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文檔簡介

1、 青銅劍科技 三電平驅動方案介紹 目 錄一 、三電平技術簡介二、常見三電平IGBT模塊三、青銅劍三電平驅動方案 三電平技術簡介定義:三電平變換器 (three level 的橋臂上有4個電力半導體器件,它通過對直流側的 分壓和開關動作的不同組合,實現(xiàn)多電平階梯波輸出電壓,可以使波形更加接近正 弦波。優(yōu)點:1. 任何時刻處于關斷狀態(tài)的開關器件承受的壓降減小,更適合大量高電壓的場合。 2. 可產生多層階梯形輸出電壓,對階梯波再作調制可以得到很好近的正弦波,理論 上提高電平數(shù)可接近標準正弦波形、諧波含量小。3. 電磁干擾(EMI問題大大減輕,因為開關元件一次動作的dV/dt通常只有傳統(tǒng)兩 電平的一半

2、。4. 效率高。消除同樣諧波,兩電平PWM控制法開關頻率高、損耗大,而三電平逆 變器可用較低頻率進行開關動作,損耗小、效率提高。5. 主要高次諧波遠高于開關頻率。應用領域:三電平主要應用于有源濾波器、變頻器、逆變器等領域。 常見三電平IGBT模塊目前市面上常見的三電平IGBT制造商有:英飛凌、塞米控、富士等 英飛凌三電平IGBT模塊:F3L400R12PT4_B26塞米控三電平IGBT模塊:SKiM601TMLI12E4B富士三電平IGBT模塊:4MBI400VF-120R-50、4MBI300VF-120R-50 英飛凌三電平IGBT模塊英飛凌公司的“ T ”型三電平IGBT F3L400R

3、12PT4_B26拓撲電路和實物圖如下:(共集電極型 塞米控三電平IGBT模塊塞米控公司的“T”型三電平IGBT SKiM601TMLI12E4B拓撲圖如下:(共發(fā)射極型T3T4 T1 T2 富士三電平 IGBT 模塊富士電機推出了“T”型逆阻三電平IGBT模塊(RB-IGBT,拓撲圖如下: 逆阻IGBT T3和T。 青銅劍三電平驅動方案簡介針對英飛凌、塞米控和富士推出的三電平IGBT模塊,青銅劍推出了對應的驅動方案:英飛凌三電平IGBT驅動方案并聯(lián)型 4QD30A17K-3L-I英飛凌三電平IGBT驅動方案即插即用型 4QP0115T17-3L-I塞米控三電平IGBT驅動方案并聯(lián)型 4QD3

4、0A17K-3L-S賽米控三電平IGBT驅動方案即插即用型 4QP0115T17-3L-S富士三電平IGBT驅動方案 4QD0435T12-3L-FVishay三電平IGBT驅動方案 4QD30A17K-3L-V(即將推出 青銅劍科技還可以為您定制專屬的驅動解決方案,如有需要請聯(lián)系我們。 英飛凌三電平IGBT驅動方案并聯(lián)型4QD30A17K-3L-I 4AB30A17K-3L MA20A12K-3L-I方案以青銅劍成熟產品2QD30A17K-I為核心,驅動核焊接在底座板上,門極板焊接在IGBT上,底座板與門極板之間通過導線連接。(包含2塊30A驅動核,一塊4AB底座板及1塊MA20A12K-3

5、L-I門極板主要功能參數(shù):支持兩個三電平IGBT并聯(lián)使用每個IGBT獨立的推挽電路驅動核單通道4W驅動功率有源鉗位電壓保護功能電源欠壓保護功能15V邏輯輸入信號短路保護功能軟關斷功能 英飛凌三電平IGBT驅動方案二即插即用型4QP0115T-3L-I 方案以青銅劍4QP0115T-3L-I為核心, 插在底座4AB0115T-3L上,底座板焊接在IGBT上。主要功能參數(shù):即插即用型三電平驅動方案單通道15A峰值驅動電流3.315V邏輯輸入信號有源鉗位電壓保護功能電源欠壓保護功能短路保護功能 塞米控三電平IGBT驅動方案并聯(lián)型4QD30A17K-3L-S p 方案以青銅劍成熟產品2QD30A17K

6、I為核心,驅動核焊接在底座板上,門 極板焊接在IGBT上,底座板與門極板 之間通過導線連接。 p(包含2塊30A驅動核,一塊4AB底座 板及1塊MA20A12K-3L-S門極板) MA20A12K-3L-S p主要功能參數(shù): l支持兩個三電平IGBT并聯(lián)使用 l每個IGBT獨立的推挽電路 l驅動核單通道4W驅動功率 l有源鉗位電壓保護功能 l電源欠壓保護功能 l15V邏輯輸入信號 l短路保護功能 l軟關斷功能 4AB30A17K-3L 塞米控三電平IGBT驅動方案4QP0115T17-3L-S p 基于青銅劍專用ASIC芯片設計的即插 即用型驅動器 p主要功能參數(shù): l即插即用型三電平驅動方案 l單通道15A峰值驅動電流 l3.315V邏輯輸入信號 l有源鉗位電壓保護功能 l電源欠壓保護功能 l短路保護功能 富士三電平IGBT驅動方案并聯(lián)型4QD0435T17-3L-F p方案以青銅劍成熟產品2QD0435T17-C 為核心,驅動核焊接在底座板上,門極 板焊接在IGBT上,底座板與門極板之間 通過導線連接。 p 主要功能參數(shù): l支持兩個三電平IGBT并聯(lián)使用

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