PECVD工藝原理及操作

1、報告人:2目錄一基本原理二工藝流程三設(shè)備結(jié)構(gòu)四基本操作五異常處理報告人:3基本原理PECVDPECVD： Plasma Enhanced Chemical Vapour DepositionPlasma Enhanced Chemical Vapour Deposition 等離子等離子 增強(qiáng)增強(qiáng) 化學(xué)化學(xué) 氣相氣相 沉積沉積等離子體：氣體在一定條件下受到高能激發(fā)，發(fā)生電離，部等離子體：氣體在一定條件下受到高能激發(fā)，發(fā)生電離，部分外層電子脫分外層電子脫離離原子核，形成電子、正離子和中性粒子混合物原子核，形成電子、正離子和中性粒子混合物組成的一種形態(tài)，這種形態(tài)就稱為等離子態(tài)即第四態(tài)。組成的一種形

2、態(tài)，這種形態(tài)就稱為等離子態(tài)即第四態(tài)。報告人: 直流濺射直流濺射 射頻濺射射頻濺射 磁控濺射磁控濺射 離子束濺射離子束濺射 真空真空蒸發(fā)蒸發(fā)濺射濺射沉積沉積離子鍍離子鍍 物理氣相沉積物理氣相沉積 （PVDPVD） 電阻加熱電阻加熱 感應(yīng)加熱感應(yīng)加熱 電子束加熱電子束加熱 激光加熱激光加熱 直流二極型離子鍍直流二極型離子鍍 射頻放電離子鍍射頻放電離子鍍 等離子體離子鍍等離子體離子鍍 基本原理報告人:5工作原理工作原理 3SiH4+4NH3 Si3N4+12H2 利用低溫等離子體作能量源，利用一定方式使硅片升溫到利用低溫等離子體作能量源，利用一定方式使硅片升溫到預(yù)定的溫度，然后通入適量的反應(yīng)氣體，氣

3、體經(jīng)一系列化學(xué)反預(yù)定的溫度，然后通入適量的反應(yīng)氣體，氣體經(jīng)一系列化學(xué)反應(yīng)和等離子體反應(yīng)，在硅片表面形成固態(tài)薄膜。應(yīng)和等離子體反應(yīng)，在硅片表面形成固態(tài)薄膜。PECVDPECVD方法方法區(qū)別于其它區(qū)別于其它CVDCVD方法的特點在于等離子體中含有大量高能量的方法的特點在于等離子體中含有大量高能量的電子，它們可以提供化學(xué)氣相沉積過程所需的激活能。電子與電子，它們可以提供化學(xué)氣相沉積過程所需的激活能。電子與氣相分子的碰撞可以促進(jìn)氣體分子的分解、化合、激發(fā)和電離氣相分子的碰撞可以促進(jìn)氣體分子的分解、化合、激發(fā)和電離過程，生成活性很高的各種化學(xué)基團(tuán)，因而顯著降低過程，生成活性很高的各種化學(xué)基團(tuán)，因而顯著降

4、低CVDCVD薄膜薄膜沉積的溫度范圍，使得原來需要在高溫下才能進(jìn)行的沉積的溫度范圍，使得原來需要在高溫下才能進(jìn)行的CVDCVD過程過程得以在低溫下實現(xiàn)。得以在低溫下實現(xiàn)?；驹韴蟾嫒?6其它方法的沉積溫度：其它方法的沉積溫度： APCVD APCVD 常壓常壓CVDCVD，700-1000700-1000 LPCVD LPCVD 低壓低壓CVDCVD， 750750，0.1mbar0.1mbar PECVD 300-450 PECVD 300-450 ，0.1mbar0.1mbarPECVDPECVD的一個基本特征是實現(xiàn)了薄膜沉積工藝的低溫化的一個基本特征是實現(xiàn)了薄膜沉積工藝的低溫化（450

5、450）。因此帶來的好處：）。因此帶來的好處：l節(jié)省能源，降低成本節(jié)省能源，降低成本l提高產(chǎn)能提高產(chǎn)能l減少了高溫導(dǎo)致的硅片中少子壽命衰減減少了高溫導(dǎo)致的硅片中少子壽命衰減 其他優(yōu)點：其他優(yōu)點：l沉積速率沉積速率快快l成膜質(zhì)量成膜質(zhì)量好好 缺點缺點：l設(shè)備設(shè)備投資大、成本高，對氣體的純度要求投資大、成本高，對氣體的純度要求高高l鍍膜過程鍍膜過程中產(chǎn)生的劇烈噪音中產(chǎn)生的劇烈噪音、輻射、粉塵、輻射、粉塵等對人體等對人體有害有害基本原理報告人:7PECVD種類:基本原理間接式基片不接觸激發(fā)電極（如2.45GHz微波激發(fā)等離子）報告人:8基本原理PECVD種類:直接式基片位于電極上，直接接觸等離子體（

6、低頻放電10-500kHz或高頻13.56MHz）報告人:PECVD直接法直接法間接法間接法管式PECVD系統(tǒng)板式PECVD系統(tǒng)微波法直流法Centrotherm、四十八所、七星華創(chuàng)日本島津Roth&RauOTB基本原理報告人:10PECVD PECVD 的作用的作用l在硅片表面沉積一層氮化硅減反射膜，以增加入射在硅片上在硅片表面沉積一層氮化硅減反射膜，以增加入射在硅片上的光的透射，減少反射。的光的透射，減少反射。l氫原子攙雜在氮化硅中附加了氫的鈍化作用。氫原子攙雜在氮化硅中附加了氫的鈍化作用?；驹韴蟾嫒?王松11 工作工作原理原理_板板P P SiNA SiNA 系統(tǒng)采用的是一種

7、間接微波等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣系統(tǒng)采用的是一種間接微波等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積的方法沉積硅太陽能電池的氮化硅（相沉積的方法沉積硅太陽能電池的氮化硅（SiNSiN）減反射膜。）減反射膜。它具有非常好的薄膜均勻性，而且具有大規(guī)模生產(chǎn)的能力。它具有非常好的薄膜均勻性，而且具有大規(guī)模生產(chǎn)的能力。在在PECVDPECVD工序中，等離子體中的工序中，等離子體中的H H（氫）對硅表面的鈍化和（氫）對硅表面的鈍化和在燒結(jié)工序中在燒結(jié)工序中SiNSiN中的氫原子向硅內(nèi)擴(kuò)散，使中的氫原子向硅內(nèi)擴(kuò)散，使H H（氫）鈍化了（氫）鈍化了硅表面和體內(nèi)的晶界，懸掛鍵等缺陷，使它們不再起復(fù)合中硅表面和體內(nèi)的晶界，懸掛鍵等缺陷，使

8、它們不再起復(fù)合中心的作用，減少了少數(shù)載流子的復(fù)合，提高了少數(shù)載流子的心的作用，減少了少數(shù)載流子的復(fù)合，提高了少數(shù)載流子的壽命，從而改善了硅片質(zhì)量，提高了太陽能電池的效率。壽命，從而改善了硅片質(zhì)量，提高了太陽能電池的效率。 基本原理報告人:12工作原理工作原理_管管P P Centrotherm PECVD Centrotherm PECVD 系統(tǒng)是一組利用平行板鍍膜舟和低頻系統(tǒng)是一組利用平行板鍍膜舟和低頻等離子激發(fā)器的系列發(fā)生器。在低壓和升溫的情況下，等離子等離子激發(fā)器的系列發(fā)生器。在低壓和升溫的情況下，等離子發(fā)生器直接在裝在鍍膜板中間的介質(zhì)中間發(fā)生反應(yīng)。所用的活發(fā)生器直接在裝在鍍膜板中間的介

9、質(zhì)中間發(fā)生反應(yīng)。所用的活性氣體為硅烷性氣體為硅烷SiHSiH4 4和氨氣和氨氣NHNH3 3?？梢愿淖児柰閷Π钡谋嚷?，來?？梢愿淖児柰閷Π钡谋嚷?，來得到不同的折射率。在沉積工藝中，伴有大量的氫原子和氫離得到不同的折射率。在沉積工藝中，伴有大量的氫原子和氫離子的產(chǎn)生，使得硅片的氫鈍化性十分良好。子的產(chǎn)生，使得硅片的氫鈍化性十分良好?；驹韴蟾嫒?131. processing started 1. processing started 工藝開始工藝開始2. fill tube with N2. fill tube with N2 2 充氮充氮3. loading boat (paddle in

10、 upper position) 3. loading boat (paddle in upper position) 進(jìn)舟（槳在高位）進(jìn)舟（槳在高位）4. paddle moves downwards 4. paddle moves downwards 槳降至低位槳降至低位5. move out (paddle in lower position ) 5. move out (paddle in lower position ) 槳在低位移出管外槳在低位移出管外鍍膜工藝流程報告人:14鍍膜工藝流程6. evacuate tube and pressure test 6. evacuate t

11、ube and pressure test 管內(nèi)抽真空并作壓力測試管內(nèi)抽真空并作壓力測試7. plasma preclean and check with NH7. plasma preclean and check with NH3 3 通過高頻電源用氨氣預(yù)清理和檢查通過高頻電源用氨氣預(yù)清理和檢查8. purge cycle 1 8. purge cycle 1 清洗管路清洗管路1 19. leak test 9. leak test 測漏測漏10. wait until all zones are on min temperature 10. wait until all zones ar

12、e on min temperature 恒溫恒溫報告人:15鍍膜工藝流程11. ammonia plasma preclean 11. ammonia plasma preclean 通過高頻電源用氨氣清理通過高頻電源用氨氣清理12. deposition 12. deposition 鍍膜鍍膜13. end of deposition 13. end of deposition 結(jié)束鍍膜結(jié)束鍍膜14. evacuate tube and pressure test 14. evacuate tube and pressure test 抽真空及測試壓力抽真空及測試壓力15. purge c

13、ycle 1 15. purge cycle 1 清洗管路清洗管路1 1報告人:16鍍膜工藝流程16. fill tube with N16. fill tube with N2 2 充氮充氮17. move in paddle lower position 17. move in paddle lower position 槳在低位進(jìn)入管內(nèi)槳在低位進(jìn)入管內(nèi)18. SLS moving to upper position 18. SLS moving to upper position SLS SLS移到高位移到高位19. unloading boat 19. unloading boat 退

14、舟退舟20. end of process 20. end of process 結(jié)束工藝結(jié)束工藝報告人: 管式PECVD系統(tǒng)板式PECVD系統(tǒng)設(shè)備結(jié)構(gòu)報告人:王松18設(shè)備結(jié)構(gòu)設(shè)備結(jié)構(gòu)_板P報告人:王松19設(shè)備結(jié)構(gòu)設(shè)備結(jié)構(gòu)_板P報告人:王松20設(shè)備結(jié)構(gòu)設(shè)備結(jié)構(gòu)_板P報告人:壓力壓力壓力傳送帶速度上載預(yù)熱反應(yīng)冷卻下載傳送帶1設(shè)備結(jié)構(gòu)設(shè)備結(jié)構(gòu)_板P報告人:22設(shè)備結(jié)構(gòu)設(shè)備結(jié)構(gòu)_板P溫度壓力冷卻水工藝名稱運(yùn)行狀態(tài)時間日期賬號報告人:23設(shè)備結(jié)構(gòu)_管P設(shè)備結(jié)構(gòu)報告人:24 設(shè)備結(jié)構(gòu)設(shè)備結(jié)構(gòu) 裝載區(qū)裝載區(qū)爐體爐體特氣柜特氣柜真空系統(tǒng)真空系統(tǒng)控制系統(tǒng)控制系統(tǒng)設(shè)備結(jié)構(gòu)報告人:25設(shè)備結(jié)構(gòu)：l裝載區(qū)：裝載區(qū)：

15、 槳、槳、LIFTLIFT、抽風(fēng)系統(tǒng)、抽風(fēng)系統(tǒng)、SLSSLS系統(tǒng)。系統(tǒng)。 槳：槳： 由碳化硅材料制成，具有耐高溫、防由碳化硅材料制成，具有耐高溫、防 變形等性能。作用是將石墨舟放入或變形等性能。作用是將石墨舟放入或 取出石英管。取出石英管。 LIFT LIFT： 機(jī)械臂系統(tǒng)，使舟在機(jī)械臂作用下在機(jī)械臂系統(tǒng)，使舟在機(jī)械臂作用下在 小車、槳、儲存區(qū)之間互相移動。小車、槳、儲存區(qū)之間互相移動。抽風(fēng)系統(tǒng)抽風(fēng)系統(tǒng) : : 位于晶片裝載區(qū)上方，初步的冷卻石位于晶片裝載區(qū)上方，初步的冷卻石 墨舟和一定程度的過濾殘余氣體墨舟和一定程度的過濾殘余氣體 SLS SLS系統(tǒng)：系統(tǒng)： 軟著陸系統(tǒng)，控制槳的上下，移動范

16、軟著陸系統(tǒng)，控制槳的上下，移動范 圍在圍在2323厘米厘米設(shè)備結(jié)構(gòu)報告人:26l爐體：爐管、加熱系統(tǒng)、冷卻系統(tǒng)爐體：爐管、加熱系統(tǒng)、冷卻系統(tǒng)爐管：爐管： 爐體內(nèi)有四根爐管爐體內(nèi)有四根爐管, ,由石英制作，是鍍膜由石英制作，是鍍膜 的作業(yè)區(qū)域，耐高溫、防反應(yīng)。的作業(yè)區(qū)域，耐高溫、防反應(yīng)。加熱系統(tǒng)：加熱系統(tǒng)： 位于石英管外，有五個溫區(qū)。位于石英管外，有五個溫區(qū)。設(shè)備結(jié)構(gòu)報告人:27加熱系統(tǒng)：設(shè)備結(jié)構(gòu)1CMS模塊 3 電源連接外罩2熱電偶 4 溫度測量模塊報告人:28l冷卻系統(tǒng)：設(shè)備結(jié)構(gòu)報告人:29l特氣柜：特氣柜：MFC MFC 氣動閥氣動閥 MFCMFC：氣體流量計（：氣體流量計（NHNH3 3

17、、 SiHSiH4 4 、O O2 2 、 N N2 2） 氣動閥：之所以不用電磁閥是因為電磁閥在工作時容易氣動閥：之所以不用電磁閥是因為電磁閥在工作時容易 1 1 產(chǎn)生火花，而氣動閥可以最大程度的避免火花產(chǎn)生火花，而氣動閥可以最大程度的避免火花。設(shè)備結(jié)構(gòu)報告人:30l真空系統(tǒng)真空系統(tǒng) 真空泵真空泵 蝶閥蝶閥真空泵：每一根石英管配置一組泵，包真空泵：每一根石英管配置一組泵，包 括主泵和輔助泵。括主泵和輔助泵。蝶閥：蝶閥： 可以根據(jù)要求控制閥門的開關(guān)可以根據(jù)要求控制閥門的開關(guān) 的大小，來調(diào)節(jié)管內(nèi)氣壓的的大小，來調(diào)節(jié)管內(nèi)氣壓的 高低高低設(shè)備結(jié)構(gòu)報告人:31l控制系統(tǒng)控制系統(tǒng) CMICMI：是：是

18、Centrotherm Centrotherm 研發(fā)的一個控制系統(tǒng)，其中界面包括研發(fā)的一個控制系統(tǒng)，其中界面包括 Jobs Jobs 、System System 、 Datalog Datalog 、Setup Setup 、Alarms Alarms 、 Help. Help. Jobs: Jobs: 機(jī)器的工作狀態(tài)。機(jī)器的工作狀態(tài)。System: System: 四根爐管的工作狀態(tài)，舟的狀態(tài)以及手動操四根爐管的工作狀態(tài)，舟的狀態(tài)以及手動操 作機(jī)器臂的內(nèi)容。作機(jī)器臂的內(nèi)容。Datalog: Datalog: 機(jī)器運(yùn)行的每一步。機(jī)器運(yùn)行的每一步。設(shè)備結(jié)構(gòu)報告人:32Setup: Setup:

19、 舟的資料的更改，工藝內(nèi)容的更改，使用權(quán)限的更舟的資料的更改，工藝內(nèi)容的更改，使用權(quán)限的更 改，改，LIFTLIFT位置的更改，位置的更改，CMSCMS安全系統(tǒng)（安裝的感應(yīng)器安全系統(tǒng)（安裝的感應(yīng)器 將監(jiān)控重要系統(tǒng)的運(yùn)行情況，而一旦不受計算機(jī)將監(jiān)控重要系統(tǒng)的運(yùn)行情況，而一旦不受計算機(jī) 的控制，的控制，CMSCMS將會發(fā)生作用，所有的錯誤信息也都會將會發(fā)生作用，所有的錯誤信息也都會 在在CMICMI上以簡潔的文本方式顯示出來）的更改等。上以簡潔的文本方式顯示出來）的更改等。 AlarmsAlarms：警報內(nèi)容：警報內(nèi)容 Help: Help: 簡要的說明解除警報以及其他方面的方法簡要的說明解除警報

20、以及其他方面的方法 CESARCESAR：控制電腦，每一個系統(tǒng)都安裝了：控制電腦，每一個系統(tǒng)都安裝了CESARCESAR控制電腦及控制電腦及 CESAR CESAR 控制軟件控制軟件設(shè)備結(jié)構(gòu)報告人:33基本操作_板P1 1、準(zhǔn)備、準(zhǔn)備工作：雙手配帶工作：雙手配帶,PVC,PVC手套，佩戴活性炭口罩手套，佩戴活性炭口罩。2 2、領(lǐng)片、領(lǐng)片: :從烘干機(jī)中小心取一組硅片，將硅片籃傾斜從烘干機(jī)中小心取一組硅片，將硅片籃傾斜4545度，仔細(xì)檢查硅度，仔細(xì)檢查硅片是否有損壞現(xiàn)象，是否仍有有水珠存在。將檢查好的硅片整齊的放于片是否有損壞現(xiàn)象，是否仍有有水珠存在。將檢查好的硅片整齊的放于小推車上，并核查流程

21、單記錄籃號是否與實際相符，將核查好的流程單小推車上，并核查流程單記錄籃號是否與實際相符，將核查好的流程單放于小車旁邊的工具盒里面放于小車旁邊的工具盒里面。注意注意事項事項：從烘干機(jī)領(lǐng)片時從烘干機(jī)領(lǐng)片時，確保，確保硅片表面硅片表面沒有水珠沒有水珠后，再進(jìn)行裝后，再進(jìn)行裝片。片。帶實驗單的流程單一定要看清楚帶實驗單的流程單一定要看清楚實驗實驗要求要求。報告人:34基本操作_板P3 3、裝、裝片：查看吸筆（吸球）是否完好，吸頭是否干凈，吸筆氣的大小是片：查看吸筆（吸球）是否完好，吸頭是否干凈，吸筆氣的大小是否適中否適中, ,能否正常使用能否正常使用 , ,卸片處要將印刷上載籃放于卸片臺上卸片處要將印

22、刷上載籃放于卸片臺上. .籃向正面傾斜籃向正面傾斜（有籃號一側(cè)）。右手（有籃號一側(cè)）。右手( (或左手或左手) )拿起吸筆使吸頭輕放于硅片表面，用吸筆拿起吸筆使吸頭輕放于硅片表面，用吸筆自然吸住硅片表面中間的邊緣部分，平行從籃中取出，對準(zhǔn)石墨框平行下自然吸住硅片表面中間的邊緣部分，平行從籃中取出，對準(zhǔn)石墨框平行下移硅片，直到將硅片放到低于石墨框下沿時中指按下吸筆按鈕將硅片平行移硅片，直到將硅片放到低于石墨框下沿時中指按下吸筆按鈕將硅片平行放在石墨框鉤子上，重復(fù)進(jìn)行上述操作直至裝滿放在石墨框鉤子上，重復(fù)進(jìn)行上述操作直至裝滿, ,兩組片間要有交接兩組片間要有交接片。片。注意注意事項事項：要：要保持

23、放片時的聲音最小，減小對硅片的碰撞而產(chǎn)生的保持放片時的聲音最小，減小對硅片的碰撞而產(chǎn)生的損傷。損傷。報告人:35基本操作_板P4 4、檢查、檢查：裝滿一框后左手輕輕拍打石墨框（以檢查石墨框內(nèi)硅片是否裝：裝滿一框后左手輕輕拍打石墨框（以檢查石墨框內(nèi)硅片是否裝好），觀察框內(nèi)硅片是否自由活動。確認(rèn)后按下裝載按鈕，輕推石墨框進(jìn)入好），觀察框內(nèi)硅片是否自由活動。確認(rèn)后按下裝載按鈕，輕推石墨框進(jìn)入設(shè)備設(shè)備。5 5、卸、卸片片: : 左手拿吸筆輕放于硅片上，把硅片豎立從石墨框中吸出，轉(zhuǎn)動吸筆左手拿吸筆輕放于硅片上，把硅片豎立從石墨框中吸出，轉(zhuǎn)動吸筆使硅片正面向內(nèi)接近石墨框并與之成使硅片正面向內(nèi)接近石墨框并與

24、之成4545度角。同時吸盤接近吸住吸筆放開，度角。同時吸盤接近吸住吸筆放開，吸盤與硅片上邊成吸盤與硅片上邊成4545度，抬起吸盤，讓硅片兩邊對準(zhǔn)黑籃兩邊齒縫平行裝入度，抬起吸盤，讓硅片兩邊對準(zhǔn)黑籃兩邊齒縫平行裝入其中，注意一定要裝到底，才能松開吸盤其中，注意一定要裝到底，才能松開吸盤。注意事項注意事項：一定一定要時刻關(guān)注鍍膜片的顏色是否正常要時刻關(guān)注鍍膜片的顏色是否正常，如有異常，及時反饋給，如有異常，及時反饋給工藝；卸工藝；卸片過程中切忌用手觸摸鍍膜面片過程中切忌用手觸摸鍍膜面。報告人:36基本操作_板P6 6、測量、測量：選取每組：選取每組隨機(jī)一個石墨框的第三列，按順序送至質(zhì)檢處測量隨機(jī)一

25、個石墨框的第三列，按順序送至質(zhì)檢處測量反反射率、最低波長以及膜厚、折射率射率、最低波長以及膜厚、折射率；7 7、送、送片：裝滿一組后，在流程單上記清籃號，測反射率，填寫匯總表后，片：裝滿一組后，在流程單上記清籃號，測反射率，填寫匯總表后，雙手提籃，送至印刷車間。雙手提籃，送至印刷車間。注意注意事項事項：1 1、操作、操作過程過程中，嚴(yán)禁用手接觸硅片；中，嚴(yán)禁用手接觸硅片；2 2、一定要時刻關(guān)注鍍一定要時刻關(guān)注鍍膜面的膜面的顏色是否正常，如有異常，及時反饋給工藝顏色是否正常，如有異常，及時反饋給工藝；3 3、嚴(yán)禁用手直接接觸石墨框。、嚴(yán)禁用手直接接觸石墨框。 報告人:37基本操作_管P1 1、準(zhǔn)

26、備、領(lǐng)片：嚴(yán)格、準(zhǔn)備、領(lǐng)片：嚴(yán)格佩戴勞保用品，戴好活性炭口罩和佩戴勞保用品，戴好活性炭口罩和PVCPVC手套；檢查真手套；檢查真空吸盤是否完好，能否正常使用；檢查每個石墨舟是否有損壞，能否正?？瘴P是否完好，能否正常使用；檢查每個石墨舟是否有損壞，能否正常使用；把裝有清洗干凈硅片的硅片籃放在指定的載物使用；把裝有清洗干凈硅片的硅片籃放在指定的載物桌上桌上2 2、裝片：把、裝片：把經(jīng)檢查后可以正常使用的石墨舟放在小推車上，然后用力壓經(jīng)檢查后可以正常使用的石墨舟放在小推車上，然后用力壓小推車上的機(jī)械臂，使石墨舟與水平面成小推車上的機(jī)械臂，使石墨舟與水平面成4545角角。右手拿真空吸盤（反之右手拿真

27、空吸盤（反之亦可），將硅片從硅片籃中取出，按順序?qū)⒐杵b于石墨舟中，將石墨舟亦可），將硅片從硅片籃中取出，按順序?qū)⒐杵b于石墨舟中，將石墨舟的一面全部裝好之后，將小推車的載物平臺旋轉(zhuǎn)的一面全部裝好之后，將小推車的載物平臺旋轉(zhuǎn)180180，然后重復(fù)上述取，然后重復(fù)上述取片裝片操作，將石墨舟的另一面裝好硅片；待石墨舟裝完硅片后，將石墨片裝片操作，將石墨舟的另一面裝好硅片；待石墨舟裝完硅片后，將石墨舟放平，仔細(xì)檢查是否有遺漏，在檢查無漏裝、重片之后，裝片完畢舟放平，仔細(xì)檢查是否有遺漏，在檢查無漏裝、重片之后，裝片完畢。注意注意事項事項：嚴(yán)禁：嚴(yán)禁用手直接接觸石墨用手直接接觸石墨舟。舟。報告人:38基

28、本操作_管P3 3、裝片：右手、裝片：右手拿真空吸盤（反之亦可），將硅片從硅片籃中取出，按順序拿真空吸盤（反之亦可），將硅片從硅片籃中取出，按順序?qū)⒐杵b于石墨舟中，將石墨舟的一面全部裝好之后，將小推車的載物平臺將硅片裝于石墨舟中，將石墨舟的一面全部裝好之后，將小推車的載物平臺旋轉(zhuǎn)旋轉(zhuǎn)180180，然后重復(fù)上述取片裝片操作，將石墨舟的另一面裝好硅片；待，然后重復(fù)上述取片裝片操作，將石墨舟的另一面裝好硅片；待石墨舟裝完硅片后，將石墨舟放平，仔細(xì)檢查是否有遺漏，在檢查無漏裝、石墨舟裝完硅片后，將石墨舟放平，仔細(xì)檢查是否有遺漏，在檢查無漏裝、重片之后，裝片完畢重片之后，裝片完畢。注意事項注意事項：裝

29、：裝片時硅片要片時硅片要靠緊靠緊三個鉤點三個鉤點；裝片完畢后，要仔細(xì)檢查石墨舟每裝片完畢后，要仔細(xì)檢查石墨舟每一邊的硅片傾斜度是否一致，一邊的硅片傾斜度是否一致，以防掉片以防掉片造成鍍膜失敗片。造成鍍膜失敗片。報告人:39基本操作_管P4 4、進(jìn)舟：檢查、進(jìn)舟：檢查石墨舟在小推車上放置的方向和小推車載舟平臺的方向，正確石墨舟在小推車上放置的方向和小推車載舟平臺的方向，正確放置方法為石墨舟有兩小孔的一端在小推車的左端，小推車載舟平臺上有黑色放置方法為石墨舟有兩小孔的一端在小推車的左端，小推車載舟平臺上有黑色或紅色標(biāo)記的一端朝向顯示器所在方向，。檢查完畢，將小推車推入管式或紅色標(biāo)記的一端朝向顯示器所在方向，。檢查完畢，將小推車推入管式PECVDPECVD設(shè)備中，當(dāng)聽到有設(shè)備中，當(dāng)聽到有“噗噗”的聲響后，表示小推車已經(jīng)進(jìn)入設(shè)備，此時設(shè)的聲響后，表示小推車已經(jīng)進(jìn)入設(shè)備，此時設(shè)備顯示屏上會出現(xiàn)的界面?zhèn)滹@示屏上會出現(xiàn)的界