集成電路工藝基礎(chǔ)——03_擴(kuò)散

1、電子科技大學(xué)中山學(xué)院Chap 3 擴(kuò)散v雜質(zhì)擴(kuò)散機(jī)構(gòu)雜質(zhì)擴(kuò)散機(jī)構(gòu)v擴(kuò)散方程擴(kuò)散方程v擴(kuò)散雜質(zhì)的分布擴(kuò)散雜質(zhì)的分布v擴(kuò)散工藝擴(kuò)散工藝電子科技大學(xué)中山學(xué)院雜質(zhì)摻雜v 摻雜：將需要的雜質(zhì)摻入特定的半導(dǎo)體區(qū)摻雜：將需要的雜質(zhì)摻入特定的半導(dǎo)體區(qū)域中，以達(dá)到域中，以達(dá)到改變半導(dǎo)體電學(xué)性質(zhì)改變半導(dǎo)體電學(xué)性質(zhì)，形成，形成PNPN結(jié)、電阻、歐姆接觸結(jié)、電阻、歐姆接觸 磷磷(P)(P)、砷、砷(As) N(As) N型硅型硅 硼硼(B) P(B) P型硅型硅v 摻雜工藝：擴(kuò)散、離子注入摻雜工藝：擴(kuò)散、離子注入電子科技大學(xué)中山學(xué)院擴(kuò)散電子科技大學(xué)中山學(xué)院擴(kuò)散v 70 70年代初期以前，雜質(zhì)摻雜主要通過年代初期以前，

2、雜質(zhì)摻雜主要通過高溫的擴(kuò)散高溫的擴(kuò)散實(shí)現(xiàn)。實(shí)現(xiàn)。v雜質(zhì)原子通過氣相源或氧化物源擴(kuò)散或淀積到硅雜質(zhì)原子通過氣相源或氧化物源擴(kuò)散或淀積到硅晶片的表面。晶片的表面。v雜質(zhì)濃度從表面到體內(nèi)單調(diào)下降雜質(zhì)濃度從表面到體內(nèi)單調(diào)下降v雜質(zhì)分布主要是由雜質(zhì)分布主要是由溫度和擴(kuò)散時(shí)間溫度和擴(kuò)散時(shí)間決定決定 可用于形成深結(jié)（可用于形成深結(jié)（deep junctiondeep junction），如），如CMOSCMOS中的中的雙阱（雙阱（twin welltwin well）電子科技大學(xué)中山學(xué)院離子注入電子科技大學(xué)中山學(xué)院離子注入v 從從7070年代初開始，摻雜的操作改由離子注入完成年代初開始，摻雜的操作改由離子注

3、入完成v 摻雜原子以離子束的形式注入半導(dǎo)體內(nèi)摻雜原子以離子束的形式注入半導(dǎo)體內(nèi)v雜質(zhì)濃度雜質(zhì)濃度在半導(dǎo)體內(nèi)有在半導(dǎo)體內(nèi)有峰值分布峰值分布v雜質(zhì)分布主要由雜質(zhì)分布主要由離子質(zhì)量和離子能量離子質(zhì)量和離子能量決定決定 用于形成淺結(jié)（用于形成淺結(jié)（shallow junctionshallow junction），如），如MOSFETMOSFET中中的漏極和源極的漏極和源極電子科技大學(xué)中山學(xué)院擴(kuò)散機(jī)構(gòu)v 間隙式擴(kuò)散間隙式擴(kuò)散 定義：雜質(zhì)離子位于晶格間隙定義：雜質(zhì)離子位于晶格間隙 雜質(zhì)：雜質(zhì)：NaNa、K K、FeFe、CuCu、Au Au 等元素等元素 勢能極大位置：相鄰的兩個(gè)間隙之間勢能極大位置：相

4、鄰的兩個(gè)間隙之間 勢壘高度勢壘高度WWi i：0.61.2eV0.61.2eV 間隙雜質(zhì)的振動(dòng)能在室溫時(shí)，只有間隙雜質(zhì)的振動(dòng)能在室溫時(shí)，只有0.026eV0.026eV；1200 1200 時(shí)為時(shí)為0.13eV0.13eV，因此間隙雜質(zhì)靠熱漲落越過勢壘，因此間隙雜質(zhì)靠熱漲落越過勢壘 跳躍率：跳躍率： P Pi i 依賴于溫度依賴于溫度kTWoiieP/電子科技大學(xué)中山學(xué)院擴(kuò)散機(jī)構(gòu)電子科技大學(xué)中山學(xué)院擴(kuò)散機(jī)構(gòu)v替位式擴(kuò)散替位式擴(kuò)散 定義：雜質(zhì)離子占據(jù)硅原子的位定義：雜質(zhì)離子占據(jù)硅原子的位 雜質(zhì)特點(diǎn)：雜質(zhì)特點(diǎn)：III III 、族元素族元素 相鄰晶格上出現(xiàn)空位才好進(jìn)行替位式擴(kuò)散相鄰晶格上出現(xiàn)空位才

5、好進(jìn)行替位式擴(kuò)散 勢能極大位置：間隙處勢能極大位置：間隙處 勢壘高度：勢壘高度：0.61.2eV0.61.2eV 跳躍率：跳躍率： 近鄰出現(xiàn)空位的幾率乘以跳入該空位的幾率，近鄰出現(xiàn)空位的幾率乘以跳入該空位的幾率，PvPv依賴于溫度依賴于溫度 間隙式擴(kuò)散系數(shù)要比替位式擴(kuò)散大間隙式擴(kuò)散系數(shù)要比替位式擴(kuò)散大6 67 7個(gè)數(shù)量級個(gè)數(shù)量級）（）（kTWkTWPvsov/exp/exp電子科技大學(xué)中山學(xué)院擴(kuò)散機(jī)構(gòu)電子科技大學(xué)中山學(xué)院菲克第一定律v擴(kuò)散是微觀粒子熱運(yùn)動(dòng)的統(tǒng)計(jì)結(jié)果，當(dāng)雜質(zhì)存在擴(kuò)散是微觀粒子熱運(yùn)動(dòng)的統(tǒng)計(jì)結(jié)果，當(dāng)雜質(zhì)存在濃度梯度濃度梯度時(shí)，出現(xiàn)宏觀的擴(kuò)散流。雜質(zhì)由高濃度時(shí)，出現(xiàn)宏觀的擴(kuò)散流。雜質(zhì)由

6、高濃度區(qū)向低濃度區(qū)移動(dòng)，直至濃度趨于均勻，擴(kuò)散流區(qū)向低濃度區(qū)移動(dòng)，直至濃度趨于均勻，擴(kuò)散流為零。實(shí)驗(yàn)表明：擴(kuò)散流的大小，正比于雜質(zhì)的為零。實(shí)驗(yàn)表明：擴(kuò)散流的大小，正比于雜質(zhì)的濃度梯度。濃度梯度。v菲克第一定律菲克第一定律: : 如果在一個(gè)有限的基體中存在雜質(zhì)濃度梯度，則雜質(zhì)如果在一個(gè)有限的基體中存在雜質(zhì)濃度梯度，則雜質(zhì)將會(huì)產(chǎn)生擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)，而且雜質(zhì)的擴(kuò)散方向使雜質(zhì)濃度將會(huì)產(chǎn)生擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)，而且雜質(zhì)的擴(kuò)散方向使雜質(zhì)濃度梯度變小。梯度變小。xtxCDJ),(電子科技大學(xué)中山學(xué)院oooaDkTEDD2)/exp(xtxCDJ),(擴(kuò)散系數(shù)v擴(kuò)散系數(shù)擴(kuò)散系數(shù)/ )(expkTWWPsVovxtxCPaaPta

7、xCaPtaxCtxJvvv),(), 2/(), 2/(),(2其中：其中：V0代表振動(dòng)頻率代表振動(dòng)頻率 Wv代表形成一個(gè)代表形成一個(gè)空位所需要的能量空位所需要的能量 Ws代表替位雜質(zhì)代表替位雜質(zhì)的勢壘高度的勢壘高度 E為擴(kuò)散激活能，對替為擴(kuò)散激活能，對替位式雜質(zhì)來說，一般為位式雜質(zhì)來說，一般為34eV電子科技大學(xué)中山學(xué)院擴(kuò)散方程v擴(kuò)散方程（菲克第二定律）擴(kuò)散方程（菲克第二定律）電子科技大學(xué)中山學(xué)院擴(kuò)散方程v 擴(kuò)散方程（菲克第二定律）擴(kuò)散方程（菲克第二定律） 經(jīng)過經(jīng)過t t時(shí)間，體積元內(nèi)的雜質(zhì)變化量為時(shí)間，體積元內(nèi)的雜質(zhì)變化量為 體積元內(nèi)雜質(zhì)的變化，是由于在體積元內(nèi)雜質(zhì)的變化，是由于在t t

8、時(shí)間內(nèi)，通過時(shí)間內(nèi)，通過x x處處和和x xx x處的兩個(gè)截面的流量差所造成處的兩個(gè)截面的流量差所造成tstxCttxCtsttxCtstxC),(),(),(),(tstxJtxxJtstxJtstxxJ),(),(),(),(電子科技大學(xué)中山學(xué)院擴(kuò)散方程v 擴(kuò)散方程（菲克第二定律）擴(kuò)散方程（菲克第二定律） 假定體積元內(nèi)的雜質(zhì)不產(chǎn)生也不消失，上面兩式應(yīng)該假定體積元內(nèi)的雜質(zhì)不產(chǎn)生也不消失，上面兩式應(yīng)該相等，得到相等，得到 假設(shè)擴(kuò)散系數(shù)假設(shè)擴(kuò)散系數(shù)DD為常數(shù)（低濃度正確），得到為常數(shù)（低濃度正確），得到),(),(xtxCDxttxC22),(),(xtxCDttxC電子科技大學(xué)中山學(xué)院恒定表面

9、源擴(kuò)散v 定義：在整個(gè)擴(kuò)散過程中，硅片表面的雜質(zhì)濃度定義：在整個(gè)擴(kuò)散過程中，硅片表面的雜質(zhì)濃度始終不變的擴(kuò)散始終不變的擴(kuò)散v 邊界條件和初始條件邊界條件和初始條件 C(0,t)=CC(0,t)=Cs s ； C(C( ,t)=0 ,t)=0； C(x ,0)=0, xC(x ,0)=0, x00v 恒定表面源擴(kuò)散的雜質(zhì)分布：恒定表面源擴(kuò)散的雜質(zhì)分布：)2()21 (),(DtxerfcCDtxerfCtxCssx0ydye21x1x2erferfc電子科技大學(xué)中山學(xué)院恒定表面源擴(kuò)散電子科技大學(xué)中山學(xué)院恒定表面源擴(kuò)散v雜質(zhì)分布形式特點(diǎn)雜質(zhì)分布形式特點(diǎn) 在表面濃度在表面濃度CsCs一定的情況下，一

10、定的情況下，擴(kuò)散時(shí)間越長，雜質(zhì)擴(kuò)擴(kuò)散時(shí)間越長，雜質(zhì)擴(kuò)散的就越深，擴(kuò)到硅內(nèi)的雜質(zhì)數(shù)量也就越多散的就越深，擴(kuò)到硅內(nèi)的雜質(zhì)數(shù)量也就越多。 擴(kuò)到硅內(nèi)的雜質(zhì)數(shù)量可用高為擴(kuò)到硅內(nèi)的雜質(zhì)數(shù)量可用高為CsCs，底為，底為2 2 的三角形的三角形近似；近似； 表面濃度表面濃度CsCs由雜質(zhì)在擴(kuò)散溫度下的固溶度所決定。而由雜質(zhì)在擴(kuò)散溫度下的固溶度所決定。而在在9001200 9001200 內(nèi)，固溶度變化不大，可見內(nèi)，固溶度變化不大，可見很難通過很難通過改變溫度來控制改變溫度來控制CsCsDtDtCdxtxCtQs02),()(電子科技大學(xué)中山學(xué)院恒定表面源擴(kuò)散v 結(jié)深結(jié)深 如果擴(kuò)散雜質(zhì)與硅襯底原有雜質(zhì)的如果擴(kuò)散

11、雜質(zhì)與硅襯底原有雜質(zhì)的導(dǎo)電類型不同導(dǎo)電類型不同，則，則在兩種在兩種雜質(zhì)濃度相等處形成雜質(zhì)濃度相等處形成p-np-n結(jié)。結(jié)。 雜質(zhì)濃度相等：雜質(zhì)濃度相等： 結(jié)的位置：結(jié)的位置：v 溫度通過溫度通過D D對擴(kuò)散深度和雜質(zhì)分布情況的影響，同時(shí)間對擴(kuò)散深度和雜質(zhì)分布情況的影響，同時(shí)間t t相比更為重要。相比更為重要。tDACCerfctDxSiOsBSiOj2212BjCtxC）,(電子科技大學(xué)中山學(xué)院恒定表面源擴(kuò)散DtxseDtCtxxtxC4/2,),(sBsBxsxCCerfcCCerfcCxtxCjj12)exp(12),(v雜質(zhì)濃度梯度雜質(zhì)濃度梯度 任意位置任意位置 P-nP-n結(jié)處的雜質(zhì)梯

12、度結(jié)處的雜質(zhì)梯度 在在C Cs s和和C CB B一定的情況下，一定的情況下，p-np-n結(jié)越深，在結(jié)處的雜質(zhì)結(jié)越深，在結(jié)處的雜質(zhì)濃度梯度就越小。濃度梯度就越小。電子科技大學(xué)中山學(xué)院有限表面源擴(kuò)散v定義：定義：擴(kuò)散之前在硅片表面淀積一層雜質(zhì)，在整個(gè)擴(kuò)散擴(kuò)散之前在硅片表面淀積一層雜質(zhì)，在整個(gè)擴(kuò)散過程中這層雜質(zhì)作為擴(kuò)散的雜質(zhì)源，不再有新源補(bǔ)充過程中這層雜質(zhì)作為擴(kuò)散的雜質(zhì)源，不再有新源補(bǔ)充v初始條件和邊界條件初始條件和邊界條件 C(x ,0)=0,xC(x ,0)=0,xhh C(C( ,t)=0 ,t)=0 C(x ,0)= CC(x ,0)= Cs s(0)=Q/h,0(0)=Q/h,0 x x

13、 h hv解得：解得：DtxeDtQtxC4/2),(DtQtC) t , 0(C)(s電子科技大學(xué)中山學(xué)院有限表面源擴(kuò)散電子科技大學(xué)中山學(xué)院有限表面源擴(kuò)散v雜質(zhì)分布形式特點(diǎn)雜質(zhì)分布形式特點(diǎn) 當(dāng)擴(kuò)散當(dāng)擴(kuò)散溫度相同溫度相同時(shí)，擴(kuò)散時(shí)間越長，雜質(zhì)擴(kuò)散的就越時(shí)，擴(kuò)散時(shí)間越長，雜質(zhì)擴(kuò)散的就越深，表面濃度就越低。深，表面濃度就越低。 當(dāng)擴(kuò)散當(dāng)擴(kuò)散時(shí)間相同時(shí)間相同時(shí)，擴(kuò)散溫度越高，雜質(zhì)擴(kuò)散的就越時(shí)，擴(kuò)散溫度越高，雜質(zhì)擴(kuò)散的就越深，表面濃度下降的也就越多深，表面濃度下降的也就越多 擴(kuò)散過程中雜質(zhì)量不變擴(kuò)散過程中雜質(zhì)量不變 表面雜質(zhì)濃度可以控制，有利于制作低表面濃度和較表面雜質(zhì)濃度可以控制，有利于制作低表面濃

14、度和較深的深的p-np-n結(jié)。結(jié)。電子科技大學(xué)中山學(xué)院有限表面源擴(kuò)散 結(jié)深結(jié)深 雜質(zhì)濃度梯度雜質(zhì)濃度梯度 任意位置任意位置 P-nP-n結(jié)處得雜質(zhì)梯度結(jié)處得雜質(zhì)梯度tDAxSiOj2),(2),(),(txCDtxxtxCtxBsBsjsxCCCCInxCxtxCj/)/(2),(電子科技大學(xué)中山學(xué)院兩步擴(kuò)散v實(shí)際方法實(shí)際方法 實(shí)際生產(chǎn)中的實(shí)際生產(chǎn)中的擴(kuò)散溫度一般為擴(kuò)散溫度一般為9001200 9001200 ，在這樣的溫度范圍內(nèi)，常用雜質(zhì)如硼、磷、砷在這樣的溫度范圍內(nèi)，常用雜質(zhì)如硼、磷、砷等在硅中的等在硅中的固溶度隨溫度變化不大固溶度隨溫度變化不大，因而采用，因而采用恒定表面源擴(kuò)散很難得到低

15、濃度的分布形式。恒定表面源擴(kuò)散很難得到低濃度的分布形式。為了同時(shí)滿足對表面濃度、雜質(zhì)數(shù)量、結(jié)深以為了同時(shí)滿足對表面濃度、雜質(zhì)數(shù)量、結(jié)深以及梯度等方面的要求，實(shí)際生產(chǎn)中往往采用兩及梯度等方面的要求，實(shí)際生產(chǎn)中往往采用兩步擴(kuò)散法步擴(kuò)散法電子科技大學(xué)中山學(xué)院v兩步擴(kuò)散兩步擴(kuò)散 預(yù)擴(kuò)散：在預(yù)擴(kuò)散：在低溫低溫下采用下采用恒定表面源恒定表面源擴(kuò)散方式，擴(kuò)散方式，控控制擴(kuò)散雜質(zhì)的數(shù)量，制擴(kuò)散雜質(zhì)的數(shù)量，雜質(zhì)按余誤差形式分布。雜質(zhì)按余誤差形式分布。 主擴(kuò)散將由預(yù)擴(kuò)散引入的雜質(zhì)作為擴(kuò)散源，在主擴(kuò)散將由預(yù)擴(kuò)散引入的雜質(zhì)作為擴(kuò)散源，在較較高溫度高溫度下進(jìn)行擴(kuò)散。下進(jìn)行擴(kuò)散?？刂票砻鏉舛群蛿U(kuò)散深度?？刂票砻鏉舛群蛿U(kuò)散

16、深度。雜質(zhì)按高斯形式分布。雜質(zhì)按高斯形式分布。 分布形式：分布形式：DD1 1t t1 1DD2 2t t2 2 , , 余誤差分布余誤差分布DD1 1t t1 1 D D2 2t t2 2 ，高斯分布，高斯分布兩步擴(kuò)散電子科技大學(xué)中山學(xué)院3.4 影響雜質(zhì)分布的其它因素v上面推導(dǎo)的雜質(zhì)分布形式上面推導(dǎo)的雜質(zhì)分布形式理想化理想化v實(shí)際上理論分布與實(shí)際分布存在一定的差異實(shí)際上理論分布與實(shí)際分布存在一定的差異v主要是因?yàn)楣柚袚诫s原子的擴(kuò)散，除了與空位有主要是因?yàn)楣柚袚诫s原子的擴(kuò)散，除了與空位有關(guān)外，還與硅中其它類型的點(diǎn)缺陷有密切的關(guān)系。關(guān)外，還與硅中其它類型的點(diǎn)缺陷有密切的關(guān)系。 氧化增強(qiáng)擴(kuò)散氧化增

17、強(qiáng)擴(kuò)散 發(fā)射區(qū)推進(jìn)效應(yīng)發(fā)射區(qū)推進(jìn)效應(yīng)電子科技大學(xué)中山學(xué)院氧化增強(qiáng)擴(kuò)散（OED）v 實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，與中性氣氛相比：實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，與中性氣氛相比： 雜質(zhì)雜質(zhì)B B在氧化氣氛中的擴(kuò)散存在明顯的增強(qiáng)。在氧化氣氛中的擴(kuò)散存在明顯的增強(qiáng)。B B和和P P的的增強(qiáng)現(xiàn)象比較明顯增強(qiáng)現(xiàn)象比較明顯 雜質(zhì)雜質(zhì)AsAs在氧化氣氛中的擴(kuò)散有一定強(qiáng)度的增強(qiáng)在氧化氣氛中的擴(kuò)散有一定強(qiáng)度的增強(qiáng) 雜質(zhì)銻在氧化氣氛中的擴(kuò)散被阻滯雜質(zhì)銻在氧化氣氛中的擴(kuò)散被阻滯 參考參考P78 P78 圖圖3.143.14電子科技大學(xué)中山學(xué)院發(fā)射區(qū)推進(jìn)效應(yīng)v 在在npnnpn窄基區(qū)晶體管制造中，如果基區(qū)和發(fā)射區(qū)分別擴(kuò)窄基區(qū)晶體管制造中，如果基區(qū)和發(fā)

18、射區(qū)分別擴(kuò)B B和擴(kuò)和擴(kuò)P P，則發(fā)現(xiàn)在發(fā)射區(qū)正下方（內(nèi)基區(qū)），則發(fā)現(xiàn)在發(fā)射區(qū)正下方（內(nèi)基區(qū)）B B的擴(kuò)散深度，的擴(kuò)散深度，大于不在發(fā)射區(qū)正下方（外基區(qū)）大于不在發(fā)射區(qū)正下方（外基區(qū)）B B的擴(kuò)散深度，該現(xiàn)象的擴(kuò)散深度，該現(xiàn)象稱為發(fā)射區(qū)推進(jìn)效應(yīng)，或發(fā)射區(qū)下陷效應(yīng)。稱為發(fā)射區(qū)推進(jìn)效應(yīng)，或發(fā)射區(qū)下陷效應(yīng)。電子科技大學(xué)中山學(xué)院發(fā)射區(qū)推進(jìn)效應(yīng)電子科技大學(xué)中山學(xué)院二維擴(kuò)散v實(shí)際擴(kuò)散實(shí)際擴(kuò)散 在掩蔽層的邊緣，橫向擴(kuò)散與縱向擴(kuò)散在掩蔽層的邊緣，橫向擴(kuò)散與縱向擴(kuò)散同時(shí)進(jìn)行同時(shí)進(jìn)行電子科技大學(xué)中山學(xué)院二維擴(kuò)散v 實(shí)際擴(kuò)散實(shí)際擴(kuò)散 低濃度擴(kuò)散低濃度擴(kuò)散 假定：假定：D D與雜質(zhì)濃度無關(guān)，橫向擴(kuò)散與縱向擴(kuò)散與雜質(zhì)濃

19、度無關(guān)，橫向擴(kuò)散與縱向擴(kuò)散都近似以同樣方式進(jìn)行都近似以同樣方式進(jìn)行 L L橫橫=75%85%L=75%85%L縱縱 高濃度擴(kuò)散：高濃度擴(kuò)散： D D與雜質(zhì)濃度相關(guān)，與雜質(zhì)濃度相關(guān)，L L橫橫=65%70%L=65%70%L縱縱電子科技大學(xué)中山學(xué)院雜質(zhì)橫向擴(kuò)散示意圖電子科技大學(xué)中山學(xué)院雜質(zhì)橫向擴(kuò)散示意圖v 由于橫向擴(kuò)散作用，結(jié)包含由于橫向擴(kuò)散作用，結(jié)包含 一個(gè)中央平面區(qū)一個(gè)中央平面區(qū) 一個(gè)近似圓柱、曲率半徑為一個(gè)近似圓柱、曲率半徑為r rj j的邊的邊 如果擴(kuò)散掩蔽層有尖銳的角，在這角處的結(jié)將因橫向如果擴(kuò)散掩蔽層有尖銳的角，在這角處的結(jié)將因橫向擴(kuò)散而近似于圓球狀。擴(kuò)散而近似于圓球狀。v 電場強(qiáng)度

20、在圓柱和圓球結(jié)處較強(qiáng)，該處雪崩擊穿電場強(qiáng)度在圓柱和圓球結(jié)處較強(qiáng)，該處雪崩擊穿電壓將遠(yuǎn)低于有相同襯底摻雜的平面結(jié)處。電壓將遠(yuǎn)低于有相同襯底摻雜的平面結(jié)處。電子科技大學(xué)中山學(xué)院實(shí)際擴(kuò)散區(qū)域大于窗口影響集成度電子科技大學(xué)中山學(xué)院擴(kuò)散工藝（1）固態(tài)源擴(kuò)散 擴(kuò)散物質(zhì)：雜質(zhì)的氧化物或其他化合物擴(kuò)散物質(zhì)：雜質(zhì)的氧化物或其他化合物 通過惰性氣體把雜質(zhì)源蒸氣輸運(yùn)到硅片表面通過惰性氣體把雜質(zhì)源蒸氣輸運(yùn)到硅片表面 溫度決定固溶度，對濃度有直接影響溫度決定固溶度，對濃度有直接影響固態(tài)源擴(kuò)散：如固態(tài)源擴(kuò)散：如B2O3、P2O5、BN等等電子科技大學(xué)中山學(xué)院擴(kuò)散工藝（2）液態(tài)源擴(kuò)散v方法：方法：攜帶氣體經(jīng)過源瓶，將雜質(zhì)源蒸氣（雜質(zhì)攜帶氣體經(jīng)過源瓶，將雜質(zhì)源蒸氣（雜質(zhì)化合物）帶入擴(kuò)散爐管內(nèi)與硅反應(yīng)，或分解后與化合物）帶入擴(kuò)散爐管內(nèi)與硅反應(yīng)，或分解后與硅