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1、第一章 電磁輻射與材料結(jié)構(gòu)一、教材習(xí)題1-1計算下列電磁輻射的有關(guān)參數(shù):(1)波數(shù)為3030cm-1的芳烴紅外吸收峰的波長(mm);答:已知波數(shù)=3030cm-1根據(jù)波數(shù)與波長l的關(guān)系可得:波長(2)5m波長射頻輻射的頻率(MHz);解:波長l與頻率n的關(guān)系為已知波長l=5m,光速c3×108m/s,1s-1=1Hz則頻率(3)588.995nm鈉線相應(yīng)的光子能量(eV)。答:光子的能量計算公式為已知波長l=588.995nm=5.88995´10-7m,普朗克常數(shù)h6.626×10-34J×s,光速c3×108m/s,1eV=1.602
2、15;10-19J則光子的能量(eV)計算如下:1-3某原子的一個光譜項為45FJ,試用能級示意圖表示其光譜支項與塞曼能級。答:對于光譜項45FJ,n=4,L=3,M=5;S=2(M=2S+1=5),則J=5,4,3,2,1,當(dāng)J=5,MJ=0,±1,±2,···±5;J=1,MJ=0,±1。光譜項為45FJ的能級示意圖如下圖:1-4辨析原子軌道磁矩、電子自旋磁矩與原子核磁矩的概念。答:原子軌道磁矩是指原子中電子繞核旋轉(zhuǎn)的軌道運(yùn)動產(chǎn)生的磁矩;電子自旋磁矩是指電子自旋運(yùn)動產(chǎn)生的磁矩;原子核磁矩是指原子中的原子核自旋運(yùn)動產(chǎn)生的磁
3、矩。1-5下列原子核中,哪些核沒有自旋角動量?12C6、19F9、31P15、16O8、1H1、14N7。答:12C6和16O8沒有自旋角動量。1-8分別在簡單立方晶胞和面心立方晶胞中標(biāo)明(001)、(002)和(003)面,并據(jù)此回答:干涉指數(shù)表示的晶面上是否一定有原子分布?為什么?答:簡單立方晶胞的(001)、(002)和(003)面如下圖左、中、右所示:(001) (002) (003)如上圖所示,晶面指數(shù)(001)表示的所有晶面上都有原子分布,而干涉指數(shù)(002)表示的晶面中C面無原子分布,干涉指數(shù)(003)表示的晶面中C面和D面無原子分布。面心立方晶胞的(001)、(002)和(00
4、3)面如下圖左、中、右所示:(001) (002) (003)如上圖所示,晶面指數(shù)(001)和干涉指數(shù)(002)表示的所有晶面都有原子分布,而干涉指數(shù)(003)表示的晶面中C面和D面無原子分布。所以,干涉指數(shù)表示的晶面上不一定有原子分布。1-9已知某點(diǎn)陣½a½=3Å,½b½=2Å,g =60°,ca×b,試用圖解法求r*110與r*210。答:已知½a½=3Å,½b½=2Å,g =60°,ca×b,所以這個點(diǎn)陣是一個簡單單斜點(diǎn)陣。根據(jù)倒
5、易矢量與相應(yīng)正點(diǎn)陣晶面之間的關(guān)系可知,所求倒易矢量的方向分別為正點(diǎn)陣中(110)和(210)晶面的法向,倒易矢量模長分別為晶面間距d110和d210的倒數(shù)。因為ca×b,即c垂直于a、b所在平面,所以可用a、b所在平面的二維坐標(biāo)系表述該三維點(diǎn)陣,(110)和(210)晶面變成兩組平行直線,平行直線間距分別就是d110和d210。因此,只要根據(jù)條件畫出(110)和(210)晶面,就可求出r*110與r*210。r*110與r*210是矢量,其模長½r*110½與½r*210½分別是d110和d210的倒數(shù),作圖只能量出d110和d210,
6、9;r*110½與½r*210½需要計算。以a作為x軸的基矢,以b為y軸的基矢,則x軸的單位長度為3Å,y軸的單位長度為2Å。作圖時,2cm代表1Å,所做示意圖見下圖。1-10下列哪些晶面屬于晶帶?。答:根據(jù)晶帶定律(方程),可判斷屬于晶帶。二、補(bǔ)充習(xí)題1、試求加速電壓為1、10、100kV時,電子的波長各是多少?考慮相對論修正后又各是多少?解:根據(jù)電子的波長l(單位nm)與加速電壓V(單位V)的關(guān)系1kV=1000V時,10kV=10000V時,100kV=100000V時,經(jīng)相對論修正后,1kV時,10kV時,100kV時,由計算
7、可知,當(dāng)加速電壓較大時,電子的波長需經(jīng)相對論校正。第三章 粒子(束)與材料的相互作用一、教材習(xí)題3-1電子與固體作用產(chǎn)生多種粒子信號(教材圖3-3),哪些對應(yīng)入射電子?哪些是由電子激發(fā)產(chǎn)生的?圖3-3入射電子束與固體作用產(chǎn)生的發(fā)射現(xiàn)象答:圖中I0表示入射電子;背散射電子流IR、吸收電流IA和透射電子流IT對應(yīng)入射電子;二次電子流IS、X射線輻射強(qiáng)度IX、表面元素發(fā)射總強(qiáng)度IE是由電子激發(fā)產(chǎn)生的。3-2電子“吸收”與光子吸收有何不同?答:電子吸收是指由于電子能量衰減而引起的強(qiáng)度(電子數(shù))衰減的現(xiàn)象。電子吸收只是能量衰減到不能逸出樣品,不是真的被“吸收”了。而光子吸收是因光子的能量與物質(zhì)中某兩個能
8、級差相等而被吸收,光子被真的吸收了,轉(zhuǎn)化成了另外的能量。3-3入射X射線比同樣能量的入射電子在固體中穿入深度大得多,而俄歇電子與X光電子的逸出深度相當(dāng),這是為什么?答:入射電子激發(fā)的俄歇電子,只有表面幾個原子層產(chǎn)生的具有特征能量的俄歇電子才能逸出固體表面,被電子能譜儀檢測到。雖然入射X射線比同樣能量的入射電子在固體中穿入深度大得多,激發(fā)產(chǎn)生X光電子的深度也要大得多,但樣品深層激發(fā)的X光電子要逸出表面,必然要經(jīng)多次碰撞散射而能量衰減,難以逸出固體表面,因此也只有表面幾個原子層產(chǎn)生的具有特征能量的X光電子才能逸出固體表面,從而被電子能譜儀檢測到。加上X光電子與俄歇電子的能量差不多,所以它們的逸出深
9、度相當(dāng)。二、補(bǔ)充習(xí)題1、簡述電子與固體作用產(chǎn)生的信號及據(jù)此建立的主要分析方法。答:電子與固體作用產(chǎn)生的信號主要有:背散射電子(彈性背散射電子,非彈性背散射電子),二次電子,俄歇電子,透射電子,吸收電子,X射線(連續(xù)X射線,特征X射線,熒光X射線)、表面元素發(fā)射等;建立的分析方法主要有:透射電子顯微鏡(簡稱“透射電鏡”,TEM),電子衍射分析(ED),掃描電子顯微鏡(簡稱“掃描電鏡”,SEM),電子探針X射線顯微分析(簡稱“電子探針”,EPMA),俄歇電子能譜(AES),電子能量損失譜(EELS)、電子背散射衍射(EBSD)等?;蛞粤斜硇问剑弘娮优c固體相互作用產(chǎn)生的信號及據(jù)此建立的主要分析方法電
10、子與固體相互作用產(chǎn)生的主要信號建立的主要分析方法或儀器電子二次電子SEM掃描電鏡彈性散射電子LEEDRHEEDTEMEBSD低能電子衍射反射式高能電子衍射透射電鏡(含電子衍射)電子背散射衍射非彈性散射電子EELS電子能量損失譜俄歇電子AES俄歇電子能譜光子特征X射線EPMAWDSEDS電子探針,包括:波譜能譜X射線的吸收(或由吸收引起)XRFCLX射線熒光陰極熒光元素離子、原子ESD電子受激解吸第二章 電磁輻射與材料的相互作用一、教材習(xí)題2-2下列各光子能量(eV)各在何種電磁波譜域內(nèi)?各與何種躍遷所需能量相適應(yīng)?1.2×1061.2×102、6.21.7、0.50.02、
11、2×10-24×10-7。答:1.2×1061.2×102 X射線譜域,與原子內(nèi)層電子躍遷所需能量相對應(yīng)。6.21.7 近紫外-可見光譜域,與原子或分子外層電子躍遷所需能量相對應(yīng)。0.50.02 中紅外譜域,與分子振動能級躍遷所需能量相對應(yīng)。2×10-24×10-7 遠(yuǎn)紅外-微波譜域,與分子轉(zhuǎn)動能級和電子自旋能級躍遷所需能量相對應(yīng)?;蛘吡斜砣缦拢汗庾幽芰浚╡V)電磁波譜域?qū)?yīng)躍遷1.2×1061.2×102X射線原子內(nèi)層電子躍遷6.21.7紫外-可見光原子(或分子)外層電子躍遷0.50.02中紅外線分子振動能級躍遷
12、2×10-24×10-7遠(yuǎn)紅外線-微波分子轉(zhuǎn)動能級和電子自旋能級躍遷2-3下列哪種躍遷不能產(chǎn)生?31S031P1、31S031D2、33P233D3、43S143P1。答:根據(jù)光譜選律判斷躍遷能否產(chǎn)生。光譜選律:(1)主量子數(shù)變化Dn=0或任意正整數(shù);(2)總角量子數(shù)變化DL=±1;(3)內(nèi)量子數(shù)變化DJ=0,±1(但J=0,DJ0的躍遷是禁阻的);(4)總自旋量子數(shù)的變化DS=0。31S031P1 能產(chǎn)生躍遷,因為Dn=3-3=0,DL=1-0=1,DJ=1-0=1,DS=0-0=031S031D2 不能產(chǎn)生躍遷,因為Dn=3-3=0,DL=2-0=2
13、,DJ=2-0=2,DS=0-0=033P233D3 能產(chǎn)生躍遷,因為Dn=3-3=0,DL=2-1=1,DJ=3-2=1,DS=1-1=043S143P1 光譜項43S1是否正確?因為LS時,M=2S+1,L<S時,M=2L+1,所以M應(yīng)為2L+1=2´0+1=1。而43S1中M=3,所以光譜項43S1不正確,因此43S143P1躍遷不能產(chǎn)生。2-5分子能級躍遷有哪些類型?紫外、可見光譜與紅外光譜相比,各有何特點(diǎn)?答:分子能級躍遷的類型有電子能級躍遷、振動能級躍遷和轉(zhuǎn)動能級躍遷。紫外、可見光譜與紅外光譜的特點(diǎn)對比如下表:特點(diǎn)紫外、可見光譜紅外光譜能級躍遷類型分子外層電子能級躍
14、遷,所得光譜屬于分子的電子光譜。分子振動和轉(zhuǎn)動能級躍遷,所得光譜屬于分子的振動光譜或轉(zhuǎn)動光譜。所在電磁波譜域紫外-可見-近紅外區(qū)振動光譜在近紅外-中紅外-遠(yuǎn)紅外區(qū)。轉(zhuǎn)動光譜在遠(yuǎn)紅外區(qū)和微波區(qū)。吸收光譜特征由于分子外層電子的能級比較大,所以在發(fā)生電子能級躍遷的同時也會引起分子的振動和轉(zhuǎn)動能級躍遷,在其光譜上疊加了振動和轉(zhuǎn)動能級躍遷的吸收光譜,因此電子光譜是帶狀光譜,其吸收帶(峰)較寬。由于分子振動能級比轉(zhuǎn)動能級大,所以在發(fā)生振動能級躍遷的同時也會引起轉(zhuǎn)動能級躍遷,光譜上疊加了轉(zhuǎn)動光譜,因此振動光譜(振動-轉(zhuǎn)動光譜或振轉(zhuǎn)光譜)也是帶狀光譜,但吸收帶(峰)較電子光譜窄,且峰多、復(fù)雜。轉(zhuǎn)動能級躍遷引起
15、的紅外吸收光譜(即轉(zhuǎn)動光譜)則是線狀光譜,吸收峰(線)很窄。一般只在部分簡單的氣態(tài)極性分子中才能觀察得到。2-6以Mg Ka(l=9.89Å)輻射為激發(fā)源,由譜儀(功函數(shù)4eV)測得某元素(固體樣品)X射線光電子動能為981.5eV,求此元素的電子結(jié)合能。解:已知X射線波長l=9.89Å=9.89×10-10m,X射線光電子動能Ek¢=981.5eV,譜儀功函數(shù)Fsp=4eV,真空中光速c»3´108m/s,;則X射線的能量hn:根據(jù)教材第32頁公式(2-13),元素的電子結(jié)合能Eb計算如下:X射線的能量也可用簡化的公式E(eV)=h
16、n=1.24´10-6/l(m)計算,hn=1.24´10-6/(9.89´10-10)=1253.8(eV)2-7用能級示意圖比較X射線光電子、特征X射線與俄歇電子的概念。答:KL2,L3M特征X射線(hv)俄歇電子光電子入射X射線(hv)二、補(bǔ)充習(xí)題1、俄歇電子能譜圖與光電子能譜圖的表示方法有何不同?為什么?答:俄歇電子能譜圖一般用微分譜表示,光電子能譜圖一般用一次譜表示。因為俄歇電子產(chǎn)率很低,背景強(qiáng)、信噪比小,一次譜不好確定俄歇電子的能量位置,用微分譜可以表現(xiàn)得很清楚;而光電子的產(chǎn)率較高,干擾少、信噪比大,用一次譜就能很清楚表示出來。2、簡述X射線與固體相互
17、作用產(chǎn)生的主要信息及據(jù)此建立的主要分析方法。答:X射線與固體物質(zhì)相互作用產(chǎn)生的信息主要有:彈性散射X射線、非彈性散射X射線、光電子、俄歇電子、熒光X射線、反沖電子、透射X射線、電離、熱能等,據(jù)此建立的分析方法主要有:X射線衍射分析(XRD),X射線光電子能譜分析(XPS),X射線激發(fā)俄歇電子能譜分析(XAES),X射線熒光光譜分析(XRF或XFS)等?;蛘吡斜怼4穑篨射線與固體相互作用產(chǎn)生的主要信息及據(jù)此建立的主要分析方法列于下表:X射線與固體物質(zhì)相互作用產(chǎn)生的主要信息建立的主要分析方法X射線彈性散射X射線X射線衍射分析(XRD)非彈性散射X射線熒光X射線X射線熒光光譜分析(XRF或XFS)透
18、射X射線電子光電子X射線光電子能譜分析(XPS)俄歇電子X射線激發(fā)俄歇電子能譜分析(XAES)反沖電子其它熱能第四章 材料現(xiàn)代分析測試方法概述一、教材習(xí)題4-11試為下述分析工作選擇你認(rèn)為恰當(dāng)?shù)模ㄒ环N或幾種)分析方法(1) 鋼液中Mn、S、P等元素的快速定量分析答:元素定量分析的方法很多,如化學(xué)分析、電感耦合等離子體發(fā)射光譜(ICP-AES)、原子吸收光譜(或叫原子吸收分光光度法,AAS)、原子熒光光譜(或叫原子熒光光度法,AFS)、X射線熒光光譜(XRF或XFS)等。因為XRF制樣相對簡單、快速,所以可選用XRF進(jìn)行快速定量分析。如果是在線分析,可用光導(dǎo)纖維將鋼液發(fā)射的光引入原子發(fā)射光譜儀進(jìn)
19、行定量分析,當(dāng)然定量的準(zhǔn)確度和精度不是很高。(2) 區(qū)別FeO、Fe2O3和Fe3O4答:FeO、Fe2O3和Fe3O4中鐵(Fe)的價態(tài)不同,如果是獨(dú)立的樣品,用穆斯堡爾譜很容易區(qū)別,但儀器不常見。由于這三種物相的成分比和結(jié)構(gòu)不同,那么它們的衍射花樣也不同,如果樣品足夠多,用X射線衍射(XRD)區(qū)別;如果是薄晶中的細(xì)小晶粒,可用透射電鏡(TEM)中的電子衍射(ED)區(qū)別。由于它們的成分比和結(jié)構(gòu)不同,紅外光譜特征也不同,所以也可用紅外光譜來區(qū)別。在氧化氣氛(如空氣)中加熱,它們的熱重曲線或差熱曲線特征不同,所以也可用熱重法(TG)或差熱分析(DTA)來區(qū)別。當(dāng)然X射線光電子能譜(XPS)或紫外
20、光電子能譜(UPS)等方法也可用來區(qū)別這三種物相,但這些方法的儀器不常見,且測試價格較貴。(3) 測定Ag的點(diǎn)陣常數(shù)答:晶體點(diǎn)陣常數(shù)的測定通常采用衍射法。如果樣品足夠多,用粉末X射線衍射(XRD)儀法測定晶體的點(diǎn)陣常數(shù)是最方便、最快捷、最準(zhǔn)確、最便宜的方法。如果是薄晶中分散的銀,不能用X射線照相法或衍射儀法,可用透射電鏡(TEM)中的電子衍射(ED)來測定其點(diǎn)陣常數(shù)。雖然中子衍射也可以測定點(diǎn)陣常數(shù),但儀器難得、價格昂貴、結(jié)果也不是很準(zhǔn)確(相對于XRD)。(4) 測定高純Y2O3中稀土雜質(zhì)元素質(zhì)量分?jǐn)?shù)答:原子吸收光譜(AAS),或電感耦合等離子體發(fā)射光譜(ICP-AES),或X射線熒光光譜(XR
21、F),或原子熒光光譜(AFS)。原子吸收光譜(AAS)是定量分析樣品中雜質(zhì)元素含量的最常用方法。普通的原子發(fā)射光譜儀(AES)只能做元素的半定量分析;而電感耦合等離子體發(fā)射光譜儀(ICP-AES)可進(jìn)行元素的定量分析,但價格昂貴,一般分析實驗室沒有配置。X射線熒光光譜(XRF)是固體樣品常規(guī)元素定性、定量分析的常用方法,但含量較低的元素的測定,準(zhǔn)確度不如AAS。原子熒光光譜(AFS)相對于AAS的檢出限低、靈敏度高,但儀器不常見。(5) 砂金中含金量的檢測答:原子吸收光譜(AAS),或電感耦合等離子體發(fā)射光譜(ICP-AES),或X射線熒光光譜(XRF),或化學(xué)分析等。砂金是指含金砂經(jīng)過分選后
22、得到的礦產(chǎn)品,通常含有較多的雜質(zhì),需進(jìn)行含金量檢測,方法很多??芍苯佑霉腆w樣品,通過制樣后用XRF檢測含金量。也可將雜質(zhì)溶解在溶液中,用AAS或ICP-AES或AFS分析雜質(zhì)元素的含量,以檢測含金量。(6) 黃金制品中含金量的無損檢測;答:制品大小合適,可用電子探針(EPMA),或帶波譜儀(或能譜儀)的掃描電鏡(SEM),或X射線熒光光譜(XRF)。無損檢測是指檢測對象不能遭受破壞,如原子光譜(AES、AAS、AFS)要制樣才能分析的方法不能采用。(7) 幾種高聚物組成之混合物的定性分析與定量分析答:定性分析:紅外光譜(IR),或核磁共振譜(NMR),或用IR、NMR、紫外可見光譜(UV-VI
23、S)、差熱分析(DTA)等方法進(jìn)行綜合分析。定性分析之后,用IR或NMR或DTA等方法對各高聚物進(jìn)行定量分析。高聚物混合物的定性和定量分析并不容易,首先要進(jìn)行定性分析混合物中有哪些高聚物,然后定量分析組成的高聚物各自的含量。有些高聚物用一種方法(IR或NMR)就可以鑒定出來,有些高聚物要聯(lián)合采用多種方法(如IR、NMR、UV-VIS、DTA、質(zhì)譜MS、色譜等)綜合分析。定量也要根據(jù)高聚物的組成來選用合適的方法。(8) 推斷分子式為C8H10O的化合物之結(jié)構(gòu)答:紅外光譜(IR)和紫外可見光譜(UV-VIS)。有機(jī)化合物的結(jié)構(gòu)分析,有的簡單,有的復(fù)雜。一般情況下,綜合應(yīng)用紅外光譜(IR)、紫外可見
24、光譜(UV-VIS)、核磁共振(NMR)和質(zhì)譜(MS)這四種方法可解決絕大部分有機(jī)化物的結(jié)構(gòu)問題。有時候,還要應(yīng)用化合物的其它物理化學(xué)參數(shù)(如熔點(diǎn)、沸點(diǎn)、粘度、顏色、折射率等),以及其它分析方法(如XRD,對于結(jié)晶化合物)。有時候,所有手段用盡也未必能完全搞清楚某些化合物的結(jié)構(gòu)(如某些生物大分子,中草藥中的活性分子等)。(9) 某薄膜(樣品)中極小彌散顆粒(直徑遠(yuǎn)小于1mm)的物相鑒定答:一般應(yīng)用透射電鏡(TEM)中的選區(qū)電子衍射(SAED)就可以,但有時候還需要用裝有X射線波譜儀或X射線能譜儀的TEM才能完全確定。X射線衍射(XRD)不行,一是樣量太少,二是無法定位。(10) 驗證奧氏體(g
25、)轉(zhuǎn)變?yōu)轳R氏體(a)的取向關(guān)系(即西山關(guān)系):,。答:透射電鏡(TEM)中的選區(qū)電子衍射(SAED)。首先用TEM的成像功能找到相鄰的未轉(zhuǎn)變的奧氏體和已轉(zhuǎn)變的物相馬氏體,然后用SAED分別測定奧氏體和馬氏體的電子衍射花樣,經(jīng)指標(biāo)化后來驗證。(11) 淬火鋼中殘留奧氏體質(zhì)量分?jǐn)?shù)的測定答:X射線衍射(XRD)。(12) 鎳-鉻合金鋼回火脆斷口晶界上微量元素銻的分布(偏聚)的研究答:電子探針(EPMA),或帶波譜儀(或能譜儀)的掃描電鏡。首先用二次電子像觀察斷口形貌,用波譜儀(或能譜儀)定點(diǎn)分析晶粒和晶界上微量元素銻的含量,或沿穿過晶界的一條線用銻的Ka 特征X射線掃描,或用銻的Ka 特征X射線進(jìn)行
26、面掃描,以研究斷口晶界上微量元素銻的分布(偏聚)。(13) 淬火鋼中孿晶馬氏體與位錯馬氏體的形貌觀察答:透射電鏡(TEM)。TEM的獨(dú)特功能:在觀察形貌的同時,進(jìn)行晶體結(jié)構(gòu)的原位分析。要觀察淬火鋼中孿晶馬氏體與位錯馬氏體的形貌,首先要對淬火鋼薄晶樣品成像,通過明場像或暗場像分析,初步估計哪些晶粒是孿晶馬氏體,哪些晶粒是位錯馬氏體,然后通過選區(qū)電子衍射(SAED)來確認(rèn)某個晶粒是孿晶馬氏體或位錯馬氏體。(14) 固體表面元素定性分析及定量分析答:對于導(dǎo)體、半導(dǎo)體樣品:X射線光電子能譜(XPS),或俄歇電子能譜(AES),或二次離子質(zhì)譜(SIMS)。對于絕緣體樣品:X射線光電子能譜(XPS)?;蚨?/p>
27、次離子質(zhì)譜(SIMS)。俄歇電子能譜(AES)一般不適用于非導(dǎo)電固體樣品分析。(15) 某聚合物的價帶結(jié)構(gòu)分析答:紫外光電子能譜(UPS),或X射線光電子能譜(XPS),最好是UPS。(16) 某半導(dǎo)體的表面能帶結(jié)構(gòu)測定。答:紫外光電子能譜(UPS),或X射線光電子能譜(XPS),或紫外可見吸收光譜(UV-VIS),最好是紫外光電子能譜(UPS)。二、補(bǔ)充習(xí)題1、假若你采用高溫固相法合成一種新的尖晶石,最后你得到了一種白色固體。如果它是一種新的尖晶石,你將如何測定它的結(jié)構(gòu)、組成和純度。參考答案:尖晶石結(jié)構(gòu)的測定,主要是它的點(diǎn)陣類型和點(diǎn)陣參數(shù)測定,可以采用X射線衍射,或電子衍射,或中子衍射,從精
28、確性、簡便性、經(jīng)濟(jì)性的角度考慮,應(yīng)當(dāng)采用X射線衍射。根據(jù)X射線衍射圖,可以判定這種白色固體是否是一種新的尖晶石,以及是否是純的尖晶石。如果樣品不純(即混合物相樣品),那么還要測定尖晶石物相的純度(即定量分析尖晶石的百分含量),鑒定出其它雜質(zhì)物相的種類。如果雜質(zhì)物相的含量很低,那么就不一定能確定雜質(zhì)物相的種類。這是物相組成及純度的測定方法。樣品的化學(xué)成分(元素種類及其含量)及純度,可以用X射線熒光光譜,或等離子體發(fā)射光譜、原子吸收光譜等其它化學(xué)成分分析方法測定。2、假若你采用水熱法制備TiO2納米管,最后你得到了一種白色固體,你將如何觀察它的形貌?如何測定它的顆粒尺寸、大小、結(jié)構(gòu)、組成和純度。參
29、考答案:可用掃描電鏡(SEM)觀察顆粒形態(tài)、尺寸、大小及聚集態(tài)特征;用透射電鏡(TEM)測定分散良好的樣品的顆粒形態(tài)、尺寸、大小、管狀顆粒的分布與含量、納米管的管狀結(jié)構(gòu);用TEM上的選區(qū)電子衍射(SAED)分析單根納米管的晶體結(jié)構(gòu);用高分辨TEM獲得納米管的晶格像,可以判斷納米管是空心的、還是實心的,是單壁或多壁,還可以進(jìn)一步分析納米管的微觀結(jié)構(gòu)與缺陷;用TEM上配置的波譜儀(WDS)或能譜儀(EDS)分析納米管的化學(xué)組成及化學(xué)純度。用X射線衍射(XRD)分析粉體的物相組成(金紅石型,或銳鈦礦型,或其它)及物相純度、晶體結(jié)構(gòu)、晶粒度、結(jié)晶度等。用化學(xué)分析測定樣品的主要化學(xué)組成,用原子吸收光譜測
30、定微量成分,以分析樣品的化學(xué)純度。還可用紅外光譜(IR)進(jìn)一步分析樣品的微觀結(jié)構(gòu)及物相組成,用差熱分析可以觀察樣品的相變情況,配合前面的分析結(jié)果進(jìn)行綜合分析。3、假若你采用溶液插層等方法制備層狀硅酸鹽/聚合物納米復(fù)合材料,最后你得到了一種塊體材料,你將如何表征它的結(jié)構(gòu)?參考答案:用離子減薄儀或超薄切片機(jī)制備合適的薄膜樣品,在透射電鏡(TEM)上觀察層狀硅酸鹽礦物在聚合物基體中的分布、層狀硅酸鹽礦物片層的剝離、片層厚度及聚集狀態(tài)、聚合物是否插入片層之間等情況,以表征復(fù)合結(jié)構(gòu),并說明所制備的材料是否達(dá)到了納米級復(fù)合材料。當(dāng)然也可結(jié)合其它分析測試方法綜合表征樣品的結(jié)構(gòu):用掃描電鏡(SEM)觀察塊狀樣
31、品的斷口的形態(tài)與組織結(jié)構(gòu)、層狀硅酸鹽礦物的顆粒大小與分布。也用原子力顯微鏡(AFM)觀察樣品的形貌及層狀硅酸鹽礦物的顆粒大小與分布。用X射線衍射(XRD)分析樣品中層狀硅酸鹽礦物的d00l值的變化情況,以表征插層及納米復(fù)合是否成功以及結(jié)構(gòu)情況。用熱重法(TG)測定樣品的失重情況,以表征樣品的熱穩(wěn)定性及填充物的多少。用差熱分析(DTA)或差示掃描量熱法(DSC)測定樣品的熱效應(yīng),同樣可以表征樣品的熱穩(wěn)定性。根據(jù)性能與結(jié)構(gòu)的關(guān)系,間接表征樣品的結(jié)構(gòu)特征。第五章 X射線衍射分析原理一、教材習(xí)題5-2“一束X射線照射一個原子列(一維晶體),只有鏡面反射方向上才有可能產(chǎn)生衍射”,此種說法是否正確?答:不
32、正確。(根據(jù)勞埃一維方程,一個原子列形成的衍射線構(gòu)成一系列共頂同軸的衍射圓錐,不僅鏡面反射方向上才有可能產(chǎn)生衍射。)5-3辨析概念:X射線散射、衍射與反射。答:X射線散射:X射線與物質(zhì)作用(主要是電子)時,傳播方向發(fā)生改變的現(xiàn)象。X射線衍射:晶體中某方向散射X射線干涉一致加強(qiáng)的結(jié)果,即衍射。X射線反射:晶體中各原子面產(chǎn)生的反射方向上的相干散射。與可見光的反射不同,是“選擇反射”。在材料的衍射分析工作中,“反射”與“衍射”通常作為同義詞使用。5-4某斜方晶體晶胞含有兩個同類原子,坐標(biāo)位置分別為:(,1)和(,),該晶體屬何種布拉菲點(diǎn)陣?寫出該晶體(100)、(110)、(211)、(221)等晶
33、面反射線的F2值。答:根據(jù)題意,可畫出二個同類原子的位置,如下圖所示:如果將原子(1/4,1/4,1/2)移動到原點(diǎn)(0,0,0),則另一原子(3/4,3/4,1)的坐標(biāo)變?yōu)?1/2,1/2,1/2),因此該晶體屬布拉菲點(diǎn)陣中的斜方體心點(diǎn)陣。對于體心點(diǎn)陣: 或直接用兩個原子的坐標(biāo)計算:所以 F2=f21+(-1)(h+k+l)2因此,(100)和(221),h+k+l=奇數(shù),|F|2=0;(110)、(211),h+k+l=偶數(shù),|F|2=4f2。5-7金剛石晶體屬面心立方點(diǎn)陣,每個晶胞含8個原子,坐標(biāo)為:(0,0,0)、(,0)、(,0,)、(0,)、(,)、(,)、(,)、(,),原子散射
34、因子為fa,求其系統(tǒng)消光規(guī)律(F2最簡表達(dá)式),并據(jù)此說明結(jié)構(gòu)消光的概念。答:金剛石晶體屬面心立方點(diǎn)陣,每個晶胞含8個原子,坐標(biāo)為:(0,0,0)、(1/2,1/2,0)、(1/2,0,1/2)、(0,1/2,1/2)、(1/4,1/4,1/4)、(3/4,3/4,1/4)、(3/4,1/4,3/4)、(1/4,3/4,3/4),可以看成一個面心立方點(diǎn)陣和沿體對角線平移(1/4,1/4,1/4)的另一個面心立方點(diǎn)陣疊加而成的。金剛石的結(jié)構(gòu)或者直接計算,可得到同樣的結(jié)果:其中,F(xiàn)f 表示一個面心立方晶胞的反射振幅:1)當(dāng)hkl為奇偶混合時,由于Ff =0,所以,|F|2=0。2)當(dāng)hkl全為奇數(shù)
35、時,F(xiàn)f =4fa,h+k+l=2n+1,其中n為任意整數(shù),則有因此,F(xiàn)=4fa(1±i),3)當(dāng)hkl全為偶數(shù),而且h+k+l=4n時,F(xiàn)=4fa(1+e2pin)=4fa×2=8fa|F|2=64fa24)當(dāng)hkl全為偶數(shù),但h+k+l4n,則h+k+l=2(2n+1)F=4fa1+epi(2n+1)=4fa(1+e2pi×epi)=4fa(1-1)=0|F|2=0可見,在金剛石結(jié)構(gòu)中,除了面心點(diǎn)陣消光外,還存在由于螺旋和滑移兩類微觀對稱要素引起的結(jié)構(gòu)消光。5-8“衍射線在空間的方位僅取決于晶胞的形狀與大小,而與晶胞中的原子位置無關(guān);衍射線的強(qiáng)度則僅取決于晶胞
36、中原子位置,而與晶胞形狀及大小無關(guān)”,此種說法是否正確?答:不正確。對于同一晶體,在同一實驗條件下,根據(jù)X射線衍射的方向理論,衍射線在空間的方位僅取決于晶胞的形狀與大小,而與晶胞中的原子位置無關(guān),但實驗條件不同,如入射X射線的波長l不同,則衍射線在空間的方位不同,樣品吸收也會使衍射線的位置也發(fā)生變化。根據(jù)X射線衍射的強(qiáng)度理論,衍射線的強(qiáng)度與晶胞中原子位置有關(guān),與晶胞形狀及大小無關(guān),但衍射線的強(qiáng)度并不僅僅取決于晶胞中原子位置。影響衍射線強(qiáng)度的因素除晶胞中的原子位置外,還有樣品的原子種類(不同原子的散射因子和吸收因子不同)、產(chǎn)生衍射的晶面的數(shù)量(多重性因子)、實驗溫度(溫度因子)、實驗儀器、入射線
37、X射線的波長(與靶有關(guān))和強(qiáng)度(與實驗時的電流、電壓有關(guān))、樣品的結(jié)晶程度和晶粒度大小等因素。5-9Cu Ka射線()照射Cu樣品。已知Cu的點(diǎn)陣常數(shù)a=0.361nm,試分別用布拉格方程與厄瓦爾德圖解法求其(200)反射的q角。解:已知,a=0.361nm(1)由布拉格方程求(200)反射的q角根據(jù)布拉格方程和立方晶系的晶面間距dHKL與其晶面指數(shù)(HKL)和點(diǎn)陣常數(shù)a的關(guān)系,有因此求反函數(shù)得q200=25.28°(2)厄瓦爾德圖解法求(200)反射的q角根據(jù)衍射矢量方程s-s0=R*HKL,|R*HKL|=l/dHKL又 做厄瓦爾德圖解的步驟如下: 作OO*=s0,|s0|=|s
38、|=1。(實際畫圖時,s0的長度可以是任意長度,比如2cm代表單位長度1) 作反射球,即以O(shè)為圓心、OO*(如2cm)為半徑作球(為簡化,只做一個圓就可以了); 以O(shè)*為倒易原點(diǎn),以|s-s0|=|R*HKL|=0.853(長度0.853´2cm=1.706cm)為半徑畫圓,與反射球的交點(diǎn)P即為(200)面的倒易點(diǎn); 聯(lián)結(jié)OP,OP(s)即為(200)的反射方向,ÐPOO*即為衍射角2q。用量角器量s和s0之間的夾角2q=50.6°,因此q=25.3°。兩種方法求得的結(jié)果一致。二、補(bǔ)充習(xí)題1、簡述布拉格公式2dHKLsin=中各參數(shù)的含義,以及該公式有哪
39、些應(yīng)用?答:布拉格公式2dHKLsin=中,dHKL是干涉指數(shù)為(HKL)的晶面的晶面間距;是掠射角(或叫布拉格角,或叫半衍射角),是X射線的入射方向或反射(衍射)方向與(HKL)面之間的夾角;是入射X射線的波長。該公式表達(dá)了晶面間距d、衍射方向q和X射線波長l之間的定量關(guān)系,其基本應(yīng)用有:(1)已知X射線的波長l和掠射角q,可計算晶面間距d,從而分析晶體結(jié)構(gòu);(2)已知晶體結(jié)構(gòu)(晶面間距d)和掠射角q,可測定X射線的波長l,結(jié)合莫塞萊定律,可進(jìn)行化學(xué)成分(元素)分析。2、簡述影響X射線衍射方向的因素。答:影響X射線衍射方向的因素主要有:產(chǎn)生衍射的晶面的晶面間距d(晶胞的形狀和大小或點(diǎn)陣常數(shù))
40、、入射X射線的波長l、樣品化學(xué)成分(樣品對入射X射線的吸收性質(zhì))、實驗條件(儀器、衍射方法、樣品制備方法、樣品安裝方法、狹縫寬度等)等。3、簡述影響X射線衍射強(qiáng)度的因素。答:影響X射線衍射強(qiáng)度的因素主要有:樣品的成分和結(jié)構(gòu)(晶胞中原子的種類和位置、晶粒的大小、結(jié)晶程度、晶格畸變等)、入射X射線的波長l和強(qiáng)度I、產(chǎn)生衍射的晶面的多重性(多重性因子)、衍射時的溫度(溫度因子)、樣品對入射X射線的吸收性質(zhì)(吸收因子)、實驗條件(儀器、衍射方法、樣品制備方法、電壓、電流、靶、濾波、狹縫寬度等)等。4、多重性因子的物理意義是什么?某立方系晶體,其100的多重性因子是多少?如該晶體轉(zhuǎn)變成四方晶系,這個晶面
41、族的多重性因子會發(fā)生什么變化?為什么?答:多重性因子(或叫多重性因數(shù))的物理意義:晶體中晶面間距相等的晶面(組)稱為等同晶面(組)。晶體中各(HKL)面的等同晶面(組)的數(shù)目稱為各自的多重性因子(PHKL)。PHKL值越大,即參與(HKL)衍射的等同晶面數(shù)越多,則對(HKL)衍射強(qiáng)度的貢獻(xiàn)越大。立方系晶體100的多重性因子是6,如果該晶體轉(zhuǎn)變成四方晶系,這個晶面族的多重性因子變?yōu)?,這是因為晶體的對稱性發(fā)生了變化,即:立方系100的單形是立方體,等同晶面是6個,而四方晶系100的單形是四方柱,等同晶面是4個。第六章 X射線衍射方法教材習(xí)題:6-1Cu Ka輻射(l=0.154nm)照射Ag(f
42、cc)樣品,測得第一衍射峰位置2q38°,試求Ag的點(diǎn)陣常數(shù)。解:查教材91頁表6-1,面心立方(fcc)晶體的第一衍射峰的干涉指數(shù)為(111)。由立方晶系晶面間距公式和布拉格方程,可得答:Ag的點(diǎn)陣常數(shù)a=0.409nm。(波長小數(shù)點(diǎn)后只有3位有效數(shù)字,所以小數(shù)點(diǎn)后只保留3位有效數(shù)字)(教材附錄3中Ag的點(diǎn)陣常數(shù)a = 4.0856Å = 0.40856 nm)6-2試總結(jié)德拜法衍射花樣的背底來源,并提出一些防止和減少背底的措施。答:德拜法衍射花樣的背底來源主要有:(1)X射線被樣品吸收,熒光X射線強(qiáng);(2)樣品結(jié)晶不好,非晶質(zhì)樣品則不產(chǎn)生線條;(3)電壓不適當(dāng),特征X射
43、線不強(qiáng);(4)底片過期或損壞;(5)入射X射線的單色性不好(連續(xù)X射線和Kb輻射的干擾)等。防止和減少背底的主要措施:(1)選擇合適的靶材(即選用合適的入射特征X射線),盡量少地激發(fā)樣品產(chǎn)生熒光X射線,以降低衍射花樣背底,使圖像清晰;(2)選擇適當(dāng)電壓和電流,提高入射X射線的強(qiáng)度;(3)選擇合適的狹縫寬度(在保證入射X射線強(qiáng)度的前提下,盡量減小狹縫寬度),提高X射線的單色性;(4)選擇適當(dāng)?shù)臑V光片,盡量減少連續(xù)X射線和Kb輻射的干擾,等等。6-3圖題6-1為某樣品德拜相(示意圖),攝照時未經(jīng)濾波。已知1、2為同一晶面衍射線,3、4為另一晶面衍射線,試對此現(xiàn)象作出解釋。圖題6-1答:由于攝照時未
44、經(jīng)濾波,所以入射X射線是多種波長的混合射線(以Ka和Kb射線為主)。根據(jù)衍射產(chǎn)生的必要條件布位格方程2dsinql,波長(l)不同,將產(chǎn)生不同位置的衍射線對。因以Ka和Kb射線為主,所以德拜相上同一晶面產(chǎn)生2條衍射線對。圖中透射區(qū)衍射線1、背射區(qū)衍射線3是Kb引起的衍射線,透射區(qū)衍射線2、背射區(qū)衍射線3為Ka引起的衍射線。6-4粉末樣品顆粒過大或過小對德拜花樣影響如何?為什么?板狀多晶體樣品晶粒過大或過小對衍射峰形影響又如何?簡答:德拜法(圓柱形樣品):若顆粒過大,有些衍射線不連續(xù)甚至不出現(xiàn);若顆粒過小,衍射線變寬甚至呈彌散狀。衍射儀法(板狀多晶樣品):若顆粒過大,有些衍射峰強(qiáng)度過大、峰高偏離
45、真實值,而有些衍射峰強(qiáng)度變小甚至不出現(xiàn);如果顆粒過小,衍射峰變寬、峰高降低。詳答:粉末法(包括照相法和衍射儀法),在不破壞樣品晶體結(jié)構(gòu)的情況下,要求將樣品磨得非常細(xì),以保證樣品中任何(HKL)晶面的個數(shù)都接近于相同,使不同(HKL)晶面產(chǎn)生衍射的機(jī)會相同,這樣才能對不同(HKL)晶面的強(qiáng)度進(jìn)行比較,但樣品的粒度應(yīng)控制在合適的范圍,一般250350目。德拜照相法中,樣品為圓柱狀。顆粒過大會使德拜花樣中的衍射線(?。┎贿B續(xù),因為顆粒過大時,參與衍射的晶面數(shù)量有限,發(fā)生衍射的概率變小,衍射圓錐不連續(xù),致使形成斷續(xù)的衍射線;顆粒過小會使德拜花樣中的衍射線變寬,因為小晶體衍射干涉函數(shù)的主峰有一個存在范圍
46、,且顆粒越小,存在的范圍越大。衍射儀法中,樣品為平板狀。若為粉末壓制的樣品,如果晶粒為板狀(片狀、層狀),在樣品壓制過程中,晶粒很容易擇優(yōu)取向,顆粒越大,擇優(yōu)取向越嚴(yán)重,從而引起衍射強(qiáng)度偏離真實值,有些晶面的衍射峰強(qiáng)度很大,而有些晶面的衍射峰強(qiáng)度很小甚至消失,所以要盡量磨細(xì)樣品并采用特殊制樣方法(如側(cè)裝法、背裝法、噴霧法、塑合法、壓濾法等)以減小擇優(yōu)取向(但有時,為了特殊研究的需要,如粘土礦物的鑒別,在制樣時有意使晶粒盡可能強(qiáng)烈地?fù)駜?yōu)取向,如制成定向片),但顆粒過小會使衍射峰形變寬。如果過分追求顆粒細(xì)小,在研磨樣品時有可能會破壞樣品的晶體結(jié)構(gòu),甚至使樣品非晶質(zhì)化,這樣可能造成有些衍射峰的位置發(fā)
47、生變化、強(qiáng)度變小甚至消失。若是多晶體的塊狀試樣,如果晶粒足夠細(xì),將得到與粉末試樣相似的結(jié)果;如果晶粒過大,參與反射的晶面數(shù)量有限,會使有些衍射峰強(qiáng)度變小甚至不出現(xiàn);如果晶粒過小,衍射峰變寬、峰高降低。6-5試從入射光束、樣品形狀、成相原理(厄瓦爾德圖解)、衍射線記錄、衍射花樣、樣品吸收與衍射強(qiáng)度(公式)、衍射裝備及應(yīng)用等方面比較衍射儀法與德拜法的異同點(diǎn)。解:衍射儀法與德拜法的異同點(diǎn)對比于下表:項目德拜法多晶衍射儀法入射X射線特征X射線,平行光特征X射線,具有一定的發(fā)散度樣品形狀多晶樣品,一般為圓柱形。樣品用量少。多晶樣品,平板狀。樣品用量多,但現(xiàn)在已發(fā)展了微量樣品衍射技術(shù)。成相原理厄瓦爾德圖解
48、厄瓦爾德圖解+聚焦原理衍射線記錄感光底片測角儀+探測器+記錄儀(計算機(jī))等衍射花樣衍射弧對衍射圖(I-2q曲線)樣品吸收透射法吸收強(qiáng)烈,反射法受吸收影響較小,其吸收與樣品半徑(r)、線吸收系數(shù)(m)和掠射角(q)有關(guān)。吸收因子,與q無關(guān)衍射強(qiáng)度衍射弧線的黑度(公式略),定量性差,只能得到估算值。衍射線的積分強(qiáng)度(記數(shù))(公式5-45,計算時一般采用相對強(qiáng)度),定量性好。衍射裝備德拜相機(jī)多晶衍射儀應(yīng)用區(qū)別樣品為晶質(zhì)體或非晶質(zhì)體、物相定性分析、物相定量分析(誤差較大)、晶體的點(diǎn)陣常數(shù)測定,固溶體研究等。具有德拜法的所有功能,此外還有物相定量分析,點(diǎn)陣常數(shù)的精確測定,結(jié)晶度、晶粒度、晶格畸變測定,晶
49、體定向,宏觀應(yīng)力分析等。第七章 X射線衍射分析的應(yīng)用一、教材習(xí)題7-4A-TiO2(銳鈦礦)與R-TiO2(金紅石)混合物衍射花樣中兩相最強(qiáng)線強(qiáng)度比。試用參比強(qiáng)度法計算兩相各自的質(zhì)量分?jǐn)?shù)。解:設(shè)A-TiO2(銳鈦礦)和R-TiO2(金紅石)對剛玉(a-Al2O3)的K值(即參比強(qiáng)度)分別為和,根據(jù)教材中公式(7-11)可得 (1)設(shè),根據(jù)教材中公式(7-10)可得 (2)因為樣品中只有兩相,所以 (3)聯(lián)立解(1)、(2)和(3)式,可得 (4) (5)假若采用的Cu Ka1輻射(l = 0.15406 nm),查有關(guān)數(shù)據(jù)手冊,A-TiO2用d101=0.351nm衍射線,;R-TiO2用d1
50、10=0.325nm衍射線,又已知,將、和代入公式(4),可得將代入公式(5),可得即,A-TiO2(銳鐵礦)、R-TiO2(金紅石)的質(zhì)量分?jǐn)?shù)分別為54%、46%。備注:參比強(qiáng)度法為任意內(nèi)標(biāo)法的一種,是在K值法的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的。PDF卡片索引中載有部分常見物相對剛玉(a-Al2O3)的K值(卡片上為I/Icor,MDI jade軟件中為RIR),稱為該物相的參比強(qiáng)度。同一物相在不同數(shù)據(jù)手冊上的參比強(qiáng)度值可能不同,在數(shù)據(jù)庫里同一物相編號不同的PDF卡片中的參比強(qiáng)度(I/Icor)值也可能不同,這主要與實驗方法、測試條件和樣品來源有關(guān),所以計算結(jié)果未必準(zhǔn)確。對于本題,同學(xué)們可練習(xí):PDF卡片2
51、1-1276中金紅石(R-TiO2)的I/Icor=3.40,89-4921中銳鈦礦(A-TiO2)的I/Icor=5.04。7-5某淬火后低溫回火的碳鋼樣品,不含碳化物(經(jīng)金相檢驗)。A(奧氏體)中含碳1%,M(馬氏體)中含碳量極低。經(jīng)過衍射測得A220峰積分強(qiáng)度為2.33(任意單位),M211峰積分強(qiáng)度為16.32。試計算該鋼中殘留奧氏體的體積分?jǐn)?shù)(實驗條件:Fe Ka輻射,濾波,室溫20。a-Fe點(diǎn)陣參數(shù)a0.2866nm,奧氏體點(diǎn)陣參數(shù)a0.3571+0.0044wc,wc為碳的質(zhì)量分?jǐn)?shù))。解:假設(shè)該碳鋼樣品中只有M(馬氏體,martensite,體心立方)和A(奧氏體, austen
52、ite,面心立方)兩相,設(shè)它們的體積分?jǐn)?shù)分別為、,有 (1)按物相定量分析的基本依據(jù)(教材第105頁式7-3)有: (2)聯(lián)立解(1)式和(2)式,得: (3)式中為強(qiáng)度因子。如果不考慮碳含量的影響,查標(biāo)準(zhǔn)YB/T 5338-2006鋼中殘余奧氏體定量測定 X射線衍射儀法,強(qiáng)度因子,將其與、一起代入式(3),有:即該鋼中殘留奧氏體的體積百分?jǐn)?shù)18%。強(qiáng)度因子G也可計算:強(qiáng)度因子G是鋼中殘余奧氏體X射線衍射測定方法中的重要參量。為計算G因子,必須知道馬氏體、奧氏體的單胞體積V,角因子(洛倫茲偏振因子)f(q)(或用L·P表示)、德拜-瓦洛溫度因子e-2M、結(jié)構(gòu)因子F和原子散射因子f。這
53、些因素都與馬氏體、奧氏體的成分有關(guān)。若嚴(yán)格計算G因子,必須測算出馬氏體、奧氏體的成分,這通常是難以辦到的。于是許多工作者用鋼中成分代替基體成分計算G因子,影響了G的計算精度,給殘余奧氏體的測定引進(jìn)了不可忽視的誤差。引自某篇論文下面是G因子的計算過程:根據(jù)(教材105頁),有:式中:V0單位晶胞的體積;VM、VA分別為馬氏體和奧氏體單位晶胞的體積;(HKL)面的結(jié)構(gòu)因子;(HKL)面的多重性因子;角因子(即洛倫茲因子,或洛倫茲-偏振因子,或P-L因子,或P·L因子),(教材85頁式5-45)德拜-瓦洛溫度因子,(教材84頁式5-44),h是普朗克常數(shù),ma是原子質(zhì)量,K是波爾茲曼常數(shù),
54、Q是某物質(zhì)的特征溫度,是德拜函數(shù)。已知條件:實驗溫度T=20=293K;鐵的特征溫度(查教材附錄10);馬氏體aM0.2866nm;奧氏體aA0.3571+0.0044wc,wc=1%,可得aA0.3571+0.0044´1%=0.35754(nm);普朗克常數(shù)(查教材附錄2);波爾茲曼常數(shù)(查教材附錄2);鐵的相對原子質(zhì)量(查教材附錄3,嚴(yán)格說來,應(yīng)該用原子質(zhì)量);Fe Ka1輻射的波長l=0.193728nm(查教材附錄4);立方晶系多重性因子,(查教材附錄9);體心立方格子,當(dāng)H+K+L=偶數(shù)時,結(jié)構(gòu)因子,f為原子散射因子;面心立方格子,當(dāng)H、K、L全奇或全偶時,。(1)的計算
55、(2)的計算先計算,再查教材附錄6可得到馬氏體(220)面和奧氏體(211)面Fe原子的散射因子和。根據(jù)立方晶系和布拉格方程,可得由此可知,由,有(3)的計算(4)的計算根據(jù)立方晶系和布拉格方程,可得所以,(5)的計算已知實驗溫度T=20=293K和鐵的特征溫度,有:查教材附錄11,當(dāng)x=1.4時,=0.753,當(dāng)x=1.6時,=0.668,可粗略計算x=1.55時,根據(jù),有因此,(6)的計算(7)fA的計算將、代入式(3),可得:即該鋼中殘留奧氏體的體積百分?jǐn)?shù)是19%。7-6某立方晶系晶體德拜花樣中部分高角度線條數(shù)據(jù)如下表所列。試用“a-cos2q”的圖解外推法求其點(diǎn)陣常數(shù)(準(zhǔn)確到4位有效數(shù)
56、字)。H2+K2+L2sin2q384041420.91140.95630.97610.9980解:設(shè)所用X射線的波長為l(nm)。各線條對應(yīng)的點(diǎn)陣常數(shù)a、cos2q的計算值列于下表:H2+K2+L2sin2qcos2q(=1-sin2q)380.91143.2285l0.0886400.95633.2337l0.0437410.97613.2405l0.0239420.99803.2436l0.0020以cos2q為橫坐標(biāo),以a為縱坐標(biāo)作圖如下:當(dāng)2q=180°,cos2q=0時,與縱坐標(biāo)的截距為3.2437l,即點(diǎn)陣常數(shù)a0=3.2437l。解法二設(shè)所用X射線為Cu靶的Ka1輻射(l=0.15406nm),則各線條對應(yīng)的點(diǎn)陣常數(shù)a、cos2q的計算值列于下表:H2+K2+L2sin2qcos2q(=1-sin2q)380.91140.49740.0886400.95630.49820.0437410.97610.49920.0239420.99800.49970.0020以cos2q為橫坐標(biāo),以a為縱坐標(biāo)作圖如下:當(dāng)2q=180°,cos2q=0時,與縱坐
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