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文檔簡介
1、精選優(yōu)質(zhì)文檔-傾情為你奉上填空題1、根據(jù)固體材料中原子排列的方式可以將固體材料分為晶體、非晶體和準晶體。2、晶體結構=點陣 + 基元 。3、晶體的比熱包括 晶格 比熱和電子比熱。4、結晶學中,屬于立方晶系的布拉維晶胞有 簡單立方 、體心立方 和 面心立方 三種。5、密堆結構有兩種: 六方 密堆積和立方密堆積。6、原子電負性在一個周期內(nèi)由左到右不斷升高 ,周期表由上到下,負電性逐漸降低。7、限定波矢q的取值范圍在第一布里淵區(qū)8、金屬的未滿能帶叫價帶或?qū)А?、人們利用X射線衍射測定晶體結構。3、晶體的熱學性質(zhì),如比熱、熱膨脹和熱傳導等就與晶格 振動 密切有關。4、 聲子是一種準粒子,不具有通常意
2、義下的動量,常把q稱為聲子的 準動量。5、根據(jù)晶體缺陷在空間延伸的線度晶體缺陷可分為點 缺陷線缺陷、面 缺陷和 體 缺陷。6、V心是F心的反型體。1、晶體的基本結構單元稱為基元 。2、面心立方晶胞的晶格常數(shù)為a,其倒格子原胞的體積等于32p3/a3 。3、布拉維空間點陣共有 14 種,歸為7種晶系。5、一維雙原子鏈的色散關系中頻率較低的一支叫聲學支(聲頻支) ,它很像單原子鏈中的聲學支,;頻率較高的一支則叫光學支(光頻支)。6、面缺陷有堆垛層錯 、 小角晶界 和 晶粒間界 三種主要形式。8、一般情況下晶體電子的近似質(zhì)量是 張 量,自由電子的慣性質(zhì)量 是 標量。9、對復式晶格,格波可分為聲學 波
3、和 光學 波。1、體心立方結構的第一布里淵區(qū)是菱形十二面 體。2、已知某晶體的基矢取為、,某一晶面在三個基矢上的截距分別為3,2,-1,則該晶面的晶面指數(shù)為 3、倒格矢體現(xiàn)了晶面的面間距 和 法向。8、晶體中的載流子是 電子 和 空穴 。2、正格子原胞體積與倒格子原胞體積之積為 3、金剛石晶體的基元含有 2 個原子,其晶胞含有 8 個碳原子。6、準晶是介于周期性晶體 和非晶玻璃之間的一種新的固體物質(zhì)形態(tài)。8、晶格振動的簡化模型主要有愛因斯坦模型和德拜模型。1、面心立方結構的第一布里淵區(qū)是 十四面 體。2、代表基元中的幾何點稱為格點。4、布里淵區(qū)的邊界由倒格矢 的垂直平分面構成。 5、由于堿金屬
4、電離能低和鹵素原子 親和能高,這兩種原子很容易形成離子 鍵。6、聲子和光子一樣,是 玻色 子;聲子的數(shù)目和 溫度 密切相關。7、在CH4分子中,C原子的 2s 和 2p 軌道組合成新的4個 sp3 雜化軌道。9、能量愈低的能帶愈 窄 ,能量愈高的能帶愈 寬。10、三維簡立方結構晶格點陣的基失,原胞體積為,對應的倒格子基矢為,。3、元素周期表中第IV族元素C、Si、Ge、Sn的晶體是 共價 晶體的典型代表。5、熱缺陷有兩種形式即 肖特基 缺陷和 弗蘭克爾 缺陷。6、立方晶系的hkl晶向與(hkl)晶面 垂直。7、由于原子的s態(tài)能級和p態(tài)能級相距較近時 1 個s電子和 3個p電子的軌道混合,形成一
5、種sp3雜化軌道。 8、布洛赫波是調(diào) 幅 的平面波。1、結晶學 原胞能同時反映晶體周期性和對稱性特征。2、在氯化鈉結構中,配位數(shù)為 6 ;在氯化銫結構中,配位數(shù)為 8 。4、原子的親和能是一個基態(tài)原子獲得一個 電子 成為負離子 時所釋放出的能量。6、晶格振動系統(tǒng)服從 能量守恒定律和 動量守恒定律。8、在Ge晶體中摻雜B、Ga或In時易形成 p 型半導體2、簡單立方晶胞的晶格常數(shù)為a,其倒格子原胞的體積等于8p3/a3。6、刃 位錯的位錯線垂直于滑移矢量,螺位錯的位錯線平行于滑移矢量。7、按照雜質(zhì)原子在晶體中所占的位置可分為 替位 雜質(zhì)和填隙 雜質(zhì)兩類。8、根據(jù)泡利不相容原理,對于外殼層為ns及
6、np的原子而言,原子的滿殼層數(shù)為 8 ,如果原子的價電子數(shù)N4時,原子最多可以形成 N個共價鍵,如果原子的價電子數(shù)N4時,最多可以形成 8-N 個共價鍵。10、當T>0K且E比EF低幾個kBT時,自由電子費米分布函數(shù)f(E,T)» 1 。11、對下列鍵的結合能大小進行比較: 離子鍵> 共價鍵 ; 金屬鍵< 共價鍵。1、體心立方晶胞含有 2 個格點,面心立方晶胞含有 4個格點。2、體心立方晶胞的晶格常數(shù)為a,其倒格子原胞的體積等于16p3/a3 。3、BaTiO3晶體中Ti、Ba的配位數(shù)分別為 6 和 12 。5、實際晶體中各原子之間總是同時存在 吸引 力和 排斥 力
7、。7、描述擴散宏觀規(guī)律的擴散方程有菲克第一 定律和菲克第 二定律。1、在ABO3結構中,A代表二 價或 一 價金屬。2、在氯化銫晶胞中含有 1 個氯原子,1 個銫原子。3、倒格子的 倒格子 就是正格子。5、點缺陷擴散的微觀機制分為空位機制、間隙 機制、 復合 機制和易位機制。 6、常溫下穩(wěn)定的石墨是 層狀結構,C原子層間通過范德瓦爾斯力的作用結合在一起。8、當金屬 受熱 或 光照 時,電子可能從金屬中逸出。9、當E=EF時,f (E,T) =。10、電子自由費米面是以 原點 為求心的 球面。11、金屬的比熱包括 自由電子 和 晶格振動 兩部分的貢獻。1、固體物理學原胞簡稱為原胞 ,結晶學原胞簡
8、稱為晶胞 。2、簡單立方中,格點位于邊長為a的立方體的8 個頂角上,每個格點為 8 個晶胞所共有,對一個晶胞的貢獻只有。5、由于堿金屬電離能 低 和鹵素原子親和能 高 ,這兩種原子很容易形成離子鍵的分子。 6、根據(jù)絕熱 近似和 單原子 近似建立的電子狀態(tài)理論就是能帶理論。7、一維單原子鏈的色散關系為。8、 緊束縛 近似適用于絕緣體、半導體、金屬的內(nèi)層電子及過渡金屬的d電子。11、氧化銫晶胞中Cs+的配位數(shù)為 8 。2、簡單立方晶胞的邊長為a,則堆垛成簡單立方晶胞的原子半徑最大為。4、近自由電子近似適用于金屬的價電子。8、在能帶底函數(shù)為極 小 值。9、在基態(tài), 絕緣 體和 半導 體都不導電。 1
9、0、絕緣體的能帶中就只有 滿 帶和 空 帶。11、 立方 晶體的基失長度且夾角。1、倒格矢長度與晶面族面間距的倒數(shù)成 反 比。2、面心立方晶胞共有 4 個格點,體心立方晶胞共有 2 個格點。8、最靠近價帶的空帶稱為 導 帶。9、晶體中電子的有效質(zhì)量可以 > 慣性質(zhì)量,也可以 < 慣性質(zhì)量,甚至可以是 負值 。10、近自由電子色散關系有三種形式: 擴展區(qū)圖式 、 簡約區(qū)圖式 、 重復區(qū)圖式 。名詞解釋1、空間點陣: 晶體可以看成由相同的格點在三維空間做周期性無限分布所構成的系統(tǒng) ,這些格點的總和稱為點陣。2、弗倫克爾缺陷: 晶格內(nèi)部的原子因為熱漲落由格點跳入間隙位置,同時產(chǎn)生一個空位
10、和一個間隙原子,由這種方式產(chǎn)生的空位和間隙原子對被稱為弗倫克爾缺陷。1、配位數(shù):晶體中原子(離子)排列的緊密程度,可以用原子(離子)周圍最鄰近的原子(離子)數(shù)來表示,這個數(shù)稱為配位數(shù)。2、電負性:綜合表征原子得失電子的能力,由電離能和電子親和能結合起來反映。3、肖特基缺陷:鄰近表面的原子因熱漲落跳到晶體的表面,在晶體內(nèi)部留下一個空位這種機制形成的空位叫做肖特基缺陷。2、布里淵區(qū):從倒格子點陣的原點出發(fā),作出它最鄰近點的倒格子點陣矢量,并作出每個矢量的垂直平分面,可得到倒格子的WS原胞,稱為第一布里淵區(qū)。2、原胞:晶體及其空間點陣中最小的周期性重復單元。2、聲子:頻率為的諧振子的能量其中。 相鄰
11、狀態(tài)的能量差為 ,稱為聲子。1、第一布里淵區(qū):從倒格子點陣的原點出發(fā),作出它最鄰近點的倒格子點陣矢量,并作出每個矢量的垂直平分面,可得到倒格子的WS原胞,稱為第一布里淵區(qū)。2、熱缺陷:晶體中的原子或離子由于熱振動的能量起伏可能離開理想晶格的位置,從而產(chǎn)生空位或間隙原子,這樣形成的點缺陷稱為熱缺陷。1、基元: 晶體的基本結構單元。2、親和能: 原子的親和能是一個基態(tài)原子獲得一個電子成為負離子是所釋放出的能量。2、解理性:一個理想完整的晶體,相應的晶面具有相同的面積,晶體具有沿某些確定方位的晶面劈裂的性質(zhì),這種性質(zhì)稱為晶體的解理性。3、接觸電勢差:兩塊不同的金屬1和2接觸,或用導線連接起來,兩塊金
12、屬會帶有電荷并產(chǎn)生不同的電勢V1和V2,稱為接觸電勢差。1、晶格振動:實際晶體中的粒子在平衡位置附近做微小的振動,晶體中的原子相互作用,振動一波的形式在晶體中傳播,此時晶體可以視為一個互相耦合的振動系統(tǒng),叫做晶格振動。1、晶向:一族晶列的共同方向。2、晶面:通過布拉維格子中任意三個不共線的格點所作的平面。1、滿帶:全部狀態(tài)被電子填充的能帶。2、晶列: 通過布拉維格子中任意兩個格點的直線。1、各向異性: 晶體的物理性質(zhì)在不同方向上存在著差異,這一現(xiàn)象稱為晶體的各向異性。2、格波: 實際晶體中的離子會在平衡位置附近做微小的振動。由于晶體內(nèi)原子間存在著相互作用,原子的振動是孤立的,而要以波的形式在晶
13、體中傳播,形成所謂格波。3、電離能: 原子的電離能是使基態(tài)的原子失去最外層的一個電子所必須的能量。4、空穴:能代替整個近滿帶電子的假象粒子。選擇題1、立方密堆積是由(C)層原子密堆積排列而成。A1 B2 C3 D43、在晶體的基本對稱操作中,i表示(A )。A、 B、 C、 D、4、NaCl晶體屬于(A )。A、離子晶體 B、金屬晶體 C、分子晶體 D、共價晶體5、原胞數(shù)為N、每個原胞內(nèi)原子數(shù)為p的三維晶體中晶格振動的聲學支數(shù)為(A )。A3 B3N C3(p -1) D3Np6、已知某晶體的基矢取為、,某一晶面在三個基矢上的截距分別為-1,-2,4,則該晶面的晶面指數(shù)為(C )。A B C
14、D7、水的某些性能異常(如沸點高達373K,熔點以上的密度異常)都與(D )鍵有關。A、分子 B、離子 C、共價 D、氫8、刃位錯的位錯線(B )于滑移方向。A、平行 B、垂直 C、相交 D、無關9、( B)建立了量子自由電子論。A、特魯?shù)?B、索末菲 C、德拜 D、愛因斯坦10、最簡單的色心為( B)心。A、V B、F C、O D、H1、晶體的基本結構單元稱為(C )。A原胞 B晶胞 C基元 D點陣2、面心立方晶胞含有(C )個格點。A1 B2 C4 D83、BaTiO3晶體中Ba的配位數(shù)為(D )。A4 B6 C8 D124、下列物質(zhì)屬于分子晶體的是(D )A、NaCl晶體 B、金 C、金
15、剛石 D、CO2晶體5、原胞數(shù)為N、每個原胞內(nèi)原子數(shù)為p的三維晶體中有(C )支光學格波。A3 B3N C3(p -1) D3Np7、當兩個波矢相差為倒格矢的整數(shù)倍時,對應的頻率是(A )。A、相同 B、不同 C、2倍 D、4倍8、刃型位錯的位錯線與其伯格斯矢量相互(B )。A、平行 B、垂直 C、相交 D、無關1、每個原胞平均只含(A )個格點。A1 B2 C3 D42、體心立方晶胞含有(B )個格點。A1 B2 C4 D83、BaTiO3晶體中Ti的配位數(shù)為( B)。A4 B6 C8 D122、簡單立方晶胞含有(A )個格點。A1 B2 C4 D63、NaCl晶體中Na離子的配位數(shù)為(B
16、)。A4 B6 C8 D124、下列物質(zhì)屬于共價晶體的是(C )。A、NaCl晶體 B、金 C、金剛石 D、CO2晶體5、原胞數(shù)為N、每個原胞內(nèi)原子數(shù)為p的三維晶體中晶格振動的模式數(shù)為( D)。A3 B3N C3(p -1) D3Np8、由于周期勢場的作用,原來準連續(xù)的電子能譜就變成一系列被( D)隔開的能帶。A、導帶 B、價帶 C、滿帶 D、禁帶1、簡單立方中,每個格點對晶胞的貢獻為(D )。A1 B C D2、在晶體的宏觀對稱性中,共有(D )種基本的對稱操作。A1 B2 C4 D83、密堆結構中,配位數(shù)為(D )。A4 B6 C8 D124、下列物質(zhì)屬于金屬晶體的是(B )。A、NaCl
17、晶體 B、金 C、金剛石 D、CO2晶體2、面心立方中每個面為相鄰的晶胞所共有,每個晶胞平均有(A )個格點。A4 B6 C8 D123、下列選項中,(B )極性最強。A、金屬鍵 B、離子鍵 C、共價鍵 D、分子鍵5、對于絕緣體,高溫下的比熱為常數(shù),低溫下的固體比熱與( B)成正比。A、 B、 C、 D、7、當晶體尺寸降到納米尺寸時,能帶內(nèi)原來連續(xù)的能級由準連續(xù)變?yōu)殡x散能級,出現(xiàn)(B )。A、體積效應 B、納米尺寸效應 C、光學效應 D、量子效應8、晶體中的載流子分為(C )和空穴。A、離子 B、分子 C、電子 D、原子1、晶體的基本結構單元稱為( C)。A原胞 B晶胞 C基元 D點陣2、面心
18、立方晶胞的晶格常數(shù)為a,其倒格子原胞的體積等于(B )。A B C D3、BaTiO3晶體中Ba的配位數(shù)為(D )。A4 B6 C8 D124、下列物質(zhì)屬于分子晶體的是(D )。A、NaCl晶體 B、金 C、金剛石 D、CO2晶體7、限定波矢q的取值范圍在第(A )布里淵區(qū)。A、一 B、二 C、三 D、四9、在晶體的基本對稱操作中,m表示(B )。A、 B、 C、 D、1、布里淵區(qū)的形狀與( A)有關。A晶體結構 B原子數(shù)目 C元素種類 D晶體體積2、簡單立方晶胞的晶格常數(shù)為a,其倒格子原胞的體積等于(A )。A B C D3、BaTiO3晶體中Ti的配位數(shù)為(B )。A4 B6 C8 D12
19、4、如果六面體的四邊形中心各有一個點,稱為面心胞,記作(A )。A、F B、M C、N D、V8、導體的能帶中(B )不滿的帶。A、可能有 B、一定有 C、沒有 D、不知道1、每個原胞平均只含( A)個格點。A1 B2 C3 D42、金剛石晶胞含有(C )個格點。A1 B2 C4 D83、NaCl晶體中Cl離子的配位數(shù)為(B )。A4 B6 C8 D127、聲子的數(shù)目和( C)密切相關。A、壓強 B、質(zhì)量 C、溫度 D、動能1、在氯化銫結構中,配位數(shù)為( D)。A2 B4 C6 D83、晶格的對稱性不能有(C )次旋轉(zhuǎn)對稱。A2 B3 C5 D64、氯化銫晶體屬于(A )。A、離子晶體 B、金
20、屬晶體 C、分子晶體 D、共價晶體7、聲子的數(shù)目和( C)密切相關。A、壓強 B、質(zhì)量 C、溫度 D、動能1、簡單立方中,每個原子對晶胞的貢獻為( D)。A1 B C D2、一個氧化鈉晶胞中Na+的個數(shù)為( C)。A1 B2 C4 D84、NaCl晶體中的化學鍵主要是(D )。A、分子鍵 B、共價鍵 C、氫鍵 D、離子鍵5、鉑屬于(D )晶體。A分子 B共價 C離子 D金屬6、體心立方格子的倒格矢是(D )。A正十二面體 B簡單立方 C體心立方 D面心立方 7、倒格子原胞與正格子原胞體積之積為(A )。A、 B、1 C、 D、不確定1、簡單立方中晶格常數(shù)為a,則堆垛成簡單立方晶胞的原子半徑最大
21、為(B )。A B C D3、在氯化鈉型結構中陰、陽離子的配位數(shù)都是(B )。A4 B6 C8 D124、C60是由60個C原子組成的球形大分子,分子之間連接為( A)鍵。A、分子 B、共價 C、氫 D、離子8、一個NaCl晶胞中Cl的個數(shù)是(A )。A、4 B、6 C、8 D、1210、在晶體中起電子(C )作用。A、熱能 B、動能 C、動量 D、能量1、結晶學原胞簡稱為( B)。A原胞 B晶胞 C基元 D點陣3、金剛石晶體中C的配位數(shù)為(A)。A4 B6 C8 D124、惰性氣體晶體屬于(A )。A、分子晶體 B、金屬晶體 C、共價晶體 D、離子晶體晶體9、滿帶對電導(B )貢獻。A、有
22、B、沒有 C、不一定有 D、有時有1、體心立方中晶格常數(shù)為a,則其原子半徑最大為(D )。A B C D3、布拉維空間點陣共有14種,歸為( C)種晶系。A5 B6 C7 D84、在CH4分子中,C原子的2s和2p軌道組合成新的( D)個sp3雜化軌道。A、1 B、2 C、3 D、47、根據(jù)泡利不相容原理,對于外殼層為ns及np的原子而言,原子的滿殼層數(shù)為8,如果原子的價電子數(shù)N4時,原子最多可以形成( A)個共價鍵。A、N B、2N C、8-N D、N29、絕緣體的禁帶寬度Eg比半導體(B )。A、小 B、大 C、相等 D、不確定10、利用(A )衍射可以確定晶體結構。A、X射線 B、電子
23、C、中子 D、光子1、六方密堆積是由(B )層原子密堆積排列而成。A1 B2 C3 D44、CO2晶體屬于(C )。A、離子晶體 B、金屬晶體 C、分子晶體 D、共價晶體9、(C )的禁帶寬度較大,一般在3ev。A、導體 B、半導體 C、絕緣體 D、半金屬10、(D )晶系的基矢長度且夾角。A、六方 B、正交 C、四方 D、立方判斷題1、鹵素原子具有較大的電子親和能。 ( T )2、內(nèi)能高的晶體其熔點也必然較高。 ( T)3、金屬鍵沒有方向性和飽和性。 ( T )4、在高溫下多數(shù)采用愛因斯坦模型,在低溫下則采用德拜模型。 ( T )5、聲子數(shù)越多,表示晶格振動越強烈。 ( T )6、原子排列越
24、緊密,配位數(shù)愈小。 (F )7、布拉維提出了空間點陣學說。 (T)8、能量愈低的能帶愈寬,能量愈高的能帶愈窄。 ( F )9、滿帶電子不導電,未滿帶電子導電。 (T )1、準晶是介于周期性晶體和非晶玻璃之間的固體物質(zhì)形態(tài)。 ( T)2、離子鍵可以看成是極強的極性鍵。 ( T)7、實際晶體里總是同時存在著各種位錯和點缺陷。 (T) 8、大多數(shù)陶瓷材料中含有大量的晶粒和晶界。 ( T) 9、絕緣體的能帶中就只有滿帶和空帶。 (T) 1、空間點陣中所有陣點是嚴格的等同點,各陣點的周圍環(huán)境完全相同。 ( T)2、離子晶體主要依靠吸引較強的靜電庫侖力而結合。 (T) 3、非晶體具有方向性和飽和性。 (
25、F )4、聲子和光子一樣,是玻色子。 (T )5、格波的支數(shù)等于原胞內(nèi)的原子數(shù)及自由度數(shù)。 (T) 7、愛因斯坦模型考慮了格波的頻率分布。 ( F)1、選取布拉維晶胞時要求盡量選擇平行六面體代表整個空間點陣的對稱性。( T )2、倒格子的倒格子變成正格子。 ( T )3、金屬鍵具有方向性和飽和性。 ( F)5、原子的振動是孤立的。 ( F)6、對于絕緣體低溫下的固體比熱與T3成正比。 ( T )1、晶格的對稱性不能有5重旋轉(zhuǎn)對稱以及高于六重旋轉(zhuǎn)對稱性。 ( T)3、在Ge晶體中摻雜P、As或Bi,易形成n型半導體。 ( F )4、聲子是一種準粒子,不具有通常意義下的動量。 ( T )5、螺位錯
26、的存在可以提高晶體的生長速率。 ( T )2、正格子晶面族與倒格矢正交。 ( T)3、選取布拉維晶格時,平行六面體中要有盡可能多的直角。 ( T )4、聲學波傳播時的波速為聲速。 (T )5、晶體受熱時容易膨脹,受壓時容易壓縮,是由于原子間結合鍵的強弱決定的。 ( T )6、分子鍵的結合能大于共價鍵。 ( F )10、導體的能帶中一定有不滿的帶。 ( T )6、熱缺陷的移動實際上就是原子的布朗運動。 ( T )9、通常利用絕熱近似將多電子問題簡化為單電子問題。 ( F)1、格點是代表基元的幾何點。 ( T)2、任何晶系的hkl晶向與(hkl)晶面垂直。 (F )3、只有當分子間距離r很小時范德
27、瓦爾斯力才能起作用。 ( T )4、色散關系有兩個特點:一是奇函數(shù);二是周期函數(shù)。 (F )6、半導體的禁帶寬度比絕緣體要寬。 ( F )7、晶格內(nèi)原子的振動是以波的形式進行傳播。 ( T)8、絕緣體的能帶中就只有滿帶和空帶。 ( T)1、選取布拉維晶胞時要求盡量選擇平行六面體的體積盡量小。 (T )4、在閃鋅礦結構中陰、陽離子的配位數(shù)都是4。 ( T)6、對于絕緣體低溫下的固體比熱與T3成反比 ( F )7、一般來說,只有當雜質(zhì)原子比基質(zhì)原子小得多時才能形成間隙雜質(zhì) 。( T )1、倒格矢長度與晶面族面間距成反比。 ( T )7、一般來說,只有當雜質(zhì)原子比基質(zhì)原子小得多時才能形成間隙雜質(zhì)。
28、( T )8、刃型位錯并非只能是直線,也可以是曲線,甚至是在晶體中封閉的曲線。 ( T )1、在低溫下愛因斯坦模型和德拜模型都能正確的描述固體的比熱。 ( F )2、若之間為線性關系時,各種頻率的波傳播時發(fā)生色散。 ( F )3、CaTiO3、BaTiO3等晶體都屬于鈣鈦礦結構。 (T )4、原胞能同時反映晶體的周期性和對稱性特征。 ( F )5、聲子與其它粒子碰撞時,聲子既可以產(chǎn)生,卻不能夠湮滅。 ( F)6、空間點陣中所有陣點是嚴格的等同點。 ( T )7、格點可以選擇在基元的相同位置上,也可以是重心。 ( F )8、衡量一種材料是否具有超導電性只需看其是否完全抗磁性。 (T )9、螺位錯的存在可以降低晶體的生長速率。 ( F )10、向硅晶體中添加As元素形成p形半導體。 ( T)1、晶格的對稱性有5重旋轉(zhuǎn)對稱以及高于六重旋轉(zhuǎn)對稱性。 ( F)2、原胞的選取是唯一的。 ( F )3、選取布拉維晶格時,平行六面體中要有盡可能多的棱和角。 (T )4、原子的運動狀態(tài)在晶體中以
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