模擬電路(童詩白、華成英第四版)習(xí)題解答

1、模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)第四版清華大學(xué)電子學(xué)教研組編童詩白華成英主編自測(cè)題與習(xí)題解答山東大學(xué)物理與微電子學(xué)院目錄第1章常用半導(dǎo)體器件 3第2章基本放大電路 14第3章多級(jí)放大電路 31第4章集成運(yùn)算放大電路 41第5章放大電路的頻率響應(yīng) 50第6章放大電路中的反饋 60第7章信號(hào)的運(yùn)算和處理 74第8章波形的發(fā)生和信號(hào)的轉(zhuǎn)換 90第9章功率放大電路 114第10章直流電源 12655第1章常用半導(dǎo)體器件自測(cè)題一、判斷下列說法是否正確，用 幺”和”表示判斷結(jié)果填入空內(nèi)。(1)在N型半導(dǎo)體中如果摻入足夠量的三價(jià)元素，可將其改型為 P型半導(dǎo)體。(V )(2)因?yàn)镹型半導(dǎo)體的多子是自由電子，所以它帶負(fù)電。(X

2、 )(3)PN結(jié)在無光照、無外加電壓時(shí)，結(jié)電流為零。(,)(4)處于放大狀態(tài)的晶體管，集電極電流是多子漂移運(yùn)動(dòng)形成的。(X )(5)結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管外加的柵一源電壓應(yīng)使柵一源間的耗盡層承受反向電壓，才能保證其Rgs大的特點(diǎn)。(V )(6)若耗盡型N溝道MOS管的Ugs大于零，則其輸入電阻會(huì)明顯變小。(X )二、選擇正確答案填入空內(nèi)。(l) PN結(jié)加正向電壓時(shí)，空間電荷區(qū)將A 。A.變窄B.基本不變C.變寬(2)穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓區(qū)是其工作在C 。A.正向?qū)˙.反向截止C.反向擊穿(3)當(dāng)晶體管工作在放大區(qū)時(shí)，發(fā)射結(jié)電壓和集電結(jié)電壓應(yīng)為B 。A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后

3、者也正偏(4) Ugs=0V時(shí)，能夠工作在恒流區(qū)的場(chǎng)效應(yīng)管有A、C 。A.結(jié)型管B.增強(qiáng)型MOS管C.耗盡型MOS管、寫出圖Tl.3所示各電路的輸出電壓值，設(shè)二極管導(dǎo)通電壓Ud=0.7V。圖 T1.3解：Uoi=1.3V, Uo2=0V, Uo3=-1.3V, Uo4=2V, Uo5=1.3V, Uo6=-2V。四、已知穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓值 Uz=6V,穩(wěn)定電流的最小值Izmin = 5mA。求圖Tl.4所示電路中Uoi和UO2各為多少伏。(a)(b)圖T1.4解：左圖中穩(wěn)壓管工作在擊穿狀態(tài)，故Uoi=6V。右圖中穩(wěn)壓管沒有擊穿，故Uo2= 5VO五、電路如 圖T1.5所示，Vcc=15V,=100

4、,試問：Rb=50k 時(shí)，Uo=?(2)若T臨界飽和，則 Rb=?解：(1) IB VBB UBE 26 A,RbIc IB 2.6mA,Uo Vcc I。 2VOUBE=0.7Vo圖 T1.5(2) I cs 2.86mA, I bs I cs /Rc28.6 ARbVbb u BE1 BS45.5k六、測(cè)得某放大電路中三個(gè) MOS管的三個(gè)電極的電位如 表Tl.6所示，它們的開啟 電壓也在表中。試分析各管的工作狀態(tài)（截止區(qū)、恒流區(qū)、可變電阻區(qū)），并填入表內(nèi)。呂勺U GS(th)/VUs/VUg/VUd/V工作狀態(tài)T14-513恒流區(qū)T2-43310截止區(qū)T3-4605引變電阻區(qū)表 T1.6解

5、：因?yàn)槿还茏泳虚_啟電壓，所以它們均為增強(qiáng)型MOS管。根據(jù)表中所示各極電位可判斷出它們各自的工作狀態(tài)，如表Tl.6最后一欄所示。習(xí)題1.1 選擇合適答案填入空內(nèi)。(l)在本征半導(dǎo)體中加入(A )元素可形成N型半導(dǎo)體，加入(C )元素可形成P型半導(dǎo) 體。A.五價(jià)B.四價(jià)C.三價(jià)(2)當(dāng)溫度升高時(shí)，二極管的反向飽和電流將(A)。A.增大B.不變C.減小工作在放大區(qū)的某三極管，如果當(dāng) Ib從12 uA增大到22 uA時(shí)，Ic從lmA變?yōu)?2mA ,那么它的3約為(C )。A.83B.91C.100(4)當(dāng)場(chǎng)效應(yīng)管的漏極直流電流Id從2mA變?yōu)?mA時(shí),它的低頻跨導(dǎo)gm( A )。A.增大；B.不變

6、；C.減小1.2電路如圖P1.2所示，已知Ui10sin t (V),試畫出Ui與Uo的波形。設(shè)二極管導(dǎo)通電壓可忽略不計(jì)。圖 P1.2解圖P1.2解：Ui與Uo的波形如解圖Pl.2所示。1.3 電路如圖P1.3所示，已知Ui 5sin t (V),二極管導(dǎo)通電壓 Ud=0.7V。試畫出Ui與Uo的波形圖，并標(biāo)出幅值。圖 P1.3解：波形如解圖Pl.3所示。1.4 電路如圖P1.4所示，二極管導(dǎo)通電壓 交流信號(hào)可視為短路； ui為正弦波，有效值為 的有效值為多少？解：二極管的直流電流Id (V Ud)/R 2.6mA其動(dòng)態(tài)電阻：解圖P1.3Ud=0.7V,常溫下Ut 26mV ,電容C對(duì)10mV

7、o試問二極管中流過的交流電流圖 P1.46 Ut/Id 10故動(dòng)態(tài)電流的有效值：1d Ui/rD 1mA1.5 現(xiàn)有兩只穩(wěn)壓管，穩(wěn)壓值分別是6V和8V,正向?qū)妷簽?0.7V。試問:(1)若將它們串聯(lián)相接，則可得到幾種穩(wěn)壓值？各為多少？(2)若將它們并聯(lián)相接，則又可得到幾種穩(wěn)壓值？各為多少？解：串聯(lián)相接可得 4種:1.4V; 14V; 6.7V; 8.7V。(2)并聯(lián)相接可得2種：0.7V; 6Vo1.6 已知圖Pl.6所示電路中穩(wěn)壓管的穩(wěn)定電壓Uz 6V ,最小穩(wěn)定電流iZmin 5mA,最大穩(wěn)定電流 Izmax 25mA。(1)分別計(jì)算UI為10V、15V、35V三種情況下輸出電壓 UO

8、的值；為什么?(2)若Ui 35V時(shí)負(fù)載開路，則會(huì)出現(xiàn)什么現(xiàn)象?解：(1)只有當(dāng)加在穩(wěn)壓管兩端的電壓大于其穩(wěn)壓值時(shí)，輸出電壓才為6V。UI 10V 時(shí)，UORL UI 3.3V ;R RLRLUI 15V 時(shí)，UO UI5V ；R RL,RLUI 35V 時(shí)，UO U I 11.7V UZ , . UO Uz 6V。 R RL0.1(2)當(dāng)負(fù)載開路時(shí)，IZ U I CUZ 29mA Iz max 25mA ,故穩(wěn)壓管將被燒毀。1.7 在圖Pl.7所示電路中，發(fā)光二極管導(dǎo)通電壓 Ud =1.5V ,正向電流在 515mA時(shí)才能正常工作。 試問：(1)開關(guān)S在什么位置時(shí)發(fā)光二極管才能發(fā)光？(2)R

9、的取值范圍是多少？解：(1)S閉合。(2) R的范圍為：Rmin (V UD)/IDmax 233Rmax (V UD)/IDmin 700o + rI (+5V)圖 P1.71.8 現(xiàn)測(cè)得放大電路中兩只管子兩個(gè)電極的電流如圖P1.8所示。分別求另一電極的電流，標(biāo)出其方向，并在圓圈中畫出管子，且分別求出它們的電流放大系數(shù)3。圖 Pl.8解圖Pl.8解：答案如解圖Pl.8所示。放大倍數(shù)分別為a 1mA/10 A 100和b 5mA/100 A 501.9 測(cè)得放大電路中六只晶體管的直流電位如圖P1.9所示。在圓圈中畫出管子,并說明它們是硅管還是錯(cuò)管。圖 P1.9解:如解圖1.9。解圖1.91.1

10、0電路如圖P1.10所示，晶體管導(dǎo)通時(shí)Ube 0.7V ,爐50。試分析Vbb為0V、1V、3V三種情況下T的工作狀態(tài)及輸出電壓 Uo的值。解：(1)當(dāng) Vbb 0 時(shí)，T 截止，Uo 12V 0(2)當(dāng)Vbb 1V時(shí)，因?yàn)閂bb U beqBQRb60 AI cq I bq3 mAUo VccIcqRc 9V圖 P1.10所以T處于放大狀態(tài)。,.Vbb uBEQ(3)當(dāng) VBB3V 時(shí)，因?yàn)?I BQ 460 A,RbVcc u CESIcq I bq 23mA? Ics CCCES 11.3mA,所以 T 處于飽和狀態(tài)。 Rc1.11電路如圖Pl.11所示，晶體管的 芹50 , Ube 0

11、.2V ,飽和管壓降Uces0.1V ；穩(wěn)壓管的穩(wěn)定電壓UZ 5V ,正向?qū)妷?UD 0.5V 。試問：當(dāng)Ui 0V 時(shí) Uo ?；當(dāng) Ui5V 時(shí) Uo ?解：當(dāng)Ui 0V時(shí)，晶體管截止，穩(wěn)壓管擊穿,uoUz 5V o當(dāng)Ui5V時(shí)，晶體管飽和，Uo0.1V。因?yàn)椋篒bI 紅$ 480 A, Rb(-I2V)-4=1-圖 P1.11Ib 24mA, Uec VccIc（d）（e）圖 P1.12解：（a）可能；（b）可能；（c）不能；（d）不能，T的發(fā)射結(jié)會(huì)因電流過大而損壞。（e）可能。1.13 已知放大電路中一只 N溝道場(chǎng)效應(yīng)管三個(gè)極 、 的電位分別為4V、8V、12V ,管子工作在恒流區(qū)

12、。試判斷它可能是哪種管子（結(jié)型管、MOS管、增強(qiáng)型、耗盡型），并說明、與G、S、D的對(duì)應(yīng)關(guān)系。解：管子可能是增強(qiáng)型管、耗盡型管和結(jié)型管， 三個(gè)極、與G、S、D的對(duì)應(yīng)關(guān)系如解圖Pl.13所示。5IaI 解圖Pl.131.14 已知場(chǎng)效應(yīng)管的輸出特性曲線如圖Pl.14所示，畫出它在恒流區(qū)的轉(zhuǎn)移特性曲線。解圖Pl.14解：在場(chǎng)效應(yīng)管的恒流區(qū)作橫坐標(biāo)的垂線(如解圖Pl.14 (a)所示)，讀出其與各條曲線交點(diǎn)的縱坐標(biāo)值及 Ugs值，建立iDf(UGs)坐標(biāo)系，描點(diǎn)，連線，即可得到轉(zhuǎn)移特性曲線，如解圖Pl.14 (b)所示。1.15 電路如圖P1.15所示，T的輸出特性如 圖Pl.14所示,分析當(dāng)UI

13、=4V、8V、12V三種情況下場(chǎng)效應(yīng)管分別工作在什么區(qū)域。解：根據(jù)圖P1.14所示T的輸出特性可知，其開啟電壓為5V ,根據(jù)圖Pl.15所示電路可知UGSUI。當(dāng)UI=4V時(shí)，Ugs小于開啟電壓，故 T截止。當(dāng)UI=8V時(shí)，設(shè)T工作在恒流區(qū)，根據(jù)輸出特性可知iD 0.6mA,管壓降Uds Vdd iDRd因此，Ugd UGS UDS2V，小于開啟電壓，圖 Pl.15說明假設(shè)成立，即 T工作在恒流區(qū)。l.16分別判斷圖Pl.16所示各電路中的場(chǎng)效應(yīng)管是否有可能工作在恒流區(qū)。當(dāng)UI =12V時(shí)，由于Vdd 12V ,必然使T工作在可變電阻區(qū)。解：(a)可能,(b)不能，(c)不能，(d)可能。(a

14、)(c)補(bǔ)充2.在溫度20oC時(shí)某晶體管的I CBO 2 A,試問溫度是60oC時(shí)的I CBO ?解：ICBO60 I CBO20 22 232 Ao3V , R的取值合適,補(bǔ)充1.電路如補(bǔ)圖P1（a）、（b）所示，穩(wěn)壓管的穩(wěn)定電壓 UZUi的波形如圖（c）所示。試分別畫出Uoi和UO2的波形。(b)補(bǔ)圖Pi解：波形如下圖所示補(bǔ)充3.有兩只晶體管，一只的伊200 , Iceo 200 A；另一只的3=100 ,ICEO 10 A,其它參數(shù)大致相同。你認(rèn)為應(yīng)選用哪只管子？為什么？解：選用3=100 , Iceo 10 A的管子，因其3適中，Iceo較小，因而溫度穩(wěn)定 性較另一只管子好。補(bǔ)充4.電

15、路如補(bǔ)圖P4所示，試問3大于多少時(shí)晶體管飽和?解：取UCES U BE ） 若管子飽和，則VCC UBEVCC UBE ,即 RbRbRcRc所以，Rb 100時(shí)，管子飽和。Rc補(bǔ)圖P4HNJkQ第2章基本放大電路自測(cè)題一.在括號(hào)內(nèi)用 “，和 %表明下列說法是否正確。1 .只有電路既放大電流又放大電壓，才稱其有放大作用。（方2 .可以說任何放大電路都有功率放大作用。（J3 .放大電路中輸出的電流和電壓都是有源元件提供的。（4 .電路中各電量的交流成分是交流信號(hào)源提供的。（5 .放大電路必須加上合適的直流電源才能正常工作。（J6 .由于放大的對(duì)象是變化量，所以當(dāng)輸入直流信號(hào)時(shí)，任何放大電路的輸出

16、都毫無 變化。（）7 .只要是共射放大電路，輸出電壓的底部失真都是飽和失真。（方 二.試分析 圖T2.2各電路是否能放大正弦交流信號(hào)，簡(jiǎn)述理由。設(shè)圖中所有電容對(duì) 交流信號(hào)均可視為短路。(a)(b)(c)圖 T2.2解：圖(a)不能。Vbb將輸入信號(hào)短路。圖(b)可以。圖(c)不能。輸入信號(hào)與基極偏置是并聯(lián)關(guān)系而非串聯(lián)關(guān)系。圖(d)不能。晶體管基極回路因無限流電阻而燒毀。圖(e)不能。輸入信號(hào)被電容 C2短路。圖不能。輸出始終為零。圖(g)可能。圖(h)不合理。因?yàn)?G-S間電壓將大于零。圖(i)不能。因?yàn)門截止。.在圖T2.3所示電路中，已知 VCC 12V ,晶體管3=100, Rb 100

17、k 。填空:0.7V ,若要基極電流Ibq20 A,則&和RW之和要求先填文字表達(dá)式后填得數(shù)。當(dāng)U& 0V時(shí)，測(cè)得UbeqRb=( (Vcc Ubeq)/I bq )k =( 565 ) k ；而若測(cè)得 Uceq圖 T2.3則 Rc=( (Vcc U ceq ) / Ibq 片(3 ) k 。(2)若測(cè)得輸入電壓有效值Ui 5mV時(shí)，輸出電壓有效值 Uo 0.6V ,則電壓放大倍數(shù)A ( Uo /Ui )=( -120 )。若負(fù)載電阻RL值與Rc相等，則帶上負(fù)載后輸出電壓有效值 Uo ( 一RL- Uo )=( 0.3 )V。 Rl Rc四、已知圖T2.3所示電路中VCC12V,RC 3k ,

18、靜態(tài)管壓降Uceq 6V,并在輸出端加負(fù)載電阻 RL，其阻值為3 k 。選擇一個(gè)合適的答案填入空內(nèi)。(1)該電路的最大不失真輸出電壓有效值Uom ( A );A.2VB.3VC.6V(2)當(dāng)U& 1mV時(shí)，若在不失真的條件下，減小Rw ,則輸出電壓的幅值將(C )；A.減小B.不變C.增大(3)在Ui 1mV時(shí)，將Rw調(diào)到輸出電壓最大且剛好不失真，若此時(shí)增大輸入電壓，則輸出電壓波形將(B )；A.頂部失真B.底部失真C.為正弦波(4)若發(fā)現(xiàn)電路出現(xiàn)飽和失真，則為消除失真，可將 (B )。A.Rw減小B.RC減小C. Vcc減小五、現(xiàn)有直接耦合基本放大電路如下：A.共射電路B.共集電路C.共基電

19、路D.共源電路E.共漏電路它們的電路分別如 圖2.2.1、2.5.1(a)、2.5.4 (a)2.6.2和2.6. 9(a)所示;設(shè)圖中ReRb ,且Icq、Idq均相等。選擇正確答案填入空內(nèi)，只需填 A、B、(l)輸入電阻最小的電路是(C ),最大的是(D、E );(2)輸出電阻最小的電路是(B );(3)有電壓放大作用的電路是(A、C、D );(4)有電流放大作用的電路是(A、B、D、E );(5)高頻特性最好的電路是(C );(6)輸入電壓與輸出電壓同相的電路是(B、C、E );反相的電路是(A、D )。六、未畫完的場(chǎng)效應(yīng)管放大電路如圖T2.6所示，試將合適的場(chǎng)效應(yīng)管接入電路，使之能夠正

20、常放大。要求給出兩種方案。解：根據(jù)電路接法，可分別采用耗盡型 N溝道和P溝道MOS管，如解圖T2.6所示。圖T2.6解圖T2.6習(xí)題2.1 分別改正 圖P2.1所示各電路中的錯(cuò)誤，使它們有可能放大正弦波信號(hào)。要 求保留電路原來的共射接法和耦合方式。解：(a)將-Vcc 改為+Vcc。(b)在+Vcc與基極之間加 Rbo(c)將Vbb反接，且在輸入端串聯(lián)一個(gè)電阻。(d)在Vbb支路加Rb,在-Vcc與集電極之間加 Rco2.2 畫出圖P2.2所示各電路的直流通路和交流通路。設(shè)所有電容對(duì)交流信號(hào)均可視為短路。解：將電容開路、變壓器線圈短路即為直流通路，圖略。圖P2.2所示各電路的交流通路如 解圖P

21、2.2所示；(c)(d)解圖P2.22.3 分別判斷圖P2.2（a）、（b）所示兩電路各屬哪種放大電路，并寫出Q、凡、Ri和Ro的表達(dá)式。解：圖（a）： IbqVCCU BEQR R2(1 )R3U CEQVcC(1)I BQ Rc R2 R3rbeR%e 7RoR2 / R3圖（b）： IbqR2(-Vcc Ubeq)/ R2/R3(1R2R3)R1 , I CQU CEQVCCI CQ R4I EQ R1 0rbeRR1 / be1，RoR402.4 電路如圖P2.4 （a）所示，圖（b）是晶體管的輸出特性，靜態(tài)時(shí) Ubeq 0.7V 。利用圖解法分別求出RL和Rl 3k 時(shí)的靜態(tài)工作點(diǎn)和

22、最大不失真輸出電壓解：空載時(shí)：Ibq 20 A,Icq2mA,U ceq 6V ；最大不失真輸出電壓峰值約為5.3V ,有效值約為3.75V 。帶載時(shí)： I BQ 20 A ,I CQ2mA,Uceq 3V ；最大不失真輸出電壓峰值約為2.3V ,有效值約為1.63V 。如解圖P2.4所示。解圖P2.4圖P2.52.5 在圖P2.5所示電路中，已知晶體管的爐80, %=住口煥20mV ,靜態(tài)時(shí)Ubeq 0.7V ,Uceq 4V,Ibq 20 A。判斷下列結(jié)論是否正確，在括號(hào)內(nèi)打氣和父表示。Au(5) R420 10 380 5200 (方120. k20400 (方3k1k(9) Ro5k

23、(J(11)U& 20mV (方(2)抵-45.71 0.7(4)Au三25200 J10.7 ,(6) Ri k 35k(方0.02(8) R 1k (4(10) RO2.5k(方(12) lA 60mV (v)2.6電路如圖P2.6所示，已知晶體管3=120, Ube=0.7V,飽和管壓降 Uces=0.5V。在下列情況下，用直流電壓表測(cè)量晶體管的集電極電位，應(yīng)分別為多少?（1）正常情況；（2）Rb1短路；（3）Rb1開路；（4）Rb2開路；（5）Rb2短路；（6）Rc短路;解:(1) IBVCC U beRb2U BERb1174163 11 A,1c IB 1.32mA,VccIcRc

24、8.3V。(2) Rb1 短路，I c Ib0,.Uc15V 。Rb1開路，臨界飽和基極電流I BSVcc UceS 23.7 A, Rc實(shí)際基極電流IBVCCU beRb2174Ao由于I b Ibs，管子飽和， UcU CES0.5V 。(4) Rb2開路，無基極電流,UcVcc15V 。(5) Rb2短路，發(fā)射結(jié)將燒毀,UC可能為15V。(6) Rc短路，UC Vcc 15V 。2.7電路如圖P2.7所示，晶體管的3=80 ,rbb100。分別計(jì)算RlRl 3k 時(shí)的 Q 點(diǎn)、Au、Ri 和 Ro。解：在空載和帶負(fù)載情況下，電路的靜態(tài)電流、be均相等，它們分別為:BQVCCU BEQU

25、BEQRb22 AIcq Ibq 1.76mArberbb (1)26mV1.3kI EQ空載時(shí)，靜態(tài)管壓降、電壓放大倍數(shù)、輸入電阻和輸出電阻分別為:U CEQVccI CQ Rc6.2V ；Rc308rbeR& rberbe1.3k息-e- AU93rbe RsRo Rc 5kRl 3k時(shí)，靜態(tài)管壓降、電壓放大倍數(shù)分別為:RlUceqVccIcq(Rc/Rl) 2.3VRl RcA (R Rl)115ALrbeA 34.7rberbeRsRRbrberbe1.3kRo Rc 5k o2.8 若將圖P2.7所示電路中的NPN管換成PNP管，其它參數(shù)不變，則為使電路 正常放大電源應(yīng)作如何變化？Q

26、點(diǎn)、&、R和Ro變化嗎？如變化，則如何變化？若輸出電壓波形底部失真，則說明電路產(chǎn)生了什么失真，如何消除？解：由正電源改為負(fù)電源；Q點(diǎn)、感、R和Ro不會(huì)變化；輸出電壓波形底部失真對(duì)應(yīng)輸入信號(hào)正半周失真，對(duì)PNP管而言，管子進(jìn)入截止區(qū)，即產(chǎn)生了截止失真；減小Rb。2.9 已知圖P2.9所示電路中，晶體管3=100, rbe=1.4kQo(1)現(xiàn)已測(cè)得靜態(tài)管壓降 Uceq=6V,估算Rb；2.10在圖P2.9所示電路中，設(shè)靜態(tài)時(shí)Icq2mA ,晶體管飽和管壓降Uces 0.6V 。試問：當(dāng)負(fù)載電阻Rl和 Rl 3k時(shí)，電路的最大不失真輸出電壓各為多少伏?解：由于Icq 2mA,所以U ceq Vcc

27、Icq Rc6V ?？蛰d時(shí)，輸入信號(hào)增大到一定幅值,電路首先出現(xiàn)飽和失真。U ceq U ces_Uom 忑3.82VRl 3k 時(shí)，當(dāng)輸入信號(hào)增大到一定幅值，電路首先出現(xiàn)截止失真。故. 一ICQ RlUom2.12V2.11電路如圖P2.11所示，晶體管 3=100,向=100口。求電路的Q點(diǎn)、入、R和Ro；(2)若改用 爐200的晶體管，則 Q點(diǎn)如何變化？(3)若電容Ce開路，則將引起電路的哪些動(dòng)態(tài)參數(shù)發(fā)生變化？如何變化?解：（1）靜態(tài)分析:U BQRb1- Vcc2VRb1Rb2t+1f2V)I EQU BQ U BEQ 1mARfI BQI EQ110 ARt1卬U CEQVCCIeq

28、(Rc RfRe)5.7V圖 P2.11動(dòng)態(tài)分析:rbb2.73k(2)AuRo(R/R)be(1)RfRb1 / Rb2 / rbe(1Rc5k7.7)Rf3.7k3=200 時(shí),U BQRb1Rb1Rb2VCC2V（不變）；I EQU BQ-RfU BEQRT1mA （不變）；I BQI EQ 5 A (減小)；1U CEQVccIeq(Rc Rf Re)5.7V（不變）。Ce開路時(shí),Au-(Rc/Rl)R/Rl)(ReRf)ReRf1.92 （減?。?；R % Rb2 be (1)(Re Rf )4.1k （增大）；Ro Rc 5k（不變）。2.12電路如圖P2.12所示，晶體管的出80,

29、 rbe=1k Qo求出Q點(diǎn)；(2)分別求出Rl=8和RL=3k Q時(shí)電路的A&、R和Ro。解：求解Q點(diǎn):BQVCC U BEQRb (i)Re32.3 AI eq (1 )Ibq 2.61mAUceq Vcc IeqR 7.17V(2)求解放大倍數(shù)和輸入、輸出電阻:Rl=oo時(shí)；A(1)Rerbe (1)Re0.996圖 P2.12R Rb/ rbe (1)Re 110kRL=3kQ 時(shí)；A&(1)(ReR)rbe (1)(Q/Rl)0.992RRb / rbe(1)(RRl) 76k輸出電阻：RRe/Rs/Rb rbe3712.13電路如圖P2.13所示，晶體管的6。, rbb100求解Q

30、點(diǎn)、人、R和Ro(2)設(shè)Us = 10mV (有效值)，問若C3開路，則Ui解：(1) Q點(diǎn):I BQVCC U BEQRb(1)Re31 AUi ?,Uo圖 P2.13Icq Ibq 1.86mAU CEQ VCC I EQ(Rc Re)4.56VAu、R和Ro的分析：%e rbb, (1) 26mV 952 ,I EQRRb / % 952,(2)設(shè)Us = 10mV (有效值)，則RUi - Us 3.2mV ;Rs Ri若C3開路,則：RiRb / rbe (1)Re 51.3kRA (Rc/RL)95rbeRo Rc 3k 。 o cUo A Ui 304mV，點(diǎn)41.5ReUo A

31、 Ui 14.4mV 0所示各電路中的錯(cuò)誤，使它們有可能放大正弦波電壓。要求2.14改正圖P2.14保留電路的共漏接法。圖 P2.14Ui - Us 9.6mV , Rs R解：(a)源極加電阻Rs ；(c)輸入端加耦合電容;改正電路如解圖 P2.14所示。(b)漏極加電阻Rd;(d)在 Rg 支路力口 -Vgg,+Vdd 改為-Vdd(b)I in THi ”(Im A1不,釁T 丁否(d)P2.142.15 已知圖P2.21 (a)所示電路中場(chǎng)效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性和輸出特性分別如圖 所示。(1)利用圖解法求解Q點(diǎn)；(b)、(c)(2)利用等效電路法求解Au、Ri和Ro。(a)解：(1)在轉(zhuǎn)移特性中作直線 Ugs ipRs,與轉(zhuǎn)移特性的交點(diǎn)即為Q點(diǎn)；讀出坐標(biāo)值，得出I dq 1mA,UGSQ2V 。如解圖P2.15(a)所示。在輸出特性中作直流負(fù)載線Uds VddiD(RdRs) ,與 U GSQ 2V的那條輸出特性曲線的交點(diǎn)為 Q點(diǎn)，Udsq 3V o如解圖P2.21(b)所示。(2)首先畫出交流等效電路(圖略)，然后進(jìn)行動(dòng)態(tài)分析。in2匚_g mU DSJ I DSsI DQ1 mV / VU