第3次課-常用電子元器件(2)

1、第第2 2部分部分 常用電子元器件的應(yīng)用（常用電子元器件的應(yīng)用（2 2）電子技術(shù)教研室電子技術(shù)教研室1212年夏年夏第第2 2部分部分 常用電子元器件的應(yīng)用常用電子元器件的應(yīng)用(2) (2) 第第2 2部分部分 常用電子元器件的應(yīng)用（常用電子元器件的應(yīng)用（2 2）電子技術(shù)教研室電子技術(shù)教研室1212年夏年夏第第2 2部分部分 常用電子元器件的應(yīng)用常用電子元器件的應(yīng)用 第第2 2部分部分 常用電子元器件的應(yīng)用（常用電子元器件的應(yīng)用（2 2）電子技術(shù)教研室電子技術(shù)教研室1212年夏年夏2.3 電感器電感器v2.3.1 2.3.1 電感器在電子電路中的應(yīng)用電感器在電子電路中的應(yīng)用1.1.直流電源濾波

2、直流電源濾波2.2.高頻濾波高頻濾波3.3.諧振電路諧振電路4.4.振蕩器振蕩器5.5.陷波器陷波器6.6.高頻補償高頻補償?shù)诘?次課次課第第2 2部分部分 常用電子元器件的應(yīng)用（常用電子元器件的應(yīng)用（2 2）電子技術(shù)教研室電子技術(shù)教研室1212年夏年夏v2.3.1 2.3.1 電感器在電子電路中的應(yīng)用電感器在電子電路中的應(yīng)用7 7. .阻抗匹配阻抗匹配8.8.延遲線延遲線9.9.耦合與隔直耦合與隔直10.10.形成磁場形成磁場11.11.電源濾波器電源濾波器第第2 2部分部分 常用電子元器件的應(yīng)用（常用電子元器件的應(yīng)用（2 2）電子技術(shù)教研室電子技術(shù)教研室1212年夏年夏v2.3.2 2.3

3、.2 電感器的主要技術(shù)參數(shù)電感器的主要技術(shù)參數(shù)1.1.標(biāo)稱電感量標(biāo)稱電感量2.2.允許誤差允許誤差3.3.額定工作電流額定工作電流4.4.品質(zhì)因數(shù)品質(zhì)因數(shù)5.5.分布電容分布電容第第2 2部分部分 常用電子元器件的應(yīng)用（常用電子元器件的應(yīng)用（2 2）電子技術(shù)教研室電子技術(shù)教研室1212年夏年夏v2.3.3 2.3.3 電感器的種類電感器的種類1.1.立式密封固定電感器立式密封固定電感器2.2.臥式密封固定電感器臥式密封固定電感器3.3.可調(diào)電感器可調(diào)電感器4.4.磁珠磁珠第第2 2部分部分 常用電子元器件的應(yīng)用（常用電子元器件的應(yīng)用（2 2）電子技術(shù)教研室電子技術(shù)教研室1212年夏年夏第第2

4、2部分部分 常用電子元器件的應(yīng)用（常用電子元器件的應(yīng)用（2 2）電子技術(shù)教研室電子技術(shù)教研室1212年夏年夏 固定電感固定電感 可變電感可變電感第第2 2部分部分 常用電子元器件的應(yīng)用（常用電子元器件的應(yīng)用（2 2）電子技術(shù)教研室電子技術(shù)教研室1212年夏年夏 變壓器變壓器脈沖變壓器脈沖變壓器匹配變壓器匹配變壓器阻抗變換變壓器阻抗變換變壓器電源變壓器電源變壓器第第2 2部分部分 常用電子元器件的應(yīng)用（常用電子元器件的應(yīng)用（2 2）電子技術(shù)教研室電子技術(shù)教研室1212年夏年夏v2.3.4 2.3.4 電感器的應(yīng)用電感器的應(yīng)用1.1.根據(jù)電路要求選用電感器根據(jù)電路要求選用電感器2.2.據(jù)誤差要求，

5、按系列值選用電感器據(jù)誤差要求，按系列值選用電感器3.3.電流值要減額電流值要減額4.4.注意品質(zhì)因數(shù)注意品質(zhì)因數(shù) Q Q值值5.5.在在LCLC去耦時，考慮直流電阻去耦時，考慮直流電阻6.6.感抗感抗 X XL L=2fL=2fL7.7.感性負(fù)載驅(qū)動感性負(fù)載驅(qū)動第第2 2部分部分 常用電子元器件的應(yīng)用（常用電子元器件的應(yīng)用（2 2）電子技術(shù)教研室電子技術(shù)教研室1212年夏年夏圖2.3.14 感性負(fù)載的驅(qū)動第第2 2部分部分 常用電子元器件的應(yīng)用（常用電子元器件的應(yīng)用（2 2）電子技術(shù)教研室電子技術(shù)教研室1212年夏年夏補充補充-元件值的表示方法元件值的表示方法F10569 容量：容量：精度：精

6、度：5耐壓：耐壓：63V阻值：阻值： 4 . 2精度：精度：5功率：功率：5W 直標(biāo)直標(biāo)第第2 2部分部分 常用電子元器件的應(yīng)用（常用電子元器件的應(yīng)用（2 2）電子技術(shù)教研室電子技術(shù)教研室1212年夏年夏 數(shù)碼數(shù)碼NNZNNZ- 有效數(shù)字有效數(shù)字- “0”的個數(shù)的個數(shù)阻值：阻值： 1500精度：精度： 5%pF6800容量：容量：精度：精度：20%耐壓：耐壓：1000V第第2 2部分部分 常用電子元器件的應(yīng)用（常用電子元器件的應(yīng)用（2 2）電子技術(shù)教研室電子技術(shù)教研室1212年夏年夏 色碼色碼顏色顏色數(shù)字?jǐn)?shù)字倍率倍率偏差偏差(%)棕棕紅紅橙橙黃黃綠綠藍(lán)藍(lán)紫紫灰灰白白黑黑無色無色銀銀金金1234

7、5678901102103104105106107108109100101 2 5 . 0 25. 0 1 . 0 50 20 20 10 5 第第2 2部分部分 常用電子元器件的應(yīng)用（常用電子元器件的應(yīng)用（2 2）電子技術(shù)教研室電子技術(shù)教研室1212年夏年夏阻值：阻值： 21047精度：精度：5阻值：阻值： 110330精度：精度：2第第2 2部分部分 常用電子元器件的應(yīng)用（常用電子元器件的應(yīng)用（2 2）電子技術(shù)教研室電子技術(shù)教研室1212年夏年夏習(xí)慣標(biāo)識習(xí)慣標(biāo)識電容電容F pFnF省略省略F用用 np無倍率符號表示無倍率符號表示pF電阻電阻 K M省略省略用用KM無倍率符號表示無倍率符號表

8、示 電感通常不省略電感通常不省略第第2 2部分部分 常用電子元器件的應(yīng)用（常用電子元器件的應(yīng)用（2 2）電子技術(shù)教研室電子技術(shù)教研室1212年夏年夏補充補充-連接器連接器1. 矩形連接器矩形連接器2. D形連接器形連接器第第2 2部分部分 常用電子元器件的應(yīng)用（常用電子元器件的應(yīng)用（2 2）電子技術(shù)教研室電子技術(shù)教研室1212年夏年夏3. IC插座插座4. 壓接端子排壓接端子排第第2 2部分部分 常用電子元器件的應(yīng)用（常用電子元器件的應(yīng)用（2 2）電子技術(shù)教研室電子技術(shù)教研室1212年夏年夏5. 插接端子排插接端子排6. 跳線開關(guān)跳線開關(guān)第第2 2部分部分 常用電子元器件的應(yīng)用（常用電子元器件

9、的應(yīng)用（2 2）電子技術(shù)教研室電子技術(shù)教研室1212年夏年夏2.4 2.4 晶體管晶體管v2.4.1 2.4.1 硅二極管和硅整流橋硅二極管和硅整流橋1 1硅整流二極管硅整流二極管硅整流二極管除主要用于電源電路做整流硅整流二極管除主要用于電源電路做整流元件外，如圖元件外，如圖2.4.12.4.1所示還可以做限幅、鉗所示還可以做限幅、鉗位、保護、隔離等多種靈活應(yīng)用。位、保護、隔離等多種靈活應(yīng)用。第第2 2部分部分 常用電子元器件的應(yīng)用（常用電子元器件的應(yīng)用（2 2）電子技術(shù)教研室電子技術(shù)教研室1212年夏年夏圖（圖（c c）中）中J J為電磁繼電器線圈，二級管將為電磁繼電器線圈，二級管將抑制此感

10、性負(fù)載在晶體管抑制此感性負(fù)載在晶體管T T由飽和跳變到由飽和跳變到截止時所產(chǎn)生的大幅度的反向電動勢，從截止時所產(chǎn)生的大幅度的反向電動勢，從而保護而保護T T。圖（圖（d d）為脈沖微分限幅電路，將在輸出）為脈沖微分限幅電路，將在輸出削去負(fù)尖脈沖。削去負(fù)尖脈沖。第第2 2部分部分 常用電子元器件的應(yīng)用（常用電子元器件的應(yīng)用（2 2）電子技術(shù)教研室電子技術(shù)教研室1212年夏年夏圖（圖（e e）為）為RAMRAM數(shù)據(jù)保持電路。后備銀鋅電池數(shù)據(jù)保持電路。后備銀鋅電池E=3.6VE=3.6V，在在RAM RAM 正常工作時，正常工作時，RAM RAM 由由+5V+5V電源供電，且可通過電源供電，且可通過

11、D D 對對E E充電。斷電時，充電。斷電時，RAM RAM 由由E E 供電，供電，D D 將將E E 和電路和電路+5V+5V端隔離。端隔離。圖（圖（f f）為）為RC RC 充放電電路。充電通過充放電電路。充電通過D1R1D1R1進(jìn)行，而進(jìn)行，而放電則通過放電則通過D2R2 D2R2 進(jìn)行。進(jìn)行。 第第2 2部分部分 常用電子元器件的應(yīng)用（常用電子元器件的應(yīng)用（2 2）電子技術(shù)教研室電子技術(shù)教研室1212年夏年夏圖圖2.4.1第第2 2部分部分 常用電子元器件的應(yīng)用（常用電子元器件的應(yīng)用（2 2）電子技術(shù)教研室電子技術(shù)教研室1212年夏年夏2高速開關(guān)管高速開關(guān)管 第第2 2部分部分 常用

12、電子元器件的應(yīng)用（常用電子元器件的應(yīng)用（2 2）電子技術(shù)教研室電子技術(shù)教研室1212年夏年夏v檢波二極管檢波二極管和整流管不同之處在于工作在小信號、高頻率和整流管不同之處在于工作在小信號、高頻率的電路中，如各種檢波器。故其電流小，結(jié)電的電路中，如各種檢波器。故其電流小，結(jié)電容小，工作頻率高。容小，工作頻率高。第第2 2部分部分 常用電子元器件的應(yīng)用（常用電子元器件的應(yīng)用（2 2）電子技術(shù)教研室電子技術(shù)教研室1212年夏年夏3 3硅整流橋硅整流橋 v常用硅整流橋分為單相半橋、單相全橋和三常用硅整流橋分為單相半橋、單相全橋和三相全橋幾種，如圖相全橋幾種，如圖2.4.22.4.2所示。所示。v其中單

13、相全橋在小功率整流電流中應(yīng)用廣泛，其中單相全橋在小功率整流電流中應(yīng)用廣泛，而三相全橋則在電力整流器、逆變器等大功而三相全橋則在電力整流器、逆變器等大功率設(shè)備中使用。率設(shè)備中使用。 第第2 2部分部分 常用電子元器件的應(yīng)用（常用電子元器件的應(yīng)用（2 2）電子技術(shù)教研室電子技術(shù)教研室1212年夏年夏常見硅整流橋的外形第第2 2部分部分 常用電子元器件的應(yīng)用（常用電子元器件的應(yīng)用（2 2）電子技術(shù)教研室電子技術(shù)教研室1212年夏年夏第第2 2部分部分 常用電子元器件的應(yīng)用（常用電子元器件的應(yīng)用（2 2）電子技術(shù)教研室電子技術(shù)教研室1212年夏年夏第第2 2部分部分 常用電子元器件的應(yīng)用（常用電子元器

14、件的應(yīng)用（2 2）電子技術(shù)教研室電子技術(shù)教研室1212年夏年夏4 4肖特基（肖特基（SchottkySchottky）二極管）二極管v肖特基二極管是由金屬和半導(dǎo)體接觸形成的，肖特基二極管是由金屬和半導(dǎo)體接觸形成的，其制造工藝與其制造工藝與TTLTTL電路相類似，工藝步驟比較電路相類似，工藝步驟比較復(fù)雜。它不是利用復(fù)雜。它不是利用PNPN結(jié)的單向?qū)щ娦?，而是結(jié)的單向?qū)щ娦裕抢脛輭镜恼髯饔煤投鄶?shù)載流子導(dǎo)電，因利用勢壘的整流作用和多數(shù)載流子導(dǎo)電，因而沒有少數(shù)載流子的存儲效應(yīng)。因此具有反而沒有少數(shù)載流子的存儲效應(yīng)。因此具有反向恢復(fù)時間短（最低可達(dá)向恢復(fù)時間短（最低可達(dá)10ns10ns）和正向壓

15、降）和正向壓降低（可達(dá)低（可達(dá)0.2V0.2V）的突出優(yōu)點。它主要用于開）的突出優(yōu)點。它主要用于開關(guān)穩(wěn)壓電流做整流和逆變器中作續(xù)流二極管。關(guān)穩(wěn)壓電流做整流和逆變器中作續(xù)流二極管。 第第2 2部分部分 常用電子元器件的應(yīng)用（常用電子元器件的應(yīng)用（2 2）電子技術(shù)教研室電子技術(shù)教研室1212年夏年夏5 5快恢復(fù)（快恢復(fù)（Fast RecoveryFast Recovery）二極管）二極管v快恢復(fù)二極管工作原理與普通二極管相似，亦是利快恢復(fù)二極管工作原理與普通二極管相似，亦是利用用PNPN結(jié)單向?qū)щ娦裕圃旃に嚺c普通二極管不同。結(jié)單向?qū)щ娦裕圃旃に嚺c普通二極管不同。v它的擴散深度及外延層（外延

16、型）可以精確控制，它的擴散深度及外延層（外延型）可以精確控制，因而可獲得較高的開關(guān)速度，同時，在耐壓允許范因而可獲得較高的開關(guān)速度，同時，在耐壓允許范圍內(nèi)，外延層可做得較薄，正向壓降較低。圍內(nèi)，外延層可做得較薄，正向壓降較低。v它的反向時間約為它的反向時間約為0.20.20.750.75 s s。v和肖特基二極管相比，其耐壓高得多。它主要也用和肖特基二極管相比，其耐壓高得多。它主要也用在逆變電源中做整流元件，以降低關(guān)斷損耗，提高在逆變電源中做整流元件，以降低關(guān)斷損耗，提高效率和減少噪聲。效率和減少噪聲。v高速恢復(fù)二極管反向恢復(fù)時間可達(dá)高速恢復(fù)二極管反向恢復(fù)時間可達(dá)25ns25ns。 第第2 2

17、部分部分 常用電子元器件的應(yīng)用（常用電子元器件的應(yīng)用（2 2）電子技術(shù)教研室電子技術(shù)教研室1212年夏年夏設(shè)計電路選用各種二極管時應(yīng)注意以下幾點：設(shè)計電路選用各種二極管時應(yīng)注意以下幾點：v（1 1）電流減額）電流減額電流減額因子電流減額因子S0.5S0.5。如圖。如圖2.3.12.3.1（a a）的全波整流電路，）的全波整流電路，若通過負(fù)載若通過負(fù)載R RL L的平均電流的平均電流I IL L0.5A4.8V4.8V，則可以選用正向壓降在，則可以選用正向壓降在0.10.10.2V0.2V之間的肖特基二極管。之間的肖特基二極管。v（5 5）工作頻率）工作頻率二極管的最高工作頻率與其結(jié)構(gòu)與工藝密切

18、相關(guān)，二極管的最高工作頻率與其結(jié)構(gòu)與工藝密切相關(guān)，例如普通硅整流管例如普通硅整流管PN PN 結(jié)為平臺結(jié)構(gòu)，結(jié)電容大，結(jié)為平臺結(jié)構(gòu)，結(jié)電容大，正向整流大，工作頻率低。正向整流大，工作頻率低。2AP2AP型鍺二極管為點接型鍺二極管為點接觸型，結(jié)電容小、工作頻率高，正向壓降也小。觸型，結(jié)電容小、工作頻率高，正向壓降也小。v（6 6）反向漏電流）反向漏電流 第第2 2部分部分 常用電子元器件的應(yīng)用（常用電子元器件的應(yīng)用（2 2）電子技術(shù)教研室電子技術(shù)教研室1212年夏年夏第第2 2部分部分 常用電子元器件的應(yīng)用（常用電子元器件的應(yīng)用（2 2）電子技術(shù)教研室電子技術(shù)教研室1212年夏年夏2.4.2 2

19、.4.2 半導(dǎo)體三極管半導(dǎo)體三極管v1 1常用小功率半導(dǎo)體三極管常用小功率半導(dǎo)體三極管第第2 2部分部分 常用電子元器件的應(yīng)用（常用電子元器件的應(yīng)用（2 2）電子技術(shù)教研室電子技術(shù)教研室1212年夏年夏金屬封裝第第2 2部分部分 常用電子元器件的應(yīng)用（常用電子元器件的應(yīng)用（2 2）電子技術(shù)教研室電子技術(shù)教研室1212年夏年夏塑料封裝第第2 2部分部分 常用電子元器件的應(yīng)用（常用電子元器件的應(yīng)用（2 2）電子技術(shù)教研室電子技術(shù)教研室1212年夏年夏貼片三極管貼片三極管貼片第第2 2部分部分 常用電子元器件的應(yīng)用（常用電子元器件的應(yīng)用（2 2）電子技術(shù)教研室電子技術(shù)教研室1212年夏年夏2通用功率

20、管通用功率管第第2 2部分部分 常用電子元器件的應(yīng)用（常用電子元器件的應(yīng)用（2 2）電子技術(shù)教研室電子技術(shù)教研室1212年夏年夏塑料封裝第第2 2部分部分 常用電子元器件的應(yīng)用（常用電子元器件的應(yīng)用（2 2）電子技術(shù)教研室電子技術(shù)教研室1212年夏年夏金屬封裝第第2 2部分部分 常用電子元器件的應(yīng)用（常用電子元器件的應(yīng)用（2 2）電子技術(shù)教研室電子技術(shù)教研室1212年夏年夏達(dá)林頓（達(dá)林頓（Darlingtons）功率管）功率管第第2 2部分部分 常用電子元器件的應(yīng)用（常用電子元器件的應(yīng)用（2 2）電子技術(shù)教研室電子技術(shù)教研室1212年夏年夏3 3雙極性半導(dǎo)體三極管選用時的注意事項雙極性半導(dǎo)體三

21、極管選用時的注意事項 v（1 1）確定三極管的類型）確定三極管的類型首先必須根據(jù)電路的要求確定三極管的首先必須根據(jù)電路的要求確定三極管的類型。多數(shù)場合設(shè)計者喜歡選用類型。多數(shù)場合設(shè)計者喜歡選用NPNNPN型。型。但是如果需要低電平使三極和導(dǎo)通或需但是如果需要低電平使三極和導(dǎo)通或需要采用互補推拉式（要采用互補推拉式（pull-pushpull-push）輸出，）輸出，則必需使用則必需使用PNPPNP型晶體管。型晶體管。第第2 2部分部分 常用電子元器件的應(yīng)用（常用電子元器件的應(yīng)用（2 2）電子技術(shù)教研室電子技術(shù)教研室1212年夏年夏v（1 1）確定三極管的類型）確定三極管的類型v（2 2）極限參

22、數(shù)）極限參數(shù)晶體管特性表一般均會給出極限參數(shù)，設(shè)計晶體管特性表一般均會給出極限參數(shù)，設(shè)計時必須對時必須對I ICMCM、P PCMCM、BVBVCEOCEO（或（或V V( (BRBR) )CEOCEO基極開基極開路時的集電極發(fā)射極間的擊穿電壓）、路時的集電極發(fā)射極間的擊穿電壓）、BVBVEBOEBO、I ICBOCBO、 、f fT T（特征頻率，（特征頻率，f fT T= =f f ，f f為工作頻為工作頻率 ） 等 參 數(shù) 進(jìn) 行 減 額 使 用 。 其 中 由 于率 ） 等 參 數(shù) 進(jìn) 行 減 額 使 用 。 其 中 由 于BVBVCEOCEO BVBVCESCES BVBVCERCE

23、R BVBVCEOCEO，所以只要，所以只要BVBVCEOCEO滿足要滿足要求就可以了。求就可以了。一般高頻工作時，一般高頻工作時，f fT T的減額因的減額因子可選為子可選為0.10.10.20.2。第第2 2部分部分 常用電子元器件的應(yīng)用（常用電子元器件的應(yīng)用（2 2）電子技術(shù)教研室電子技術(shù)教研室1212年夏年夏v（1 1）確定三極管的類型）確定三極管的類型v（2 2）極限參數(shù)）極限參數(shù)v（3 3）開關(guān)參數(shù)）開關(guān)參數(shù)晶體管工作于開關(guān)狀態(tài)時，一般應(yīng)選用開關(guān)晶體管工作于開關(guān)狀態(tài)時，一般應(yīng)選用開關(guān)參數(shù)（參數(shù)（t tonon、t toffoff、C Ccbcb、f fT T）好的開關(guān)晶體管。）好的

24、開關(guān)晶體管。若選用普通晶體管，則需選用若選用普通晶體管，則需選用f fT T100MHz100MHz的管的管子。而且實用時，其開關(guān)參數(shù)（如子。而且實用時，其開關(guān)參數(shù)（如t tr r、t tf f）和集電極負(fù)載電阻、負(fù)載電容密切相關(guān)。集和集電極負(fù)載電阻、負(fù)載電容密切相關(guān)。集電極電阻愈小，開關(guān)速度愈快，但電極電阻愈小，開關(guān)速度愈快，但I(xiàn) IC C和管耗和管耗都會增加，應(yīng)權(quán)衡決定。都會增加，應(yīng)權(quán)衡決定。第第2 2部分部分 常用電子元器件的應(yīng)用（常用電子元器件的應(yīng)用（2 2）電子技術(shù)教研室電子技術(shù)教研室1212年夏年夏v（1 1）確定三極管的類型）確定三極管的類型v（2 2）極限參數(shù)）極限參數(shù)v（3

25、3）開關(guān)參數(shù)）開關(guān)參數(shù)v（4 4）共射極交流小信號電流放大系數(shù)）共射極交流小信號電流放大系數(shù) （h hFEFE）小功率晶體管的共射極交流小信號電流放大系數(shù)小功率晶體管的共射極交流小信號電流放大系數(shù) （h hFEFE）較高，數(shù)字萬用表測的是直流）較高，數(shù)字萬用表測的是直流h hFEFE，和交流，和交流h hFE FE 接近，但有差異。大功率晶體管接近，但有差異。大功率晶體管h hFEFE要低得多。要低得多。特別值得注意的是：即使是小功率晶體管在開關(guān)應(yīng)特別值得注意的是：即使是小功率晶體管在開關(guān)應(yīng)用時，飽和狀態(tài)的用時，飽和狀態(tài)的h hFEFE，也遠(yuǎn)較正常值為小。，也遠(yuǎn)較正常值為小。第第2 2部分部分

26、 常用電子元器件的應(yīng)用（常用電子元器件的應(yīng)用（2 2）電子技術(shù)教研室電子技術(shù)教研室1212年夏年夏v（1 1）確定三極管的類型）確定三極管的類型v（2 2）極限參數(shù)）極限參數(shù)v（3 3）開關(guān)參數(shù)）開關(guān)參數(shù)v（4 4）共射極交流小信號電流放大系數(shù)）共射極交流小信號電流放大系數(shù) （h hFEFE）v（5 5）發(fā)熱及散熱問題）發(fā)熱及散熱問題v（6 6）部分晶體管內(nèi)部并聯(lián)高速反向保護二極）部分晶體管內(nèi)部并聯(lián)高速反向保護二極管管小功率晶體管應(yīng)避免靠近發(fā)熱元件，以減小溫度小功率晶體管應(yīng)避免靠近發(fā)熱元件，以減小溫度對性能的影響。大功率晶體管必須根據(jù)實際耗散對性能的影響。大功率晶體管必須根據(jù)實際耗散功率，固定

27、在足夠面積的散熱器上。功率，固定在足夠面積的散熱器上。部分通用型和達(dá)林頓型晶體管的集電極與部分通用型和達(dá)林頓型晶體管的集電極與發(fā)射極之間在管子內(nèi)部并聯(lián)了一只高速反向發(fā)射極之間在管子內(nèi)部并聯(lián)了一只高速反向保護二極管。部分晶體管沒有這只二極管，保護二極管。部分晶體管沒有這只二極管，需要時在外部并聯(lián)之。需要時在外部并聯(lián)之。第第2 2部分部分 常用電子元器件的應(yīng)用（常用電子元器件的應(yīng)用（2 2）電子技術(shù)教研室電子技術(shù)教研室1212年夏年夏2.4.3 2.4.3 場效應(yīng)管場效應(yīng)管v場效應(yīng)管（場效應(yīng)管（FETFET）因為通過它的電流只能是空）因為通過它的電流只能是空穴電流或電子電流的一種，故又稱為單極性穴

28、電流或電子電流的一種，故又稱為單極性器件。又因為流經(jīng)該器件的電流受控于外加器件。又因為流經(jīng)該器件的電流受控于外加電壓所形成的電場，故稱為場效應(yīng)管。電壓所形成的電場，故稱為場效應(yīng)管。v各種場效應(yīng)管的共同特點是：輸入阻抗極高，各種場效應(yīng)管的共同特點是：輸入阻抗極高，噪聲小，特性受溫度和輻射的影響小，因而噪聲小，特性受溫度和輻射的影響小，因而特別適用于高靈敏度、低噪聲的電路里。特別適用于高靈敏度、低噪聲的電路里。1 1結(jié)型場效應(yīng)管結(jié)型場效應(yīng)管2 2絕緣柵金屬氧化物場效應(yīng)管絕緣柵金屬氧化物場效應(yīng)管 第第2 2部分部分 常用電子元器件的應(yīng)用（常用電子元器件的應(yīng)用（2 2）電子技術(shù)教研室電子技術(shù)教研室12

29、12年夏年夏1結(jié)型場效應(yīng)管結(jié)型場效應(yīng)管第第2 2部分部分 常用電子元器件的應(yīng)用（常用電子元器件的應(yīng)用（2 2）電子技術(shù)教研室電子技術(shù)教研室1212年夏年夏1結(jié)型場效應(yīng)管結(jié)型場效應(yīng)管第第2 2部分部分 常用電子元器件的應(yīng)用（常用電子元器件的應(yīng)用（2 2）電子技術(shù)教研室電子技術(shù)教研室1212年夏年夏1結(jié)型場效應(yīng)管結(jié)型場效應(yīng)管第第2 2部分部分 常用電子元器件的應(yīng)用（常用電子元器件的應(yīng)用（2 2）電子技術(shù)教研室電子技術(shù)教研室1212年夏年夏2絕緣柵金屬氧化物場效應(yīng)管絕緣柵金屬氧化物場效應(yīng)管 第第2 2部分部分 常用電子元器件的應(yīng)用（常用電子元器件的應(yīng)用（2 2）電子技術(shù)教研室電子技術(shù)教研室1212年

30、夏年夏 3 3FETFET應(yīng)用時的注意事項應(yīng)用時的注意事項（1 1）不同類型）不同類型FETFET應(yīng)加電壓的極性應(yīng)加電壓的極性 （2 2）不論是哪一類）不論是哪一類FETFET，它的柵極基本上，它的柵極基本上不消耗電流，故要求輸入電阻很高時，應(yīng)不消耗電流，故要求輸入電阻很高時，應(yīng)選用選用FETFET。（3 3）由于）由于FET FET 傳輸特性的非線性，其跨導(dǎo)傳輸特性的非線性，其跨導(dǎo)與工作點有關(guān)，與工作點有關(guān)，| |V VGSGS| |愈低，愈低，g gfs fs 愈高。愈高。第第2 2部分部分 常用電子元器件的應(yīng)用（常用電子元器件的應(yīng)用（2 2）電子技術(shù)教研室電子技術(shù)教研室1212年夏年夏注

31、意事項（續(xù)）注意事項（續(xù)）（4 4）MOSMOS FET FET 珊極的絕緣性質(zhì)，易在外電珊極的絕緣性質(zhì)，易在外電場的作用下絕緣被擊穿，故保存和焊接時均場的作用下絕緣被擊穿，故保存和焊接時均應(yīng)采取相應(yīng)措施。焊接時電路鐵應(yīng)妥善接地應(yīng)采取相應(yīng)措施。焊接時電路鐵應(yīng)妥善接地或絡(luò)鐵斷電焊接?；蚪j(luò)鐵斷電焊接。（5 5）FET FET 是多子導(dǎo)電，受溫度影響小。在是多子導(dǎo)電，受溫度影響小。在工作溫度變化劇烈的場合，宜選用工作溫度變化劇烈的場合，宜選用FETFET。（6 6）FET FET 的低噪聲，使其特別適合在信噪的低噪聲，使其特別適合在信噪比要求高的電路里使用，如高增益放大器的比要求高的電路里使用，如高

32、增益放大器的前級。前級。第第2 2部分部分 常用電子元器件的應(yīng)用（常用電子元器件的應(yīng)用（2 2）電子技術(shù)教研室電子技術(shù)教研室1212年夏年夏2.4.4 2.4.4 功率功率VMOS VMOS 場效應(yīng)晶體管場效應(yīng)晶體管第第2 2部分部分 常用電子元器件的應(yīng)用（常用電子元器件的應(yīng)用（2 2）電子技術(shù)教研室電子技術(shù)教研室1212年夏年夏第第2 2部分部分 常用電子元器件的應(yīng)用（常用電子元器件的應(yīng)用（2 2）電子技術(shù)教研室電子技術(shù)教研室1212年夏年夏2.3.4 2.3.4 功率功率VMOS VMOS 場效應(yīng)晶體管場效應(yīng)晶體管v1 1VMOS VMOS 器件的特點器件的特點v（1 1）開關(guān)速度非?？欤?/p>

33、開關(guān)速度非?？靨VMOS VMOS 器件為多數(shù)載流子器件，不存在存貯器件為多數(shù)載流子器件，不存在存貯效應(yīng)，故開關(guān)速度快。一般低壓器件開關(guān)時效應(yīng)，故開關(guān)速度快。一般低壓器件開關(guān)時間為間為10ns10ns數(shù)量級，高壓器件為數(shù)量級，高壓器件為100ns100ns數(shù)量級。數(shù)量級。適合于做高頻功率開關(guān)。適合于做高頻功率開關(guān)。第第2 2部分部分 常用電子元器件的應(yīng)用（常用電子元器件的應(yīng)用（2 2）電子技術(shù)教研室電子技術(shù)教研室1212年夏年夏VMOS VMOS 器件的特點器件的特點v（2 2）高輸入阻抗和低驅(qū)動）高輸入阻抗和低驅(qū)動其輸入電阻通常其輸入電阻通常10107 7以上，直流驅(qū)動電流在以上，直流驅(qū)動電

34、流在0.10.1 A A的數(shù)量級，故只要邏輯幅值超過的數(shù)量級，故只要邏輯幅值超過VMOSVMOS的閾電的閾電壓（壓（3.5V3.5V4V4V），則可直接被），則可直接被CMOSCMOS和和LSTTLLSTTL、標(biāo)準(zhǔn)、標(biāo)準(zhǔn)TTL TTL 等器件直接驅(qū)動，驅(qū)動電路簡單?？梢杂蒙系绕骷苯域?qū)動，驅(qū)動電路簡單?？梢杂蒙侠娮杼岣唑?qū)動電平。上拉電阻值影響拉電阻提高驅(qū)動電平。上拉電阻值影響VMOS VMOS 管開管開關(guān)時間。關(guān)時間。v（3 3）安全工作區(qū)大）安全工作區(qū)大VMOS VMOS 器件無二次擊穿，安全工作區(qū)由器件的峰值器件無二次擊穿，安全工作區(qū)由器件的峰值電流、擊穿電壓的額定值和功率容量來決定，故

35、電流、擊穿電壓的額定值和功率容量來決定，故工作安全，可靠性高。工作安全，可靠性高。 第第2 2部分部分 常用電子元器件的應(yīng)用（常用電子元器件的應(yīng)用（2 2）電子技術(shù)教研室電子技術(shù)教研室1212年夏年夏VMOS VMOS 器件的特點器件的特點v（4 4）熱穩(wěn)定性好）熱穩(wěn)定性好VMOS VMOS 器件的最小導(dǎo)通電壓由導(dǎo)通電阻器件的最小導(dǎo)通電壓由導(dǎo)通電阻r rDS(on)DS(on)決決定。低壓器件的定。低壓器件的r rDS(on)DS(on)甚小，但是隨著漏源間甚小，但是隨著漏源間電壓的增加而增加，即漏極電流有負(fù)的溫度系電壓的增加而增加，即漏極電流有負(fù)的溫度系數(shù)，使管耗隨溫度的變化得到了一定的自補

36、償。數(shù)，使管耗隨溫度的變化得到了一定的自補償。v（5 5）易于并聯(lián)使用）易于并聯(lián)使用VMOS VMOS 可簡單并聯(lián)，以增加其電流容量。而雙可簡單并聯(lián)，以增加其電流容量。而雙極型器件并聯(lián)使用須增加均流電阻、內(nèi)部網(wǎng)絡(luò)極型器件并聯(lián)使用須增加均流電阻、內(nèi)部網(wǎng)絡(luò)匹配以及其它額外的保護裝置。匹配以及其它額外的保護裝置。第第2 2部分部分 常用電子元器件的應(yīng)用（常用電子元器件的應(yīng)用（2 2）電子技術(shù)教研室電子技術(shù)教研室1212年夏年夏VMOS VMOS 器件的特點器件的特點v（6 6）跨導(dǎo)高度線性）跨導(dǎo)高度線性VMOS VMOS 器件是一種短溝道器件，當(dāng)器件是一種短溝道器件，當(dāng)V VGSGS上升到一定值上升

37、到一定值后，跨導(dǎo)基本為一恒定值，這就使其做為線性器后，跨導(dǎo)基本為一恒定值，這就使其做為線性器件使用時，非線性失真大大減小。件使用時，非線性失真大大減小。v（7 7）管內(nèi)存在漏源二極管）管內(nèi)存在漏源二極管VMOS VMOS 器件內(nèi)部漏源之間器件內(nèi)部漏源之間“寄生寄生”了一個反向的漏了一個反向的漏源二極管，它的正向開關(guān)時間小于源二極管，它的正向開關(guān)時間小于10ns10ns，和快速，和快速恢復(fù)二極管類似也有一個恢復(fù)二極管類似也有一個100ns100ns數(shù)量級的反向恢復(fù)數(shù)量級的反向恢復(fù)時間時間t trrrr。此二極管在實際電路中可起鉗位和消振。此二極管在實際電路中可起鉗位和消振的作用。的作用。第第2

38、2部分部分 常用電子元器件的應(yīng)用（常用電子元器件的應(yīng)用（2 2）電子技術(shù)教研室電子技術(shù)教研室1212年夏年夏VMOS VMOS 器件的特點器件的特點v（8 8）注意防靜電破壞）注意防靜電破壞盡管盡管VMOS VMOS 器件有很大的輸入電容，不象一般器件有很大的輸入電容，不象一般MOS MOS 器件那樣對靜電放電很敏感，但由于它的柵源最器件那樣對靜電放電很敏感，但由于它的柵源最大額定電壓約為大額定電壓約為 20V20V，遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于，遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于1001002500V2500V的靜的靜電電壓，因此要注意采取防靜電措施：運輸時器電電壓，因此要注意采取防靜電措施：運輸時器件應(yīng)放在抗靜電包裝或?qū)щ姷呐菽芰现?/p>

39、。拿取件應(yīng)放在抗靜電包裝或?qū)щ姷呐菽芰现?。拿取器件時要帶接地手鐲。最好在防靜電工作臺上操器件時要帶接地手鐲。最好在防靜電工作臺上操作。焊接要用接地電鉻鐵。在柵源間應(yīng)接一個電作。焊接要用接地電鉻鐵。在柵源間應(yīng)接一個電阻保持低阻抗，必要時并阻保持低阻抗，必要時并20V20V的穩(wěn)壓管加以保護。的穩(wěn)壓管加以保護。 第第2 2部分部分 常用電子元器件的應(yīng)用（常用電子元器件的應(yīng)用（2 2）電子技術(shù)教研室電子技術(shù)教研室1212年夏年夏2. VMOS特性表第第2 2部分部分 常用電子元器件的應(yīng)用（常用電子元器件的應(yīng)用（2 2）電子技術(shù)教研室電子技術(shù)教研室1212年夏年夏3. VMOS 3. VMOS 應(yīng)用實

40、例應(yīng)用實例vVMOS VMOS 器件由于具有雙極性晶體管不可比擬的優(yōu)器件由于具有雙極性晶體管不可比擬的優(yōu)點，其應(yīng)用十分廣泛。圖點，其應(yīng)用十分廣泛。圖2.3.62.3.6為幾種應(yīng)用實例。為幾種應(yīng)用實例。圖（圖（a a）為燈泡壽命延長器。）為燈泡壽命延長器。圖中圖中L L為為15W15W250W250W的鎢絲白熾燈，的鎢絲白熾燈，R Rt t為負(fù)溫度系數(shù)為負(fù)溫度系數(shù)的熱敏電阻，冷態(tài)電阻約的熱敏電阻，冷態(tài)電阻約1.65M1.65M 。初通電時，由于。初通電時，由于R Rt t很大，通過很大，通過L L 的電流很小，隨著能電時間的增長，的電流很小，隨著能電時間的增長，R Rt t電阻逐漸減小，電阻逐漸

41、減小，L L 亮度逐步增加，約亮度逐步增加，約0.5s0.5s后降低后降低至至150k150k，L L 到達(dá)正常亮度。到達(dá)正常亮度。該電路可控制加于燈泡的該電路可控制加于燈泡的10101515倍額定值的沖擊電倍額定值的沖擊電流和降低由交流電源在燈絲上引起的機械應(yīng)力（振流和降低由交流電源在燈絲上引起的機械應(yīng)力（振動）動） 第第2 2部分部分 常用電子元器件的應(yīng)用（常用電子元器件的應(yīng)用（2 2）電子技術(shù)教研室電子技術(shù)教研室1212年夏年夏燈泡壽命延長器燈泡壽命延長器第第2 2部分部分 常用電子元器件的應(yīng)用（常用電子元器件的應(yīng)用（2 2）電子技術(shù)教研室電子技術(shù)教研室1212年夏年夏v圖（圖（b b）

42、為某電池供電的便攜式儀器利用）為某電池供電的便攜式儀器利用VMOS VMOS 做做為模擬開關(guān)的應(yīng)用。由于電源開關(guān)為單觸點的薄為模擬開關(guān)的應(yīng)用。由于電源開關(guān)為單觸點的薄膜開關(guān)而非雙觸點的機械開關(guān)，故使用了此電路。膜開關(guān)而非雙觸點的機械開關(guān)，故使用了此電路。40434043為四重為四重RS RS 觸發(fā)器。電路接通瞬間由觸發(fā)器。電路接通瞬間由0.10.1 F F電電容和容和100k100k 電阻使其電阻使其Q=1Q=1，VMOS VMOS 管斷。接下管斷。接下“開開”按鈕時，按鈕時，R=0R=0，Q=0Q=0，VMOS VMOS 管通，電源通往用電回管通，電源通往用電回路。選用大電流管路。選用大電流

43、管TP8P10TP8P10（R RDSDS 0.40.4 ）以減?。┮詼p小VMOS VMOS 管導(dǎo)通損耗。管導(dǎo)通損耗。第第2 2部分部分 常用電子元器件的應(yīng)用（常用電子元器件的應(yīng)用（2 2）電子技術(shù)教研室電子技術(shù)教研室1212年夏年夏第第2 2部分部分 常用電子元器件的應(yīng)用（常用電子元器件的應(yīng)用（2 2）電子技術(shù)教研室電子技術(shù)教研室1212年夏年夏v圖（圖（c）為）為VMOS簡單逆變簡單逆變電源。電源。4011電路電路組成不對稱組成不對稱RC多諧振蕩器，它多諧振蕩器，它輸出的二個反相輸出的二個反相脈沖分別脈沖分別v驅(qū)動驅(qū)動T1和和T2兩只兩只VMOS，在升壓變壓器在升壓變壓器的次級可產(chǎn)生的次級

44、可產(chǎn)生220V、50Hz的交流電。的交流電。第第2 2部分部分 常用電子元器件的應(yīng)用（常用電子元器件的應(yīng)用（2 2）電子技術(shù)教研室電子技術(shù)教研室1212年夏年夏v圖（圖（d）中的）中的RC不對稱多沿振蕩器產(chǎn)生約不對稱多沿振蕩器產(chǎn)生約100kHz的的方波控制方波控制VMOS管的通斷。管的通斷。D1、D2和二只和二只0.1 F的電的電容構(gòu)成二倍壓整流電路。利用穩(wěn)壓管可獲得容構(gòu)成二倍壓整流電路。利用穩(wěn)壓管可獲得(35)V的輸出。的輸出。第第2 2部分部分 常用電子元器件的應(yīng)用（常用電子元器件的應(yīng)用（2 2）電子技術(shù)教研室電子技術(shù)教研室1212年夏年夏2.4.5 2.4.5 晶體管陣列晶體管陣列 v1

45、 1MCMC1411/1412/1413/14161411/1412/1413/1416七重達(dá)林頓七重達(dá)林頓晶體管陣列晶體管陣列晶體管陣列與普通晶體管相比具有體積小，晶體管陣列與普通晶體管相比具有體積小，參數(shù)一致和可靠性高等優(yōu)點，在微機后向參數(shù)一致和可靠性高等優(yōu)點，在微機后向通道中應(yīng)用較多，可直接驅(qū)動燈、繼電器通道中應(yīng)用較多，可直接驅(qū)動燈、繼電器或其它大電流負(fù)載。內(nèi)部的鉗位二極管特或其它大電流負(fù)載。內(nèi)部的鉗位二極管特別適用于驅(qū)動感性負(fù)載。別適用于驅(qū)動感性負(fù)載。 第第2 2部分部分 常用電子元器件的應(yīng)用（常用電子元器件的應(yīng)用（2 2）電子技術(shù)教研室電子技術(shù)教研室1212年夏年夏第第2 2部分部分

46、 常用電子元器件的應(yīng)用（常用電子元器件的應(yīng)用（2 2）電子技術(shù)教研室電子技術(shù)教研室1212年夏年夏ULN2003 也是晶體管陣列也是晶體管陣列第第2 2部分部分 常用電子元器件的應(yīng)用（常用電子元器件的應(yīng)用（2 2）電子技術(shù)教研室電子技術(shù)教研室1212年夏年夏晶體管陣列晶體管陣列v2 2功率功率MOSFET MOSFET 陣列陣列圖圖2.3.102.3.10為為P P溝道功率溝道功率MOSFET MOSFET 陣列的封陣列的封裝及電連接圖，內(nèi)部封裝了裝及電連接圖，內(nèi)部封裝了4 4只只MOSFETMOSFET。主要用于電機、燈泡的驅(qū)動。它應(yīng)用于主要用于電機、燈泡的驅(qū)動。它應(yīng)用于開關(guān)狀態(tài)，驅(qū)動電平開

47、關(guān)狀態(tài)，驅(qū)動電平4V4V。導(dǎo)通電性達(dá)。導(dǎo)通電性達(dá)0.80.8 。輸入電容。輸入電容190pF190pF。 第第2 2部分部分 常用電子元器件的應(yīng)用（常用電子元器件的應(yīng)用（2 2）電子技術(shù)教研室電子技術(shù)教研室1212年夏年夏第第2 2部分部分 常用電子元器件的應(yīng)用（常用電子元器件的應(yīng)用（2 2）電子技術(shù)教研室電子技術(shù)教研室1212年夏年夏2.5 2.5 表面貼裝元器件表面貼裝元器件 v表面貼裝元件（表面貼裝元件（SMCSMC）、表面貼裝器件（）、表面貼裝器件（SMDSMD）又稱為片狀無引腳又稱為片狀無引腳LLLL（Lead-LessLead-Less），元器件），元器件外形尺寸只有幾毫米、由于特

48、殊的工藝及結(jié)構(gòu)，外形尺寸只有幾毫米、由于特殊的工藝及結(jié)構(gòu)，加上表面焊接技術(shù)（加上表面焊接技術(shù)（SMTSMT），具有重量很輕、），具有重量很輕、高頻噪聲小、抗干擾能力強而且耐振動沖擊性高頻噪聲小、抗干擾能力強而且耐振動沖擊性能好、便于全自動化生產(chǎn)等一系列突出的優(yōu)點，能好、便于全自動化生產(chǎn)等一系列突出的優(yōu)點，使電子系統(tǒng)的質(zhì)量產(chǎn)生了一個飛躍。使電子系統(tǒng)的質(zhì)量產(chǎn)生了一個飛躍。v表貼元器件分為無源元件（電阻器、電容器、表貼元器件分為無源元件（電阻器、電容器、電感器）和有源器件（晶體管、集成電路）二電感器）和有源器件（晶體管、集成電路）二種。其外形有矩形、園柱形和異形三種。種。其外形有矩形、園柱形和異形三

49、種。 第第2 2部分部分 常用電子元器件的應(yīng)用（常用電子元器件的應(yīng)用（2 2）電子技術(shù)教研室電子技術(shù)教研室1212年夏年夏表表2.5.1 2.5.1 表面貼裝元器件的分類表面貼裝元器件的分類第第2 2部分部分 常用電子元器件的應(yīng)用（常用電子元器件的應(yīng)用（2 2）電子技術(shù)教研室電子技術(shù)教研室1212年夏年夏2.5.1 2.5.1 表貼無源元器件表貼無源元器件v1 1矩形片狀電阻矩形片狀電阻矩形片狀電阻是片狀元器件中用量最大的一種元器矩形片狀電阻是片狀元器件中用量最大的一種元器件，矩形片狀電阻的外形如圖件，矩形片狀電阻的外形如圖2.4.12.4.1所示。它是在一所示。它是在一個基礎(chǔ)瓷片上用蒸發(fā)的方

50、式形成一層電阻膜層，在個基礎(chǔ)瓷片上用蒸發(fā)的方式形成一層電阻膜層，在電阻膜層上面再敷加一層保護膜，保護膜采用玻璃電阻膜層上面再敷加一層保護膜，保護膜采用玻璃或環(huán)氧樹脂，兩端夾以引線電極。或環(huán)氧樹脂，兩端夾以引線電極。片狀電阻阻值常常直接標(biāo)注在電阻外面，用片狀電阻阻值常常直接標(biāo)注在電阻外面，用3 3位數(shù)字位數(shù)字表示，前兩位數(shù)表示，前兩位數(shù) 字表示阻值的有字表示阻值的有 效數(shù)，第三位表效數(shù)，第三位表 示有效數(shù)字后面示有效數(shù)字后面 零的個數(shù)。零的個數(shù)。第第2 2部分部分 常用電子元器件的應(yīng)用（常用電子元器件的應(yīng)用（2 2）電子技術(shù)教研室電子技術(shù)教研室1212年夏年夏 2 2片狀電位器（可調(diào)電阻器）片狀

51、電位器（可調(diào)電阻器）v片狀電位器有片狀的，圓柱形的和無引線扁平結(jié)構(gòu)等多種。片狀電位器有片狀的，圓柱形的和無引線扁平結(jié)構(gòu)等多種。主 要 采 用 玻 璃 釉 作 為 電 阻 體 材 料 ， 其 尺 寸 為主 要 采 用 玻 璃 釉 作 為 電 阻 體 材 料 ， 其 尺 寸 為4mm4mm5mm5mm2.5mm2.5mm。片狀電位器的外形如圖。片狀電位器的外形如圖2.4.22.4.2所示。所示。v其高頻特性好，可達(dá)其高頻特性好，可達(dá)100MHz100MHz，阻值范圍從，阻值范圍從10102M2M，額，額定功率有定功率有1/20W1/20W、1/8W1/8W、1/4W1/4W等多種，最大的等多種，最

52、大的1/2W1/2W，電流可，電流可達(dá)達(dá)100mA100mA。 第第2 2部分部分 常用電子元器件的應(yīng)用（常用電子元器件的應(yīng)用（2 2）電子技術(shù)教研室電子技術(shù)教研室1212年夏年夏3 3矩形片狀陶瓷電容器矩形片狀陶瓷電容器v它也有矩形和圓柱形兩種，矩形采用多層疊層結(jié)構(gòu)，它也有矩形和圓柱形兩種，矩形采用多層疊層結(jié)構(gòu)，具有體積小容最大的特點，體積容量比可達(dá)具有體積小容最大的特點，體積容量比可達(dá)1010 F/cmF/cm2 2。矩形片狀陶瓷電容器的外形如圖矩形片狀陶瓷電容器的外形如圖2.4.32.4.3所示。所示。v其內(nèi)電極與介質(zhì)材料是共同燒結(jié)而成的，具有良好的其內(nèi)電極與介質(zhì)材料是共同燒結(jié)而成的，具有良好的防潮性能和高可靠性。防潮性能和高可靠性。 第第2 2部分部分 常用電子元器件的應(yīng)用（常用電子元器件的應(yīng)用（2 2）電子技術(shù)教研室電子技術(shù)教研室1212年夏年夏貼片電容器的外形與參數(shù)貼片電容器的