模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)胡宴如自測題答案

1、模擬電子技術(shù)胡宴如（第3版）自測題第1章半導(dǎo)體二極管及其基本應(yīng)用1.1填空題1 .半導(dǎo)體中有空穴和自由電子兩種載流子參與導(dǎo)電。2 .本征半導(dǎo)體中，若摻入微量的五價元素,則形成N型半導(dǎo)體,其多數(shù)載流子是電子；若摻入微量的三價元素,則形成P型半導(dǎo)體,其多數(shù)載流子是空穴。3 .PN結(jié)在正偏時導(dǎo)通反偏時截止,這種特性稱為單向?qū)щ娦浴? .當(dāng)溫度升高時，二極管的反向飽和電流將增大，正向壓降將減小。5 .整流電路是利用二極管的單向?qū)щ娦?將交流電變?yōu)閱蜗蛎}動的直流電。穩(wěn)壓二極管是利用二極管的反向擊穿特性實現(xiàn)穩(wěn)壓的。6 .發(fā)光二極管是一種通以正向電流就會發(fā)光的二極管。7 .光電二極管能將光信號轉(zhuǎn)變?yōu)殡娦盘枴?/p>

2、它工作時需加反向偏置電壓。8 .測得某二極管的正向電流為1mA,正向壓降為V,該二極管的直流電阻等于650Q,交流電阻等于26Qo1 .2單選題1 .雜質(zhì)半導(dǎo)體中，多數(shù)載流子的濃度主要取決于（C）。A.溫度B.摻雜工藝C.摻雜濃度D.晶格缺陷2 .PN結(jié)形成后，空間電荷區(qū)由（D）構(gòu)成。A.價電子B.自由電子C.空穴D.雜質(zhì)離子3 .硅二極管的反向電流很小，其大小隨反向電壓的增大而（B）。A.減小B.基本不變C.增大4 .流過二極管的正向電流增大，其直流電阻將（C）。A.增大B.基本不變C.減小5 .變?nèi)荻O管在電路中主要用作（D）。、A.整流B.穩(wěn)壓C.發(fā)光D.可變電容器1. 3是非題1 .在

3、N型半導(dǎo)體中如果摻人足夠量的三價元素，可將其改型為P型半導(dǎo)體。（V）2 .因為N型半導(dǎo)體的多子是自由電子，所以它帶負電。（X）3 .二極管在工作電流大于最大整流電流If時會損壞。（X）4 .只要穩(wěn)壓二極管兩端加反向電壓就能起穩(wěn)壓作用。（X）1. 4分析計算題1 .電路如圖T1.1所示，設(shè)二極管的導(dǎo)通電壓UD（on）=,試寫出各電路的輸出電壓Uo值。解：（a）二極管正向?qū)?，所以輸出電壓U0=（6V=Vo（b） 令二極管斷開，可得UP=6V、UN=10V,UUp-Uk,故V優(yōu)先導(dǎo)通后，V2截止，所以輸出電壓U0=V。2 .電路如圖T1.2所示，二極管具有理想特性，已知ui=(sinwt)V,試對

4、應(yīng)回出u、uo、id的波形。解：輸入電壓Ui為正半周時，二極管正偏導(dǎo)通，所以二極管兩端壓降為零，即Uo=o,而流過二極管的電流iD=Ui/R,為半波正弦波，其最大值IDr10V/1kQ=10mA；當(dāng)Ui為負半周時，二極管反偏截止，iD=0,u=u為半波正弦波。因此可畫出電壓uo電流id的波形如圖(b)所示。3 .穩(wěn)壓二極管電路如圖T1.3所示，已知UZ=5V,Iz=5mA,電壓表中流過的電流忽略不計。試求當(dāng)開關(guān)s斷開和閉合時，電壓表Ov和電流表、念讀數(shù)分別為多大？解：當(dāng)開關(guān)S斷開，R2支路不通，Ia2=0,此時R與穩(wěn)壓二極管V相串聯(lián)，因此由圖可得U1U2(185)VIai26.5mAIzR12

5、K可見穩(wěn)定二極管處于穩(wěn)壓狀態(tài)，所以電壓表的讀數(shù)為5V。當(dāng)開關(guān)S閉合，令穩(wěn)壓二極管開路，可求得R兩端壓降為R20.5UR22U1183.6UZR1R220.518V 7.2mA （2 0.5）K故穩(wěn)壓二極管不能被反向擊穿而處于反向截止?fàn)顟B(tài)，因此，R、R構(gòu)成申聯(lián)電路，電流表A、A的讀數(shù)相同，即.U11A11A2R1R2而電壓表的讀數(shù)，即R兩端壓降為V第2章半導(dǎo)體三極管及其基本應(yīng)用2. 1填空題1 .晶體管從結(jié)構(gòu)上可以分成PNP和NPN兩種類型、它工作時有2種截流子參與導(dǎo)電。2 .晶體管具有電流放大作用的外部條件是發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏。3 .晶體管的輸出特性曲線通常分為三個區(qū)域，分別是放大、飽和、

6、截止。4 .當(dāng)溫度升高時，晶體管的參數(shù)B增大.ICBO增大、導(dǎo)通電壓UBe減小。5 .某晶體管工作在放大區(qū)，如果基極電流從10仙A變化至ij 20A時，集電極電流從1m故為mA,則交流電流放大系數(shù)B約為99。6 .某晶體管的極限參數(shù)IcM=20mAPc=100mWUbr）ceo=30V,因此，當(dāng)工作電壓UCe=10V時，工作電流Ic不得超過10mA當(dāng)工彳電壓UC=1V時，Ic不得超過20mA當(dāng)工彳電流Ic=2mA時，UCe不得超過30V。7 場效應(yīng)管從結(jié)構(gòu)上可分為兩大類:結(jié)型、MOS；根據(jù)導(dǎo)電溝道的不同又可分為N溝道、P溝道兩類;對于MOSFET根據(jù)柵源電壓為零時是否存在導(dǎo)電溝道，又可分為兩種

7、：耗盡型、增強型。8 .UGs（off）表示夾斷電壓,IdssS示飽和漏極電流,它們是耗盡型場效應(yīng)管的參數(shù)。一一2.2單選題1 .某NPNE管電路中，測得UBe=0V,UBc=-5V,則可知管子工作于（C）狀態(tài)。A.放大B.飽和C.截止D.不能確定2 .根據(jù)國產(chǎn)半導(dǎo)體器件型號的命名方法可知，3DG勃（B）。A.NPN低頻小功率硅晶體管B.NPN高頻小功率硅晶體管C.PNF低頻小功率錯晶體管D.NPN低頻大功率硅晶體管3 .輸入（C）時，可利用H參數(shù)小信號電路模型對放大電路進行交流分析。A.正弦小信號B.低頻大信號C.低頻小信號D.高頻小信號4 .（D）具有不同的低頻小信號電路模型。A.NPN管

8、和PN叫管B.增強型場效應(yīng)管和耗盡型場效應(yīng)管C.N溝道場效應(yīng)管和P溝道場效應(yīng)管D.晶體管和場效應(yīng)管5 .當(dāng)UGs=0時，（B）管不可能工作在恒流區(qū)。A.JFETB.增強型MO第C.耗盡型MO箔D.NMO管6 .下列場效應(yīng)管中，無原始導(dǎo)電溝道的為（B）。A.N溝道JFETB.增強AIPMOStC.耗盡型NMO管D.耗盡型PMO管2. 3是非題1 .可以采用小信號電路模型進行靜態(tài)工作點的分析。（X）2 .MOSFET有輸入阻抗非常高、噪聲低、熱穩(wěn)定性好等優(yōu)點。（V）3 .EMOS;存在導(dǎo)電溝道時，柵源之間的電壓必定大于零。（X）4 .結(jié)型場效應(yīng)管外加的柵源電壓應(yīng)使柵源間的PN結(jié)反偏。（V）5 .場

9、效應(yīng)管用于放大電路時，應(yīng)工作于飽和區(qū)。（V）2. 4分析計算題1 .圖T2.1所示電路中的晶體管為硅管，試判斷其工作狀態(tài)。解：（a）Ube=UUE=-0=,發(fā)射結(jié)正偏；U3czUBUC=3=-V,集電結(jié)反偏因此晶體管工作在放大狀態(tài)。（b） Ube=UBUE=23=1V,發(fā)射結(jié)反偏；UbC=UsUC=25=3V,集電結(jié)反偏因此晶體管工作在截止?fàn)顟B(tài)。（c） Ube=LBUE=3=,發(fā)射結(jié)正偏；UbC=UsUC=3=,集電結(jié)正偏因此晶體管工作在飽和狀態(tài)。(d)該管為PNPffl晶體管UEb=LEUB=(2)(一=,發(fā)射結(jié)正偏；UC=UCUB=(5)(一=-,集電結(jié)反偏因此晶體管工作在放大狀態(tài)。2.圖

10、T2.2所示電路中，晶體管均為硅管，B=100,試判斷各晶體管工作狀態(tài)，并求各管的Ib、Ic、UC&解：(a)方法一：,(60.7)VIb-0.053mAI c=B= 100 X =100K設(shè)晶體管工作在放大狀態(tài)，則有說明上述假設(shè)不成立, 令晶體管的飽和壓降UCe=12X3=VIbs,所以晶體管處于飽和狀態(tài)，因而有Ib=mA、Ic=Ics=mAUCe=UCE(sat)=V(b)Ib307V0.0084mA8.4A510K設(shè)晶體管工作在放大狀態(tài)，則有1 c=100X4mA=mAUce=5VX3=VUCE(Sat)說明晶體管工作在放大狀態(tài)，故上述假設(shè)成立，計算結(jié)果正確。(c)基極偏壓為負電壓，發(fā)射

11、結(jié)和集電結(jié)均反偏，所以晶體管截止，則IB=0,Ic=0,UCe=5V3 .放大電路如圖T2.3所示，試圖中所有電容對交流信號的容抗近似為零，試畫出各電路的直流通路、交流通路和小信號等效電路。解：(a)將G、G斷開，即得直流通路如下圖(a)所示；將C、Q短路、直流電源對地短接，即得交流通路如下圖(b)所示；將晶體管用小信號電路模型代人，即得放大電路小信號等效電路如下圖(c)所示。（b）按上述相同方法可得放大電路的直流通路、交流通路、小信號等效電路如下圖（a）、（b）、（c）所示。4 .場效應(yīng)管白符號如圖T2.4所示，試指出各場效應(yīng)管的類型，并定性畫出各管的轉(zhuǎn)移特性曲線。解：（a）為P溝道耗盡型M

12、O箔，它的轉(zhuǎn)移特性曲線如下圖（a）所示，其特點是Ug!S=0時，iD=IDSS（b）為N溝道增強型MO箔，它的轉(zhuǎn)移特性曲線如下圖（b）所示，其特點是Ugs=0時，id=0（c）為N溝道結(jié)型場效應(yīng)管，它的轉(zhuǎn)移特性曲線如下圖（c）所示，其特點是ug后0時，iD=IDS0且Ugs50第3章放大電路基礎(chǔ)3.1填空題1 .放大電路的輸入電壓U=10mV,輸出電壓U=1V,該放大電路的電壓放大倍數(shù)為100,電壓增益為40dB。2 .放大電路的輸入電阻越大，放大電路向信號源索取的電流就越小，輸入電壓也就越大；輸出電阻越小，負載對輸出電壓的影響就越小,放大電路的負載能力就越強。3 .共集電極放大電路的輸出電壓

13、與輸入電壓同相,電壓放大倍數(shù)近似為,輸入電阻大，輸出電阻小。4 .差分放大電路的輸入電壓Ui=1V,U2=V,則它的差模輸入電壓Ud=V,共模輸入電壓Uc=Vo5 .差分放大電路對差模輸入信號具有良好的放大作用,對共模輸入信號具有很強的抑制作用,差分放大電路的零點漂移很小。6 .乙類互補對稱功放由NPN和PNP兩種類型晶體管構(gòu)成,其主要優(yōu)點是效率高。7 .兩級放大電路，第一級電壓增益為40dB,第二級電壓放大倍數(shù)為10倍,則兩級總電壓放大倍數(shù)為1000倍,總電壓增益為60dB08 .集成運算放大器輸入級一般采用差分放大電路、具作用是用來減小零點漂移。9.理想集成運算放大器工作在線性狀態(tài)時，兩輸

14、入端電壓近似相等 ,稱為 虛短 ；輸入電流近似為 0 ,稱為 虛斷 。10.集成運算放大器的兩輸入端分別稱為同相輸入 端和 反相輸入 端,前者的極性與輸出端反相，后者的極性與輸出端同相 。 2單選題1.測量某放大電路負載開路時輸出電壓為 3 V,接入2 kQ的負載后，測得 輸出電壓為1 V,則該放大電路的輸出電阻為（D ）k QoA . B .1.0 C . D . 42.為了獲得反相電壓放大，則應(yīng)選用（A ）放大電路。A .共發(fā)射極 B .共集電極 C .共基極 D ,共柵極3.為了使高內(nèi)阻的信號源與低阻負載能很好配合，可以在信號源與負載之間接入(B)放大電路。A共發(fā)射極B共集電極C共基極D

15、共源極4.放大電路如圖T3.1所示，已知R=R,且電容器容量足夠大，則該放大電路兩輸出電壓u0l與u02之間的大小關(guān)系為(B)。A.u01=u02B.Uoi=Uo2C.uoiU02D.uoiUCQ2(2)當(dāng)ui=10mV時，ici=mA,求V2管集電極電位Uc2、輸出電壓U0以及電壓放大倍數(shù)Au=uo/uio解：(1)求ICQ2和UCq2Ic9由圖3.42可知：I2*41mAQ22UCQ2VccICQ2RC6133VCQ2CCCQ2C(2)求uc2uo及Au根據(jù)差分放大電路的傳輸特性可知當(dāng)ici=日寸,iC2=Io-ici=2=mA所以上管集電極電位為uC2=Vccic2Rc=6VX3=V放大

16、電路的輸出電壓uo為u0=uC2-UCqz=3V所以，電壓放大倍數(shù)為Au比皿60ui 10mV3.放大電路如圖T3. 6所示。試：(1)說明二極管V3、V4的作用；(2)說明晶體管 V 上工作在什么狀態(tài)？(3)當(dāng)Um=4 V時，求出輸出功率Po的大小。解：(1)V3、V4正向?qū)?，其壓降提供給功率管 電壓，用以克服交越失真。(2)因V、上管發(fā)射結(jié)加有小正向偏置電壓,(3)因Um= Um=4 V,所以輸出功率為M、上作為發(fā)射結(jié)小正向偏置所以它們工作在甲乙類狀態(tài)。(Uom 2)2(42)2RL1000.08W4.集成運算放大器構(gòu)成的反相和同相放大電路如圖T3.7所示，試分別求出它們的電壓放大倍數(shù)A

17、u=uo/ui及輸入電阻Ro解：圖(a)為反相放大電路，所以Au602Ri=30KQ30圖(b)為同相放大電路，所以曳也曳電壓 反饋，若反饋信號取自輸出電流，則是 電流 反饋:在輸入端， 反饋信號與輸入信號以電壓方式進行比較， 則是 串聯(lián) 反饋、反饋信號與輸入 信號以電流方式進行比較，則是 并聯(lián) 反饋。4.負反饋雖然使放大電路的增益減小 ，但能使增益的穩(wěn)定提高、通頻帶展寬，非線性失真減小。5.電壓負反饋能穩(wěn)定 輸出電壓 ,使輸出電阻 減小.:電流負反饋能 穩(wěn)定 輸出電流 ，使輸出電阻增大 。6.放大電路中為了提高輸入電阻應(yīng)引入一聯(lián) 反饋、為了降低輸入電阻應(yīng)引入并聯(lián)反饋。7.負反饋放大電路中，具

18、開環(huán)電壓放大倍數(shù) Au=90,電壓反饋系數(shù)Fu=則 反饋深度為 10 ,閉環(huán)放大倍數(shù)為 9 08.深度負反饋放大電路有：Xi= x f ,即Xid - 0 。4. 2單選題40)2VuiuiuP204020Ri=20+40=60KQ第4章負反饋放大電路4.1填空題1,將反饋引入放大電路后，若使凈輸入減小，則引人的是負反饋、若使凈輸入增加，則引入的是正反饋。2 .反饋信號只含有直流量的，稱為直流反饋,反饋信號只含有交流量的，稱為交流反饋。3 .反饋放大電欣中，若反饋信號取自輸出電壓，則說明電路引入的是1 .放大電路中有反饋的含義是（C）。A.輸出與輸入之間有信號通路B.輸出與輸入信號成非線性關(guān)系

19、C.電路中存在反向傳輸?shù)男盘柾稤.除放大電路以外還有信號通路2 .直流負反饋在放大電路中的主要作用是（D）。A.提高輸入電阻B.降低輸人電阻C.提高增益D.穩(wěn)定靜態(tài)工作點3 .并聯(lián)負反饋能使放大電路的（B）。A.輸人電阻增大B.輸入電阻減小C.輸入電阻不變D.輸出電阻減小4 .在放大電路中，如果希望輸出電壓受負載影響很小，同時對信號源的影響也要小，則需引入負反饋的類型為（A）。A.電壓串聯(lián)B.電壓并聯(lián)C.電流串聯(lián)D.電流并聯(lián)5 .負反饋放大電路中，A為開環(huán)放大倍數(shù)，F(xiàn)為反饋系數(shù)，則在深度負反饋條件下，放大電路的閉環(huán)放大倍數(shù)且，近似為（B）。A.FB.1/FC.AD.1+AF4.3是非題1 .

20、直流負反饋只存在于直接耦合電路中，交流負反饋只存在于阻容耦合電路中。（X）2 .若放大電路的A0,則接入的反饋一定是正反饋，若A0時，A2比較器輸出高電平，U02=Uz=6V;當(dāng)Uo10時，A2比較器輸出低電平，U02=Uz=6VoU02的波形如圖(b)所示。(3) u01的振蕩頻率fo為,11f01592Hz1.59KHz2R3cl216K0.01F第7章直流穩(wěn)壓電源7. 1填空題1 .直流穩(wěn)壓電源一般由變壓器、整流電路、濾波電路和穩(wěn)壓電路組成。2 .橋式整流電容濾波電路的交流輸入電壓有效值為U2,電路參數(shù)選擇合適，則該整流濾波電路的輸出電壓L0-L2,當(dāng)負載電阻開路時，U0-,當(dāng)濾波電容開

21、路時,U0= U23,串聯(lián)型晶體管線性穩(wěn)壓電路主要由取樣電路、基準(zhǔn)電壓比較放大器和調(diào)整管等四部分組成。4.線性集成穩(wěn)壓器調(diào)整管工作在放大狀態(tài),而開關(guān)穩(wěn)壓電源工作在開關(guān)狀態(tài),所以它的效率高。7.2單選題1 .將交流電變成單向脈動直流電的電路稱為(B)電路。A.變壓B.整流C.濾波D.穩(wěn)壓2 .橋式整流電容濾波電路，輸入交流電壓的有效值為10V,用萬用表測得直流輸出電壓為9V,則說明電路中(A)o-A.濾波電容開路B.濾波電容短路C.負載開路D.負載短路3 .下列型號中是線性正電源可調(diào)輸出集成穩(wěn)壓器是(C)。A.CW7812B.CW7905C.CW317D.CW1374,開關(guān)穩(wěn)壓電源比線性穩(wěn)壓電源效率高的原因是(C)。A.輸出端有LC濾波器B,可以不