復(fù)習(xí)專題十二、物質(zhì)熔沸點(diǎn)高低的比較

1、【精品文檔】如有侵權(quán)，請(qǐng)聯(lián)系網(wǎng)站刪除，僅供學(xué)習(xí)與交流復(fù)習(xí)專題十二、物質(zhì)熔沸點(diǎn)高低的比較.精品文檔.專題十二 物質(zhì)熔沸點(diǎn)高低的比較及應(yīng)用（生）一、知識(shí)點(diǎn)1.一般熔、沸點(diǎn)：固液氣，如：碘單質(zhì)>汞>CO22. 由周期表看主族單質(zhì)的熔、沸點(diǎn) 同一主族單質(zhì)的熔點(diǎn)基本上是越向下金屬熔點(diǎn)漸低；而非金屬單質(zhì)熔點(diǎn)、沸點(diǎn)漸高。但碳族元素特殊，即C，Si，Ge，Sn越向下，熔點(diǎn)越低，與金屬族相似；還有A族的鎵熔點(diǎn)比銦、鉈低；A族的錫熔點(diǎn)比鉛低。 3. 同周期中的幾個(gè)區(qū)域的熔點(diǎn)規(guī)律 高熔點(diǎn)單質(zhì) C，Si，B三角形小區(qū)域，因其為原子晶體，故熔點(diǎn)高，金剛石和石墨的熔點(diǎn)最高大于3550。金屬元素的高熔點(diǎn)區(qū)在過渡

2、元素的中部和中下部，其最高熔點(diǎn)為鎢（3410）。 低熔點(diǎn)單質(zhì) 非金屬低熔點(diǎn)單質(zhì)集中于周期表的右和右上方，另有IA的氫氣。其中稀有氣體熔、沸點(diǎn)均為同周期的最低者，如氦的熔點(diǎn)（272.2，26×105Pa）、沸點(diǎn)（268.9）最低。 金屬的低熔點(diǎn)區(qū)有兩處：IA、B族Zn，Cd，Hg及A族中Al，Ge，Th；A族的Sn，Pb；A族的Sb，Bi，呈三角形分布。最低熔點(diǎn)是Hg(38.87)，近常溫呈液態(tài)的鎵（29.78）銫（28.4），體溫即能使其熔化。 4. 從晶體類型看熔、沸點(diǎn)規(guī)律 晶體純物質(zhì)有固定熔點(diǎn)；不純物質(zhì)凝固點(diǎn)與成分有關(guān)（凝固點(diǎn)不固定）。 非晶體物質(zhì)，如玻璃、水泥、石蠟、塑料等，受

3、熱變軟，漸變流動(dòng)性（軟化過程）直至液體，沒有熔點(diǎn)。 原子晶體的熔、沸點(diǎn)高于離子晶體，又高于分子晶體。例如：SiO2NaCLCO2（干冰）。 在原子晶體中成鍵元素之間共價(jià)鍵越短的鍵能越大，則熔點(diǎn)越高。判斷時(shí)可由原子半徑推導(dǎo)出鍵長(zhǎng)、鍵能再比較。如 鍵長(zhǎng)： 金剛石（CC）碳化硅（SiC）晶體硅 （SiSi）。熔點(diǎn)：金剛石>碳化硅>晶體硅 在離子晶體中，化學(xué)式與結(jié)構(gòu)相似時(shí)，陰陽離子半徑之和越小，離子鍵越強(qiáng)，熔沸點(diǎn)越高。反之越低。 如KFKClKBrKI，ca*KCl。 分子晶體的熔沸點(diǎn)由分子間作用力而定，分子晶體分子間作用力越大物質(zhì)的熔沸點(diǎn)越高，反之越低。對(duì)于分子晶體而言又與極性大小有關(guān)，

4、其判斷思路大體是： 組成和結(jié)構(gòu)相似的分子晶體，相對(duì)分子質(zhì)量越大，分子間作用力越強(qiáng)，物質(zhì)的熔沸點(diǎn)越高。如：CH4SiH4GeH4SnH4, I2Br2Cl2F2。組成和結(jié)構(gòu)相似的分子晶體，如果分子之間存在氫鍵，則分子之間作用力增大，熔沸點(diǎn)出現(xiàn)反常。有氫鍵的熔沸點(diǎn)較高。（高中含H鍵的一般有NH3,HF,H2O）例如，熔點(diǎn)：HIHBrHFHCl；沸點(diǎn)：HFHIHBrHCl。H2OH2TeH2SeH2S，C2H5OHCH3OCH3 組成和結(jié)構(gòu)不相似的物質(zhì)（相對(duì)分子質(zhì)量相近），分子極性越大，其熔沸點(diǎn)就越高。如： CON2，CH3OHCH3CH3。 在高級(jí)脂肪酸形成的油脂中，不飽和程度越大，熔沸點(diǎn)越低。如

5、： C17H35COOH（硬脂酸）C17H33COOH（油酸）； 烴、鹵代烴、醇、醛、羧酸等有機(jī)物一般隨著分子里碳原子數(shù)增加，熔沸點(diǎn)升高，如C2H6CH4， C2H5ClCH3Cl，CH3COOHHCOOH。 同分異構(gòu)體：鏈烴及其衍生物的同分異構(gòu)體隨著支鏈增多，熔沸點(diǎn)降低。如：CH3(CH2)3CH3 (正)CH3CH2CH(CH3)2(異)(CH3)4C(新)。芳香烴的異構(gòu)體有兩個(gè)取代基時(shí)，熔點(diǎn)按對(duì)、鄰、 間位降低。（沸點(diǎn)按鄰、間、對(duì)位降低） 金屬晶體：金屬單質(zhì)和合金屬于金屬晶體，其中熔、沸點(diǎn)高的比例數(shù)很大,如鎢、鉑等（但也有低的如汞、銫等）。金屬晶體（除少數(shù)外）分子晶體。在金屬晶體中金屬原

6、子的價(jià)電子數(shù)越多，原子半徑越小，金屬陽離子與自由電子靜電作用越強(qiáng)，金屬鍵越強(qiáng)，熔沸點(diǎn)越高，反之越低。如：NaMgAl。合金的熔沸點(diǎn)一般說比它各組份純金屬的熔沸點(diǎn)低。如鋁硅合金純鋁（或純硅）。 5. 某些物質(zhì)熔沸點(diǎn)高、低的規(guī)律性 同周期主族（短周期）金屬熔點(diǎn)。如 Li<Be，Na<Mg<Al 堿土金屬氧化物的熔點(diǎn)均在2000以上，比其他族氧化物顯著高，所以氧化鎂、氧化鋁是常用的耐火材料。 鹵化鈉（離子型鹵化物）熔點(diǎn)隨鹵素的非金屬性漸弱而降低。如NaF>NaCl>NaBr>NaI。 通過查閱資料我們發(fā)現(xiàn)影響物質(zhì)熔沸點(diǎn)的有關(guān)因素有：化學(xué)鍵，分子間力（范德華力）、氫

7、鍵 ；晶體結(jié)構(gòu)，有晶體類型、三維結(jié)構(gòu)等，好象石墨跟金剛石就有點(diǎn)不一樣 ；晶體成分，例如分子篩的桂鋁比 ；雜質(zhì)影響：一般純物質(zhì)的熔點(diǎn)等都比較高。但是，分子間力又與取向力、誘導(dǎo)力、色散力有關(guān)，所以物質(zhì)的熔沸點(diǎn)的高低不是一句話可以講清的。我們?cè)谥袑W(xué)階段只需掌握以上的比較規(guī)律二、例題分析1.下列各組物質(zhì)熔點(diǎn)高低的比較，正確的是：A. 晶體硅金剛石碳化硅    B. CsClKClNaCl C.  SiO2CO2He            

8、60;   D. I2Br2He2.下列物質(zhì)性質(zhì)的變化規(guī)律，與共價(jià)鍵的鍵能大小有關(guān)的是：A.F2、Cl2、Br2、I2的熔點(diǎn)、沸點(diǎn)逐漸升高 B.HF、HCl、HBr、HI的熱穩(wěn)定性依次減弱C.金剛石的硬度、熔點(diǎn)、沸點(diǎn)都高于晶體硅D.NaF、NaCl、NaBr、NaI的熔點(diǎn)依次降低3.下列各組物質(zhì)中，按熔點(diǎn)由低到高順序排列正確的是：A. O2  I2   Hg    B. CO  KCl  SiO2    C. Na  K  Rb   

9、 D. SiC  NaCl  SO24（09全國卷I 29）已知周期表中，元素Q、R、W、Y與元素X相鄰。Y的最高化合價(jià)氧化物的水化物是強(qiáng)酸。回答下列問題：（1）W與Q可以形成一種高溫結(jié)構(gòu)陶瓷材料。W的氯化物分子呈正四面體結(jié)構(gòu)，W的氧化物的晶體類型是_；（2）Q的具有相同化合價(jià)且可以相互轉(zhuǎn)變的氧化物是_；（3）R和Y形成的二元化合物中，R呈現(xiàn)最高化合價(jià)的化合物是化學(xué)式是_；（4）這5個(gè)元素的氫化物分子中，立體結(jié)構(gòu)類型相同的氫化物的沸點(diǎn)從高到低排列次序是（填化學(xué)式）_，其原因是_；電子總數(shù)相同的氫化物的化學(xué)式和立體結(jié)構(gòu)分別是_；（5）W和Q所形成的結(jié)構(gòu)陶瓷材料的一種

10、合成方法如下：W的氯化物與Q的氫化物加熱反應(yīng)，生成化合物W(QH2)4和HCl氣體；W(QH2)4在高溫下分解生成Q的氫化物和該陶瓷材料。上述相關(guān)反應(yīng)的化學(xué)方程式（各物質(zhì)用化學(xué)式表示）是_。5（09山東卷32）C和Si元素在化學(xué)中占有極其重要的地位。（1）寫出Si的基態(tài)原子核外電子排布式。從電負(fù)性角度分析，C、Si和O元素的非金屬活潑性由強(qiáng)至弱的順序?yàn)?。?）SiC的晶體結(jié)構(gòu)與晶體硅的相似，其中C原子的雜化方式為，微粒間存在的作用力是。（3）氧化物MO的電子總數(shù)與SiC的相等，則M為（填元素符號(hào)）。MO是優(yōu)良的耐高溫材料，其晶體結(jié)構(gòu)與NaCl晶體相似。MO的熔點(diǎn)比CaO的高，其原因是。（4）C

11、、Si為同一主族的元素，CO2和SiO2化學(xué)式相似，但結(jié)構(gòu)和性質(zhì)有很大不同。CO2中C與O原子間形成鍵和鍵，SiO2中Si與O原子間不形成上述健。從原子半徑大小的角度分析，為何C、O原子間能形成，而Si、O原子間不能形成上述鍵。6.（09福建卷30）Q、R、X、Y、Z五種元素的原子序數(shù)依次遞增。已知：Z的原子序數(shù)為29，其余的均為短周期主族元素；Y原子價(jià)電子（外圍電子）排布； R原子核外L層電子數(shù)為奇數(shù)；Q、X原子p軌道的電子數(shù)分別為2和4。請(qǐng)回答下列問題：（1）Z2+ 的核外電子排布式是         

12、;                   。（2）在Z(NH3)42+離子中，Z2+的空間軌道受NH3分子提供的          形成配位鍵。（3）Q與Y形成的最簡(jiǎn)單氣態(tài)氫化物分別為甲、乙，下列判斷正確的是        。a.穩(wěn)定性：甲乙，沸點(diǎn)：甲乙

13、0;           b.穩(wěn)定性：甲乙，沸點(diǎn)：甲乙c.穩(wěn)定性：甲乙，沸點(diǎn)：甲乙            d.穩(wěn)定性：甲乙，沸點(diǎn)：甲乙(4) Q、R、Y三種元素的第一電離能數(shù)值由小到大的順序?yàn)?#160;           （用元素符號(hào)作答）（5）Q的一種氫化物相對(duì)分子質(zhì)量為26，其中分

14、子中的鍵與鍵的鍵數(shù)之比為         。（6）五種元素中，電負(fù)性最大與最小的兩種非金屬元素形成的晶體屬于       。專題十二 物質(zhì)熔沸點(diǎn)高低的比較及應(yīng)用（師）一、知識(shí)點(diǎn)1.一般熔、沸點(diǎn)：固液氣，如：碘單質(zhì)>汞>CO22. 由周期表看主族單質(zhì)的熔、沸點(diǎn) 同一主族單質(zhì)的熔點(diǎn)基本上是越向下金屬熔點(diǎn)漸低；而非金屬單質(zhì)熔點(diǎn)、沸點(diǎn)漸高。但碳族元素特殊，即C，Si，Ge，Sn越向下，熔點(diǎn)越低，與金屬族相似；還有A族的鎵熔點(diǎn)比銦、鉈低；A族的錫熔點(diǎn)比鉛

15、低。 3. 同周期中的幾個(gè)區(qū)域的熔點(diǎn)規(guī)律 高熔點(diǎn)單質(zhì) C，Si，B三角形小區(qū)域，因其為原子晶體，故熔點(diǎn)高，金剛石和石墨的熔點(diǎn)最高大于3550。金屬元素的高熔點(diǎn)區(qū)在過渡元素的中部和中下部，其最高熔點(diǎn)為鎢（3410）。 低熔點(diǎn)單質(zhì) 非金屬低熔點(diǎn)單質(zhì)集中于周期表的右和右上方，另有IA的氫氣。其中稀有氣體熔、沸點(diǎn)均為同周期的最低者，如氦的熔點(diǎn)（272.2，26×105Pa）、沸點(diǎn)（268.9）最低。 金屬的低熔點(diǎn)區(qū)有兩處：IA、B族Zn，Cd，Hg及A族中Al，Ge，Th；A族的Sn，Pb；A族的Sb，Bi，呈三角形分布。最低熔點(diǎn)是Hg(38.87)，近常溫呈液態(tài)的鎵（29.78）銫（28.

16、4），體溫即能使其熔化。 4. 從晶體類型看熔、沸點(diǎn)規(guī)律 晶體純物質(zhì)有固定熔點(diǎn)；不純物質(zhì)凝固點(diǎn)與成分有關(guān)（凝固點(diǎn)不固定）。 非晶體物質(zhì)，如玻璃、水泥、石蠟、塑料等，受熱變軟，漸變流動(dòng)性（軟化過程）直至液體，沒有熔點(diǎn)。 原子晶體的熔、沸點(diǎn)高于離子晶體，又高于分子晶體。例如：SiO2NaCLCO2（干冰）。 在原子晶體中成鍵元素之間共價(jià)鍵越短的鍵能越大，則熔點(diǎn)越高。判斷時(shí)可由原子半徑推導(dǎo)出鍵長(zhǎng)、鍵能再比較。如 鍵長(zhǎng)： 金剛石（CC）碳化硅（SiC）晶體硅 （SiSi）。熔點(diǎn)：金剛石>碳化硅>晶體硅 在離子晶體中，化學(xué)式與結(jié)構(gòu)相似時(shí)，陰陽離子半徑之和越小，離子鍵越強(qiáng)，熔沸點(diǎn)越高。反之越低

17、。 如KFKClKBrKI，ca*KCl。 分子晶體的熔沸點(diǎn)由分子間作用力而定，分子晶體分子間作用力越大物質(zhì)的熔沸點(diǎn)越高，反之越低。（具有氫鍵的分子晶體，熔沸點(diǎn) 反常地高，如：H2OH2TeH2SeH2S，C2H5OHCH3OCH3）。對(duì)于分子晶體而言又與極性大小有關(guān)，其判斷思路大體是： 組成和結(jié)構(gòu)相似的分子晶體，相對(duì)分子質(zhì)量越大，分子間作用力越強(qiáng)，物質(zhì)的熔沸點(diǎn)越高。如：CH4SiH4GeH4SnH4, I2Br2Cl2F2。組成和結(jié)構(gòu)相似的分子晶體，如果分子之間存在氫鍵，則分子之間作用力增大，熔沸點(diǎn)出現(xiàn)反常。有氫鍵的熔沸點(diǎn)較高。例如，熔點(diǎn)：HIHBrHFHCl；沸點(diǎn)：HFHIHBrHCl。H

18、2OH2TeH2SeH2S，C2H5OHCH3OCH3 組成和結(jié)構(gòu)不相似的物質(zhì)（相對(duì)分子質(zhì)量相近），分子極性越大，其熔沸點(diǎn)就越高。如： CON2，CH3OHCH3CH3。 在高級(jí)脂肪酸形成的油脂中，不飽和程度越大，熔沸點(diǎn)越低。如： C17H35COOH（硬脂酸）C17H33COOH（油酸）； 烴、鹵代烴、醇、醛、羧酸等有機(jī)物一般隨著分子里碳原子數(shù)增加，熔沸點(diǎn)升高，如C2H6CH4， C2H5ClCH3Cl，CH3COOHHCOOH。 同分異構(gòu)體：鏈烴及其衍生物的同分異構(gòu)體隨著支鏈增多，熔沸點(diǎn)降低。如：CH3(CH2)3CH3 (正)CH3CH2CH(CH3)2(異)(CH3)4C(新)。芳香烴

19、的異構(gòu)體有兩個(gè)取代基時(shí)，熔點(diǎn)按對(duì)、鄰、 間位降低。（沸點(diǎn)按鄰、間、對(duì)位降低） 金屬晶體：金屬單質(zhì)和合金屬于金屬晶體，其中熔、沸點(diǎn)高的比例數(shù)很大,如鎢、鉑等（但也有低的如汞、銫等）。金屬晶體（除少數(shù)外）分子晶體。在金屬晶體中金屬原子的價(jià)電子數(shù)越多，原子半徑越小，金屬陽離子與自由電子靜電作用越強(qiáng)，金屬鍵越強(qiáng)，熔沸點(diǎn)越高，反之越低。如：NaMgAl。合金的熔沸點(diǎn)一般說比它各組份純金屬的熔沸點(diǎn)低。如鋁硅合金純鋁（或純硅）。 5. 某些物質(zhì)熔沸點(diǎn)高、低的規(guī)律性 同周期主族（短周期）金屬熔點(diǎn)。如 Li<Be，Na<Mg<Al 堿土金屬氧化物的熔點(diǎn)均在2000以上，比其他族氧化物顯著高，所

20、以氧化鎂、氧化鋁是常用的耐火材料。 鹵化鈉（離子型鹵化物）熔點(diǎn)隨鹵素的非金屬性漸弱而降低。如NaF>NaCl>NaBr>NaI。 通過查閱資料我們發(fā)現(xiàn)影響物質(zhì)熔沸點(diǎn)的有關(guān)因素有：化學(xué)鍵，分子間力（范德華力）、氫鍵 ；晶體結(jié)構(gòu)，有晶體類型、三維結(jié)構(gòu)等，好象石墨跟金剛石就有點(diǎn)不一樣 ；晶體成分，例如分子篩的桂鋁比 ；雜質(zhì)影響：一般純物質(zhì)的熔點(diǎn)等都比較高。但是，分子間力又與取向力、誘導(dǎo)力、色散力有關(guān)，所以物質(zhì)的熔沸點(diǎn)的高低不是一句話可以講清的。我們?cè)谥袑W(xué)階段只需掌握以上的比較規(guī)律二、例題分析1.下列各組物質(zhì)熔點(diǎn)高低的比較，正確的是：A. 晶體硅金剛石碳化硅  &

21、#160; B. CsClKClNaCl C.  SiO2CO2He                D. I2Br2He解析：A中三種物質(zhì)都是原子晶體半徑CSi，則熔點(diǎn)：金剛石碳化硅        晶體硅，B中應(yīng)為：NaClKClCsCl，因?yàn)殡x子的半徑越小，離子鍵越強(qiáng)，熔沸點(diǎn)就越高。因此C、D正確。答案：C、D2.下列物質(zhì)性質(zhì)的變化規(guī)律，與共價(jià)鍵的鍵能大小有關(guān)的是：

22、A.F2、Cl2、Br2、I2的熔點(diǎn)、沸點(diǎn)逐漸升高 B.HF、HCl、HBr、HI的熱穩(wěn)定性依次減弱C.金剛石的硬度、熔點(diǎn)、沸點(diǎn)都高于晶體硅D.NaF、NaCl、NaBr、NaI的熔點(diǎn)依次降低解析：F2、Cl2、Br2、I2形成的晶體屬于分子晶體。它們的熔沸點(diǎn)高低決定于分子間的作·力，與共價(jià)鍵的鍵能無關(guān)，A錯(cuò)；HF、HCl、HBr、HI的分子內(nèi)存在共價(jià)鍵，它們的熱穩(wěn)定性與它們內(nèi)部存在的共價(jià)鍵的強(qiáng)弱有關(guān)，B正確；金剛石和晶體硅都是原子間通過共價(jià)鍵結(jié)合而成的原子晶體，其熔沸點(diǎn)的高低決定于共價(jià)鍵的鍵能，C正確；NaF、NaCl、NaBr、NaI都是由離子鍵形成的離子晶體，其內(nèi)部沒有共價(jià)鍵，

23、D錯(cuò)。答案：B、C3.下列各組物質(zhì)中，按熔點(diǎn)由低到高順序排列正確的是：A. O2  I2   Hg    B. CO  KCl  SiO2    C. Na  K  Rb     D. SiC  NaCl  SO2解析： 選項(xiàng)A中的O2是氣體，I2是固體，Hg是液體，所以熔點(diǎn)由低到高的順序是：O2 Hg I2 ；選項(xiàng)B中的CO固態(tài)時(shí)是分子晶體，KCl屬于離子晶體， SiO2屬于原子晶體，所以熔點(diǎn)由低到高的順序是：COKClSi

24、O2；選項(xiàng)C中的Na、K、Rb都是金屬晶體，原子半徑不斷增大，金屬鍵不斷減弱，所以熔點(diǎn)不斷降低；選項(xiàng)D中的SiC屬于原子晶體，NaCl屬于離子晶體，SO2形成分子晶體，因此熔點(diǎn)不斷降低。答案： B4（09全國卷I 29）已知周期表中，元素Q、R、W、Y與元素X相鄰。Y的最高化合價(jià)氧化物的水化物是強(qiáng)酸?；卮鹣铝袉栴}：（1）W與Q可以形成一種高溫結(jié)構(gòu)陶瓷材料。W的氯化物分子呈正四面體結(jié)構(gòu)，W的氧化物的晶體類型是_；（2）Q的具有相同化合價(jià)且可以相互轉(zhuǎn)變的氧化物是_；（3）R和Y形成的二元化合物中，R呈現(xiàn)最高化合價(jià)的化合物是化學(xué)式是_；（4）這5個(gè)元素的氫化物分子中，立體結(jié)構(gòu)類型相同的氫化物的沸點(diǎn)從

25、高到低排列次序是（填化學(xué)式）_，其原因是_；電子總數(shù)相同的氫化物的化學(xué)式和立體結(jié)構(gòu)分別是_；（5）W和Q所形成的結(jié)構(gòu)陶瓷材料的一種合成方法如下：W的氯化物與Q的氫化物加熱反應(yīng)，生成化合物W(QH2)4和HCl氣體；W(QH2)4在高溫下分解生成Q的氫化物和該陶瓷材料。上述相關(guān)反應(yīng)的化學(xué)方程式（各物質(zhì)用化學(xué)式表示）是_。解析：本題可結(jié)合問題作答。W的氯化物為正四體型，則應(yīng)為SiCl4或CCl4，又W與Q形成高溫陶瓷，故可推斷W為Si。（1）SiO2為原子晶體。（2）高溫陶瓷可聯(lián)想到Si3N4，Q為N，則有NO2與N2O4之間的相互轉(zhuǎn)化關(guān)系。（3）Y的最高價(jià)氧化的的水化物為強(qiáng)酸，且與Si、N等相鄰

26、，則只能是S。Y為O，所以R為As元素。（4）顯然X為P元素。氫化物沸點(diǎn)順序?yàn)镹H3AsH3PH3，因?yàn)镹H3分子間存在氫鍵，所以沸點(diǎn)最高。相對(duì)分子質(zhì)量AsH3PH3，分子間的作用力AsH3PH3，故AsH3得沸點(diǎn)高于PH3。 SiH4、PH3和H2S的電子數(shù)均為18。結(jié)構(gòu)分別為正四面體，三角錐和角形（V形）。（5）由題中所給出的含字母的化學(xué)式可以寫出具體的物質(zhì)，然后配平即可。答案：（1）原子晶體。（2）NO2和N2O4（3）As2S5。（4） NH3AsH3PH3，因?yàn)榍罢咧泻袣滏I。 SiH4、PH3和H2S結(jié)構(gòu)分別為正四面體，三角錐和角形（V形）。（5）SiCl4 + 4NH3 

27、0;Si(NH2)4 + 4HCl，3Si(NH2)4  Si3N4 + 8NH35（09山東卷32）C和Si元素在化學(xué)中占有極其重要的地位。（1）寫出Si的基態(tài)原子核外電子排布式。從電負(fù)性角度分析，C、Si和O元素的非金屬活潑性由強(qiáng)至弱的順序?yàn)?。?）SiC的晶體結(jié)構(gòu)與晶體硅的相似，其中C原子的雜化方式為，微粒間存在的作用力是。（3）氧化物MO的電子總數(shù)與SiC的相等，則M為（填元素符號(hào)）。MO是優(yōu)良的耐高溫材料，其晶體結(jié)構(gòu)與NaCl晶體相似。MO的熔點(diǎn)比CaO的高，其原因是。（4）C、Si為同一主族的元素，CO2和SiO2化學(xué)式相似，但結(jié)構(gòu)和性質(zhì)有很大不同。CO2中C與O原子間形

28、成鍵和鍵，SiO2中Si與O原子間不形成上述健。從原子半徑大小的角度分析，為何C、O原子間能形成，而Si、O原子間不能形成上述鍵。解析：（1）C、Si和O的電負(fù)性大小順序?yàn)椋篛CSi。（2）晶體硅中一個(gè)硅原子周圍與4個(gè)硅原子相連，呈正四面體結(jié)構(gòu)，所以雜化方式是sp3 。（3）SiC電子總數(shù)是20個(gè)，則氧化物為MgO；晶格能與所組成離子所帶電荷成正比，與離子半徑成反比，MgO與CaO的離子電荷數(shù)相同，Mg2+半徑比Ca2+小，MgO晶格能大，熔點(diǎn)高。（4）Si的原子半徑較大，Si、O原子間距離較大，p-p軌道肩并肩重疊程度較小，不能形成上述穩(wěn)定的鍵。答案：（1）1s22s22p63s23p2 &

29、#160;  OCSi        （2） sp3  共價(jià)鍵   （3）Mg  Mg2+半徑比Ca2+小，MgO晶格能大  （4）Si的原子半徑較大，Si、O原子間距離較大，pp軌道肩并肩重疊程度較小，不能形成上述穩(wěn)定的鍵6.（09福建卷30）Q、R、X、Y、Z五種元素的原子序數(shù)依次遞增。已知：Z的原子序數(shù)為29，其余的均為短周期主族元素；Y原子價(jià)電子（外圍電子）排布； R原子核外L層電子數(shù)為奇數(shù)；Q、X原子p軌道的電子數(shù)分別為2和4。請(qǐng)回答下列問題：（1）Z2+

30、 的核外電子排布式是                            。（2）在Z(NH3)42+離子中，Z2+的空間軌道受NH3分子提供的          形成配位鍵。（3）Q與Y形成的最簡(jiǎn)單氣態(tài)氫化物分別為甲、乙，下列判斷正確的是        。a.穩(wěn)定性：甲乙，沸點(diǎn)：甲乙&#