MYCRO等離子平面刻蝕機(jī)選型

1、 等離子平面刻蝕機(jī)選型邁可諾技術(shù)有限公司 MYCRO的每一套SCE等離子處理系統(tǒng)都支持以下四種平面等離子體處理模式：直接模式基片可以直接放置在電極托架或是底座托架上，以獲得最大的平面刻蝕效果。定向模式需要非等向性刻蝕（anisotropic etching）的基片可以放置在特制的平面托架上。下游模式基片可以放置在不帶電托架上，以便取得微小的等離子體效果。定制模式當(dāng)平面刻蝕配置不過理想時(shí)，特制的電極配置可以提供。 用戶可以根據(jù)使用需要選擇 鋁制反應(yīng)艙和石英反應(yīng)艙，可訂制的鋁制反應(yīng)艙尺寸：14x14, 18x18, 24x24 and 30x30；石英艙大小有單艙體4x8, 6x8, 8x8, 1

2、0x18, 15x18 和多艙體（4艙體，每個(gè)4"x8"的獨(dú)立艙體）4x8 等選擇。鋁制艙系統(tǒng)可以配置，用于定向和下游模式的等離子體處理。平面刻蝕是在兩塊平面電極之間進(jìn)行刻蝕，它與常見的感應(yīng)耦合等離子體（ICP）不同，是通過高壓線圈產(chǎn)生的。我們的SCE系列鋁制反應(yīng)艙等離子體系統(tǒng)是該領(lǐng)域最新的產(chǎn)品。無論是做研發(fā)階段還是量產(chǎn)階段，總有一款SCE系統(tǒng)可以滿足用戶的需要。無論從設(shè)備設(shè)計(jì)質(zhì)量還是經(jīng)濟(jì)實(shí)用的角度考量，我們的等離子平面刻蝕機(jī)都具優(yōu)勢(shì)。SCEA1414鋁制艙等離子平面刻蝕機(jī)1、可配三路氣體通路；2、約45升艙體容積（14x14x14英寸）的反應(yīng)艙；3、可配四種不同等離子模式

3、的四托架結(jié)構(gòu)；4、射頻功率為0-300 瓦, 13.56兆赫茲；5、可選配 600瓦和1000瓦 13.56兆赫茲的功率源；6、可選配低頻；SCEA1818 鋁制艙等離子平面刻蝕機(jī)1、可提供四路氣體通道；2、約96升艙體容積（18x18x18英寸）的反應(yīng)艙體；3、配有6托架結(jié)構(gòu)，可支持初級(jí)或者下游等離子4、可選配機(jī)械手樣品上下載裝置；5、可選配生產(chǎn)線設(shè)置；6、射頻功率為0-600 瓦, 13.56兆赫茲；7、可選配1000瓦 13.56兆赫茲的功率源；8、可選配低頻；SCEQ0408石英艙等離子平面刻蝕機(jī)1、可配三路氣體通路；2、約1.6升艙體容積（4英寸直徑8英寸深度）的反應(yīng)艙體；3、標(biāo)配

4、射頻功率為0-150 瓦 手調(diào)，13.56兆赫茲；4、可選配0-300瓦電調(diào)，13.56兆赫茲的功率源；SCEQ0608石英艙等離子平面刻蝕機(jī)1、可配三路氣體通路；2、約3.7升艙體容積（6英寸直徑 8英寸深度）的反應(yīng)艙體；3、標(biāo)配 射頻功率為0-150 瓦 手調(diào)，13.56兆赫茲；4、可選配0-300瓦電調(diào)，13.56兆赫茲的功率源；SCEQ0808石英艙等離子平面刻蝕機(jī)1、可配三路氣體通路；2、約6.5升艙體容積（8英寸直徑8英寸深度）的反應(yīng)艙體；3、標(biāo)配 射頻功率為0-150 瓦 手調(diào)，13.56兆赫茲；4、可選配0-300瓦電調(diào)，13.56兆赫茲的功率源；石英艙系統(tǒng)可以配置，用于平面定向要非等向性和感應(yīng)耦合等離子體（ICP）定向兩種模式的等離子體產(chǎn)生。清洗：等離子體處理對(duì)于分子級(jí)的基片預(yù)清洗是非常必要的的。無論濕法清洗的步驟有多少，在基片盒粘合劑、涂料、其它材料的鍵合之間還是有殘留物。 通過去除可能會(huì)截留的污染物，分子級(jí)的等離子體清洗可促進(jìn)鍵合。等離子體處理，配合正確的氣體混合比例，通過增加表面機(jī)能