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文檔簡介

1、第2章 超導(dǎo)材料一.超導(dǎo)電性:當(dāng)溫度下降到某一值(Tc)時,材料的電阻突然消失。 超導(dǎo)體:在某一溫度下能呈現(xiàn)出超導(dǎo)電性的材料。 二.超導(dǎo)體的分類 按磁化特性不同分為: 1.第一類超導(dǎo)體(除V、Nb以外的金屬) 第一類超導(dǎo)體又稱軟超導(dǎo)體。只存在一個臨界磁場Hc,當(dāng)外磁場H<Hc時,呈現(xiàn)完全抗磁性,體內(nèi)磁感應(yīng)強度為零。 2.第二類超導(dǎo)體(V、Nb及合金、化合物、高溫超導(dǎo)體等)第二類超導(dǎo)體也稱硬超導(dǎo)體,具有兩個臨界磁場,分別用Hc1(下臨界磁場)和Hc2(上臨界磁場)表示。當(dāng)外磁場H< Hc1時,具有完全抗磁性,體內(nèi)磁感應(yīng)強度處處為零。外磁場強度滿足Hc1 H< Hc2時,超導(dǎo)態(tài)和

2、正常態(tài)同時并存,磁力線通過體內(nèi)正常態(tài)區(qū)域,稱為混合態(tài)或渦旋態(tài)。外磁場H增加時,超導(dǎo)態(tài)區(qū)域縮小,正常態(tài)區(qū)域擴大,H> Hc2時,超導(dǎo)體全部變?yōu)檎B(tài)。3. 超導(dǎo)材料的基本性質(zhì)與理論基礎(chǔ) 材料具有超導(dǎo)性能的必要條件:邁斯納效應(yīng)和零電阻效應(yīng)。1. 零電阻超導(dǎo)體處于超導(dǎo)態(tài)時(臨界溫度以下)電阻完全消失。若用它組成閉合回路,一旦回路中形成電流,則電路中沒有能量損耗,不需要任何電源補充能量,電流可以持續(xù)下去。2. 邁斯納效應(yīng)(完全抗磁性) 超導(dǎo)體處于超導(dǎo)態(tài)時,不管有無外磁場存在,超導(dǎo)體內(nèi)磁感應(yīng)強度總是等于零。在外磁場中,處于超導(dǎo)態(tài)的超導(dǎo)體內(nèi)磁感應(yīng)強度為零的特性稱為超導(dǎo)體的完全抗磁性,這種現(xiàn)象被稱為超

3、導(dǎo)體的邁斯納效應(yīng)。四超導(dǎo)體超導(dǎo)的三個條件;超導(dǎo)材料只有同時滿足三個條件才能處于超導(dǎo)態(tài): T < Tc :溫度小于臨界溫度; H < Hc:磁場小于臨界磁場; I < Ic :電流小于臨界電流;五 BCS理論(1) BCS理論表述:超導(dǎo)電性源于固體中電子的配對,而電子配對的相互吸引作用源于電子和晶格振動間相互作用,即交換虛聲子; 配對發(fā)生在自旋相反動量和為零的兩個電子間,即動量凝聚。(2) 兩點結(jié)論:進入超導(dǎo)態(tài)的電子發(fā)生了深刻變化;晶格起重要作用,電-聲決定性。第3章 半導(dǎo)體材料1 根據(jù)物質(zhì)的導(dǎo)電性質(zhì),將它們分為導(dǎo)體,絕緣體,以及介于這兩者之間的半導(dǎo)體三大類。二半導(dǎo)體的分類(按

4、雜質(zhì)類型分,按導(dǎo)電類型分);1.按是否含有雜質(zhì):本征半導(dǎo)體和雜質(zhì)半導(dǎo)體完全純凈、結(jié)構(gòu)完整的半導(dǎo)體晶體稱為本征半導(dǎo)體。存在電子和空穴兩種載流子。但電子數(shù)目n和空穴數(shù)目p一一對應(yīng),數(shù)量相等,np。雜質(zhì)以替位的形式存在于鍺、硅晶體中,由此而形成的半導(dǎo)體稱為雜質(zhì)半導(dǎo)體。如果對純凈半導(dǎo)體摻入適當(dāng)?shù)碾s質(zhì),也能提供載流子。把提供導(dǎo)帶電子的雜質(zhì)稱為施主;而將提供價帶空穴(即接收價帶電子)的雜質(zhì)稱為受主。2. 按導(dǎo)電類型:N型半導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體在摻施主的半導(dǎo)體中,由于施主電離,使p<n,電子導(dǎo)電占優(yōu)勢,因而稱之為N型半導(dǎo)體。施主雜質(zhì)亦稱N型雜質(zhì)。 在摻受主的半導(dǎo)體中,由于受主電離,使p>n,空穴導(dǎo)電

5、占優(yōu)勢,因而稱之為P型半導(dǎo)體。受主雜質(zhì)亦稱P型雜質(zhì)。當(dāng)半導(dǎo)體中既有施主雜質(zhì),又有受主雜質(zhì)時,半導(dǎo)體的導(dǎo)電類型就主要取決于摻雜濃度高的雜質(zhì)。當(dāng)施主數(shù)量超過受主時,半導(dǎo)體就是N型的;反之,受主數(shù)量超過施主則為P型的。三半導(dǎo)體的電學(xué)特性 1.負(fù)電阻溫度系數(shù):即隨著溫度的升高,電阻值下降。 2.整流效應(yīng):在它兩端加一個正向電壓,它是導(dǎo)通的;如果把電壓極性反過來,它就不導(dǎo)通,這就是半導(dǎo)體的整流效應(yīng)。 3.光電導(dǎo)效應(yīng):光電導(dǎo)是指由光照引起半導(dǎo)體電導(dǎo)率增加的現(xiàn)象。 4.光生伏特效應(yīng):發(fā)現(xiàn)晶體硒和金屬接觸在光照射下產(chǎn)生了電動勢,這就是半導(dǎo)體光生伏特效應(yīng)。 5.霍爾效應(yīng):通有電流的導(dǎo)體在磁場中受力,發(fā)現(xiàn)在垂直于

6、磁場和電流的方向上產(chǎn)生了電動勢,這個電磁效應(yīng)稱為“霍爾效應(yīng)”。四硅和鍺的制備方法1.物理提純:不改變材料的化學(xué)組成進行提純。(1)區(qū)熔提純:利用分凝現(xiàn)象將物料局部熔化形成狹窄的熔區(qū),并令其沿錠長從一端緩慢地移動到另一端,重復(fù)多次使雜質(zhì)盡量被集中在尾部或頭部,進而達到使中部材料被提純的技術(shù)。 影響區(qū)熔提純的三個因素:熔區(qū)長度、熔區(qū)移動速度、區(qū)熔次數(shù)的選擇(2)拉單晶法:是生長半導(dǎo)體單晶的主要方法。在直拉單晶爐內(nèi),向盛有熔硅(鍺)坩堝內(nèi),引入籽晶作為非均勻晶核,然后控制熱場,將籽晶旋轉(zhuǎn)并緩慢向上提拉,單晶便在籽晶下按籽晶的方向長大。在工藝流程中,最為關(guān)鍵的是拉晶過程,它又分為潤晶、縮頸、放肩、等徑

7、生長、拉光等步驟。2.化學(xué)提純:把元素先變成化合物進行提純,再將提純后的化合物還原成元素。 萃取提純法:利用混合液在某溶劑中的溶解度的差異,萃取分離。 精餾提純法:利用混合液中各組分的沸點不同來達到分離各組分的目的。第4章 電介質(zhì)材料一.電介質(zhì)1.電介質(zhì):是指以感應(yīng)方式而不是以傳導(dǎo)的方式來傳遞電信號的物質(zhì)。 2.電介質(zhì)極化:電介質(zhì)在電場作用下產(chǎn)生感應(yīng)電荷,也稱束縛電荷的現(xiàn)象稱為電介質(zhì)的極化。3.極化過程:在外電場作用下,電介質(zhì)會發(fā)生極化、電導(dǎo)、介質(zhì)損耗和擊穿等物理過程。4.電介質(zhì)跟絕緣體、導(dǎo)體的區(qū)別:絕緣體是指能夠承受較強電場的電介質(zhì)材料,而電介質(zhì)除了絕緣特性而外,主要是指在較弱電場下具有極化

8、能力,并能在其中長期存在電場的一種物質(zhì)。與金屬不同,材料內(nèi)部沒有電子的共有化,從而不存在自由電子,只存在束縛電荷,即通過極化過程來傳遞和記錄電子信息。與此同時伴隨著各種特征的能量損耗過程。因此,電介質(zhì)能夠以感應(yīng)而并非傳導(dǎo)的方式來傳遞電磁場信息。 二.介電損耗 電介質(zhì)的極化速度有限,當(dāng)電介質(zhì)上加交變電場時,電位雖也以同樣的角頻率振動,但其相位落后于所加電場的相位,導(dǎo)致出現(xiàn)相位差角(稱為電介質(zhì)損耗角),即存在一定的弛豫時間。由上述原因所造成的能量損耗叫介電損耗(亦稱介質(zhì)色散)。介電損耗影響因素:交流電頻率、串聯(lián)等效電阻、電容量損耗大在低頻下使用,損耗小在高頻下使用。3. 電介質(zhì)極化的基本類型按微觀

9、機制,歸納為以下幾種基本形式,即電子位移極化、離子位移極化、偶極子取向極化、空間電荷極化及自發(fā)極化等。1. 電子位移極化 電介質(zhì)中原子、分子和離子等任何粒子,在電場作用下都能感生一個沿電場方向的感應(yīng)偶極矩。這是由于在電場的作用下,粒子中的電子云相對于原子核發(fā)生位移而引起的。 該極化存在于一切介質(zhì)中。 電子位移極化建立的時間很短,約在10-1410-16s范圍。表明,若所加電場為交變電場,其頻率即使高達光頻(100-1000THz),電子位移極化也來得及響應(yīng)。2. 離子位移極化 在離子晶體和玻璃等無機介質(zhì)中,正負(fù)離子處于平衡狀態(tài),其偶極矩的矢量和為零,但在電場作用下,這些離子除產(chǎn)生電子位移外,離

10、子本身還將發(fā)生可逆的彈性位移。正離子沿電場方向移動,負(fù)離子沿反電場方向移動,形成感應(yīng)偶極矩,這就是離子位移極化。 離子位移極化對外電場的響應(yīng)時間也較短,比電子位移極化慢2-3個數(shù)量級,與離子在平衡位置的固有振動頻率相當(dāng)。3. 偶極子取向極化 非晶態(tài)極性有機電介質(zhì)的分子或分子鏈節(jié)具有一定的固有偶極矩,可把它們看成是偶極子。在電場作用下,偶極分子或鏈節(jié)受到電場轉(zhuǎn)矩的作用,驅(qū)使它們沿電場方向取向。但熱運動卻使分子作混亂排布,起解除取向作用。分子間相互作用也阻礙極性分子在電場方向的取向。一定溫度和電場作用下,達到一個新的統(tǒng)計平衡狀態(tài)。在新平衡狀態(tài)下,偶極子在空間各方向的幾率不再相同,沿電場方向取向的大

11、于其他方向,在電場方向形成宏觀偶極矩。若組成介質(zhì)的分子是極性的,其本身就存在固有偶極矩。雖在無外電場作用時,熱運動 使偶極分子混亂取向,介質(zhì)在各個方向上的分子偶極矩矢量和為零,但在外電場作用下,偶極分子將沿電場方向偏轉(zhuǎn)定向,這時電介質(zhì)內(nèi)部分子偶極矩的矢量和就不再是零,整個電介質(zhì)對外感生出宏觀偶極矩。4. 空間電荷極化 離子型結(jié)構(gòu)電介質(zhì)中存在一些弱束縛離子,如外來摻雜離子或處于晶格缺陷位置上的離子。位能稍高,不穩(wěn)定,易受熱而激活。 在外電場作用下,除了部分構(gòu)成電導(dǎo)外,另一部分可能不足以越過所有阻隔它們運動的勢壘,只能在一個不大區(qū)域內(nèi)越過一些較低的勢壘,從一個平衡位置遷移到另一個平衡位置。 熱離子

12、位移極化建立的時間較慢,約為10-2S。 當(dāng)外加電場頻率較高時,極化的改變就滯后于電場的改變。這種現(xiàn)象稱為“極化馳豫”。5. 自發(fā)極化 當(dāng)介質(zhì)中存在少量自由電荷載流子(正負(fù)離子和電子)時,在外電場作用下,載流子將遷移而使介質(zhì)有微小的漏導(dǎo)電流。實際介質(zhì)往往結(jié)構(gòu)不均勻,各相間的介電性能也不完全相同,因而載流子可能被阻止在這些相界面上,形成空間電荷的局部積累,使介質(zhì)中電荷分布不均勻,產(chǎn)生電矩,發(fā)生極化。建立的時間很長,從幾分之一秒到幾個小時,一般在直流和低頻下出現(xiàn),極化時將消耗能量。某些晶體具有特殊的結(jié)構(gòu),其晶胞本身的正負(fù)電荷重心不相重合,即晶胞具有極性。由于晶體構(gòu)造的周期性和重復(fù)性,當(dāng)某一晶胞在某

13、一方向出現(xiàn)偶極矩時,將逐漸影響到與之相鄰的其他晶胞,使之也在同一方向出現(xiàn)偶極矩。這種極化狀態(tài)是在外電場為零時自發(fā)建立起來的,因而稱為自發(fā)極化。具有相同極化方向的自發(fā)極化區(qū)域稱為電疇。每個電疇都有一定的固有電矩(電偶極矩的簡稱,是電荷系統(tǒng)的極性的一種衡量),在一般情況下,各個電疇的電矩方向是各不相同的,各電疇的電矩相互抵消,介質(zhì)對外不顯極性。當(dāng)外加電場后,各電疇將沿電場方向轉(zhuǎn)向,從而顯示出強烈的極化效應(yīng)。由自發(fā)極化產(chǎn)生的介電常數(shù)非常高,電疇隨電場轉(zhuǎn)向的時間也很長,且消耗電場能量。與理想介質(zhì)不同,實際電介質(zhì)中總是或多或少地存在著一定量的能夠自由遷移的帶電粒子,在無外電場時,它們作紊亂的熱運動,因此

14、不形成電流。當(dāng)加上不高的外電場后,這些載流子受到電場力的作用,便在不規(guī)則的熱運動上疊加了沿電場力方向的定向遷移,從而形成電流,不過這種電流很小,故稱為漏導(dǎo)電流或漏導(dǎo)。4. 電介質(zhì)的擊穿 當(dāng)電場強度超過某一臨界時,介質(zhì)由介電狀態(tài)變?yōu)閷?dǎo)電狀態(tài)。這種現(xiàn)象稱為介電強度的破壞,或叫介質(zhì)的擊穿。主要擊穿類型有電擊穿和熱擊穿。五.電容器的介質(zhì)材料 1.絕緣材料:如紙、玻璃、陶瓷、云母、有機薄膜等。2.介電氧化膜:由鋁、鉭、鈮等閥金屬表面生成。六.鐵電材料鐵電材料,在外加電場不存在時具有自發(fā)極化,且自發(fā)極化的方向可以被外加電場所改變。材料的極化強度和電場之間存在像鐵磁體那樣的B-H磁滯回線,稱為“電滯回線”。

15、介電常數(shù)特別高,也稱為“強介材料”或“強介體”。 最具代表性的鐵電材料是BaTiO3和以其為基的材料,它同時也是壓電材料。七.鐵電、熱釋電、壓電、介電晶體之間的關(guān)系 在壓電晶體中,有一部分存在自發(fā)極化,可能具有熱釋電性,為熱釋電晶體。 在熱釋電晶體中,有些晶體其自發(fā)極化方向能隨外電場方向反向而反向,這類晶體為鐵電體。 具有鐵電性的晶體,必具有熱釋電性和壓電性。具有熱釋電性的晶體,必具有壓電性,卻不一定具有鐵電性。 壓電晶體、熱釋電晶體、鐵電晶體均屬電介質(zhì)晶體。八.壓電效應(yīng) 正壓電效應(yīng):當(dāng)在某一特定方向?qū)w施加應(yīng)力時,在與應(yīng)力垂直方向兩端表面能出現(xiàn)數(shù)量相等、符號相反的束縛電荷,這一現(xiàn)象被稱為“

16、正壓電效應(yīng)”。 逆壓電效應(yīng):當(dāng)一塊具有壓電效應(yīng)的晶體置于外電場中,由于晶體的電極化造成的正負(fù)電荷中心位移,導(dǎo)致晶體形變,形變量與電場強度成正比。第5章 磁性材料1. 電子磁矩 1.電子磁矩:由電子運動所產(chǎn)生的磁矩稱為電子磁矩。由電子軌道磁矩和電子自旋磁矩(主要)兩部分組成。 2.磁性的來源:電子磁矩就是物質(zhì)磁性的主要來源。2. 材料的磁性1.順磁性:有些材料在受到外加磁場H的作用后,其感生的磁化強度M跟的方向相同,即 >。呈弱磁性。順磁性物質(zhì)的原子或分子都具有未填滿的電子殼層,故都具有未被抵消的電子磁矩,從而有一個固有的總磁矩。但這些物質(zhì)的原子或分子磁矩之間相互作用十分微弱,熱運動很易使

17、原子或分子磁矩的方向雜亂無章,對外作用相互抵消,物體在宏觀上不表現(xiàn)磁性。然而,在外磁場作用下,原子或分子磁矩便微弱地轉(zhuǎn)向外磁場方向排列,由此而對外顯示出微弱的磁性。2.鐵磁性: 有一類材料在一定溫度以下,只要很小的外加磁場作用就能被磁化到飽和, > 0。呈強磁性。鐵磁性材料的主要特征有如下幾個:(1) 很易磁化,在不強的磁場下就可磁化到飽和狀態(tài),且相應(yīng)的飽和磁化強度很高。(2) 鐵磁性物質(zhì)的磁化強度和外磁場不呈線性關(guān)系,當(dāng)反復(fù)磁化時,磁化強度與磁場強度的關(guān)系是一閉合曲線,稱為磁滯回線。(3) 鐵磁性物質(zhì)的磁性與溫度有關(guān)。當(dāng)溫度增加時,磁化強度逐漸減小。存在一轉(zhuǎn)變溫度Tp ,當(dāng)T> Tp 時,鐵磁性消失,轉(zhuǎn)變?yōu)轫槾判浴?.鐵磁性與順磁性的根本區(qū)別在于: 鐵磁性材料內(nèi)存在自發(fā)磁化,而順磁性材料內(nèi)則無此現(xiàn)象。三.磁滯回線 磁滯回線形成的根本原因在于磁性材料的不可逆磁化。 一般磁性材料都有相應(yīng)的磁滯回線,但由于磁特性的不同,其磁滯回線的形狀也有很大的差異。常用的軟磁材料與硬磁材料的磁滯回線比較圖。4. 軟磁材料 磁滯回線窄而長,起始磁導(dǎo)率高,矯頑力小。在較低的外磁場下就能夠產(chǎn)生高

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