晶體的一般特性

1、晶體的一般特性方向角和振動(dòng)模式圖1 Z板中各切型的方向   Cut Vibration ModeFrequency Range(KHz)Frequency Formula(KHz)CapacitanceRatio(typ.)AT fundamental800-50002000-300001670×1/t1670×1/t300-450220AT 3rd overtoneAT5th overtoneAT 7th overtoneAT9th overtone20000-9000040000-130000100000-200000150000-230000167

2、0×n/tn²×250BT fundamental2000-350002560×1/t650t:thickness n: overtone mode         Table 1.mode of vibration(thickness shear)等效電路參數(shù)如圖2 所示在諧振頻率附近，晶體的等效電路由下列參數(shù)動(dòng)態(tài)電感L1，動(dòng)態(tài)電容C1及串聯(lián)支路中描述晶體機(jī)械振動(dòng)的串聯(lián)電阻R1和由支架雜散電容與兩平行電極之間的靜電容之和所構(gòu)成的靜態(tài)電容C0來(lái)描述。圖2 晶體的等效電路頻率溫

3、度特性圖3 說(shuō)明了以切割角度為參數(shù)的AT切厚切變模式的晶體頻率-溫度特性，由于AT切的頻率-溫度特性曲線相當(dāng)于三次方程曲線，所以它在寬溫度范圍內(nèi)具有優(yōu)秀的頻率穩(wěn)定性。圖3 AT 切 頻率-溫度特性圖4 顯示的是BT切的厚度切變模式的晶體頻率-溫度特性。圖4 BT 切頻率-溫度特性由于更嚴(yán)格的技術(shù)要求，詳細(xì)的參數(shù)測(cè)試增加了成本，所以我們列出了客戶(hù)設(shè)計(jì)限度，客戶(hù)可以把自己的技術(shù)要求寫(xiě)在下面的這些限制內(nèi)，但這只是部分限度設(shè)計(jì)窗口模式而不包括其它設(shè)備。一、如何定購(gòu)客戶(hù)自行指定標(biāo)準(zhǔn)的晶體要定購(gòu)標(biāo)準(zhǔn)清單上沒(méi)有的頻率，偏差或形象，請(qǐng)?zhí)詈孟铝袛?shù)據(jù)1.封裝形式    &#

4、160;      _2.儲(chǔ)存溫度范圍       _ to_3.工作溫度特性       _ to_4.頻率溫度特性       ±_% from  _-_5.常溫（25±3）特性（或其它參考溫度下的特性）    5.1 頻率 _MHz    5.2 頻率調(diào)整偏差 &

5、#160;  ±_%    5.3 負(fù)載電容         _pF or series    5.4 等效串聯(lián)電阻     _ Max.    5.5 激勵(lì)電平         _mW Max.    5.6 振動(dòng)模式   &#

6、160;     Fundamental or _overtone    5.7 測(cè)試電路         由客戶(hù)選擇    5.8 并聯(lián)電容        _pF Max.6. 印字說(shuō)明二、可用到的作業(yè)標(biāo)準(zhǔn) 封裝：電阻焊接支架   參照封裝形式明細(xì)   可以在產(chǎn)品上附著接地用引線。 頻率范圍：1.

7、8432MHz-200MHz 頻率調(diào)整偏差: ±0.001%±0.01%25適用頻率按溫度范圍有所不同.                        -10-50:±0.0005%             &

8、#160;          -30-60:±0.001%                        -55-105: ±0.005% 負(fù)載電容:當(dāng)設(shè)計(jì)電路時(shí),請(qǐng)注意一般電容為20pF,32pF和空載    

9、0;            從15pF 到空載要求時(shí)不影響價(jià)格. 激勵(lì)電平:1-10MHz0.1-2.0mW       10MHz(不含10MHz) 0.1-1.0mW 經(jīng)時(shí)變化：±0.0003%/年客戶(hù)如何定購(gòu)自行指定規(guī)格的振蕩器I  CRYSTAL OSCILLATOR 1  邏輯類(lèi)型      TTL，HCMOS，CMOS or

10、ECL2  頻率          MHz or KHz3  頻率穩(wěn)定度    PPM with _-_  4  電源電壓      VDC±_% 5  電源電流      mA Max. 6  輸出負(fù)載      pF or T

11、TL7  對(duì)稱(chēng)性        _% to_%8  上升下降時(shí)間  nS9  “0”電平     V Max.10 “1”電平      V Min.II VCXO1  邏輯類(lèi)型  TTL，HCMOS，CMOS or ECL2  頻率       _MHz or KHz3  頻率

12、穩(wěn)定度 _ PPM with _-_4  電源電壓   _ VDC±_%5  電源電流   _ mA Max.6  輸出負(fù)載   _ pF or TTL7  對(duì)稱(chēng)性     _ % to_%8  上升下降時(shí)間_nS Max.9  “0”電平     _ V Max.10 “1”電平 _ V Min.11  牽引力   

13、 _ PPM Min.12   線性度    _ % 13   控制電壓范圍  _VDC to _VDCIII TCXO1  頻率        _MHz or KHz2  頻率穩(wěn)定度  _ PPM with _-_3  電源電壓    _VDC±_%4  電源電流   

14、; _ mA Max.5  輸出負(fù)載    _pF_K or_TTL6  輸出電平          1.0v P-P or 2.5V P-P Min.7  輸出波形          Clipped sine wave or TTL8  頻率調(diào)諧         &#

15、160;_ PPM Min.IV  TCVCXO1  頻率       _MHz2  頻率穩(wěn)定度 _ PPM with _ to _3  電源電壓   _VDC±_%4  電源電流   _mA Max.5  輸出負(fù)載   _pF_K or_TTL6  輸出電平          1.0V P-P or 2.5V P-P Min.7  輸出波形          Clipped sine wave or TTL8