電子電路基礎(chǔ)習(xí)題冊(cè)參考答案第一章

1、電子電路基礎(chǔ)習(xí)題冊(cè)參考答案（第三版）全國(guó)中等職業(yè)技術(shù)第一章常用半導(dǎo)體器件§ 1-1晶體二極管一、 填空題1、物質(zhì)按導(dǎo)電能力得強(qiáng)弱可分為導(dǎo)體、絕緣體 與半導(dǎo)體 三大類，最常用得半導(dǎo)體材料就是根與錯(cuò) 。2、根據(jù)在純凈得半導(dǎo)體中摻入得雜質(zhì)元素不同，可形成小型半導(dǎo)體與 P 型半導(dǎo)體。3、純凈半導(dǎo)體又稱本征 半導(dǎo)體，其內(nèi)部空穴與自由電子數(shù)相等 。N型半導(dǎo)體又稱電子 型半導(dǎo)體，其內(nèi)部少數(shù)載流子就是空穴 ；P型半導(dǎo)體又稱空穴型半導(dǎo)體，其內(nèi)部少數(shù)載流子就是電子 。4、晶體二極管具有單向?qū)щ娦?，即加正向電壓時(shí)，二極管通，加反向電壓時(shí)，二極管截止。一般硅二極管得開(kāi)啟電壓約為0、5 V,錯(cuò)二極管得開(kāi)啟電壓

2、約為 0、1 V;二極管導(dǎo)通后，一般 硅二極管得正向壓降約為0、7V,錯(cuò)二極管得正向壓降約為0、3 V。5、錯(cuò)二極管開(kāi)啟電壓小，通常用于 檢波電路，硅二極管反向電流 小，在整流電路及電工設(shè)備中常使用硅二極管。6、穩(wěn)壓二極管工作于反向擊穿區(qū)，穩(wěn)壓二極管得動(dòng)態(tài)電阻越小,其穩(wěn)壓性能好 。7在穩(wěn)壓電路中，必須串接 限流 電阻，防止 反向擊穿電流 超過(guò) 極限值而發(fā)生熱擊穿損壞穩(wěn)壓管。8二極管按制造工藝不同，分為點(diǎn)接觸型、 面接觸 型與平面型。9、二極管按用途不同可分為普通二極管、整流二極管、穩(wěn)壓二極管 、開(kāi)關(guān)、熱敏、 發(fā)光 與 光電二極管 等二極管。10、二極管得主要參數(shù)有最大整流電流、最高反向工作電壓

3、、反向飽與電流與最高工作頻率 。11、穩(wěn)壓二極管得主要參數(shù)有 穩(wěn)定電壓 、 穩(wěn)定電流 與 動(dòng) 態(tài)電阻 。12、圖1-1-1所示電路中，二極管VI、V2均為硅管，當(dāng)開(kāi)關(guān)S與M相 接時(shí),A點(diǎn)得電位為無(wú)法確定 V,當(dāng)開(kāi)關(guān)S與N相接時(shí),A點(diǎn)得電位為 0 V、13圖1-1-2所示電路中，二極管均為理想二極管，當(dāng)開(kāi)關(guān)S打開(kāi)時(shí),A點(diǎn)得電位為 10V、流過(guò)電阻得電流就是 4mA :當(dāng)開(kāi)關(guān)S閉合時(shí),A點(diǎn)得電位為0V,流過(guò)電阻得電流為2mA 。14、圖1-1-3所示電路中，二極管就是理想器件，則流過(guò)二極管V1得電 流為 0、25mA ，流過(guò)V2得電流為 0、25mA ，輸出電壓 U0為 +5VO15、光電二極管得

4、功能就是將光脈沖 信號(hào)轉(zhuǎn)換為 電信號(hào)，發(fā)光二極管得功能就是將電信號(hào)轉(zhuǎn)換為光 信號(hào)。16、用數(shù)字式萬(wàn)用表測(cè)量二極管，應(yīng)將功能開(kāi)關(guān)置于 二極管 擋，將 黑表筆插入插孔，接二極管得負(fù)極;紅表筆才f入 V, Q 插孔，接二極管得正極，其顯示得讀數(shù)為二極管得正向壓降。一、 判斷題1、在外電場(chǎng)作用下，半導(dǎo)體中同時(shí)出現(xiàn)電子電流與空穴電流。(V )2、P型半導(dǎo)體中，多數(shù)載流子就是電子，少數(shù)載流子就是空穴。(X )3、晶體二極管有一個(gè)PN結(jié),所以有單向?qū)щ娦浴?V )4、晶體二極管得正向特性也有穩(wěn)壓作用。(， )5、硅穩(wěn)壓管得動(dòng)態(tài)電阻小，則穩(wěn)壓管得穩(wěn)壓性能愈好。（，）6、 將 P 型半導(dǎo)體與N 型半導(dǎo)體用一定得

5、工藝制作在一起,其交界處形成PN結(jié)。（，）7、穩(wěn)壓二極管按材料分有硅管與錯(cuò)管。（X ）8、用萬(wàn)用表歐姆擋得不同量程去測(cè)二極管得正向電阻,其數(shù)值就是相同得。（X ）9、二極管兩端得反向電壓一旦超過(guò)最高反向電壓,PN 結(jié)就會(huì)擊穿。 （ ）10、二極管得反向電阻越大，其單向?qū)щ奣i能越好。（X ）11、用500型萬(wàn)用表測(cè)試發(fā)光二極管，應(yīng)選RX10K擋。（，）三、選擇題1、當(dāng)環(huán)境溫度升高時(shí),晶體二極管得反向電流將（A ） 。A.增大 B、減小C、不變2 、測(cè)量小功率晶體二極管性能好壞時(shí), 應(yīng)把萬(wàn)用表歐姆檔撥到（ A ）。A、RX100 或 RX1KB、 R X1C、RX10K3 、半導(dǎo)體中得空穴與自由

6、電子數(shù)目相等, 這樣得半導(dǎo)體稱為（ B ）。B 、 本征半導(dǎo)體C、N 型半導(dǎo)A 、 P 型半導(dǎo)體4、穩(wěn)壓管得穩(wěn)壓性能就是利用( B)實(shí)現(xiàn)得。A.PN 結(jié)得單向?qū)щ娦訠 、 PN 結(jié)得反向擊穿特性C.PN 結(jié)得正向?qū)ㄌ匦?、 電路如圖1-1-4 所示 ,已知兩個(gè)穩(wěn)壓管得 UZ1=7V,UZ2=5V 它們得正向壓降均為0、7V,則輸出電壓U0為(C )A 、 12VB 、 5、 7V C、 7、 7V D 、 7V6、 在圖1-1-5所示得電路中,流過(guò)二極管得電流I1、 I2 分別就是( D )。A、 I1=8mA , I2=0 B、 I1=2mA C、 I1=0, I2=6mAD、 I1=0,

7、 I2=8mA7、二極管得正向電阻(B )反向電阻。A、大于 B、小于C、等于 D、不確定8、電路如圖1-1-6 所示 ,V 為理想二極管,則二極管得狀態(tài)為(A )。A、導(dǎo)通B、截止 C、擊穿9、上題中,A、B兩端得電壓為(C )。A、 3VB、 -3VC、 6VD、 -6V10、某二極管反向擊穿電壓為140V,則它得最高反向工作電壓為( C )。A、 280VB、 140V C、 70VD、 40V11、二極管電路如圖 1-1-7 所示 ,(1)處于導(dǎo)通狀態(tài)得二極管就是( A )。A.只有V1導(dǎo)通 B.只有V2導(dǎo)通 C.V1、V2均導(dǎo)通 D.V1、V2 均不導(dǎo)通(2)考慮二極管正向壓降為 0

8、、 7V 時(shí),輸出電壓 U0 為( B )。A.-14、 3V B.-0、 7V C.-12VD.-15V12、 P 型半導(dǎo)體中多數(shù)載流子就是( D ),N 型半導(dǎo)體中多數(shù)載流子就是 ( C )。A.正離子B.負(fù)離子C.自由電子 D、空穴13、用萬(wàn)用表RX10與RX1K擋分別測(cè)量二極管得正向電阻，測(cè)量結(jié)果就是( C ) 。A.相同 B.RX 10擋得測(cè)試值較小C.RX1K擋得測(cè)試值較小14、用萬(wàn)用表不同歐姆檔測(cè)量二極管得正向電阻值時(shí),測(cè)得得阻值不相同,其原因就是( c )。A.二極管得質(zhì)量差B.萬(wàn)用表不同歐姆檔有不同得內(nèi)阻C.二極管有非線性得伏安特性簡(jiǎn)答題1、什么就是本征半導(dǎo)體？ N 型半導(dǎo)體

9、？ PN 結(jié)？答: 本征半導(dǎo)體即純凈得單晶半導(dǎo)體,其內(nèi)部存在數(shù)量相等得兩種載流子,一種就是負(fù)電得自由電子,另一種就是帶正電空穴。N型半導(dǎo)體又稱電子型半導(dǎo)體其內(nèi)部自由電子數(shù)多于空穴 數(shù)量,P型半導(dǎo)體又稱空穴型半導(dǎo)體其內(nèi)部空穴多數(shù)載流子自由電子 少數(shù)載流子。PN結(jié)就是采用摻雜工藝便硅與錯(cuò)晶體得一邊形成P型區(qū)，一邊形成N型半導(dǎo)體。五.分析、計(jì)算、作圖題1、判斷圖1-1-8中,理想二極管導(dǎo)通還就是截止，若導(dǎo)通,則流過(guò) 二極管得電流就是多少？.R . X乙 ,A ._.,1<1_a)垃c)解:圖a) V導(dǎo)通,I=5mA圖b) V截止,I=0圖 c) V 導(dǎo)通,I=10mA2、在圖1-1-9所示電路

10、中，二極管為理想二極管，ui=10sin(otV,試畫出輸出電壓波形3、在圖1-1-10所示電路中，二極管為硅管，求A點(diǎn)電位與流過(guò)二極管得電流。設(shè)參考為0點(diǎn)Ur. - " 乂10= 2K.工.-= 4mA入 0.5 + 2' 1 0.52000UA0 =X1O = 8V2500u 8L = = = 4mA22工¥=1尸1 產(chǎn)4：4 =。圖1口一104、在圖1-1-11所示電路中，二極管就是導(dǎo)通還就是截止，輸出電壓U0就是多少?圖 1-1-11解:a)V 導(dǎo)通,U0=11、3Vb)V 導(dǎo)通,IO=15-12/3=2mAUr=1 X 3=3V Uo=Ur-15=-12V

11、c)V 導(dǎo)通，Uo=0、7V§ 1-2 晶體三極管一、填空題1、三極管有兩個(gè)PN結(jié),分別為 發(fā)射結(jié)、集電結(jié)，三個(gè)電極分別為發(fā)射極 、基極 與 基極,三極管按內(nèi)部結(jié)構(gòu)不同可分為NPN與 PNP型。2、晶體三極管實(shí)現(xiàn)電流放大作用得偏置條件就是發(fā)射結(jié)正偏與集電結(jié)反偏,電流分配關(guān)系就是Ie=Ic+Ib。3、在模擬電子電路中，晶體管通常被用作 電流捽制 元件，工作在輸出特性曲線上得 放大 區(qū);在數(shù)字電子電路中，晶 體三極管通常被用作開(kāi)關(guān)元件，工作在輸出特性曲線上 區(qū)或飽與區(qū)或截止區(qū)。4、在一塊正常放大電路板上，測(cè)得三極管1、2、3腳對(duì)地電壓分 別為-10V、-10、2V、-14V,則該管為PN

12、P 型 錯(cuò) 材料三極管,1 腳就是 發(fā)射 極,2腳就是 基 極,3腳就是 集電 極。5、NPN型三極管，擋Ube>0、5V,Ube>Uce時(shí),工作在 飽與 狀 態(tài);當(dāng) Ube >0、5V,Ube<Uce時(shí),工作在 放大 狀態(tài);當(dāng)Ube<0時(shí)，工作在 截止 狀 態(tài)。6、當(dāng)溫度升高時(shí)，三極管得電流放大系數(shù)(3將升高，穿透電流ICEO將增加 ,發(fā)射結(jié)電壓Ube將 增大 。7、衡量晶體三極管放大能力得參數(shù)就是共射電流放大系數(shù),三極管得主要極限參數(shù)有集電極最大允許電流、集-發(fā)反向擊穿電壓、集電極最大允許耗散功率。8、因?yàn)榫w三極管得穿透電流隨溫度得升高增大，而錯(cuò)管得穿透電流

13、比硅管a,所以玉三極管得熱穩(wěn)定性好。9、三極管得輸出特性可分為三個(gè)區(qū)域，即截止區(qū)與放大區(qū)，當(dāng)三極管工作在飽與區(qū)時(shí)，Ic= (3 Ib才成立；當(dāng)三極管工作在包河區(qū)時(shí)UCE=Uces ；當(dāng)三極管工作在截止區(qū)時(shí),IC= O(ICEO)。10、ICEO稱為三極管得 穿透電流，它反映三極管得溫度穩(wěn)定憶,ICEO就是ICBO得1+ B 倍,先詵用管子時(shí)，希望ICEO盡量11、測(cè)量晶體三極管 3AX31得電流，當(dāng)Ib=20uA時(shí),Ic=2mA;當(dāng)lB=60uA 時(shí)，IC=5、4mA,則該管得 B 為 85,Iceo= 0、3mA,I cbo = 3、5uA 。12、設(shè)三極管得 PcM=150mW,Icm =

14、 100 mA,U（br）ceo=30V,若Uce=10V,I c允許得最大值為15mA;Uce=1V, Ic允許得最大值為 100mA; Ic=3A,Uce允許得最大值為30v 。13、復(fù)合管就是由 兩個(gè) 以上得三極管按一定方式連接而成，用 復(fù)合管提高輸出級(jí)得電流 放大倍數(shù)。14、有二只三極管構(gòu)成得復(fù)合管得類型，取決于輸入管 三極管 得類型，其電流放大系數(shù)B =6 1X62。二、判斷題1、晶體三極管得發(fā)射區(qū)與集電區(qū)就是由同一類半導(dǎo)體 （N型或P型）構(gòu)成得，所以發(fā)射極與集電極可以相互調(diào)換使用。（X ）2、晶體三極管得放大作用具體體現(xiàn)在 Ic=BIb。（ V ）3、晶體三極管具有能量放大作用。（

15、X ）4、硅三極管得Icbo值要比錯(cuò)三極管得小。（，）5、如果集電極電流IC大于集電極最大允許電流ICM時(shí)，晶體三極 管肯定損壞。（，）6、晶體二極管與晶體三極管都就是非線性器件。（，）7、3CG21管工作在飽與狀態(tài)時(shí)，一定就是UBE<UCE。（ X ）8、某晶體三極管得 Ib=10uA 時(shí),Ic=0、44mA;I b=20u 時(shí),Ic=0、89mA, 則它得電流放大系數(shù)B =45。（，）9、因?yàn)槿龢O管有兩個(gè)PN結(jié),二極管有一個(gè)PN結(jié)，所以用兩個(gè)二極 管可以連接成一個(gè)三極管。（X ）10、判斷圖1-2-1所示各三極管得工作狀態(tài)（NPN型為硅管，PNP型為錯(cuò)管）5V-0.2v6V-7va)

16、 ) : b) ) : c)(截止)： d) (財(cái))11、復(fù)合管得共發(fā)射極電流放大倍數(shù)B等于兩管得B1、B 2之與12、晶體三極管得主要性能就是具有電壓與電流放大作用。(V )三、選擇題1、三極管得發(fā)射結(jié)正偏 ,集電結(jié)反偏時(shí) ,三極管處于 (A )A、放大狀態(tài) B、飽與狀態(tài) C、截止?fàn)顟B(tài)2、三極管在飽與狀態(tài)時(shí)，它得IC將(C )。A、隨Ib得增加而增加B、隨Ib得增加而減小C、與Ib無(wú)關(guān)3、三極管得特性曲線就是指它得 (C )。A 、輸入特性曲線B 、輸出特性曲線C、輸入特性與輸出特性曲線4、在三極管得輸出特性曲線中 ,每一條曲線與(C )對(duì)應(yīng)。A、輸入電壓 B、基極電壓C、基極電流5、當(dāng)溫度

17、升高時(shí) ,晶體三極管得參數(shù)將發(fā)生(C )變化。A、Ube增大，3增大，Icbo增大B、Ube減小，B增大,Icbo增大C、ube增大,B減小，Icbo增大6、用萬(wàn)用表測(cè)得電子線路中得晶體管UE=-3V,UcE=6V,UBc=-5、 4V,則該晶體管就是( c ) 。A、PNP型,處于放大狀態(tài)B、PNP型,處于截止?fàn)顟B(tài)c、 NPN 型,處于放大狀態(tài)D、 NPN 型,處于截止?fàn)顟B(tài)7、已知某晶體管得PcM=100mW IcM=20mA U(BR)=15V 在下列工作條件下,正常工作得就是(B ) 。A、UcE=2V,Ic=40mAB、UcE=3V,Ic=10mAC、UcE=4V,Ic=30mAD、U

18、cE=6V,Ic=20mA8、3DG6型晶體管就是（A ）。A、高頻小功率硅NPN型三極管管C、高頻小功率錯(cuò)PNP型三極管B、高頻小功率錯(cuò)NPN型三極9、在三極管得輸出特性曲線中，當(dāng)舊=0時(shí),IC就是（C ）。A、IcmB、 IcboC、Iceo10、某晶體三極管得發(fā)射極電流等于1ma基極電流等于20uA,正常工作時(shí)它得集電極電流等于（A ）。A、0、98mAB、1、02mAC、0、8mA11、圖1-2-2所示電路中，三極管處于（A ）狀態(tài)（V為硅管）。A、截止 B、飽與C、放大12、在圖1-2-3所示各復(fù)合管中，連接不正確得就是（C ）。1jECIKIX 幻+03V印b）0m-22四、簡(jiǎn)答題

19、1、什么就是三極管得輸出特性？畫出硅三極管在共發(fā)射極組態(tài)時(shí)得輸出特性曲線，并標(biāo)出它得三個(gè)工作區(qū)。答:它就是指三極管基極電流IB 一定時(shí)，三極管得集電極電流IC與集電極與發(fā)射極之間得電壓UCE之間得關(guān)系曲線。icto國(guó)I 22、三極管有哪三種連接方式？畫出示意圖答:共發(fā)射極接法，共集電極接法，共基極接法共發(fā)射電其重即極三基汾3、三極管有哪三種工作狀態(tài)？其外部條件(偏執(zhí)條件)就是什么？ 答:放大狀態(tài)、截止?fàn)顟B(tài)、飽與狀態(tài)。其外部條件(1)放大狀態(tài)時(shí)，三極管發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏時(shí)，ic受ib控制，具有 電流放大作用。同時(shí)ic得大小與uce基本無(wú)關(guān)。記住三極管放大 狀態(tài)時(shí)得硅管Ube約為0、7V,錯(cuò)管

20、得Ube約為0、3V。截止?fàn)顟B(tài)時(shí)：一般把Ib=0時(shí),這時(shí)得三極管發(fā)射結(jié)與集電結(jié)均反 偏,三極管處于截止?fàn)顟B(tài)，相當(dāng)于開(kāi)關(guān)斷開(kāi)。這時(shí)只有很小得集電極 電流穿透電流存在。(3)飽與狀態(tài)時(shí)：三極管得Uce<Ube時(shí)，在發(fā)射結(jié)與集電結(jié)均正偏 時(shí)，此時(shí)ic不受ib控制,卻隨著Uce得增大而增大，這時(shí)處于飽與狀 態(tài)，相當(dāng)于開(kāi)關(guān)閉合。這時(shí)得只剩下三極管得飽與壓降存在。5、標(biāo)出下列復(fù)合管得等效管型與管腳。6、三極管得集電極最大允許電流就是怎樣定義得?答:三極管集電極最大允許電流Icm,集電極電流過(guò)大時(shí)，三極管得B值要降低，一般規(guī)定B下降到其正常值得三分之二時(shí)得集電極電流。五、分析、計(jì)算、畫圖題1、一個(gè)晶體

21、三極管在工作時(shí)，測(cè)得其發(fā)射極電流lE=10mA,基極電流 Ib=400uA,求其基極電流IC與直流電流放大系數(shù)(3。解：7 , - Iu - 10- 0.4 - 9.6mA9.6 二24 042、用萬(wàn)用表測(cè)量三極管各級(jí)間電壓得到下列三組數(shù)值(1)UBE=0、7V, UCE=0、3V; (2)UBE=0、7V,UCE=4V;(3)UBE=-0、2V,UCE=-0、3V。試分析每只管子得類型，就是硅管 還就是錯(cuò)管，并說(shuō)明工作狀態(tài)。答：(1) UBE=0、7V就是硅管，UCE=0、3V工作在飽與狀態(tài)。(2) UBE=0、7V就是硅管,UCE=4V工作在放大狀態(tài)。(3)UBE=-0、2V就是錯(cuò)管，UC

22、E=-0、3V工作在飽與狀態(tài)。3、畫出PNP管與NPN管得符號(hào)，并標(biāo)出放大狀態(tài)時(shí)各極電流方向 與各極間電壓得極性。PNP正NIPNSl-2-4-1§ 1-3場(chǎng)效應(yīng)管一、填空題1、晶體三極管就是電流 控制器件，就是通過(guò)較小得基極電流 變化去控制較大得 集電極電流 得變化。2、場(chǎng)效應(yīng)管就是一種電壓控制器件，就是用柵源電壓捽制漏極電流，具有 轉(zhuǎn)移特性 與 輸出特性 特點(diǎn)。3、場(chǎng)效應(yīng)管按其結(jié)構(gòu)不同分為一結(jié)型與絕緣柵型兩大類, 每類有 P 溝道與N溝道兩種，絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管按其工作狀 態(tài)又可分為增強(qiáng)型與耗盡一型兩種。4、場(chǎng)效應(yīng)管得三個(gè)電極分別就是 柵極 、源極、與漏極 。5、場(chǎng)效應(yīng)管得輸出特性曲

23、線就是 UGS為岸侑時(shí) 漏極電流iD與 漏源電壓 UDS得關(guān)系曲線，輸出特性曲線分為 可變電阻區(qū)、放大飽與區(qū)與擊穿區(qū)6、某耗盡型 MOS管得轉(zhuǎn)移特性曲線如圖 1-3-1所示由圖可知時(shí)，該管得ID= 2、6mA 。8、用N溝道增強(qiáng)型與P溝道增強(qiáng)型MOS管組成互補(bǔ)電路，稱S管，該管輸入電流 小、功耗 小 與工作電源范圍寬，目前廣泛應(yīng)用于 集成電路中。9、VMOS管與UMOS管得最大特點(diǎn)就是耗散功率大、工作 諫度快、耐壓 高與轉(zhuǎn)移特性 得線性度好，就是理想得大功率器 件。10、場(chǎng)效應(yīng)管用于放大時(shí)，工作在 放大 區(qū)三極管用于放大時(shí)，工 作在 放大 區(qū)。11、場(chǎng)效應(yīng)管得主要參數(shù)有 開(kāi)啟電壓UT 、夾斷電

24、壓UP 、 飽與漏極電流IDSS 、 跨導(dǎo)gm與 漏極擊穿電壓U（BR）DS 。二、判斷題1、晶體三極管就是單極型器件，場(chǎng)效應(yīng)管就是雙極型器件。（x ）2、通常場(chǎng)效應(yīng)管得性能用轉(zhuǎn)移特性曲線、 輸出特性曲線與跨到表 示。（x ）3、場(chǎng)效應(yīng)管得源極與漏極均可以互換使用。（x ）4、場(chǎng)效應(yīng)管具有電流放大與電壓放大能力。（X ）5、跨到就是表征輸入電壓對(duì)輸出電流控制作用得一個(gè)參數(shù)。（V ）6、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管有增強(qiáng)型與耗盡型。（x ）7、絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管通常稱為MOS管。（，）8、P溝道增強(qiáng)型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管正常工作時(shí) UDS與UGS都必須 為負(fù)。（V ）9、絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管可以用萬(wàn)用表檢測(cè)。（X ）10、存放絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管應(yīng)將三個(gè)電極短路。（V ）三、選擇題1、絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管有（B ）jPN結(jié)。A、3B、2C、1D