半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)課件課件

1、關(guān)于半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)課件(1-1)現(xiàn)在學(xué)習(xí)的是第一頁(yè)，共93頁(yè)(1-2)第一章 半導(dǎo)體器件 1.1 半導(dǎo)體的基本知識(shí) 1.2 PN 結(jié)及半導(dǎo)體二極管 1.3 特殊二極管 1.4 半導(dǎo)體三極管 1.5 場(chǎng)效應(yīng)晶體管現(xiàn)在學(xué)習(xí)的是第二頁(yè)，共93頁(yè)(1-3)1.1 半導(dǎo)體的基本知識(shí)1.1.1 導(dǎo)體、半導(dǎo)體和絕緣體導(dǎo)體：自然界中很容易導(dǎo)電的物質(zhì)稱為導(dǎo)體，金屬一般都是導(dǎo)體。絕緣體：有的物質(zhì)幾乎不導(dǎo)電，稱為絕緣體，如橡皮、陶瓷、塑料和石英。半導(dǎo)體：另有一類物質(zhì)的導(dǎo)電特性處于導(dǎo)體和絕緣體之間，稱為半導(dǎo)體，如鍺、硅、砷化鎵和一些硫化物、氧化物等?，F(xiàn)在學(xué)習(xí)的是第三頁(yè)，共93頁(yè)(1-4)半導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)理不同于其它物質(zhì)

2、，所以它具有不同于其它物質(zhì)的特點(diǎn)。例如： 當(dāng)受外界熱和光的作用時(shí)，它的導(dǎo)電能 力明顯變化。 往純凈的半導(dǎo)體中摻入某些雜質(zhì)，會(huì)使 它的導(dǎo)電能力明顯改變?，F(xiàn)在學(xué)習(xí)的是第四頁(yè)，共93頁(yè)(1-5)1.1.2 本征半導(dǎo)體一、本征半導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)GeSi通過(guò)一定的工藝過(guò)程，可以將半導(dǎo)體制成晶體?，F(xiàn)代電子學(xué)中，用的最多的半導(dǎo)體是硅和鍺，它們的最外層電子（價(jià)電子）都是四個(gè)?，F(xiàn)在學(xué)習(xí)的是第五頁(yè)，共93頁(yè)(1-6)本征半導(dǎo)體：完全純凈的、結(jié)構(gòu)完整的半導(dǎo)體晶體。在硅和鍺晶體中，原子按四角形系統(tǒng)組成晶體點(diǎn)陣，每個(gè)原子都處在正四面體的中心，而四個(gè)其它原子位于四面體的頂點(diǎn)，每個(gè)原子與其相臨的原子之間形成共價(jià)鍵，共用一對(duì)價(jià)

3、電子。硅和鍺的晶體結(jié)構(gòu)：現(xiàn)在學(xué)習(xí)的是第六頁(yè)，共93頁(yè)(1-7)硅和鍺的共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)共價(jià)鍵共用電子對(duì)+4+4+4+4+4表示除去價(jià)電子后的原子現(xiàn)在學(xué)習(xí)的是第七頁(yè)，共93頁(yè)(1-8)共價(jià)鍵中的兩個(gè)電子被緊緊束縛在共價(jià)鍵中，稱為束縛電子，常溫下束縛電子很難脫離共價(jià)鍵成為自由電子，因此本征半導(dǎo)體中的自由電子很少，所以本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力很弱。形成共價(jià)鍵后，每個(gè)原子的最外層電子是八個(gè)，構(gòu)成穩(wěn)定結(jié)構(gòu)。共價(jià)鍵有很強(qiáng)的結(jié)合力，使原子規(guī)則排列，形成晶體。+4+4+4+4現(xiàn)在學(xué)習(xí)的是第八頁(yè)，共93頁(yè)(1-9)二、本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)理在絕對(duì)0度（T=0K）和沒(méi)有外界激發(fā)時(shí),價(jià)電子完全被共價(jià)鍵束縛著，本征半導(dǎo)體中沒(méi)有可

4、以運(yùn)動(dòng)的帶電粒子（即載流子），它的導(dǎo)電能力為 0，相當(dāng)于絕緣體。在常溫下，由于熱激發(fā)，使一些價(jià)電子獲得足夠的能量而脫離共價(jià)鍵的束縛，成為自由電子，同時(shí)共價(jià)鍵上留下一個(gè)空位，稱為空穴。1.載流子、自由電子和空穴現(xiàn)在學(xué)習(xí)的是第九頁(yè)，共93頁(yè)(1-10)+4+4+4+4自由電子空穴束縛電子現(xiàn)在學(xué)習(xí)的是第十頁(yè)，共93頁(yè)(1-11)2.本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)理+4+4+4+4在其它力的作用下，空穴吸引附近的電子來(lái)填補(bǔ)，這樣的結(jié)果相當(dāng)于空穴的遷移，而空穴的遷移相當(dāng)于正電荷的移動(dòng)，因此可以認(rèn)為空穴是載流子。本征半導(dǎo)體中存在數(shù)量相等的兩種載流子，即自由電子和空穴?，F(xiàn)在學(xué)習(xí)的是第十一頁(yè)，共93頁(yè)(1-12)溫度越高

5、，載流子的濃度越高。因此本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力越強(qiáng)，溫度是影響半導(dǎo)體性能的一個(gè)重要的外部因素，這是半導(dǎo)體的一大特點(diǎn)。本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力取決于載流子的濃度。本征半導(dǎo)體中電流由兩部分組成： 1. 自由電子移動(dòng)產(chǎn)生的電流。 2. 空穴移動(dòng)產(chǎn)生的電流?，F(xiàn)在學(xué)習(xí)的是第十二頁(yè)，共93頁(yè)(1-13)1.1.3 雜質(zhì)半導(dǎo)體在本征半導(dǎo)體中摻入某些微量的雜質(zhì)，就會(huì)使半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能發(fā)生顯著變化。其原因是摻雜半導(dǎo)體的某種載流子濃度大大增加。P 型半導(dǎo)體：空穴濃度大大增加的雜質(zhì)半導(dǎo)體，也稱為（空穴半導(dǎo)體）。N 型半導(dǎo)體：自由電子濃度大大增加的雜質(zhì)半導(dǎo)體，也稱為（電子半導(dǎo)體）?，F(xiàn)在學(xué)習(xí)的是第十三頁(yè)，共93頁(yè)(1-14)

6、一、N 型半導(dǎo)體在硅或鍺晶體中摻入少量的五價(jià)元素磷（或銻），晶體點(diǎn)陣中的某些半導(dǎo)體原子被雜質(zhì)取代，磷原子的最外層有五個(gè)價(jià)電子，其中四個(gè)與相鄰的半導(dǎo)體原子形成共價(jià)鍵，必定多出一個(gè)電子，這個(gè)電子幾乎不受束縛，很容易被激發(fā)而成為自由電子，這樣磷原子就成了不能移動(dòng)的帶正電的離子。每個(gè)磷原子給出一個(gè)電子，稱為施主原子。現(xiàn)在學(xué)習(xí)的是第十四頁(yè)，共93頁(yè)(1-15)+4+4+5+4多余電子磷原子N 型半導(dǎo)體中的載流子是什么？1、由施主原子提供的電子，濃度與施主原子相同。2、本征半導(dǎo)體中成對(duì)產(chǎn)生的電子和空穴。摻雜濃度遠(yuǎn)大于本征半導(dǎo)體中載流子濃度，所以，自由電子濃度遠(yuǎn)大于空穴濃度。自由電子稱為多數(shù)載流子（多子），

7、空穴稱為少數(shù)載流子（少子）?，F(xiàn)在學(xué)習(xí)的是第十五頁(yè)，共93頁(yè)(1-16)二、P 型半導(dǎo)體在硅或鍺晶體中摻入少量的三價(jià)元素，如硼（或銦），晶體點(diǎn)陣中的某些半導(dǎo)體原子被雜質(zhì)取代，硼原子的最外層有三個(gè)價(jià)電子，與相鄰的半導(dǎo)體原子形成共價(jià)鍵時(shí)，產(chǎn)生一個(gè)空穴。這個(gè)空穴可能吸引束縛電子來(lái)填補(bǔ)，使得硼原子成為不能移動(dòng)的帶負(fù)電的離子。由于硼原子接受電子，所以稱為受主原子。+4+4+3+4空穴硼原子P 型半導(dǎo)體中空穴是多子，電子是少子?，F(xiàn)在學(xué)習(xí)的是第十六頁(yè)，共93頁(yè)(1-17)三、雜質(zhì)半導(dǎo)體的示意表示法P 型半導(dǎo)體+N 型半導(dǎo)體雜質(zhì)型半導(dǎo)體多子和少子的移動(dòng)都能形成電流。但由于數(shù)量的關(guān)系，起導(dǎo)電作用的主要是多子。近似

8、認(rèn)為多子與雜質(zhì)濃度相等。現(xiàn)在學(xué)習(xí)的是第十七頁(yè)，共93頁(yè)(1-18)1.2 PN結(jié)及半導(dǎo)體二極管2.1.1 PN 結(jié)的形成在同一片半導(dǎo)體基片上，分別制造P 型半導(dǎo)體和N 型半導(dǎo)體，經(jīng)過(guò)載流子的擴(kuò)散，在它們的交界面處就形成了PN 結(jié)?，F(xiàn)在學(xué)習(xí)的是第十八頁(yè)，共93頁(yè)(1-19)P型半導(dǎo)體N型半導(dǎo)體+擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)內(nèi)電場(chǎng)E漂移運(yùn)動(dòng)擴(kuò)散的結(jié)果是使空間電荷區(qū)逐漸加寬，空間電荷區(qū)越寬。內(nèi)電場(chǎng)越強(qiáng)，就使漂移運(yùn)動(dòng)越強(qiáng)，而漂移使空間電荷區(qū)變薄。空間電荷區(qū)，也稱耗盡層。現(xiàn)在學(xué)習(xí)的是第十九頁(yè)，共93頁(yè)(1-20)漂移運(yùn)動(dòng)P型半導(dǎo)體N型半導(dǎo)體+擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)內(nèi)電場(chǎng)E所以擴(kuò)散和漂移這一對(duì)相反的運(yùn)動(dòng)最終達(dá)到平衡，相當(dāng)于兩個(gè)區(qū)之間沒(méi)有電

9、荷運(yùn)動(dòng)，空間電荷區(qū)的厚度固定不變?，F(xiàn)在學(xué)習(xí)的是第二十頁(yè)，共93頁(yè)(1-21)+空間電荷區(qū)N型區(qū)P型區(qū)電位VV0現(xiàn)在學(xué)習(xí)的是第二十一頁(yè)，共93頁(yè)(1-22)1、空間電荷區(qū)中沒(méi)有載流子。2、空間電荷區(qū)中內(nèi)電場(chǎng)阻礙P中的空穴、N區(qū) 中的電子（都是多子）向?qū)Ψ竭\(yùn)動(dòng)（擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)）。3、P 區(qū)中的電子和 N區(qū)中的空穴（都是少），數(shù)量有限，因此由它們形成的電流很小。注意:現(xiàn)在學(xué)習(xí)的是第二十二頁(yè)，共93頁(yè)(1-23)2.1.2 PN結(jié)的單向?qū)щ娦?PN 結(jié)加上正向電壓、正向偏置的意思都是： P 區(qū)加正、N 區(qū)加負(fù)電壓。 PN 結(jié)加上反向電壓、反向偏置的意思都是： P區(qū)加負(fù)、N 區(qū)加正電壓?，F(xiàn)在學(xué)習(xí)的是第二十三頁(yè)

10、，共93頁(yè)(1-24)+RE一、PN 結(jié)正向偏置內(nèi)電場(chǎng)外電場(chǎng)變薄PN+_內(nèi)電場(chǎng)被削弱，多子的擴(kuò)散加強(qiáng)能夠形成較大的擴(kuò)散電流?，F(xiàn)在學(xué)習(xí)的是第二十四頁(yè)，共93頁(yè)(1-25)二、PN 結(jié)反向偏置+內(nèi)電場(chǎng)外電場(chǎng)變厚NP+_內(nèi)電場(chǎng)被被加強(qiáng)，多子的擴(kuò)散受抑制。少子漂移加強(qiáng)，但少子數(shù)量有限，只能形成較小的反向電流。RE現(xiàn)在學(xué)習(xí)的是第二十五頁(yè)，共93頁(yè)(1-26)2.1.3 半導(dǎo)體二極管一、基本結(jié)構(gòu)PN 結(jié)加上管殼和引線，就成為半導(dǎo)體二極管。引線外殼線觸絲線基片點(diǎn)接觸型PN結(jié)面接觸型PN二極管的電路符號(hào)：現(xiàn)在學(xué)習(xí)的是第二十六頁(yè)，共93頁(yè)(1-27) 二、伏安特性UI死區(qū)電壓 硅管0.6V,鍺管0.2V。導(dǎo)通壓

11、降: 硅管0.60.7V,鍺管0.20.3V。反向擊穿電壓UBR現(xiàn)在學(xué)習(xí)的是第二十七頁(yè)，共93頁(yè)(1-28)三、主要參數(shù)1. 最大整流電流 IOM二極管長(zhǎng)期使用時(shí)，允許流過(guò)二極管的最大正向平均電流。2. 反向擊穿電壓UBR二極管反向擊穿時(shí)的電壓值。擊穿時(shí)反向電流劇增，二極管的單向?qū)щ娦员黄茐?，甚至過(guò)熱而燒壞。手冊(cè)上給出的最高反向工作電壓UWRM一般是UBR的一半。現(xiàn)在學(xué)習(xí)的是第二十八頁(yè)，共93頁(yè)(1-29)3. 反向電流 IR指二極管加反向峰值工作電壓時(shí)的反向電流。反向電流大，說(shuō)明管子的單向?qū)щ娦圆?，因此反向電流越小越好。反向電流受溫度的影響，溫度越高反向電流越大。硅管的反向電流較小，鍺管的反

12、向電流要比硅管大幾十到幾百倍。以上均是二極管的直流參數(shù)，二極管的應(yīng)用是主要利用它的單向?qū)щ娦?，主要?yīng)用于整流、限幅、保護(hù)等等。下面介紹兩個(gè)交流參數(shù)。現(xiàn)在學(xué)習(xí)的是第二十九頁(yè)，共93頁(yè)(1-30)4. 微變電阻 rDiDuDIDUDQiDuDrD 是二極管特性曲線上工作點(diǎn)Q 附近電壓的變化與電流的變化之比：DDDiur顯然，rD是對(duì)Q附近的微小變化區(qū)域內(nèi)的電阻?，F(xiàn)在學(xué)習(xí)的是第三十頁(yè)，共93頁(yè)(1-31)5. 二極管的極間電容二極管的兩極之間有電容，此電容由兩部分組成：勢(shì)壘電容CB和擴(kuò)散電容CD。勢(shì)壘電容：勢(shì)壘區(qū)是積累空間電荷的區(qū)域，當(dāng)電壓變化時(shí)，就會(huì)引起積累在勢(shì)壘區(qū)的空間電荷的變化，這樣所表現(xiàn)出的

13、電容是勢(shì)壘電容。擴(kuò)散電容：為了形成正向電流（擴(kuò)散電流），注入P 區(qū)的少子（電子）在P 區(qū)有濃度差，越靠近PN結(jié)濃度越大，即在P 區(qū)有電子的積累。同理，在N區(qū)有空穴的積累。正向電流大，積累的電荷多。這樣所產(chǎn)生的電容就是擴(kuò)散電容CD。P+-N現(xiàn)在學(xué)習(xí)的是第三十一頁(yè)，共93頁(yè)(1-32)CB在正向和反向偏置時(shí)均不能忽略。而反向偏置時(shí)，由于載流子數(shù)目很少，擴(kuò)散電容可忽略。PN結(jié)高頻小信號(hào)時(shí)的等效電路：勢(shì)壘電容和擴(kuò)散電容的綜合效應(yīng)rd現(xiàn)在學(xué)習(xí)的是第三十二頁(yè)，共93頁(yè)(1-33)二極管：死區(qū)電壓=0 .5V，正向壓降0.7V(硅二極管) 理想二極管：死區(qū)電壓=0 ，正向壓降=0 RLuiuouiuott二

14、極管的應(yīng)用舉例1：二極管半波整流現(xiàn)在學(xué)習(xí)的是第三十三頁(yè)，共93頁(yè)(1-34)二極管的應(yīng)用舉例2：tttuiuRuoRRLuiuRuo現(xiàn)在學(xué)習(xí)的是第三十四頁(yè)，共93頁(yè)(1-35)1.3 特殊二極管1.3.1 穩(wěn)壓二極管UIIZIZmaxUZIZ穩(wěn)壓誤差曲線越陡，電壓越穩(wěn)定。+-UZ動(dòng)態(tài)電阻：ZZIUZrrz越小，穩(wěn)壓性能越好?，F(xiàn)在學(xué)習(xí)的是第三十五頁(yè)，共93頁(yè)(1-36)（4）穩(wěn)定電流IZ、最大、最小穩(wěn)定電流Izmax、Izmin。（5）最大允許功耗maxZZZMIUP穩(wěn)壓二極管的參數(shù):（1）穩(wěn)定電壓 UZ（2）電壓溫度系數(shù)U（%/） 穩(wěn)壓值受溫度變化影響的的系數(shù)。（3）動(dòng)態(tài)電阻ZZIUZr現(xiàn)在學(xué)

15、習(xí)的是第三十六頁(yè)，共93頁(yè)(1-37)穩(wěn)壓二極管的應(yīng)用舉例uoiZDZRiLiuiRL5mA 20mA, V,10minmaxzzzWIIU穩(wěn)壓管的技術(shù)參數(shù):k10LR負(fù)載電阻 。要求當(dāng)輸入電壓由正常值發(fā)生20%波動(dòng)時(shí)，負(fù)載電壓基本不變。解：令輸入電壓達(dá)到上限時(shí)，流過(guò)穩(wěn)壓管的電流為Izmax 。求：電阻R和輸入電壓 ui 的正常值。mA25maxLZWzRUIi102521RUiRu.zWi方程1現(xiàn)在學(xué)習(xí)的是第三十七頁(yè)，共93頁(yè)(1-38)令輸入電壓降到下限時(shí)，流過(guò)穩(wěn)壓管的電流為Izmin 。mA10minLZWzRUIi101080RUiRu.zWi方程2uoiZDZRiLiuiRL聯(lián)立方程

16、1、2，可解得：k50V7518.R,.ui現(xiàn)在學(xué)習(xí)的是第三十八頁(yè)，共93頁(yè)(1-39)1.3.2 光電二極管反向電流隨光照強(qiáng)度的增加而上升。IU照度增加現(xiàn)在學(xué)習(xí)的是第三十九頁(yè)，共93頁(yè)(1-40)1.3.3 發(fā)光二極管有正向電流流過(guò)時(shí)，發(fā)出一定波長(zhǎng)范圍的光，目前的發(fā)光管可以發(fā)出從紅外到可見(jiàn)波段的光，它的電特性與一般二極管類似?，F(xiàn)在學(xué)習(xí)的是第四十頁(yè)，共93頁(yè)(1-41)1.4 半導(dǎo)體三極管1.4.1 基本結(jié)構(gòu)BECNNP基極發(fā)射極集電極NPN型PNP集電極基極發(fā)射極BCEPNP型現(xiàn)在學(xué)習(xí)的是第四十一頁(yè)，共93頁(yè)(1-42)BECNNP基極發(fā)射極集電極基區(qū)：較薄，摻雜濃度低集電區(qū)：面積較大發(fā)射區(qū)

17、：摻雜濃度較高現(xiàn)在學(xué)習(xí)的是第四十二頁(yè)，共93頁(yè)(1-43)BECNNP基極發(fā)射極集電極發(fā)射結(jié)集電結(jié)現(xiàn)在學(xué)習(xí)的是第四十三頁(yè)，共93頁(yè)(1-44)1.4.2 電流放大原理BECNNPEBRBECIE基區(qū)空穴向發(fā)射區(qū)的擴(kuò)散可忽略。IBE進(jìn)入P區(qū)的電子少部分與基區(qū)的空穴復(fù)合，形成電流IBE ，多數(shù)擴(kuò)散到集電結(jié)。發(fā)射結(jié)正偏，發(fā)射區(qū)電子不斷向基區(qū)擴(kuò)散，形成發(fā)射極電流IE?，F(xiàn)在學(xué)習(xí)的是第四十四頁(yè)，共93頁(yè)(1-45)BECNNPEBRBECIE集電結(jié)反偏，有少子形成的反向電流ICBO。ICBOIC=ICE+ICBOICEIBEICE從基區(qū)擴(kuò)散來(lái)的電子作為集電結(jié)的少子，漂移進(jìn)入集電結(jié)而被收集，形成ICE?，F(xiàn)在

18、學(xué)習(xí)的是第四十五頁(yè)，共93頁(yè)(1-46)IB=IBE-ICBOIBEIBBECNNPEBRBECIEICBOICEIC=ICE+ICBO ICEIBE現(xiàn)在學(xué)習(xí)的是第四十六頁(yè)，共93頁(yè)(1-47)ICE與IBE之比稱為電流放大倍數(shù)要使三極管能放大電流，必須使發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏。BCCBOBCBOCBECEIIIIIIII現(xiàn)在學(xué)習(xí)的是第四十七頁(yè)，共93頁(yè)(1-48)BECIBIEICNPN型三極管BECIBIEICPNP型三極管現(xiàn)在學(xué)習(xí)的是第四十八頁(yè)，共93頁(yè)(1-49)1.4.3 特性曲線ICmAAVVUCEUBERBIBECEB 實(shí)驗(yàn)線路現(xiàn)在學(xué)習(xí)的是第四十九頁(yè)，共93頁(yè)(1-50)一、輸入

19、特性UCE 1VIB(A)UBE(V)204060800.40.8工作壓降： 硅管UBE0.60.7V,鍺管UBE0.20.3V。UCE=0VUCE =0.5V 死區(qū)電壓，硅管0.5V，鍺管0.2V。現(xiàn)在學(xué)習(xí)的是第五十頁(yè)，共93頁(yè)(1-51)二、輸出特性IC(mA )1234UCE(V)36912IB=020A40A60A80A100A此區(qū)域滿足IC=IB稱為線性區(qū)（放大區(qū)）。當(dāng)UCE大于一定的數(shù)值時(shí)，IC只與IB有關(guān)，IC=IB?，F(xiàn)在學(xué)習(xí)的是第五十一頁(yè)，共93頁(yè)(1-52)IC(mA )1234UCE(V)36912IB=020A40A60A80A100A此區(qū)域中UCEUBE,集電結(jié)正偏，I

20、BIC，UCE0.3V稱為飽和區(qū)?，F(xiàn)在學(xué)習(xí)的是第五十二頁(yè)，共93頁(yè)(1-53)IC(mA )1234UCE(V)36912IB=020A40A60A80A100A此區(qū)域中 : IB=0,IC=ICEO,UBEIC，UCE0.3V (3) 截止區(qū)： UBE 死區(qū)電壓， IB=0 ， IC=ICEO 0 現(xiàn)在學(xué)習(xí)的是第五十四頁(yè)，共93頁(yè)(1-55)例： =50， USC =12V， RB =70k， RC =6k 當(dāng)USB = -2V，2V，5V時(shí)，晶體管的靜態(tài)工作點(diǎn)Q位于哪個(gè)區(qū)？當(dāng)USB =-2V時(shí)：ICUCEIBUSCRBUSBCBERCUBEmA2612maxCSCCRUIIB=0 ， IC

21、=0IC最大飽和電流：Q位于截止區(qū) 現(xiàn)在學(xué)習(xí)的是第五十五頁(yè)，共93頁(yè)(1-56)例： =50， USC =12V， RB =70k， RC =6k 當(dāng)USB = -2V，2V，5V時(shí)，晶體管的靜態(tài)工作點(diǎn)Q位于哪個(gè)區(qū)？IC Icmax(=2 mA)， Q位于飽和區(qū)。(實(shí)際上，此時(shí)IC和IB 已不是的關(guān)系）mA061070705.RUUIBBESBB5mA03mA061050.IIBC現(xiàn)在學(xué)習(xí)的是第五十七頁(yè)，共93頁(yè)(1-58)三、主要參數(shù)前面的電路中，三極管的發(fā)射極是輸入輸出的公共點(diǎn)，稱為共射接法，相應(yīng)地還有共基、共集接法。共射直流電流放大倍數(shù)：BCII_工作于動(dòng)態(tài)的三極管，真正的信號(hào)是疊加在直

22、流上的交流信號(hào)?；鶚O電流的變化量為IB，相應(yīng)的集電極電流變化為IC，則交流電流放大倍數(shù)為：BIIC1. 電流放大倍數(shù)和 _現(xiàn)在學(xué)習(xí)的是第五十八頁(yè)，共93頁(yè)(1-59)例：UCE=6V時(shí)：IB = 40 A, IC =1.5 mA； IB = 60 A, IC =2.3 mA。5 .3704. 05 . 1_BCII4004. 006. 05 . 13 . 2BCII在以后的計(jì)算中，一般作近似處理： =現(xiàn)在學(xué)習(xí)的是第五十九頁(yè)，共93頁(yè)(1-60)2.集-基極反向截止電流ICBOAICBOICBO是集電結(jié)反偏由少子的漂移形成的反向電流，受溫度的變化影響?，F(xiàn)在學(xué)習(xí)的是第六十頁(yè)，共93頁(yè)(1-61)B

23、ECNNPICBOICEO= IBE+ICBO IBE IBEICBO進(jìn)入N區(qū)，形成IBE。根據(jù)放大關(guān)系，由于IBE的存在，必有電流IBE。集電結(jié)反偏有ICBO3. 集-射極反向截止電流ICEOICEO受溫度影響很大，當(dāng)溫度上升時(shí)，ICEO增加很快，所以IC也相應(yīng)增加。三極管的溫度特性較差?，F(xiàn)在學(xué)習(xí)的是第六十一頁(yè)，共93頁(yè)(1-62)4.集電極最大電流ICM集電極電流IC上升會(huì)導(dǎo)致三極管的值的下降，當(dāng)值下降到正常值的三分之二時(shí)的集電極電流即為ICM。5.集-射極反向擊穿電壓當(dāng)集-射極之間的電壓UCE超過(guò)一定的數(shù)值時(shí)，三極管就會(huì)被擊穿。手冊(cè)上給出的數(shù)值是25C、基極開(kāi)路時(shí)的擊穿電壓U(BR)CE

24、O?，F(xiàn)在學(xué)習(xí)的是第六十二頁(yè)，共93頁(yè)(1-63)6. 集電極最大允許功耗PCM 集電極電流IC 流過(guò)三極管， 所發(fā)出的焦耳 熱為：PC =ICUCE 必定導(dǎo)致結(jié)溫 上升，所以PC 有限制。PCPCMICUCEICUCE=PCMICMU(BR)CEO安全工作區(qū)現(xiàn)在學(xué)習(xí)的是第六十三頁(yè)，共93頁(yè)(1-64)1.5 場(chǎng)效應(yīng)晶體管場(chǎng)效應(yīng)管與雙極型晶體管不同，它是多子導(dǎo)電，輸入阻抗高，溫度穩(wěn)定性好。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管JFET絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管MOS場(chǎng)效應(yīng)管有兩種:現(xiàn)在學(xué)習(xí)的是第六十四頁(yè)，共93頁(yè)(1-65)N基底 ：N型半導(dǎo)體PP兩邊是P區(qū)G(柵極)S源極D漏極一、結(jié)構(gòu)1.5.1 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管:導(dǎo)電溝道現(xiàn)在學(xué)習(xí)的

25、是第六十五頁(yè)，共93頁(yè)(1-66)NPPG(柵極)S源極D漏極N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管DGSDGS現(xiàn)在學(xué)習(xí)的是第六十六頁(yè)，共93頁(yè)(1-67)PNNG(柵極)S源極D漏極P溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管DGSDGS現(xiàn)在學(xué)習(xí)的是第六十七頁(yè)，共93頁(yè)(1-68)二、工作原理（以P溝道為例）UDS=0V時(shí)PGSDUDSUGSNNNNIDPN結(jié)反偏，UGS越大則耗盡區(qū)越寬，導(dǎo)電溝道越窄?，F(xiàn)在學(xué)習(xí)的是第六十八頁(yè)，共93頁(yè)(1-69)PGSDUDSUGSNNIDUDS=0V時(shí)NNUGS越大耗盡區(qū)越寬，溝道越窄，電阻越大。但當(dāng)UGS較小時(shí)，耗盡區(qū)寬度有限，存在導(dǎo)電溝道。DS間相當(dāng)于線性電阻?，F(xiàn)在學(xué)習(xí)的是第六十九頁(yè)，共93頁(yè)(1-70)PGSDUDSUGSNNUDS=0時(shí)UGS達(dá)到一定值時(shí)（夾斷電壓VP）,耗盡區(qū)碰到一起，DS間