非氧化物陶瓷

1、 第五章 非氧化物陶瓷第一節(jié) 概述 氮化物、碳化物、硅化物和硼化物陶瓷等 1，原料在自然界存在少，需要人工合成原料。 2，原料合成和陶瓷燒結時，易產(chǎn)生氧化物，必須在保護氣氛（Ar、N2）下進行 3，非氧化物一般是鍵能很強的共價鍵，因此難熔或難燒結。第二節(jié) 氮化硅陶瓷 一、晶體結構晶體結構 氮化硅是由氮化硅是由SiSi3 3N N4 4四面體組成的共價鍵固體。四面體組成的共價鍵固體。 六方晶系六方晶系 Si3N4，針狀結晶體 灰白色Si3N4，顆粒狀結晶體 深色12001600度Si3N4不可逆轉化Si3N4Si3N4 為低溫相；Si3N4高溫相高純Si3N4 20002150度都不會轉化為Si

2、3N4雜質如：MgO、Al2O3、Y2O3高溫時形成液相 溶解溶解沉積機理沉積機理SiCl4NH3H2系中加入少量TiCl4，13501450度可直接制備Si3N4 ；SiCl4NH3H2系在1150度生成沉淀，然后在Ar氣1400度熱處理6h，僅得到Si3N4。低于相變溫度的反應燒結Si3N4 中，和相幾乎同時出現(xiàn)低溫時，低溫時，相對稱性低，較容易形成相對稱性低，較容易形成高溫時，高溫時，相對稱性高，熱力學穩(wěn)定相對稱性高，熱力學穩(wěn)定二、Si3N4陶瓷的性能與應用1880s發(fā)現(xiàn)，1950s年代大規(guī)模研究我國與1970s開始研究高強度、高硬度、耐腐蝕，抗氧化和良好的抗熱沖擊及機械沖擊性，綜合性能

3、優(yōu)良1，高溫難熔化合物無熔點，1900度分解2，熱膨脹系數(shù)小、導熱性好2.83.2106/K（1000度），與SiC、莫來石相近3，抗熱震性能好，抗熱振性能在陶瓷中是最好的。300800度4，高溫蠕變小，特別是加入少量SiC后5，具有優(yōu)異的電絕緣性能。6，硬度大，僅次愈SiC；耐磨性好且自潤滑性好，0.1，與加油的金屬表面相似，極優(yōu)的耐磨材料。7，化學穩(wěn)定性好，抗氧化性好，表面易生成致密的SiO2保護層，最高使用溫度1670度，實際使用已經(jīng)可達到1400度。8，強度大最高強度可達1.7GPa，KIC11MPam1/29，化學穩(wěn)定性好，除氫氟酸外，能耐各種酸、王水和堿液的腐蝕，也能抗熔融金屬的侵

4、蝕氮化硅陶瓷等代替合金鋼制造陶瓷發(fā)動機，其工作溫度可達1300130015001500。 1998年，美國軍方曾做過一次有趣的實驗：在演習場200米跑道的起跑線上，停放著兩輛坦克，一輛裝有500馬力的鋼質發(fā)動機，而另一輛裝有同樣馬力的陶瓷發(fā)動機。陶瓷發(fā)動機果然身手不凡，那輛坦克僅用了19秒鐘就首先到達終點，而鋼質發(fā)動機坦克在充分預熱運轉后，用了26秒才跑完全程。 陶瓷發(fā)動機的熱效率高，不僅可節(jié)省陶瓷發(fā)動機的熱效率高，不僅可節(jié)省3030的熱能，的熱能，而且工作功率比鋼質發(fā)動機提高而且工作功率比鋼質發(fā)動機提高4545以上。以上。另外，陶瓷發(fā)動機無需水冷系統(tǒng)，其密度也只有鋼的一半陶瓷發(fā)動機無需水冷系

5、統(tǒng)，其密度也只有鋼的一半左右，這對減小發(fā)動機自身重量也有重要意義。左右，這對減小發(fā)動機自身重量也有重要意義。 熱壓燒結氮化硅陶瓷用于制造形狀簡單的耐磨、耐高溫零件和工具。如切削刀具、轉子發(fā)動機刮片、高溫軸承等。Si3N4軸承軸承反應燒結氮化硅陶瓷主要用于耐磨、耐高溫，耐腐蝕，形狀復雜且尺寸精度高的制品。如石油化工泵的密封環(huán)、高溫軸承、熱電偶套管、燃氣輪機轉子葉片等；汽輪機轉子汽輪機轉子葉片氣閥等零件葉片氣閥等零件三、粉體制備超細粉體制備 1980s90s：激光誘導化學氣相沉積（LICVD） 等離子體氣相合成（PCVD） LICVD：SiCl4和NH3氣體吸收激光束吸收而產(chǎn)生熱解或化學反應，經(jīng)核

6、成長形成10nm無定型Si3N4粉 PCVD： SiCl4和NH3氣體等離子化后，冷卻凝聚成無無定型Si3N4納米粉體 1990s 自蔓延合成 以硅粉為原料氮化反應，反應放熱來延續(xù)氮化反應。 節(jié)約能源，加熱速度快，周期短相為主，燒結性能差 利用硅的氮化反應的反應燒結法及加入添利用硅的氮化反應的反應燒結法及加入添加劑的致密化燒結法。加劑的致密化燒結法。燒結工燒結工藝藝優(yōu)點優(yōu)點 缺點缺點 反應燒反應燒結結 燒結時幾乎沒有收縮，燒結時幾乎沒有收縮，能得到復雜的形狀能得到復雜的形狀 密度低，強度低，密度低，強度低，耐蝕性差耐蝕性差 熱壓燒熱壓燒結結 用較少的助劑就能致用較少的助劑就能致密化，強度、耐蝕

7、性密化，強度、耐蝕性最好最好 只能制造簡單形狀，只能制造簡單形狀，燒結助劑使高溫強燒結助劑使高溫強度降低度降低 四、氮化硅燒結實現(xiàn)常壓燒結，須具備實現(xiàn)常壓燒結，須具備原料要求： 相原料，顆粒盡可能?。幌嘣?，顆粒盡可能?。徊捎糜行砑觿?，促進燒結，提高高溫性能；采用有效添加劑，促進燒結，提高高溫性能；燒結氣氛，提高氮氣壓力；燒結氣氛，提高氮氣壓力；使用使用Si3N4+MgO+BN埋粉無壓燒結法；埋粉無壓燒結法；控制保溫時間，存在最佳溫度和保溫時間。控制保溫時間，存在最佳溫度和保溫時間。1.常壓燒結常壓燒結 常壓燒結氮化硅的一般工藝是采用高常壓燒結氮化硅的一般工藝是采用高相的相的氮化硅粉（氮化硅

8、粉（Si3N4占占80%以上），添加氧以上），添加氧化鋁化鋁210%，氧化釔，氧化釔3%左右，經(jīng)研磨后充左右，經(jīng)研磨后充分混合，顆粒度在分混合，顆粒度在10um以下，成型后在氮以下，成型后在氮氣氛中燒結，升溫速率在氣氛中燒結，升溫速率在1520/min，燒，燒結溫度為結溫度為16001800，保溫時間為，保溫時間為0.53h，壓力保持在接近大氣壓范圍內(nèi)，可獲得相壓力保持在接近大氣壓范圍內(nèi)，可獲得相對密度對密度95%左右的燒結體，燒結成的制品左右的燒結體，燒結成的制品有有1525%的線收縮。的線收縮。 常壓燒結氮化硅陶瓷的抗折強度在常壓燒結氮化硅陶瓷的抗折強度在400600MPa，但其使用溫度高

9、時，但其使用溫度高時，坯體內(nèi)玻璃質晶界相的粘度下降而坯體內(nèi)玻璃質晶界相的粘度下降而產(chǎn)生流動，以致晶粒間可以相互滑產(chǎn)生流動，以致晶粒間可以相互滑移，使高溫強度下降，所以要盡量移，使高溫強度下降，所以要盡量減少添加劑的加入量，限制晶界玻減少添加劑的加入量，限制晶界玻璃相的含量。璃相的含量。2. 熱壓燒結熱壓燒結 熱壓法燒結氮化硅是直接用高熱壓法燒結氮化硅是直接用高相的氮化相的氮化硅粉，混以燒結助劑，爐內(nèi)排除空氣，并硅粉，混以燒結助劑，爐內(nèi)排除空氣，并用氮氣保護的情況下，在用氮氣保護的情況下，在16001800，在能使高溫中坯體內(nèi)部發(fā)生塑性流動的壓在能使高溫中坯體內(nèi)部發(fā)生塑性流動的壓力下（一般力下（

10、一般2040MPa），保溫十幾分鐘），保溫十幾分鐘到一個小時以上液相燒結而成的。在燒結到一個小時以上液相燒結而成的。在燒結過程中主要的推動力是外加的壓力。依靠過程中主要的推動力是外加的壓力。依靠外力的作用，成型與燒結成為一個連續(xù)的外力的作用，成型與燒結成為一個連續(xù)的過程，這是熱壓燒結的特點。過程，這是熱壓燒結的特點。 熱壓燒結工藝能在較短的時間、較低的溫度下獲熱壓燒結工藝能在較短的時間、較低的溫度下獲得相對密度較高的氮化硅燒結體。得相對密度較高的氮化硅燒結體。 一般熱壓氮化硅的相對密度可達到一般熱壓氮化硅的相對密度可達到98%以上。然以上。然而，熱壓氮化硅在燒結過程中主要受軸向外力的而，熱壓氮

11、化硅在燒結過程中主要受軸向外力的作用，坯件的致密程度和晶體的生長都帶有一定作用，坯件的致密程度和晶體的生長都帶有一定方向性，以致性能上產(chǎn)生各向異性，如機械強度方向性，以致性能上產(chǎn)生各向異性，如機械強度會有會有2025%的差異，對實際應用有所影響。熱壓的差異，對實際應用有所影響。熱壓氮化硅生產(chǎn)效率較低，普通熱壓爐一次一般只能氮化硅生產(chǎn)效率較低，普通熱壓爐一次一般只能生產(chǎn)一塊片狀坯體，大批量生產(chǎn)較困難，且產(chǎn)品生產(chǎn)一塊片狀坯體，大批量生產(chǎn)較困難，且產(chǎn)品形狀受一定的限制，不能生產(chǎn)復雜件。形狀受一定的限制，不能生產(chǎn)復雜件。3. 熱等靜壓燒結熱等靜壓燒結 為避免機械壓力的方向性，也有以高壓氣體傳遞為避免機

12、械壓力的方向性，也有以高壓氣體傳遞壓力使坯件致密，生產(chǎn)氮化硅制品的。這種方法壓力使坯件致密，生產(chǎn)氮化硅制品的。這種方法就是先成型氮化硅生坯，再在就是先成型氮化硅生坯，再在100200MPa的高的高壓氮氣氛中燒結，燒結溫度為壓氮氣氛中燒結，燒結溫度為16502100，保溫，保溫時間為時間為0.53h。從坯件受壓的性質來看，是屬于。從坯件受壓的性質來看，是屬于等靜壓燒結的。等靜壓燒結的。 典型的等靜壓燒結是將氮化硅粉料或生坯用玻璃典型的等靜壓燒結是將氮化硅粉料或生坯用玻璃容器包封，在高溫下，玻璃呈熔融狀態(tài)，成為可容器包封，在高溫下，玻璃呈熔融狀態(tài)，成為可傳遞壓力的介質，在壓力作用下燒結即可得到均傳

13、遞壓力的介質，在壓力作用下燒結即可得到均質致密無方向性的氮化硅燒結體。質致密無方向性的氮化硅燒結體。第三節(jié) 賽龍（sialon）陶瓷 賽隆陶瓷(Sialon)即氮化硅Si3N4和氧化鋁Al2O3的固溶體 1971年日本小山陽一 1972年英國的Jack和Wilson發(fā)現(xiàn) 化學式寫作Si6-xAlxOxN8-x（x為鋁原子置換硅原子的數(shù)目，范圍是04.2）?；窘Y構單元為(Si、Al)(O、N)4四面體。Sialon1700狀態(tài)圖 根據(jù)結構和組份的不同，又可以分為三種類型：賽隆、 賽隆、賽隆。 賽隆以- Si3N4為結構基礎，具有較好的強韌性；賽隆以- Si3N4為結構基礎，具有很高的硬度和耐磨

14、性；O賽隆保留了Si2N2O結構，抗氧化性非常好，高溫下不易氧化。 現(xiàn)已形成賽隆材料體系，即某些金屬氧化物或氮化物可進入Si3N4晶格形成一系列因溶體。除Si-Al-O-N體系外，還有Mg-Si-Al-O-N體系，Ln-Si-Al-O-N體系（Ln為釔及稀土金屬氧化物等）。性能與應用 賽龍?zhí)沾捎锌赡軠p少或消除熔點不高的玻璃態(tài)有可能減少或消除熔點不高的玻璃態(tài)晶界而以具有優(yōu)良性能的晶體的固溶體形態(tài)存晶界而以具有優(yōu)良性能的晶體的固溶體形態(tài)存在在，因此常溫和高溫強度很高，常溫和高溫化學性能穩(wěn)定優(yōu)異，耐磨性能好，熱膨脹系數(shù)很低，抗熱沖擊性能好，抗氧化性強，密度相對較小。日本制造的賽龍纖維，使用溫度高達1

15、700。賽龍?zhí)沾蛇€具有優(yōu)異的抗熔融腐蝕能力，幾乎還沒有發(fā)現(xiàn)它被金屬浸潤的情況。賽龍的硬度也很高，是一種超硬的工具材料。 賽隆陶瓷具有較好的韌性，很高的硬度和耐磨性，以及非常高的高溫抗氧化性。 賽隆陶瓷已在發(fā)動機部件、軸承和密封圈等耐磨部件及刀具材料中得到應用。還在銅鋁等合金冶煉、軋制和鑄造上得到了應用。 可用于制作軸承、密封件、熱電偶套管、晶體生長用坩堝、模具材料、汽車內(nèi)燃機挺桿、高溫紅外測溫儀窗口、生物陶瓷和人工關節(jié)等。 賽隆硬度高，已被用作軸承、滾珠、密封圈等耐磨部件，也可以用作陶瓷粉料的磨球。 賽隆可耐用1300的高溫，已用作軸承、滾珠、密封件、定位梢、刀具和有色金屬冶煉成型材料。 賽隆

16、可用作金屬連續(xù)澆鑄的分流環(huán)及噴嘴、熱電偶保護、坩堝、合金管的拉拔芯棒和壓鑄模具等。 制備技術 無壓燒結： Si3N4 、 Al2O3、AlN、Y2O3及其他金屬氧化物， 16001800度N2氣氛中燒結。 熱壓燒結： Si3N4 、 Al2O3 ，16001800度N2氣氛或真空中燒結。 自蔓延反應法 Si粉、 Al粉、高純Si3N4 粉、AlN粉，N2氣氛下Ti粉引燃 天然原料還原氮化法 高嶺土、葉蠟石等加入C粉在N2氣氛下還原第四節(jié) AlN陶瓷 1862年 首次合成 1900s 固氮中間體 1950s 新材料研究 一、晶體結構 六方晶系、纖鋅礦結構 白色或灰白色 二、性能特點與應用 245

17、0度升華，不發(fā)生不變形 熱導率為Al2O310倍，熱膨脹系數(shù)比其小，與Si相近 不受GaAs和Al液浸燭 室溫強度不高 大氣中易吸潮水解 高溫抗氧化性差（800度）制備 1，AlN粉末制備 1）直接氮化法 鋁顆粒表面被氮化生成AlN層，阻礙N的擴散，轉化率低。 強放熱反應，反應溫度高，易產(chǎn)生自燒結形成團聚。 N2和NH3混合氣體，懸浮法生產(chǎn)，產(chǎn)率100，粒徑10m，且顆粒表面有裂紋，易粉碎為0.2m 2)碳熱還原氧化法（工業(yè)常用） Al2O3粉、C粉在N2氣氛下14001700度氮化，700度空氣中脫碳。 粉體純度高，粒度細小，燒結性能好 3）鋁的鹵化物和氨反應法 4）鋁粉和有機氮化物（二氰二

18、胺、三聚氰酰胺）反應法 5）高溫自蔓延合成法 超細粉體制備 6 ）電弧法 Al氣體中氮化 50nm Al氣體和NH3氣氛中氮化 10nm 7）等離子體 粉末細，易水解 氬氣1800度處理，降低活性 成型 PVD 聚乙烯醇縮丁醛 燒成 常壓燒結、熱壓燒結和反應燒結 常壓燒結（18001900度） 助燒劑：Y2O3、YF3、CaO、CaF2等 與AlN表面Al2O3反應形成低熔物，液相燒結 可與氧雜質形成鋁酸鹽，在晶界析出，降低AlN晶格中的氧含量，提高熱導率 反應燒結（自蔓延法） 致密度不高，熱導率低，常用于生產(chǎn)坩鍋 熱壓燒結： 主要工藝，電子公司常用第五節(jié) BN陶瓷 1842年 貝爾實驗室合成

19、 “白石墨” 一、晶體結構 六方BN （HBN） 常壓穩(wěn)定 立方BN （CBN） 高壓穩(wěn)定 二、六方BN（HBN）性能特點與應用 有自潤滑性，耐磨性好 良好的耐熱性和導熱性，熱導率與不銹鋼相當，熱脹系數(shù)比金屬和其它陶瓷低得多，故抗熱振性和熱穩(wěn)定性好（201200度） 高溫絕緣性好，2000仍是絕緣體，是理想的高溫絕緣材料和散熱材料； 化學穩(wěn)定性高，能抗Fe、Al、Ni等熔融金屬的侵蝕 氮化硼陶瓷常用于制作熱電偶套管，熔煉半導體、金屬的坩堝和冶金用高溫容器和管道，高溫軸承，下班制品成型模，高溫絕緣材料； 核反應堆中吸收熱中子的控制棒。 最輕的陶瓷，飛船和飛船應用前景三、制備工藝 1、鹵化硼法（氣

20、相合成法） 9001200度 2、硼酐法 硼酐在氮化溫度下黏性液體，阻礙氮化。 3、硼酸法 4、硼砂法 1）硼砂氯化銨 2）硼砂尿素法 預燒體溫度 400500度 氮化反應溫度 9001200度 5、電弧等離子法四、燒結 熱壓燒結 添加劑：B2O3、Si3N4、ALPO4、BaCO3等 17002000度，1035MPa 問題：吸水率高，機械強度低 五、立方五、立方BN（CBN）性能特點與應用）性能特點與應用 黑色、棕色或暗紅色晶體，閃鋅礦結構 導熱性好 硬度僅次C 刀具和磨料使用 1957年 通用公司合成 1969年 Borazon商品 1973年 美國制成CBN刀具 1975年 日本引進技

21、術 CBN化學惰性比C和硬質合金好 抗氧化性好 C：500700度 CBN：1300度不氧化 Fe： C ： 700度 合金：600700度 CBN：1150度 壽命長： 數(shù)倍數(shù)十倍 精加工 “以車代磨” Cu、Al合金，0.080.16微米 Fe、不銹鋼，0.160.32微米六、制備 1、粉體 1）HBNCBN 堿和堿土金屬為催化劑 15002000度 69GPa 2）薄膜法 CVD、PVD七、燒結 熱壓燒結 （N2氣氛） 添加劑：B2O3SiO2 防止B的析出形成N空位 16001900度 9GPa第六節(jié) TiN陶瓷 一、晶體結構 面心立方， NaCl結構二、性能與特點 熔點高 2950度

22、 硬度高、化學溫度性好 磨料、刀具 金黃色、 表面裝飾 較高的導電性和超導特性 電觸頭材料、電極材料 三、粉體制備四、燒結 熱壓燒結 （N2氣氛）第七節(jié) 碳化硅陶瓷 一、晶體結構 SiC是共價鍵很強的化合物，SiC中Si-C鍵的離子性僅12左右。 SiC具有和兩種晶型。SiC的晶體結構為立方晶系，Si和C分別組成面心立方晶格；SiC存在著4H、15R和6H等100余種多型體，其中，6H多型體為工業(yè)應用上最為普遍的一種。 閃鋅礦晶體結構立方晶系 -碳化硅纖鋅礦型結構，六方晶系 -碳化硅 在溫度低于1600時，SiC以SiC形式存在。當高于1600時，SiC緩慢轉變成SiC的各種多型體。4HSiC

23、在2000左右容易生成；15R和6H多型體均需在2100以上的高溫才易生成；對于6HSiC，即使溫度超過2200，也是非常穩(wěn)定的。SiC中各種多型體之間的自由能相差很小，因此，微量雜質的固溶也會引起多型體之間的熱穩(wěn)定關系變化。 二、性能與應用 1，化學穩(wěn)定性好、具有抗氧化性強。 NaOH、KOH、Na2O、K2CO3 高溫時可分解SiC Na2O2、PbO強烈分解SiC H2O13001400度開始分解，17751800度強烈反應 具有抗氧化性強，碳化物中性能最好 1000度 開始氧化 1350度 顯著氧化 1500度 表面SiO2膜，阻止氧化 1750度 強烈氧化 2，硬度高，耐磨性能好 C

24、BNBCSiC 3，SiC寬能帶隙半導體性，少量雜質的引入會表現(xiàn)出良好的導電性。 4，負溫度系數(shù) 并且在10001500度范圍內(nèi)變化不大 5，熱穩(wěn)定性好，高溫強度大。 抗壓強度1000-1500MN/m2在1400時抗彎強度仍保持在500600MPa。 6，熱膨脹系數(shù)小，熱導率大以及抗熱震和耐化學腐蝕等優(yōu)良特性。 7，脆性大、韌性差 碳化硅的最大特點是高溫強度高，有很好的耐磨碳化硅的最大特點是高溫強度高，有很好的耐磨損、耐腐蝕、抗蠕變性能，其熱傳導能力很強，損、耐腐蝕、抗蠕變性能，其熱傳導能力很強，僅次于氧化鈹陶瓷。僅次于氧化鈹陶瓷。 SiC密封件密封件 碳化硅陶瓷用于制造火箭碳化硅陶瓷用于制

25、造火箭噴嘴、澆注金屬的喉管、噴嘴、澆注金屬的喉管、熱電偶套管、爐管、燃氣熱電偶套管、爐管、燃氣輪機葉片及軸承，泵的密輪機葉片及軸承，泵的密封圈、拉絲成型模具等。封圈、拉絲成型模具等。 SiC陶瓷件陶瓷件SiC陶瓷件陶瓷件SiC軸承軸承三、制備工藝 1、SiC粉末的合成SiC在地球上幾乎不存在，僅在隕石中有所發(fā)現(xiàn)，因此，工業(yè)上應用的SiC粉末都為人工合成。目前，合成SiC粉末的主要方法有： 1）、Acheson法： 這是工業(yè)上采用最多的合成方法，即用電將石英砂和焦炭的混合物加熱至2500左右高溫反應制得。因石英砂和焦炭中通常含有Al和Fe等雜質，在制成的SiC中都固溶有少量雜質。其中，雜質少的呈

26、綠色，雜質多的呈黑色。 2）化合法： 在一定的溫度下，使高純的硅與碳黑直接發(fā)生反應。由此可合成高純度的SiC粉末。 3）熱分解法： 使聚碳硅烷或三氯甲基硅等有機硅聚合物在12001500的溫度范圍內(nèi)發(fā)生分解反應，由此制得亞微米級的SiC粉末。 4）氣相反相法： 使SiCl4和SiH4等含硅的氣體以及CH4、C3H8、C7H8等同時含有硅和碳的氣體在高溫下發(fā)生反應，由此制備納米級的SiC超細粉。 2、碳化硅陶瓷的燒結 1、無壓燒結 1974年美國GE公司通過在高純度SiC細粉中同時加入少量的B和C，采用無壓燒結工藝，于2020成功地獲得高密度SiC陶瓷。目前，該工藝已成為制備SiC陶瓷的主要方法

27、。美國GE公司研究者認為：B固溶到SiC中，使晶界能降低，C把SiC粒子表面的SiO2還原除去，提高表面能，因此B和C的添加為SiC的致密化創(chuàng)造了熱力學方面的有利條件。 日本研究人員卻認為SiC的致密化機理可能是液相燒結，他們發(fā)現(xiàn)：在同時添加B和C的SiC燒結體中，有富B的液相存在于晶界處。 關于無壓燒結機理，目前尚無定論。 為了SiC的致密燒結，SiC粉料的比表面積應在10m2g以上，且氧含量盡可能低。B的添加量在05左右，C的添加量取決于SiC原料中氧含量高低，通常C的添加量與SiC粉料中的氧含量成正比。 以SiC為原料，同時添加B和C，也同樣可實現(xiàn)SiC的致密燒結。 最近，有研究者在亞微米SiC粉料中加入Al2O3和Y2O3，在18502000溫度下實現(xiàn)SiC的致密燒結。由于燒結溫度低而具有明顯細化的微觀結構，因而，其強度和韌性大大改善。 常壓燒結碳化硅常壓燒結碳化硅 2、熱壓燒結 50年代中期，美國Norton公司 Al和Fe是促進SiC熱壓致密化的最有效的添加劑。Al2O3為添加劑，通過熱壓燒結工藝，也實現(xiàn)了SiC的致密化，并認為其機理是液相燒結。 此外，還有研究者分別以B4C、B或B與C，Al2O3和C、Al2O3和Y2O3、Be