2019版高考化學高分培養(yǎng)計劃一輪全國創(chuàng)新版課時作業(yè)：(20220313204822)

1、&課時作業(yè)（建議用時：40 分鐘）一、選擇題（每題 6 分，共 54 分）1 .某短周期非金屬元素的原子核外最外層電子數(shù)是次外層電子 數(shù)的一半，該元素（）A .在自然界中只以化合態(tài)的形式存在B.單質(zhì)常用作半導體材料和光導纖維C .最高價氧化物不與酸反應D .氣態(tài)氫化物比甲烷穩(wěn)定答案 A解析 由已知信息可知該非金屬元素為硅。 硅強烈親氧，在自然 界以氧化物或復雜硅酸鹽形式存在，不存在單質(zhì)硅，A 正確；硅單質(zhì)能用作半導體材料而不能用作光導纖維， 制造光導纖維是用二氧化 硅， B 錯誤；SQ 能與氫氟酸反應：SiO2+ 4HF=SiF4f+2 出 0, C 錯誤；非金屬性：CSi,故 SiH

2、4的穩(wěn)定性弱于甲烷，D 錯誤。2. 硅是構(gòu)成無機非金屬材料的一種主要元素，下列有關硅的化合物的敘述錯誤的是（）A .氮化硅陶瓷是一種新型無機非金屬材料，其化學式為Si3N4B.碳化硅（SiC）的硬度大，熔點高，可用于制作高溫結(jié)構(gòu)陶瓷和 軸承C .光導纖維是一種新型無機非金屬材料，其主要成分為SiO2D .硅酸鹽 Na2Fe2Si30io用氧化物的形式表示為Na2O 2FeO 3SiO2答案 D解析 正確的表示應該為 Na20 F033SiO2，故 D 錯誤。3. （2017 甘肅天水一中模擬）下列說法正確的是（）+ 02+ 出 0+ NaOH 或 HCIA .單質(zhì)-氧化物- 酸或堿 -鹽，碳或

3、硅單質(zhì)可以按上述關系進行轉(zhuǎn)化B. 若 a、b、c 分別為 Si、SO H2SQ3,則可以通過一步反應實現(xiàn)轉(zhuǎn)化：bc aC. 太陽能電池板中的硅在元素周期表中處于金屬元素與非金屬 元素的交界位置D .單質(zhì)硅常用于制造光導纖維答案 C解析 A 項，SiO2不與 出 0 反應；B 項，b c, ca 均不 能通過一步反應實現(xiàn)轉(zhuǎn)化；D 項，用于制造光導纖維的是 SiO2，而 非單質(zhì)硅。4.下列關于 C、Si 兩種元素的說法正確的是（）A .兩者結(jié)合形成的化合物是共價化合物B.在自然界中都能以游離態(tài)存在C .氫化物的熱穩(wěn)定性比較：CH4Si，故氫化物的熱穩(wěn)定性 SiH4CH4,故 C 錯；SiO?既不溶

4、于 水，也不和水反應，故 D錯。5.（2017 安徽合肥聯(lián)考）近幾年我國載人飛船多次升空，顯示出 我國航天技術(shù)已進入世界一流，飛船應用了許多尖端的合成材料。 據(jù) 報道我國科學家近年來研制出一種新型“連續(xù)纖維增韌”航空材料，其主要成分是由碳化硅陶瓷和碳纖維復合而成的。 下列相關敘述不正 確的是（）A .它耐高溫抗氧化B. 它比鋼鐵輕，強度大，但質(zhì)地較脆C. 它沒有固定熔點D .它是一種新型無機非金屬材料答案 B解析 航空材料具有質(zhì)輕、強度高、耐高溫、抗氧化等性能，又 由題中信息可知，該材料具有一定的韌性，故 B 錯， A 正確；復合 材料屬于混合物，沒有固定的熔點， 碳化硅高溫結(jié)構(gòu)陶瓷和碳纖維復

5、 合而成的材料屬于新型無機非金屬材料， C、D 正確。6下列離子方程式不正確的是 ( )A .石英與燒堿反應：SiO2+ 2OH-=Si+出 0B.硅與燒堿反應：Si+ 20H-=S i&_+C.硅酸鈉溶液中通入少量 CO2： Si02+ CO2+H2O=co3+ H2SQ3JD .往水玻璃中加入鹽酸：2H+ SiO2-=H2SiO3J答案 B解析 硅與燒堿溶液反應時， H2O 參與反應， Si+ 2OH + H2O=SiO32+ 2H2f。7和田玉是一種具有鏈狀結(jié)構(gòu)的含水鈣鎂硅酸鹽，某種和田玉 的化學成分為ca2Mg3Fe2(Si4O11)2(OH)2，下列有關敘述正確的是 ()A

6、其 化 學 式 改 寫 為 氧 化 物 的 形 式 為 2CaO 3MgO FezOs8SQ2H2OB.它能夠抵抗任何酸堿的腐蝕C .其中鐵元素的化合價為+ 3D .其中鐵元素的化合價為+ 2答案 D解析 假設和田玉中鐵元素的化合價為+ x,根據(jù)化合物中各元 素的化合價代數(shù)和為零，可得：( (+ 2)X2+ (+ 2)X3 + (+ x)X2+ ( + 4) )x8 + ( 2)X22+( 1)X2 = 0,即 x= 2,所以其化學式改寫為氧化 物的形式為 2CaO 3MgO2FeO-8SiO2H2O;硅酸鹽一般耐酸堿的腐 蝕,但不是所有的酸堿都不能腐蝕它,如氫氟酸可以和其中的硅元素 反應生成

7、 SiF4氣體，濃硝酸可以將其中所含的Fe2+氧化成 Fe3+。8.用四種溶液進行實驗,下表中“操作及現(xiàn)象”與“溶液”對應關系錯誤的是( () )選項操作及現(xiàn)象溶液A通入co2.溶液變渾濁飽和Na3C()3溶液B通入C()2亍溶液變渾濁繼續(xù)通CQ至過量嚴渾濁消失Na2Si()3溶液C通入CO溶液變渾濁穩(wěn)再加入 品紅溶液哉紅色褪去Ca(Cl()2溶液D通入C()2,溶液變渾濁再繼續(xù)通C()2至過量渾濁消失再加入 足量NaOlI溶液又變渾濁澄清石灰水答案 B解析 由于 Na2CO3的溶解度大于 NaHCO3的溶解度，Na2CO3+ CO2+H2O=2NaHCO3J,因而會析出NaHCO3晶體， A

8、項正確； B 項， CO2+ NazSiOs+ H2O=Na?CO3+ HzSiOsJ, CO2+ Na?CO3+ H2O=2NaHCO3, H2SQ3與 CO2不反應，渾濁不會消失；C 項， CO2+ Ca(CIO) )2+ H2O=CaCO3$ +2HC1O，溶液變渾濁后加入品 紅溶液，被 HCIO 氧化褪色；D 項，首先 CO2+Ca(OH) )2=CaCO3J+ H2O，繼續(xù)通 CO2，生成可溶于水的 Ca(HCO3)2，再加入足量的 NaOH，則:2NaOH + Ca(HCO3) )2=CaCO3J+ W2CO3+ 2 出。 ,溶液又變渾濁。高溫9.對于反應 3C + SiO2=Si

9、C + 2COf,下列說法正確的是 ( )A.SiC 是氧化產(chǎn)物B.還原劑與氧化劑的物質(zhì)的量之比為 1 : 2C .若生成 4.48 L CO ,則轉(zhuǎn)移 0.4 mol 電子D .該反應中 C 既是氧化劑又是還原劑答案 D解析 SiC 中碳元素化合價是4 價，SiC 是還原產(chǎn)物，A 項錯 誤；該反應中還原劑與氧化劑的物質(zhì)的量之比為2 ： 1, B 項錯誤；沒有說明是否為標準狀況，C 項錯誤；碳元素化合價既有升高又有降 低，所以C 既是氧化劑又是還原劑，D 項正確。二、非選擇題（共 46 分）10.（2017 四川成都調(diào)研）（12 分）晶體硅是信息科學和能源科學中 的一種重要材料，可用于制芯片和

10、太陽能電池等。以下是工業(yè)上制取 純硅的一種方法。請回答下列問題（各元素用相應的元素符號表示）：（1）_在上述生產(chǎn)過程中，屬于置換反應的有 _ （填反應代號）。（2） 寫出反應的化學方程式 _ 。（3） 化合物 W 的用途很廣，通?？捎米鹘ㄖI(yè)和造紙工業(yè)的黏合劑，可作肥皂的填充劑，是天然水的軟化劑。將石英砂和純堿按一 定比例混合加熱至 13731623 K 反應，生成化合物 W，其化學方程 式是（4） A、B、C 三種氣體在“節(jié)能減排”中作為減排目標的一種氣體是_ 傾化學式）；分別通入 W 溶液中能得到白色沉淀的氣體是_ (填化學式)。答案( (1)1357 K(2) SiHCI3+ H2=

11、Si+ 3HCI13731623 K(3) SiO2+W2CO3=Na2SiO3+CO?f(4) CO2CO2禾口 HCI解析 反應為石英砂和焦炭生成粗硅和一氧化碳的反應：SiO23273 K+ 2C = Si + 2COf,屬于置換反應；反應是 Si + 523527 K3HCI = SiHCl3+ H2，屬于置換反應；反應 是 SiHCl3+ 1357 KH2=Si + 3HCI，屬于置換反應；反應 為特定條件下的反應：1073 KCO + H2O =H2+ CO2，不屬于置換反應。A、B、C 分別為 CO、 催化劑CO2、HCI，其中 CO2是溫室氣體，是節(jié)能減排的目標氣體，CO2和HC

12、I 通入 W(硅酸鈉)溶液中能夠生成白色沉淀( (硅酸)。11. (16 分)硅是帶來人類文明的重要元素之一，從傳統(tǒng)材料到信息材料的發(fā)展過程中創(chuàng)造了一個又一個奇跡。(1) 新型陶瓷 Si3N4的熔點高、硬度大、化學性質(zhì)穩(wěn)定。工業(yè)上可以采用化學氣相沉積法，在 H2的保護下，使 SiCI4與 N2反應生成的Si3N4沉積在石墨表面，寫出該反應的化學方程式： _ 。(2) 工業(yè)上可以通過如圖所示的流程制取純硅：1整個制備過程必須嚴格控制無水無氧。SiHCls遇水劇烈反應生成 H2SiO3、HCl 和另一種物質(zhì)，寫出該反應的化學方程式：2假設每一輪次制備 1 mol 純硅，且生產(chǎn)過程中硅元素沒有損 失

13、，反應I中 HCl 的利用率為 90%，反應H中 H2的利用率為 93.75% 則在第二輪次的生產(chǎn)中，補充投入 HCl 和 H2的物質(zhì)的量之比是答案（1）3SiCb + 2N2+ 6H2=Si3N4+ 12HCl（2）SiHCl3+3H2O=H2SiO3J +3HCl+出匸5:1解析（2）由題中條件可知，553573 KSi（粗）+3HC1SiHClg - H21 mol 3 mol1 mol 1 mol（13731433 K .tSiHC?l3+ H2.=Si（純） +3HCl1 mol 1 mol3 mol由以上數(shù)據(jù)，循環(huán)生產(chǎn)中只能產(chǎn)生 3 mol HCl，但 HCl 的利用率（3為 90

14、% ,因此需要增加 肺 3j mol HCl,循環(huán)生產(chǎn)中只產(chǎn)生 1 mol（1、H2，但 H2的利用率為 93.75%，因此需要增加 而 5% 1mol H2,（3f1因此，補充投入 HCl 和 H2的物質(zhì)的量之比是 &3% 3 ! : 3 75% 1; 5 ： 1o12. （2017 福州質(zhì)檢）（）（18 分）晶體硅是一種重要的非金屬材料。物質(zhì)熔點/cSiHCl333.0SiCl457.6HCl84模擬制備純硅的主要步驟如下：1高溫下用碳還原二氧化硅制得粗硅；300 C2粗硅與干燥 HCI 氣體反應制得 SiHCl3: Si+ 3HCI=SiHCl3 + &3SiHCI3與過

15、量 H2在 10001100C反應制得純硅?？赡苡玫降男畔⑷缦拢阂阎?SiHCl3能與 H2O 強烈反應，在空氣中易自燃；步驟中粗 硅與 HCI反應時會生成少量 SiCl4。請回答下列問題：(1) 粗硅與 HCl 反應完全后，依據(jù)上表所示沸點差異提純 SiHCl3,該提純方法為_ 。(2) 用SiHCl3與過量H2反應制備純硅的裝置如下( (熱源及夾持裝 置略去):尾氣處理 裝置略E1依次連接的合理順序為(填寫字母序號) )； 裝置 D 中 g管的作用是_裝置 B 中的試劑是_ 裝置 C 中的燒瓶加熱的目的是_。2裝置 A 中發(fā)生反應的化學方程式為3_操作時應先打開裝置(填“C 或“D中分液漏

16、斗的旋I?D塞，理由是 _(3)請設計實驗證明產(chǎn)品硅中是否含微量鐵單質(zhì)：將產(chǎn)品用稀鹽 酸溶解，取上層清液后 _ 。_答案(1)蒸餾(2 冋 DBCAE 平衡壓強( (其他合理答案均可) )濃硫酸使滴入10001100C燒瓶中的 SiHCI3汽化 SiHCI3+ H2= Si + 3HCI D SiHCls容易在空氣中自燃，實驗中要注意先通一段時間 H2排盡裝置 中的空氣(3)先滴加氯水， 再滴加硫氰化鉀溶液， 溶液顯紅色 (或加入氫氧 化鈉溶液，出現(xiàn)白色沉淀后變灰綠色最后變紅褐色，合理答案均可 )解析( (1)根據(jù)沸點差異可知提純 SiHCl3的方法為蒸餾。(2) 根據(jù) SiHCl3能與 H2O 強烈反應，故制得的