(完整版)第三章測驗(yàn)(上)答案

1、第三章測驗(yàn)題（上）答案一填空1、按雜質(zhì)分布的不同，雙極型晶體管可分為(均勻基區(qū)晶體管 )和 (緩變基區(qū)晶體管 )兩類。2、雙極型晶體管放大三要素是 (基區(qū)寬度遠(yuǎn)小于基區(qū)少子擴(kuò)散長度 )、(發(fā)射區(qū)雜質(zhì)濃度遠(yuǎn)大于基區(qū)雜質(zhì)濃度 )和(發(fā)射結(jié)正偏 , 集電結(jié)反偏 )。3、共基極電流增益的物理含義是(表示發(fā)射極電流中有多大比例可以達(dá)到集電極)，共射極電流增益的物理含義是 ( 表示發(fā)射極電流中傳輸?shù)郊姌O的部分與傳輸過程中損失掉的部分的比值)。4、發(fā)射效率 反映了 (IE中有多大比例可以注入到基區(qū))，基區(qū)輸運(yùn)系數(shù) *反映了(注入到基區(qū)的00電流在基區(qū)輸運(yùn)過程中，有多大比例可以達(dá)到集電結(jié))。5、提高雙極型晶

2、體管電流增益的措施有(減小基區(qū)寬度 )、 (增大發(fā)射區(qū)雜質(zhì)濃度 )、(提高少子壽命 )、(提高基區(qū)雜質(zhì)分布梯度 )和 (改善表面狀況 )等。6、隨著 N的減小，晶體管的 ( )、 ( )等參數(shù)會增大。B00二簡答題1、以管為例說明為什么雙極型晶體管具有電流放大能力？答題要點(diǎn)： (1) 發(fā)射結(jié)為 N+P結(jié),流過其空間電荷區(qū)的電子電流與空穴電流比值大于，且只與器件結(jié)1構(gòu)有關(guān)。(2) 緊靠發(fā)射結(jié)的集電結(jié)在反偏狀態(tài)下將發(fā)射結(jié)電子電流與空穴電流分開。2、什么是基區(qū)雜質(zhì)自建電場，它對載流子的輸運(yùn)有何影響？答題要點(diǎn)： (1) 基區(qū)雜質(zhì)分布不均 多子分布不均 多子向發(fā)射結(jié)和集電結(jié)擴(kuò)散 基區(qū)不再處于電中性 多子

3、與電離雜質(zhì)間形成電場(2) 雜質(zhì)自建電場使多子產(chǎn)生漂移運(yùn)動，其漂移運(yùn)動與擴(kuò)散運(yùn)動相互平衡，維持了多子的分布。雜質(zhì)自建電場使少子產(chǎn)生漂移運(yùn)動。在雜質(zhì)濃度最高點(diǎn)至發(fā)射結(jié)的區(qū)間內(nèi)，阻礙少子向集電結(jié)的輸運(yùn)；在雜質(zhì)濃度最高點(diǎn)至集電結(jié)的區(qū)間內(nèi)，促進(jìn)少子向集電結(jié)的輸運(yùn)。三畫圖題1、畫出 NPN 型晶體管（分立器件）的縱向結(jié)構(gòu)圖，并標(biāo)明其縱向結(jié)構(gòu)參數(shù)及其名稱。bexjexje : 發(fā)射結(jié)結(jié)深NxjcPWB WB0xjc：集電結(jié)結(jié)深NWB0 : 基區(qū)寬度N+WB :有效基區(qū)寬度c2、以均勻基區(qū) PNP 晶體管為例，畫出放大狀態(tài)下發(fā)射區(qū)、基區(qū)和集電區(qū)內(nèi)少子濃度分布示意圖。并比較這兩種晶體管的基區(qū)中電子的輸運(yùn)方式。

4、少少子子p (x)BpB(x)濃nE(x)nC0濃nE(x)n C0ppnn0B0nC(x)nn0B0nC(x)L nEL nCL nEL nC均勻基區(qū)晶體管緩變基區(qū)晶體管答：均勻基區(qū)晶體管的基區(qū)中，發(fā)射結(jié)邊界處少數(shù)載流子濃度高于集電結(jié)邊界處，在擴(kuò)散作用下，少數(shù)載流子由發(fā)射結(jié)邊界疏運(yùn)到集電結(jié)邊界處。緩變基區(qū)晶體管中， 基區(qū)雜質(zhì)分布不均勻形成基區(qū)雜質(zhì)自建電場， 基區(qū)少子在電場的作用下向集電結(jié)輸運(yùn)。3、畫圖并簡述PNP 管在放大狀態(tài)下載流子的輸運(yùn)過程，在圖中標(biāo)出載流子復(fù)合損失的區(qū)域PNP電子流EC空穴流B答題要點(diǎn)：（ 1）發(fā)射結(jié)的注入過程；（2）基區(qū)輸運(yùn)過程；（3）集電結(jié)收集過程。4、畫出放大狀態(tài)

5、下均勻基區(qū)NPN 晶體管能帶圖N+PNEFnEFpECEFnEV四計(jì)算題1.一均勻基區(qū)晶體管，基區(qū)厚度Wb1m， Lnb10m， L5m， 0.05 cm， 0.15 cm，peeb*試計(jì)算 、 、 、。00解：110.9375EWB0.05111B LpE0.155*1WB21120.9952L2nB2102*0.93750.9950.932800000100.923313.8810.92332. 有一個 NPN 晶體管，發(fā)射區(qū)寬度為 1 m，基區(qū)寬度為 1 m，基區(qū)摻雜為線性分布，平均濃度為 1016cm-3，發(fā)射區(qū)雜質(zhì)均勻分布，濃度為 1018 cm-3， Dnb=20cm2/s，Dpe

6、=10cm2/s，nb=pe=0.1s，求 0、 0、0。解：0110.9950DpE NBWB10 1016111DnB N EWE18120 10LnBDnb nb210 61.414 10 3 cmWB2110 42*10.99874L2nB11.41410 34*0.9950.99870.99370157.7000010WW 21WW201E BBE BBBWE2L2nBBWE2LnB203、有一硅平面 NPN 型晶體管， 如果 NE 1018cm-3 ，NB（0） 1017cm-3 ， Nc 1015cm-3 ，We0.5m，Wb 0.6m，試求：發(fā)射效率、 基區(qū)輸運(yùn)系數(shù)、 共基極電

7、流增益。 其中，Dpe10cm2/s，Dnb 25cm2/s，nb510-7s。（提示： NB N B 0 2 ）。解：NBN B 0110171632510 cm20110.9766DpE N BWB105 10160.61DnB NEWE125 10180.5lnNB (0)ln N B (0)ln 10174.6052NB (Wb )NC101525.89891eLnbD nb nb255 10 73.536 10 3 cmWB20.610 42*110.9999LnB25.89893.536 10 3 20000.97660.99990.976500100.976541.610.9765通用