，為5-6億/GW廠商梅耶博幡料石能源我佳偉創(chuàng)邃為鷹份供舷產(chǎn)線REC山壩裊團適戎疵挪通威合肥沒春投諭單價1億心'GW'5-10107-B5-6整條線忻拮（憶元J2.52.51.51.5單找產(chǎn)能<MW）100250250250圖23：目前各個設備公司在HIT各個環(huán)節(jié)的

31、布局情況（部分為已經(jīng)供應，部分為正在布局）壞節(jié)巴布為矗司制帕frifML自冊裂:撓專占兄1M劊魏諭洗諄備IALSiiigiiluRgfUv黃哇件創(chuàng)PECVDMe'erlluriorH站郎件榕、,5訃刊5$,理蚪能皈，邁肖股鞘.鐘石忙理ca'I'-lvIj防北1.口*直空就徒偉創(chuàng)PVDVofitrdrnrirt闿背登訥】-yl'rpurseri梅耶噢韓j.$ln£Lili4rcc帝缶克R.PIISum1Wm3札住止）Afi：her<I嗎唯共技）、雄建仟空埜沁;印沖，：n；i廟.'偲斛亍心Ji,蚯拘3.2. 制絨清洗設備：YAC具有絕對的競爭

32、力HIT的制絨清洗工藝涉及到的設備是化學清洗設備，主要是利用強腐蝕性的化學制劑對硅片進行清洗和表面結(jié)構(gòu)化，從而在表面制得金字塔狀的突起。制得的絨面結(jié)構(gòu)增加了入射光在硅片表面反射和折射的次數(shù)，增加了光的吸收，有助于提高電池的性能。目前，制絨清洗設備已可以進行國產(chǎn)設備替代。主要廠商有，捷佳偉創(chuàng)、日本YAC和Singulus。其中YAC的制絨清洗設備有非常強的競爭力。首先，YAC的制絨清洗設備可以在較寬的Si濃度下（0%-4%）進行穩(wěn)定的制絨（2-lOum）。與其他產(chǎn)品相比，YAC的制絨劑TK81有著粘度低，易于制備和供應等優(yōu)點。這樣制絨劑的腐蝕反應速率不會很快，硅片表面金字塔結(jié)構(gòu)更加均勻，對光的吸

33、收更好。此外，高純度的化學試劑也幫助YAC制作出質(zhì)量更高的絨面，因為清洗雜質(zhì)的效果會影響后續(xù)工藝的制備效果。因為HIT電池制備是在低溫下完成的，無法通過后續(xù)的高溫工藝除去雜質(zhì)。所以如果在制絨清洗環(huán)節(jié)中，如果沒有把雜質(zhì)清洗干凈，這將對后續(xù)工藝造成很大的影響。圖24：制絨清洗設備對比LTp；HjrPhjfaEwfi1帥tHW矚暹鬱的輒g如/"止垃沿2梟擔能.社*：寂址豐.札4#奇耳WIP*_-.j“t,$th.電LWftiiENMitJlca：HmiNl二53(54弋壬*E刪F,LP-¥ur-i-lib',(.ifc：r£3注電花：:？*肚心工芯梅連作也SC-

34、C5ZT-T0DE.-2J1F-刊誦<f.i）氓CDHFf/h心丫肥.guRF忙和暫W-?'m濃-畫些A怕協(xié)X.屋*奴晉呂血幸右X卷電竝尊忙昜求孕圄訝斗'.'艮晟刃広-吠II.t冷n片斶卜耳十特令a,>«時+iJt.4山|胡m-¥M：.5店護.怦41f4l1.EH4aiECTeCfiOHn.hT«<JtE誤JI喪疝尿應聲圭戶事昵時1書切F呱出土忙比龍扌"睪轉(zhuǎn)召比袪刖此4is4耳盍井險血宴M匚*玨耳時椅耳.駁丸釘理甚mE蘭/<<:-世吐和吐護序密他工占低溫工藝導致HIT比PREC電池對清潔的要求更高。在

35、常規(guī)PERC電池生產(chǎn)過程中，由小金屬顆粒引起的任何污染都可以通過后續(xù)高溫工藝吸雜，從而去除這些雜質(zhì)的影響。而HIT由于生產(chǎn)工藝在低溫下完成，故在硅片制絨之后，需要進行若干特定的表面清潔步驟以去除有機物和金屬雜質(zhì)，因為硅片表面的潔凈程度是決定后續(xù)HIT電池沉積效果以及最終的鈍化效果的關(guān)鍵因素。日本設備商在采購化學制劑方面有顯著優(yōu)勢。圖25:在制絨清洗環(huán)節(jié)，HIT比PERC多了制絨前后的氧化清洗環(huán)節(jié)因此，這個環(huán)節(jié)中硅片的質(zhì)量和化學試劑密切相關(guān)，制絨液中的乙醇或異丙醇、NaOH、硅酸納三者濃度比例決定著溶液的腐蝕速率和角錐體形成情況。但是目前HIT電池制絨添加劑成本還是較高，主要原因還是在于依靠從日

36、本進口添加劑，因此YAC作為日本公司具備天然的優(yōu)勢。但添加劑本身的成本非常低，目前國內(nèi)相關(guān)廠家也在研究制絨添加劑并已有所突破，所以相信這部分成本會很快降下來。3.3. CVD鍍膜設備：占整線投資額比例最高的核心設備第二步非晶硅薄膜沉積為核心工藝，需要CVD鍍膜設備來完成。該工藝涉及本征和摻雜非晶硅薄膜的多層堆疊，并在納米尺度上對其進行控制。因為p-n異質(zhì)結(jié)是在n型晶硅襯底表面形成，并且沉積層決定鈍化的效果，因此這一步驟是決定HIT電池性能好壞的關(guān)鍵。CVD鍍膜設備占整線設備投資額的50%,最為關(guān)鍵。在國產(chǎn)化的背景之下，如果按照1GW=4條線計算，每條線250MW需要1套PECVD鍍膜設備（即兩

37、臺設備，一臺鍍正面P型非晶硅膜，一臺鍍背面n型非晶硅膜，鍍p膜和n膜之前兩臺設備分別鍍兩面的本征非晶硅膜），我們預估單臺設備的投資額是2500-3000萬元，因此每條線所需的PECVD鍍膜設備投資額為5000-6000萬元，貝91GW對應的該設備投資額約為3000*2*4=2.4億元，在HIT電池生產(chǎn)過程中投資額最高，也最為關(guān)鍵。CVD設備中，PECVD是主流，具備自動化設備用量少、鍍膜均勻、生產(chǎn)節(jié)奏快等明顯優(yōu)點。PECVD設備的供應商包括瑞士的MeyerBurger、瑞士的INDEOtec、中國臺灣的精耀科技、中國理想能源公司和中國邁為股份。1）MeyerBurger的PECVD設備HELi

38、APECVD，采用直接RF等離子體平行板反應器設計，已獲得專利認證，并大規(guī)模用于生產(chǎn)。公司專門為其開發(fā)了S-Cube等離子體技術(shù)，盒中盒式的設計有助于實現(xiàn)極低的污染和均勻的沉積。該設備支持每小時2400片硅片的生產(chǎn)量，在區(qū)熔單晶硅片（FZ）型上已經(jīng)實現(xiàn)了超過10ms的有效少子壽命，在直拉硅片（CZ）上實現(xiàn)了超過2ms的有效少子壽命。2）臺灣精耀科技已經(jīng)開發(fā)了基于平行線等離子體的PECVD設備，并已申請專利授權(quán)。該技術(shù)能提供均勻的薄膜沉積和清潔處理環(huán)境，將有效減少污染。該設備每小時的額定生產(chǎn)量為2520片硅片。目前晉能和臺灣NSP等光伏制造商正在使用其生產(chǎn)的PECVD設備。3）瑞士INDEOte

39、c公司的核心技術(shù)可在沉積過程中避免破壞真空，有效解決了污染本征非晶硅薄膜的問題。HIT電池生產(chǎn)過程中需要沉積本征非晶硅膜和摻雜非晶硅薄膜，當在同一腔室中進行沉積時，存在來自先前沉積步驟的摻雜劑污染本征非晶硅薄膜的風險。瑞士INDEOtec公司開發(fā)了抗交叉污染處理（ACCT）特殊技術(shù)，盡管該技術(shù)能有效降低污染風險，但是也存在降低效率的局限性：基于n型單晶硅片標準工藝流程的無主柵HIT電池效率為23.14%，而此方法的效率為23.04%。4）鈞石能源也已進入HIT電池生產(chǎn)設備領(lǐng)域，憑借其薄膜光伏設備的背景以及建立600MW硅片廠中所獲得的經(jīng)驗，開始為HIT電池提供包括PECVD在內(nèi)的關(guān)鍵沉積設備，

40、該設備在托盤內(nèi)可實現(xiàn)+/-5°C的溫度均勻性，每小時額定生產(chǎn)量為3,000片硅片，正常運行時間達到90%。5）Singulus公司正處于開發(fā)PECVD技術(shù)的初始階段。6）理想能源公司的沉積系統(tǒng)正在被漢能使用。7）邁為僅需驗證CVD設備，即可在HIT整線領(lǐng)域取得突破性成績。邁為的一套PECVD設備僅需2臺（一臺i和P層（正面），一臺i和N層（背面），和其它設備供應商相比在非晶硅薄膜沉積環(huán)節(jié)所需設備數(shù)量較少，2臺設備產(chǎn)能互相匹配，每小時的生產(chǎn)量為6000片硅片。公司的清洗制絨和PVD設備分別采購自日本和德國，印刷使用自主研發(fā)的設備，因此，未來只需驗證PECVD設備的穩(wěn)定性和可靠性，邁為的

41、整線設備即可在HIT設備領(lǐng)域具備顯著的領(lǐng)先優(yōu)勢。圖26：PECVD鍍膜設備對比EzidvilGEirOCTOftjS('n:TTI.比械心葩求PECVIIMlrrnrrt勒則強狛農(nóng)誠8我克代覽克抽亡樂用怖件此下.E兀實W即靭吐扎菲國M電他礙tw址占.忖兄包存4：*既&*第El如社.INLtnlnob(tut-L-5)S-JnuEuiUMBKMLS耳GFJ|£龍宅12.乞耳嚇i-r!-3O.4<耳冬屯：土龜¥址赴車已曲*din-舊；出雋知iiimr臺齊嶺曲氐無樋甜博件44fl汁.fr+<n*£ir：.<.（；wKA，-間時£

42、;J-嗎壯sh"M-帶*mil電海*椰;1,?“iiA遼記蘭T-<-rl鼻出已電詫環(huán)：*.wMistingarK£i4il也蟲匸*艮円；澤*杲7創(chuàng)1ZI?1*(fl/#)4+USJDTBuggerHELiA壬注AiMikL.i硒i*頰iCj!JJ99二靈城奄坳卻.出鼻丸；Eif釣飩匕&"fT：.*/VT+.-，：忙町Jt!l£：.“<匕二.；".*Itr.4>iilF3?i<ff.-:i<S.£-S<X.+匕疋甲，一工J.,-r-7fv'i-'ir/d3；f-:rii4-f.

43、tr*X.tt!UI-XN041玄妁河£少遂川*咒Z圖27：理想公司PECVD設備布局腔室結(jié)構(gòu)雖蜃體55ESi*上=嗎霍E?託哩.唱悴丁吃不凰嚴"J哪miTEJ3RW.±冃1£尸孫修mm氣嚇加I弘.砂曜ZH：>1REkMjniBmiiJtHaMfl理畑公司的腔室結(jié)構(gòu)auKa*th*<TTrici-phciTf5：5»W?Q3IkIMTF卿Irt滬3.4. TCO鍍膜環(huán)節(jié)：PVDvsRPD路線之爭,現(xiàn)階段更看好PVD制備方式第三步TCO膜沉積通常應用濺射的方法在PVD設備中完成。制備TCO薄膜也是HIT電池生產(chǎn)工藝中非常重要的一步，須

44、注意保持電池背面的非晶硅薄膜的鈍化特性。TCO薄膜的質(zhì)量將影響橫向電荷收集。此外，TCO的透明度和電阻率也非常重要。TCO鍍膜環(huán)節(jié)可采用PVD和RPD兩種沉積方式。VonArdenne,MeyerBurger，Singulus和鈞石能源是領(lǐng)先的PVD設備供應商。INDEOtec公司的Octopusll沉積系統(tǒng)也可以實現(xiàn)TCO薄膜的沉積。目前精曜科技和日本住友正在推廣反應等離子體沉積(RPD)制備方式，后者的RPD設備獲得專利授權(quán)。目前捷佳偉創(chuàng)已獲得住友重工(中國大陸地區(qū))授權(quán)研發(fā)制造RPD設備。RPD制備與PVD制備相比，屬于HIT電池生產(chǎn)TCO膜的跨越性升級技術(shù)，其可幫助HIT拉大與PERC

45、和Topcon等技術(shù)的效率差距，保持HIT電池在效率上的絕對領(lǐng)先性。圖28：TCO鍍膜環(huán)節(jié)設備對比，日本住友、精耀科技正在推廣RPD設備雀蠱鼻池甘豪書片A<<fl/MgSIdhiJufAldenn?詁也比lm孔“£弭蜻*砒棲fji夬<?nBrftH方會譏倉-fir/ftF.f葉斟工乞血UHHt韭檢-；礙辻址箱扎Ch4上礙H44H*1T1膜該翼血#L豈是詁需趙舉甫姑*陽機屯較屆TJT燭七觀酣加鼻后和*葛后芯忙島卓l|的*甘.*.丄剛54它屮屯墓占；出顯哥艸.包£覽.養(yǎng)矗電念巴第嶺對»ii-AsbS-Hrd卄乂肩.町配暮址普如暗t=±H嗎謝

46、町濟5乎電弓兀世亶翕什工段長迥M上丄它帆*t弗卅軌RF-35反丘孔菲姜弓ARCH?LSL：|買扯專酗!SttUA配I比怙口I+坨五4*_tf:LMAUni.3LALIPlotIfPlloitUMT馭切匕】.巧;2£Q0XEI.TUI7Arl臺嬪匚出輒巧那卉劇Is出円DiRSr站眾Pi】。諱尢曲臬才內(nèi)舉M環(huán)桃刊蚩-+«>.左啟*0*電車遇IU-fl:丘加m.'匚邑屮電*衛(wèi)晦卻龍、直出翼卄彷It:;孑藝兀.豈勺JL：弓總.ftSy.于盒H壬.區(qū)農(nóng)虬喪事礙壬和亠士業(yè)河h,曲護即E逢驊艙常樂.可!*峪典烈氐記雀辺葉m,jHr?：巧瓷準冉扌H社肖；忌母卻箱甲芍緒鼻咔應J

47、_a,時.Ft為j：0HA;部臟監(jiān)苣牝朮F圧電配桿康眞如甩匕井.gnN.也遇唯站0N心闔苦片耳舜厚矍斗耳曰hA也獰r-p-jsrm也性如UEKE1CS1AB££0倍f¥DMflU奩紀USFVDdttd（I:lift工讀蠶討辺料屯匕只杠卄矣聞船:一提悍壬2也岌牡盯特邑的置躍卄£41*典RPD制備存在如下優(yōu)點：（1）電性能方面，RPD設備效率更高。根據(jù)2018年某國內(nèi)客戶量產(chǎn)數(shù)據(jù)統(tǒng)計，排除設備異常等特殊情況，RPD設備較PVD設備提升約0.4%的絕對值效率；（2）RPD設備量產(chǎn)穩(wěn)定。精曜科技的RPD設備量產(chǎn)率穩(wěn)定在98%以上，平均98.5%以上；（3）電池效

48、率方面，RPD設備（23%）高于PVD設備（22.5%）；（4）組件成本方面，RPD設備（2.13元/W）低于PVD設備（2.18元/W）；（5）毛利率方面，RPD設備（17.64%）高于PVD設備（12.68%）；（6）其它優(yōu)點：RPD設備工藝溫度較低，而在Sputtering制備下，工藝溫度約在150度以上；沉積速率較快；對非晶硅轟擊弱；薄膜結(jié)晶度高，粗糙率低；薄膜透過率高，電阻率低，低自由載子吸收確保有高的長波和長穿透率；低離子轟擊，RPD制備下，離子轟擊能量小于30eV，遠低于PVD，有效確保非晶硅層與TCO接口的高質(zhì)量；優(yōu)異的結(jié)晶特性；優(yōu)異的短路電流，RPD設備工作電壓在15-20V

49、左右；RPD設備改善空間大，可進一步提高產(chǎn)能，降低生產(chǎn)成本。表2：PVD和RPD相關(guān)參數(shù)對比工藝規(guī)覽i5rc以上常溫優(yōu)于PVDU.輜左右電池效串22t：sm23.臨紐件成木（JL/wj2,131.13組件功事iv317324低高12+那17*4%電也產(chǎn)能（MV）91,86IG0組仲產(chǎn)能【MW）K9397圖29：RPD與PVD比較RPD與PVD的比較1106詐娜£Us«oalEKlal«MVlIMSStKV)RPD'J腐w 吋口 HFBTSfr4IlfcihHfTHifrinortfyCJirWr0m髯列c<nJRPD制備同樣存在顯著的缺點：（1）受制

50、于日本住友專利技術(shù)，核心部件依賴進口,設備價格較高。RPD設備鍍膜需要鍍正反兩面的膜，原來的純進口設備鍍一面需要270萬美元，一條線需要2臺設備，捷佳偉創(chuàng)RPD設備獲得住友授權(quán)國產(chǎn)化后，鍍單面的價格為1500萬元，價格降低，但依然高于PVD設備；（2）市場空間小，產(chǎn)能優(yōu)勢無法充分發(fā)揮。盡管RPD制備較PVD產(chǎn)能大，但目前RPD設備的耗材、零件供應商較少，且設備供應商單一，無法形成有效競爭，因此產(chǎn)能優(yōu)勢無法得到充分發(fā)揮。（3）所需設備較多。RPD制備下需要兩臺設備才能完成TCO沉積工藝，PVD制備下僅需一臺設備。短期，我們更看好PVD制備方式在HIT電池規(guī)模化生產(chǎn)過程中的應用。盡管RPD制備下生

51、產(chǎn)的HIT電池質(zhì)量更好，但PVD設備在產(chǎn)能（RPD的2倍，可以做到6000片每小時）、價格（二分之一左右）、設備穩(wěn)定、市場空間大等方面更具優(yōu)勢。因此，就目前來看，RPD設備的質(zhì)量優(yōu)勢不足以彌補其在上述方面的劣勢，因此我們更看好PVD設備。但國內(nèi)的PVD設備較國外存在較大差距，德國的馮阿登納公司優(yōu)勢明顯，2019年已經(jīng)推出了8000片每小時的最新產(chǎn)品。下圖將鍍膜設備大體劃分為5部分，其中高附加值的部分大都依賴進口。表3：HIT鍍膜設備大體分為5部分，附加值高的產(chǎn)品大都依賴進口it膜設備神嵐址備摘述.1冃空形成寶統(tǒng)2 總射肝牝汽枳系純3 兀枳壞覽左屯系汽4監(jiān)理盍紀檸傳動機構(gòu)闔內(nèi)技術(shù)力呈較低

52、6;辱管凹內(nèi)有怨力制作熱嵌炭糸毀、但普遽讖用的也于檜幕城盂年依惓依額進口“乩空計相毛似孫掰儀思程城英囚*臭國.德國*可義壟斷.韭變義純吹決定T坡膜迂備的旗.£產(chǎn)尢拄累疣的可弄桂較是漑范.牡按搞統(tǒng)方面.一耗由昊國金司生產(chǎn)+至少國嚴的主妾聖件（就光歸和光功4計依熬需要從美團進口嶄度.近吃年掏內(nèi)已經(jīng)扯入愛產(chǎn)"我們認為PVD設備無法國產(chǎn)化的根本原因在于技術(shù)人員整合不足。技術(shù)人員很難同時兼顧自動化設計、鍍膜和制造三方面，因此我們認為這是PVD設備國產(chǎn)化的關(guān)鍵突破點之一，設備的國產(chǎn)化也有利于降低HIT電池生產(chǎn)成本，進而推動其加快產(chǎn)業(yè)化進程。3.5. 電極金屬化環(huán)節(jié)：絲網(wǎng)印刷vs電鍍，絲

53、網(wǎng)印刷更優(yōu)且降本空間大絲網(wǎng)印刷和電鍍銅是HIT金屬化的主要方法。由于HIT電池結(jié)構(gòu)與常規(guī)電池完全不同，因此HIT的金屬化工藝也不同。HIT電池采用非晶硅薄膜，將工藝溫度限制在200°C至220。C的低溫環(huán)境下，而其它電池通常在約800°C的較高溫度下進行燒結(jié)，所以金屬化的主流技術(shù)路線絲網(wǎng)印刷通常使用可在低溫下固化的特殊銀漿。銀漿的使用有一定的局限性，如加工時間長和電阻較高，后者導致只有在銀漿沉積量較高的情況下，才能使導電率保持在相同水平，漿料成本也隨之增加。銀漿用量大成本高的缺點促進了替代金屬化方法的發(fā)展，例如電鍍。同時金屬化工藝的選擇與組件生產(chǎn)中的互連技術(shù)密切相關(guān)。因此，

54、在選擇HIT電池的表面金屬化技術(shù)時，必須認真考慮電池片互聯(lián)問題。絲網(wǎng)印刷是HIT電池金屬化的主要手段，目前在低溫固化銀漿領(lǐng)域取得進展。絲網(wǎng)印刷技術(shù)是光伏制造商普遍采用的工藝，但HIT電池使用的低溫銀漿為印刷增加了一定難度，主要不便之處在于低溫聚合物必須在-40°C下儲存，此外一旦打開容器，聚合物就開始反應，這意味著必須立刻使用漿料。目前HIT電池在低溫固化銀漿領(lǐng)域已經(jīng)取得了很大的進展，德國Heraeus和俄羅斯Monocrystal等漿料供應商可提供在室溫下存儲和加工的低溫固化漿料。我們認為HIT降本的關(guān)鍵在于降低設備成本和金屬化環(huán)節(jié)成本，后者的主要手段是絲網(wǎng)印刷，主要突破口在銀漿成

55、本。根據(jù)最新的調(diào)研成果，HIT電池中成本占比最大的是銀漿，為27%。絲網(wǎng)印刷的產(chǎn)能，以200MW為例，目前為5000片/小時（PERC為7000片/小時）。普通的HIT電池正反面的銀漿消耗量在280-300毫克，而低溫銀漿的價格在6000元/千克左右，由此我們估算每塊電池片銀漿的成本為1.8元。MeyerBurger的SmartWire智能網(wǎng)柵技術(shù)能有效降低絲網(wǎng)印刷成本。該技術(shù)去掉正反面5根主柵，剩下的細柵直接用金屬絲連接，正常情況下正反面細柵銀漿耗量為90-100毫克，則我們預計每塊電池片可節(jié)省的細柵銀漿成本（同樣以6000元/千克進行估算）為1.2元。同時去掉5根主柵，可將正反面印刷主柵的印刷頭從4個減至2個，這樣印刷頭的成本將降低200-300萬，而效率沒有太大區(qū)別。電鍍是可替代絲網(wǎng)印刷的一項技術(shù)。與絲網(wǎng)印刷相同，電鍍也需要進行特定的改進才能使其適用于HIT電池，主要原因系HIT電池表面存在導電的TCO薄膜。鈞石能源公司使用電鍍方式替代絲網(wǎng)印刷，與普通的印刷使用低溫銀漿對比，成本大幅下降。具體過程包括六步：PVD做銅種子層、邊緣刻蝕、正反覆蓋干掩膜、電鍍、去掩膜和反刻種子層。綜合來看，我們認為絲網(wǎng)印刷未來可實現(xiàn)降低銀漿成本的目標，較電鍍具備更強的競爭優(yōu)勢。電鍍的