金屬化和多層互連

1、P型晶圓N型井區(qū)P型井區(qū)STIn+n+USGp+p+金屬金屬1, AlCuBPSGWP型磊晶層TiSi2TiN, ARCTi/TiNHigh speedHigh reliabilityHigh density歐姆接觸歐姆接觸 金屬化層和硅襯底的接觸，既可以形成整流接觸，也可以形成歐姆接觸，主要取決于金屬和半導(dǎo)體功函數(shù)的相對(duì)大小 RcJVv01比接觸電阻的單位 : 歐姆.cm2接觸電阻 R=Rc/S 當(dāng)金屬與半導(dǎo)體之間的載流子輸運(yùn)以隧道穿透為主時(shí)，Rc與半導(dǎo)體的摻雜濃度N及金半接觸的勢(shì)壘高度qVb 有下面的關(guān)系 qVb在數(shù)值上等于金屬費(fèi)米能級(jí)上的電子進(jìn)入半導(dǎo)體所需的能量。結(jié)論：要獲得低接觸電阻的

2、金半接觸，必須減小金半接觸的勢(shì)壘高度及提高半導(dǎo)體的摻雜濃度RcqVNbexp名稱 鋁 符號(hào) Al 原子序 13 原子量 26.981538 發(fā)現(xiàn)者 漢克 克里斯汀 奧斯特德 發(fā)現(xiàn)地點(diǎn) 丹麥 發(fā)現(xiàn)日期 1825 名稱來(lái)源 源自拉丁字 alumen，指明礬 固體密度 2.70 g/cm3 摩爾體積 10.00 cm3 音速 5100 m/sec 硬度 2.75 電阻係數(shù) 2.65 cm 反射率 71% 熔點(diǎn) 660 C 沸點(diǎn) 2519 C 熱傳導(dǎo)係數(shù) 235 W m-1 K-1 線性熱膨脹係數(shù) 23.110-6 K-1 蝕刻物 (濕) H3PO4, HNO4, CH3COOH 蝕刻物 (乾) Cl

3、2, BCl3 CVD 源材料 Al(CH3)2H KTCJAMTFexp2p+p+N型矽鋁鋁鋁SiO2oxmoxmttltwlwtlCRRC2)()(P型磊晶層P型晶圓N型井區(qū)P型井區(qū)n+STIp+p+USGWPSGWFSGn+M1CuCoSi2Ta 或 TaNTi/TiNSiNCuCuFSGP型磊晶層P型晶圓N型井區(qū)P型井區(qū)n+STIp+p+USGWPSGWFSGn+M1CuCoSi2Ta 或 TaNTi/TiNSiNCuCuFSGP型磊晶層P型晶圓N型井區(qū)P型井區(qū)n+STIp+p+USGWPSGWFSGn+M1CuCoSi2Ta 或 TaNTi/TiNSiNCuCuFSG多晶硅柵極多晶硅柵極in-n-n+n+Tii沉積多晶硅柵極多晶硅柵極in-n-n+n+TiSi2TiSi2Ti退火產(chǎn)生金屬硅化物多晶硅柵極多晶硅柵極in-n-n+n+TiSi2TiSi2濕法腐蝕i薄膜多晶硅柵極多晶硅柵極in-n-n+n+TiSi2TiSi2鈦PSGTiSi2n+鎢鋁-銅鈦PSGTiSi2n+鎢鋁-銅面積 = A面積 = B面積 = A垂直的側(cè)壁傾斜的側(cè)壁A B傳