大鐵路項目逆變器培訓(xùn)

1、大鐵路項目逆變器培訓(xùn) 主講內(nèi)容（了解）1 脈寬調(diào)制PWM技術(shù)基礎(chǔ)知識；2 IGBT基礎(chǔ)知識介紹；3 變壓器基礎(chǔ)知識介紹；4 電磁兼容基礎(chǔ)知識介紹；5 ；1.1 脈寬調(diào)制PWM技術(shù) 所謂的脈寬調(diào)制PWM技術(shù)，實際上是通過控制半導(dǎo)體期間的導(dǎo)通和關(guān)斷，把直流電壓變成一定形狀的電壓脈沖序列，通過改變調(diào)制波的幅值，可以改變逆變器輸出的交流電壓的基波的幅值，通過改變調(diào)制波的頻率，可以改變逆變器輸出的交流電壓的頻率，從而可以同時控制逆變器輸出的電壓幅值和頻率，使之滿足一定的控制比例的要求，從而實現(xiàn)變頻、調(diào)壓，并有效地減少諧波分量。這是目前逆變器主要采用的控制技術(shù)。1.2 PWM調(diào)制的一般過程調(diào)制過程主要是由

2、調(diào)制波，載波，整流后的直流電壓源和變壓器組成。調(diào)制波和載波相比較產(chǎn)生逆變器控制信號。逆變器控制信號使得直流電壓形成幅值相等，寬度不等的脈寬調(diào)制序列，以此驅(qū)動交流電機(jī)。1.3 SPWM技術(shù)：SPWM技術(shù)是一種實現(xiàn)PWM脈寬調(diào)制技術(shù)的主要方法。該方法一般采用的載波為等腰三角波，采用的調(diào)制波為正弦波，選擇正弦調(diào)制波與等腰三角波相交的時刻，也就是他們的幅值相等的時刻，作為觸發(fā)逆變器開關(guān)器件的時刻。得到一組幅值相等，寬度正比例于正弦波在該時刻的函數(shù)值的脈沖。 SPWM控制實現(xiàn)方法脈寬變化在半個周期內(nèi)符合正弦規(guī)律，其幅值相等，寬度漸漸變寬，再漸漸變窄，各脈沖中心線的距離相等，各脈沖面積相加后與正弦波下面的

3、面積是成正比例關(guān)系。在實際應(yīng)用中，對于三相逆變器，是由一個三相正弦波發(fā)生器來產(chǎn)生對稱的三相電源信號，并使其與同一個三角載波信號進(jìn)行比較，用等值點來觸發(fā)逆變器，這樣一來，就形成了三相脈沖調(diào)制波。1.5 SVPWM技術(shù)SVPWM電壓空間矢量調(diào)制方式SVPWM技術(shù)的基本原理是通過對三相坐標(biāo)進(jìn)行坐標(biāo)變換，有兩相靜止坐標(biāo)系來描述交流電機(jī)的電壓矢量空間。然后通過SVPWM脈寬序列來控制逆變器的開關(guān)模式。從而達(dá)到利用八方向電壓矢量合成的方式，來追蹤旋轉(zhuǎn)的電壓空間矢量的目的。合成的過程就是對輸入的三相正弦信號進(jìn)行SVPWM調(diào)制波變換的過程。 IGBT介紹IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大；MOSFET驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)