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文檔簡介
1、模擬電子技術基礎第4版習題解答第1章 半導體二極管及其基本應用電路一、填空題 11 在雜質半導體中,多數(shù)載流子的濃度主要取決于 ,而少數(shù)載流子的濃度則與 有很大關系。 12 在N型半導體中,多子是 ,少子是 ;在P型半導體中,多子是 ,少子是 。 13二極管具有 性;當 時,二極管呈 狀態(tài);當 時,二極管呈 狀態(tài)。 14 2APl2型二極管是由半導體材料 制成的;2CZ52A型二極管是由半導體材料 制成的。 15在橋式整流電路中接入電容C(與負載并聯(lián))濾波后,輸出電壓較未加C時 ,二極管的導通角 ,輸出電壓隨輸出電流的增大而 。二、選擇正確答案填空(只需選填英文字母) 16二極管正向電壓從07
2、 V增大15時,流過的電流增大 (a15;b大于15;c小于15)。 17當溫度升高后,二極管的正向壓降將 ,反向電流將 (a增大;b減??;c不變)。 18利用二極管的 組成整流電路(a1正向特性;b1單向導電性;c1反向擊穿特性)。穩(wěn)壓二極管工作在 狀態(tài)下,能夠穩(wěn)定電壓(a2正向導通;b2反向截止;c2反向擊穿)。三、判斷下列說法是否正確(用或號表示)19在N型半導體中,摻入高濃度的三價雜質,可以改型為P型半導體。( ) 110 PN結的伏安特性方程可以描述PN結的正向特性和反向特性,也可以描述其反向擊穿特性。( ) 111 在橋式整流電路中,如用交流電壓表測出變壓器二次側的交流電壓為40
3、V,則在純電阻負載兩端用直流電壓表測出的電壓值約為36 V。( ) 112光電二極管是受光器件,能將光信號轉換為電信號。( )解答:1.1 雜質濃度 溫度1.2 電子 空穴 空穴 電子1.3 單向導電性 正向偏置 導通 反向偏置 截止1.4 N型鍺材料 N型硅材料1.5 增大 減小 減小1.6 (b)1.7 (b) (a)1.8 (b1) (c2)1.9 ()1.10 ()1.11 ()1.12 ()113某硅二極管在室溫下的反向飽和電流為A,求外加正向電壓為02 V、04 V時二極管的直流電阻RD。和交流電阻rd。(提示:二極管的直流電阻RD=UD/ID;交流電阻。)1.13解答:0.2 V
4、時,0.4 V時,則直流電阻(0.2 V時)(0.4 V時)交流電阻 (0.2 V時) (0.4 V時)從上計算結果,說明該二極管在0.2 V時在閾值電壓以下,而0.4 V在閾值電壓以上,正常工作狀態(tài)。114用萬用表的Rxl0擋和Rxl00擋分別測量同一個二極管的正向電阻,試分析兩次測試結果是否相同。若不同,哪一次測得的結果大?(提示:用Rxl00擋時表內等效內阻約為用Rxl0擋時表內等效電阻的10倍。)1.14解答: 用萬用表的不同量程去測量二極管的正向電阻,由于表的內阻不同,使流過管子的電流大小不同,也就是工作點的位置不同(參見圖題解1.14),故測出的正向電阻(直流電阻)將不同。因為RD
5、=UD/ID=1/tan a,而用R10擋測量時,由于其內阻小,使流過管子的電流大,其工作點如圖題解1.14中的Q1;用R100擋測量時,其工作點如圖題解1.14中的Q2;而a1a2,故用R100擋測出的電阻大。圖題解1.14115試判斷圖題115電路中二極管是導通還是截止。并分別求出各電路中A、O兩端電壓UAO。設二極管是理想器件。1.15解答:圖(a):二極管D導通,UAO= 4 V圖(b):二極管D1導通、D2截止,UAO 0 V圖(c):二極管D1截止、D2導通,UAO 6 V116試估算圖題116各電路中流過二極管的電流ID。和A點的電位。設二極管的正向壓降為07 V。1.16解答:
6、圖(a):二極管導通,UA=0.7 V,ID=(10 V0.7 V)/3 kW0.7 V/1 kW=2.4 mA圖(b):二極管導通,UA6.7 V,ID=(10 V6.7 V)/0.5 kW6.7 V/2 kW=3.25 mA圖(c):先將10 V電源和R1、R2這部分利用戴維南定理等效化簡,如圖題解1.16(c)所示,即圖題解1.16(c)117二極管電路如圖題117所示,已知ui=5sin 3140t mV,VDD=4 V,R=1 k,試求二極管兩端的電壓uD及流過二極管的電流iD。(提示:電容C對直流不通,對交流ui可通。)1.17解答:(1)靜態(tài)分析令ui=0 V,用恒壓降模型求得U
7、DQ=0.7 VIDQ=(40.7) V/1 kW=3.3 mA(2)動態(tài)分析rd=26 mV/3.3 mA8 WDuD=ui=5 sin 3 140t mVDiD=5sin 3 140t mV/8 W=0.625 sin 3 140 t mA(3)總電壓、電流uD=UDQ+DuD=(0.7+0.005 sin 3 140 t) ViD=IDQ+DiD=(3.3+0.625 sin 3 140 t) mA1.18二極管電路如圖題1.18所示,已知電源,試分別使用二極管理想模型和恒壓降模型(UF=07 V)分析,繪出負載電阻RL兩端電壓uo的波形,并標出幅值。1.18解答:負載電阻RL兩端的電壓
8、uO=u2UF=1.5 sin wt V0.7 V當使用二極管理想模型分析時,其波形如圖題解1.18(a)所示;當使用二極管恒壓降模型分析時,其波形如圖題解1.18(b)所示。圖題解1.181.19在圖題119所示橋式整流電容濾波電路中,已知RL=50 ,c=1 000 F。 (1)用交流電壓表測得u2=20 V,用直流電壓表測得RL兩端的電壓uO為:uO=28 V,uO=18 V,uO=24 V,uO=9 V,試分析該電路分別處于何種情況下測出。 (2)當橋式整流電路中任一個二極管出現(xiàn)下列情況:短路,開路,接反,試分析各會出現(xiàn)什么情況和危害。1.19解答:(1) 負載RL斷路; 電容斷路;
9、正常工作; 電容斷路且其中一個二極管斷路。(2) 造成電源變壓器二次側短路,使變壓器及和短路相通的二極管燒壞; 構成了半波整流電容濾波電路; 情況同。120 已知一橋式整流電容濾波電路的交流電源電壓U1=220 V,f=50 Hz,負載電阻RL=40,要求輸出直流電壓為24 V,紋波較小。(1)求選擇整流管的參數(shù)要求;(2)選擇濾波電容(容量和耐壓);(3)確定電源變壓器二次繞組的電壓和電流。1.20解答:(1)確定選擇整流管的參數(shù)要求電源變壓器二次繞組電壓有效值 U2=UO/1.2=24 V/1.2=20 V二極管承受的最大反向電壓 流過二極管的平均電流 所選整流二極管的最大整流電流需IFI
10、D整流二極管的最高反向工作電壓需URMUDRM(2)選擇濾波電容的電容量電容的耐壓選擇電解電容1 000 mF/50 V(3)確定變壓器二次繞組的電壓 U2=20 V變壓器二次繞組的電流 I2=(1.52)IO=2 IO=224 V/40 W=1.2 A1.21在圖題121所示的限幅電路中,已知輸入信號為V,試畫出輸出電壓uo的波形。設二極管為理想器件。1.21解答:圖題1.21所示電路的uO波形如圖題解1.21(a)、(b)、(c)、(d)所示。(b)(a)圖題解1.21122在圖題122所示電路中,設V,硅穩(wěn)壓二極管DZ的穩(wěn)定電壓為8 V,試近似畫出uo的波形。1.22解答:uO的波形如圖
11、題解1.22所示。圖題解1.22123 已知兩只硅穩(wěn)壓二極管的穩(wěn)定電壓值分別為8 V和75 V,若將它們串聯(lián)使用,問能獲得幾組不同的穩(wěn)定電壓值?1.23解答:可獲得四組不同的穩(wěn)定電壓值,分別是:15.5 V(兩個穩(wěn)壓管均反向偏置)1.4 V(兩個穩(wěn)壓管均正向偏置)8.7 V(8 V穩(wěn)壓管反偏,7.5 V穩(wěn)壓管正偏)8.2 V(8 V穩(wěn)壓管正偏,7.5 V穩(wěn)壓管反偏)1.24圖題124所示電路中穩(wěn)壓二極管為2CW7B,它的穩(wěn)定電流為10 mA,穩(wěn)定電壓值為5 V,額定功耗為200 mW。試問:若電源電壓UO在1830 V范圍內變化,輸出電壓UO是否基本不變?穩(wěn)壓二極管是否安全?1.24解答:穩(wěn)壓管允許的最大工作電流 IZmax=200 mW/5 V=40 mA當US=18 V時,穩(wěn)壓管的工作電流 IZ=(185) V/1 kW=13 mA可見IZmin(10 mA)IZ(13 mA)IZmax(40 mA)當US=30 V時,穩(wěn)壓管的工作電流IZ=(305) V/ 1 kW=25 mA可見同樣IZminIZIZmax因而能實現(xiàn)UO基本不變,穩(wěn)壓管能安全工作。125為什么發(fā)光二極管必須正向偏置,而光電二極管卻要反向偏置?1.25解答:發(fā)光二極管的工作原理是載流子通過PN結時產生復合,釋放的能量轉換為光能,故只有處于正向偏置,才能使較多的空穴與電子在空間電荷區(qū)中相
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