MOSFET管開關(guān)電路基本知識(shí)總結(jié)

1、一直以來模擬電路就學(xué)的不好，好不容易把三極管了解完了，就一直沒敢碰MOSFET了，沒想到兩年后還是會(huì)遇到，不過有一句話倒是很不錯(cuò)，就是技術(shù)這個(gè)東西不能太深入，否則你會(huì)發(fā)現(xiàn)其實(shí)都很簡(jiǎn)單.(-)MOSFET管的基本知識(shí)MOSFET是利用半導(dǎo)體表面的電場(chǎng)效應(yīng)進(jìn)行工作的，也稱為表面場(chǎng)效應(yīng)器件它分為N溝道和P溝道兩類，其中每一類又可分為增強(qiáng)型和耗盡型兩種，所謂耗盡型就是當(dāng)VgsO時(shí),存在導(dǎo)電溝道,L0,所謂增強(qiáng)型就是VcsO時(shí),沒有導(dǎo)電溝道，即IdO.aD-gL|jPMOS-2合.一.以上是N溝道和P溝道MOS管的符號(hào)圖，其相關(guān)基本參數(shù)：(1)開啟電壓Vth,指柵源之間所加的電壓,飽和漏電流Idss,指

2、的是在Vgs=O的情況下，當(dāng)Vds>|Vth|時(shí)的漏極電流稱為飽和漏電流Idss(3)最大漏源電壓Vds(4)最大柵源電壓Vgs(5)直流輸入電阻Rgs通常MOS管的漏極與源極與以互換，但有些產(chǎn)品出廠時(shí)已將源極與襯底連在一起，這時(shí)源極與漏極不能對(duì)調(diào)，使用時(shí)應(yīng)該注意下面以FDN336P的一些主要參數(shù)為例進(jìn)行介紹：AbsoluteIV!日KimumRatingsT產(chǎn)25-o(heniws«notedSymbolParameterRatingsUnitsVassrain-SourceVoltage-2QVVqssGate-SourceVoltage+8VIdDrainCurrent-

3、Continuous密皿19)-Puls&d_1.3A-w上表指出其源極與漏極之間的電壓差為20V,而且只能是S接正極,D接負(fù)極，柵極與源極之間的最大電壓差為8V,可以反接.源極最大電流為1.3A,由S->D流向，脈沖電流為10AlossZeroGateVoltageDrainCurantVbIGW孫TpATj=5oC-10UA待日.牛齊Tr?/cFH*/.dp/這/E表示在Vgs0時(shí)，Vds-I6V時(shí)的飽和漏電流,GateThresholdVoltageL=-250hA-0.4-0.915VjAaGaleThresholdVottjgeTemp.Coefficienl1d=-2

4、50uA_Referencedto25'C3rriVVtStaticDrain-SounreQn-Resistence<n=QA0.12202Tj二1右C0180.32V,=一2.5V.A016027上圖表示其開啟電壓為1.5V,并指出了其DS間導(dǎo)通電阻值.(二)MOSFET做開關(guān)管的知識(shí)一般來講，三極管是電流驅(qū)動(dòng)的，MOSFET是電壓驅(qū)動(dòng)的，因?yàn)槲沂怯肅PLD來驅(qū)動(dòng)這個(gè)開關(guān)，所以選擇了用MOSFET做,這樣也可以節(jié)省系統(tǒng)功耗吧，在做開關(guān)管時(shí)有一個(gè)必須注意的事項(xiàng)就是輸入和輸入兩端間的管壓降問題，比如一個(gè)5V的電源，經(jīng)過管子后可能變?yōu)榱?.5V,這時(shí)候要考慮負(fù)載能不能接受了，我曾經(jīng)

5、遇到過這樣的問題就是負(fù)載的最小工作電壓就是5V了，經(jīng)過管子后發(fā)現(xiàn)系統(tǒng)工作不起來，后來才想起來管子上占了一部分壓降了，類似的問題還有在使用二極管的時(shí)候（尤其是做電壓反接保護(hù)時(shí)）也要注意管子的壓降問題開關(guān)電路原則a. BJT三極管Transistors只要發(fā)射極e對(duì)電源短路就是電子開關(guān)用法N管發(fā)射極E對(duì)電源負(fù)極短路.（搭鐵）低邊開關(guān)；b-e正向電流飽和導(dǎo)通P管發(fā)射極E對(duì)電源正極短路.高邊開關(guān);b-e反向電流飽和導(dǎo)通b. FET場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET只要源極S對(duì)電源短路就是電子開關(guān)用法N管源極S對(duì)電源負(fù)極短路.（搭鐵）低邊開關(guān)；柵-源正向電壓導(dǎo)通P管源極S對(duì)電源正極短路.高邊開關(guān)；柵-源反向電壓導(dǎo)通總

6、結(jié)：低邊開關(guān)用NPN管高邊開關(guān)用PNP管三極管b-e必須有大于C-E飽和導(dǎo)通的電流場(chǎng)效應(yīng)管理論上柵-源有大于漏-源導(dǎo)通條件的電壓就就0K假如原來用NPN三極管作ECU氧傳感器加熱電源控制低邊開關(guān)則直接用N-Channel場(chǎng)效應(yīng)管代換；或看情況修改下拉或上拉電阻基極一柵極集電極一漏極發(fā)射極一源極上面是在一個(gè)論壇上摘抄的，語言通俗，很實(shí)用,s：這是從方佩敏老師寫的文章里摘抄的一個(gè)開關(guān)電路圖用PMOSFET構(gòu)成的電源自動(dòng)切換開關(guān)在需要電池供電的便攜式設(shè)備中，有的電池充電是在系統(tǒng)充電，即充電時(shí)電池不用拔下來。另外為了節(jié)省功耗，需要在插入墻上適配器電源時(shí)，系統(tǒng)自動(dòng)切換為適配器供電，斷開電池與負(fù)載的連接；如果拔掉適配器電源，系統(tǒng)自動(dòng)切換為電池供電。本電路用一個(gè)PMOSFET構(gòu)成這種自動(dòng)切換開關(guān)。圖中的V_BATT表示電池電壓，VIN_AC表示適配器電壓。當(dāng)插入適配器電源時(shí)，VIN_AC電壓高于電池電壓（否則適配器電源就不能對(duì)電池充電），Vgs>0,MOSFET截止，系統(tǒng)由適配器供電。拔去適配器電源，則柵極電壓為零，而與MOSFET封裝在一體的施特基二極管使源極電壓近似為電池電壓，導(dǎo)致Vgs小于Vgsth,MOSFET導(dǎo)通，從而系統(tǒng)由電池供電。IP F74+5zVIM_KC上面也是從網(wǎng)上摘抄的開關(guān)電路圖總結(jié)以上知識(shí)，在選M