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文檔簡介

1、SI9000常規(guī)阻抗計算常規(guī)信號分為微帶線和帶狀線,微帶線指該信號線只有一個參考平面(表底層),帶狀線指該信號線在兩個參考平面之間(內(nèi)層),故阻抗計算需要選擇不同模型來完成。一、 外層(微帶線)單端阻抗計算模型1.單端阻抗結(jié)構(gòu)>2.單端阻抗模型>3.設(shè)置相應(yīng)參數(shù)說明:介電常數(shù)和板材有關(guān),常規(guī)FR4介電常數(shù)在4.2-4.5之間,常規(guī)半固化片介電常數(shù)106(3.9)、1080(4.2)、2116(4.2)、7628(4.5),羅杰斯板材RO4350B介電常數(shù)是3.66,M6板材介電常數(shù)在3.3-3.5之間。二、外層(微帶線)差分阻抗計算模型1.差分阻抗結(jié)構(gòu)>2.差分阻抗模型>

2、;3.設(shè)置相應(yīng)參數(shù)說明:常規(guī)差分控制阻抗100ohm,USB控90ohm,Typec控90ohm以下是1.6mm板厚常規(guī)八層板的層疊1. 3個信號層、2個地、一個電源2.射頻隔層參考,線寬16mil3.關(guān)鍵信號在S1層,注意S2跨分割問題,適用于雜線多的情況A根據(jù)微帶線單端模型50ohm阻抗計算如下(線寬6):B根據(jù)微帶線差分模型阻抗計算如下:三、內(nèi)層(帶狀線)單端阻抗計算模型1.單端阻抗結(jié)構(gòu)>2.單端阻抗模型>3.設(shè)置相應(yīng)參數(shù)四、內(nèi)層(帶狀線)差分阻抗計算模型1.差分阻抗結(jié)構(gòu)>2.差分阻抗模型>3.設(shè)置相應(yīng)參數(shù)根據(jù)常規(guī)8層板層疊計算內(nèi)層阻抗.A內(nèi)層單端阻抗模型:S1:

3、H1=16+1.2+4.3=21.5H2=1.2+4.3=5.5S1層50ohm:5mil(說明:阻抗允許誤差正負(fù)10%,H1和H2數(shù)值)S1和S2參考層面厚度相差較小阻抗線寬一致(說明:如果H1和H2數(shù)值正確,H1和H2即使顛倒,阻抗變化很?。㏒2:H1=4.3 H2=1.2+16+1.2+4.3=22.7S2層50ohm:5mil S3:H1=4.3H2=1.2+16=17.2S3層50ohm:5milB內(nèi)層差分阻抗模型(介質(zhì)厚度和單端阻抗一致):S1:H1=16+1.2+4.3=21.5H2=1.2+4.3=5.5S2:H1=4.3 H2=1.2+16+1.2+4.3=22.7S3:H1

4、=4.3H2=1.2+16=17.2S1、S2、S3:90ohm S1、S2、S3:100ohm同理計算,概不贅述。(關(guān)于射頻線阻抗計算隔層參考,共面阻抗計算參考<SI9000隔層及共面模型計算>)阻抗說明:疊層厚度通常由單板實際情況決定,如果疊層確定,線寬變小,阻抗變大,差分阻抗線之間的間距變大,阻抗變大,差分100ohm計算時,可通過改變線寬和間距實現(xiàn)(注意:建議差分間距不要大于2倍線寬如4的線寬8的間距)。單端阻抗主要依靠改變線寬實現(xiàn)。層疊厚度和阻抗反比,距離主要參考層面越遠(yuǎn)阻抗越大。合理的層疊(參考<常規(guī)層疊規(guī)則及選用方法>),是計算阻抗的必要條件,有些層疊計算

5、不出來需求阻抗。通常我們提供給制板廠的層疊和線寬,生產(chǎn)制造時會進(jìn)行微調(diào),為區(qū)別單線和差分阻抗給DFM工程師調(diào)整阻抗提供便利,要求同一層面的不同阻抗線線寬不同,即單線50ohm、差分85ohm、差分90ohm、差分100ohm要求不同的線寬。阻抗存在爭議:以上內(nèi)層算法是SI6000時就存在的模型計算,SI9000在SI6000的基礎(chǔ)上又推出新的模型,但是存在爭議關(guān)于內(nèi)層H1和H2的厚度。關(guān)于H1和H2存在爭議:a一些工程師使用SI9000推出的新模型SI9000推出的新模型,此模型忽略內(nèi)層銅箔的厚度,僅僅是pp和core的厚度。(個人認(rèn)為不太合理,內(nèi)層1oz的銅箔1.2mil的厚度加上還是有必要的)。b.一些工程師使用SI9000中SI6000的模型,但認(rèn)為H1是信號距離參考平面近的pp或core的厚度,H2是距離參考平面遠(yuǎn)的厚度。c.還有一些工程師,使用SI9000中SI6000的

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