金凸點(diǎn)用于倒裝焊的可靠性研究_圖文

1、 墨生童堂塑苧查苧!些蘭查絲苧叁絲圭叁斷,b打金球凸點(diǎn)倒裝焊樣品(I從焊接面拉斷,(II從芯片上的鋁層一起拉斷。 b.電鍍凸點(diǎn)倒裝焊斷面圈7剪切后倒裝焊斷面3測(cè)試數(shù)據(jù)分析我們所作的測(cè)量樣品接觸電阻包括凸點(diǎn)界面.焊接界面的接觸電阻以及連接凸點(diǎn)的金屬鋁導(dǎo)帶及基扳導(dǎo)帶電阻兩部分。后者一般變化不大,試驗(yàn)前后電阻變化主要源于凸點(diǎn)界砸和焊接界面的變化,因此有如下關(guān)系成立;R=2Rc“其中R=R-R R和R分別是試驗(yàn)前后的舅量值Rc=&Rc Rc和Rc分別是試驗(yàn)前后界面接觸電阻據(jù)此可推斷在相同的工藝條件下韻飼裝焊樣品任意對(duì)相互導(dǎo)通凸點(diǎn)之間的電阻在試驗(yàn)前后的變化量R1=R2=AR3AR一=1h=2Rc

2、應(yīng)該是相同的.印有如下莢系式成立:因此我們可以通過(guò)電阻在試驗(yàn)前后的變化來(lái)判斷倒裝焊后凸點(diǎn)界面和焊接面是否正常以及工藝參數(shù)、材料選擇是否合適.量結(jié)果如表2所示:從上表可知Rl接避厶鬻2印反映了凸點(diǎn)界面和焊接界面性能的穩(wěn)定。從表2鍵和暑度剪切力可知,焊接強(qiáng)度滿足J一54弘方法2011A的失效判撂.4結(jié)論在倒裝掉技術(shù)中。單巷片焊區(qū)上直接采用打球法形成的金凸點(diǎn)和電鍍法形成的金凸點(diǎn)采用Pb,Sn再漉倒裝焊;疆進(jìn)環(huán)境虛力試驗(yàn)證明該工藝能夠滿足實(shí)用要求。最過(guò)該課曩的研究為混合Ic和H明技術(shù)的組裝工藝使甩讎焊拄術(shù)探索了一個(gè)簡(jiǎn)單,靈活方便的翻鼉途徑.5致謝本文中的剪切力測(cè)試數(shù)據(jù)和豆徽照像分析由廣州5所分析中心何

3、小崎高工及諼中心同仁協(xié)助作者完成.在此特糊謝. 金凸點(diǎn)用于倒裝焊的可靠性研究作者:劉玲, 徐金洲, 范繼長(zhǎng)作者單位:信息產(chǎn)業(yè)部電子第43研究所(合肥相似文獻(xiàn)(7條目前便攜式電子產(chǎn)品的顯示屏都是采用LCD,大型平面顯示器由于具有輕、薄、無(wú)輻射和高解析度等優(yōu)點(diǎn),也正在逐步取代傳統(tǒng)的顯像管監(jiān)視器.無(wú)論是小的手機(jī)顯示屏,還是大的液晶監(jiān)視器,都需要驅(qū)動(dòng)器芯片,這些芯片的I/O采用金凸點(diǎn),然后倒裝在液晶顯示屏上(COGJIA Haiqiang.CHEN Hong熱超聲倒裝焊在制作大功率GaN基LED中的應(yīng)用-激光與光電子學(xué)進(jìn)展2007,44(9實(shí)現(xiàn)金凸點(diǎn)芯片的倒裝焊接-電子工藝技術(shù)2008,29(1金凸點(diǎn)

4、芯片的倒裝焊接是一種先進(jìn)的封裝技術(shù).敘述了釘頭金凸點(diǎn)硅芯片在高密度薄膜陶瓷基板上的熱壓倒裝焊接工藝方法,通過(guò)設(shè)定焊接參數(shù)達(dá)到所期望的最大剪切力,分析研究互連焊點(diǎn)的電性能和焊接缺陷,實(shí)現(xiàn)了熱壓倒裝焊工藝的優(yōu)化.同時(shí),還簡(jiǎn)要介紹了芯片釘頭金凸點(diǎn)的制作工藝.LIU Hong-wei.JIA Hai-qiang.CHEN Hong.HU Hai-rong功率型LED芯片的熱超聲倒裝技術(shù)-半導(dǎo)體技術(shù)2007,32(4 結(jié)合功率型GaN基藍(lán)光LED芯片的電極分布,在硅載體上電鍍制作了金凸點(diǎn),然后通過(guò)熱超聲倒裝焊接技術(shù)將LED芯片焊接到載體硅片上.結(jié)果表明,在合適的熱超聲參數(shù)范圍內(nèi),焊接后的功率型LED光電

5、特性和出光一致性較好,證明了熱超聲倒裝焊接技術(shù)是一種可靠有效的功率型光電子器件互連技術(shù).本文回顧了倒裝芯片(FC凸點(diǎn)技術(shù)的發(fā)展和現(xiàn)狀,研究了利用傳統(tǒng)的金絲球焊機(jī)制作釘頭Au凸點(diǎn)(SBB的工藝,完成了在微波GaAs芯片上金凸點(diǎn)的制作,測(cè)試了凸點(diǎn)的剪切力和接觸電阻,為下一步倒裝焊的基礎(chǔ)工藝研究打下了良好的基礎(chǔ).我們采用將倒放的晶片用金凸點(diǎn)連接到陶瓷外殼上的倒裝焊接方式使甚高頻(VHF基頻諧振器小型化.新型諧振器的尺寸為:3.8mm長(zhǎng)×3.8mm寬7.學(xué)位論文李孝軒微波多芯片組件微組裝關(guān)鍵技術(shù)及其應(yīng)用研究2009微波多芯片組件(MMCM技術(shù)是在混合微波集成電路(HMIC基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的新一

6、代微波封裝和互連技術(shù),它是將多個(gè)MMIC/ASIC芯片和其它元器件高密度組裝在三維微波多層電路互連基板上,形成高密度、高可靠和多功能的電路組件。這有利于實(shí)現(xiàn)組件或系統(tǒng)的高性能化、高速化,以及實(shí)現(xiàn)電子組裝的高密度化、小型化和輕量化。本文重點(diǎn)進(jìn)行了微波多芯片組件微組裝關(guān)鍵技術(shù)及其應(yīng)用研究: 1開(kāi)展了低缺陷芯片焊接技術(shù)與缺陷檢測(cè)技術(shù)研究:通過(guò)專利技術(shù)(芯片真空共晶焊接中的夾具設(shè)計(jì)制作方法的研發(fā)和應(yīng)用,改善了功率芯片的焊接質(zhì)量。對(duì)功率芯片焊接缺陷進(jìn)行了X-光檢測(cè)技術(shù)和超聲分層掃描技術(shù)的研究; 2進(jìn)行了微波芯片粘片技術(shù)研究:研究了有機(jī)的粘接材料的特性要求,研究了粘接工藝:主要在點(diǎn)膠分配、固化工藝和出氣率的試驗(yàn)研究上,并通過(guò)了長(zhǎng)期可靠性的溫度沖擊考核試驗(yàn); 3完成了金絲鍵合微波一致性控制技術(shù)研究:在手動(dòng)鍵合設(shè)備上專利技術(shù)的研發(fā)應(yīng)用,可保證跨距、拱高的鍵合一致性,對(duì)半自動(dòng)機(jī)器我們初步建立了數(shù)據(jù)庫(kù)。對(duì)金絲鍵合進(jìn)行了SPC的統(tǒng)計(jì)過(guò)程控制,穩(wěn)定了我們的微波多芯片組件的鍵合質(zhì)量; 4對(duì)芯片倒裝焊接進(jìn)行了研究:進(jìn)行了金凸點(diǎn)的可靠制作:進(jìn)行了40個(gè)凸點(diǎn)的芯片倒裝焊接,剪切強(qiáng)度達(dá)到和超過(guò)國(guó)軍標(biāo)(GJB548A-96要求