半導(dǎo)體及集成電路領(lǐng)域的撰寫(xiě)及常見(jiàn)問(wèn)題

1、半導(dǎo)體及集成電路領(lǐng)域的撰寫(xiě)及常見(jiàn)問(wèn)題電學(xué)發(fā)明審查部 半導(dǎo)體處沈麗本文簡(jiǎn)介： 申請(qǐng)人和代理人關(guān)心的是申請(qǐng)人和代理人關(guān)心的是如何將一個(gè)技術(shù)方案撰寫(xiě)成一個(gè)形式合格并且保護(hù)范圍適當(dāng)?shù)纳暾?qǐng)文件，而審查員關(guān)心的是審查員關(guān)心的是該申請(qǐng)文件中存在哪些專(zhuān)利法和實(shí)施細(xì)則中不允許的問(wèn)題。本文從審查員的角本文從審查員的角度度介紹審查標(biāo)準(zhǔn)和常見(jiàn)的撰寫(xiě)問(wèn)題，希望從不同的角度有助于申請(qǐng)人和代理人理解審查的原則并避免一些常見(jiàn)問(wèn)題。主要內(nèi)容： .半導(dǎo)體領(lǐng)域介紹 .申請(qǐng)文件的撰寫(xiě)要求及相應(yīng)的常見(jiàn)問(wèn)題 .審查答復(fù)通知書(shū)時(shí)提交文本的常見(jiàn)問(wèn)題 .導(dǎo)致駁回的幾種常見(jiàn)情況及案例分析一、半導(dǎo)體領(lǐng)域介紹 半導(dǎo)體領(lǐng)域廣義的說(shuō)是與半導(dǎo)體材料有關(guān)的

2、領(lǐng)域，涉及半導(dǎo)體材料、半導(dǎo)體材料的制備、半導(dǎo)體器件、半導(dǎo)體器件的制備、半導(dǎo)體器件的應(yīng)用、半導(dǎo)體器件的測(cè)量等等半導(dǎo)體器件的制備包含通過(guò)常見(jiàn)的半導(dǎo)體工藝形成半導(dǎo)體器件的各個(gè)部件以及半導(dǎo)體封裝件，半導(dǎo)體器件的應(yīng)用將具有特定的電學(xué)特性的半導(dǎo)體器件例如IC應(yīng)用在電路、計(jì)算機(jī)、通信、商業(yè)等領(lǐng)域中。典型和常用的半導(dǎo)體材料是硅；硅的制備包括硅單晶的制備、硅晶片的加工；半導(dǎo)體器件從形式分可以分成分立器件和集成器件； 電學(xué)發(fā)明審查部的半導(dǎo)體處僅涉及分立或集成的半導(dǎo)體器件及其制備，不涉及這些器件的應(yīng)用，從分類(lèi)號(hào)的角度來(lái)說(shuō)，僅涉及H01L下的專(zhuān)利申請(qǐng)。因此，下面介紹的內(nèi)容也主要針對(duì)半導(dǎo)體器件及其制備。 H01L領(lǐng)域的

3、特點(diǎn)是涉及到的產(chǎn)品種類(lèi)多產(chǎn)品種類(lèi)多、工藝方法多工藝方法多、功能性限定相對(duì)少功能性限定相對(duì)少。半導(dǎo)體器件的零部件半導(dǎo)體器件的零部件例如有：將引線框架、引線鍵合或焊料凸點(diǎn)、安裝架、安裝容器、散熱裝置、密封層、封裝樹(shù)脂層等。產(chǎn)品種類(lèi)多產(chǎn)品種類(lèi)多：分立器件分立器件例如有：二極管、晶體管、晶閘管、太陽(yáng)能電池、壓電器件、發(fā)光器件等；集成電路集成電路例如有：集成的晶體管、MOS、CMOS、DRAM、SRAM、ROM、EPROM、EEPROM等；工藝方法多工藝方法多：外延生長(zhǎng)、摻雜、擴(kuò)散、離子注入、退火、光刻、濕法蝕刻、干法蝕刻、拋光、引線鍵合、載帶自動(dòng)焊、芯片倒裝焊、外殼封裝、表面貼裝等等。功能性限定相對(duì)少

4、功能性限定相對(duì)少：由于涉及元器件和制造工藝多，因此對(duì)于元器件來(lái)說(shuō)，通常不需要借助功能性限定，用元器件的結(jié)構(gòu)特征及各個(gè)結(jié)構(gòu)特征之間的位置或連接關(guān)系就可以將產(chǎn)品限定清楚，對(duì)于制造工藝，需要用制造步驟、工藝方法、工藝參數(shù)來(lái)限定，而不是功能性描述。二、申請(qǐng)文件的撰寫(xiě)要求及相應(yīng)的常見(jiàn)問(wèn)題 根據(jù)專(zhuān)利法第26條第1款的規(guī)定，申請(qǐng)發(fā)明或者實(shí)用新型專(zhuān)利的，應(yīng)當(dāng)提交請(qǐng)求書(shū)請(qǐng)求書(shū)、說(shuō)明書(shū)說(shuō)明書(shū)及其摘要摘要和權(quán)利要求書(shū)權(quán)利要求書(shū)等文件。專(zhuān)利申請(qǐng)文件的組成（一） 說(shuō)明書(shū)應(yīng)當(dāng)符合專(zhuān)利法第26條第3款、專(zhuān)利法實(shí)施細(xì)則第18條、19條的規(guī)定。 專(zhuān)利法第26條第3款規(guī)定：說(shuō)明書(shū)應(yīng)當(dāng)對(duì)發(fā)明或者實(shí)用新型作出清楚清楚、完整完整的說(shuō)明

5、，以所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)實(shí)現(xiàn)為準(zhǔn)；必要的時(shí)候，應(yīng)當(dāng)有附圖。1）說(shuō)明書(shū)應(yīng)當(dāng)滿足專(zhuān)利法第26條第3款的規(guī)定i）說(shuō)明書(shū)的內(nèi)容應(yīng)當(dāng)清楚清楚，具體應(yīng)滿足下述要求。l主題明確主題明確，前后一致前后一致l用詞準(zhǔn)確用詞準(zhǔn)確，無(wú)歧義無(wú)歧義ii）說(shuō)明書(shū)的內(nèi)容應(yīng)當(dāng)完整完整 一份完整的說(shuō)明書(shū)應(yīng)當(dāng)包含下列各項(xiàng)內(nèi)容：（1）幫助理解發(fā)明或者實(shí)用新型不可缺少的內(nèi)容。（有助于理解發(fā)明）（2）確定發(fā)明或者實(shí)用新型具有新穎性、創(chuàng)造性和實(shí)用性所需的內(nèi)容。（有別于現(xiàn)有技術(shù)）（3）再現(xiàn)發(fā)明或者實(shí)用新型所需的內(nèi)容。（能夠再現(xiàn)） iii）所屬技術(shù)領(lǐng)域能夠?qū)崿F(xiàn)實(shí)現(xiàn) 是指所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員按照說(shuō)明書(shū)記載的內(nèi)容，不需要?jiǎng)?chuàng)造性的勞動(dòng)，

6、就能夠再不需要?jiǎng)?chuàng)造性的勞動(dòng)，就能夠再現(xiàn)現(xiàn)該發(fā)明的技術(shù)方案，解決其技術(shù)問(wèn)題，并且產(chǎn)生預(yù)期的技術(shù)效果。提示：如果申請(qǐng)人視為“技術(shù)秘密技術(shù)秘密”（know-how）的內(nèi)容是是該技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員實(shí)施或再現(xiàn)實(shí)施或再現(xiàn)本發(fā)明或?qū)嵱眯滦退夭豢缮俚谋夭豢缮俚?，就不可作為技術(shù)秘密保留起來(lái)，應(yīng)當(dāng)記載在說(shuō)明書(shū)中應(yīng)當(dāng)記載在說(shuō)明書(shū)中；否則否則，由于“說(shuō)明書(shū)的修改不得超出原說(shuō)明書(shū)和權(quán)利要求的記載范圍”，那些被申請(qǐng)人當(dāng)作技術(shù)秘密保留起來(lái)的必不可少的技術(shù)內(nèi)容在修改時(shí)就不能補(bǔ)充到就不能補(bǔ)充到說(shuō)明書(shū)中去說(shuō)明書(shū)中去，從而可能導(dǎo)致最后駁回申請(qǐng)。 以下各種情況由于缺乏解決技術(shù)問(wèn)題的技術(shù)手段而被認(rèn)為無(wú)法實(shí)現(xiàn)： 1）說(shuō)明書(shū)中僅給出了任

7、務(wù)和僅給出了任務(wù)和/或設(shè)想或設(shè)想，或者或者只表明一種愿望和只表明一種愿望和/或結(jié)果或結(jié)果，而未給出任何使所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員能夠?qū)嵤┑募夹g(shù)手段； 2）說(shuō)明書(shū)中給出了解決手段，但對(duì)所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，該手段是含糊不清的手段是含糊不清的，根據(jù)說(shuō)明書(shū)記載的內(nèi)容無(wú)法具體實(shí)施； 3）說(shuō)明書(shū)中僅給出了解決手段，但所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員采用該手段并不能解決所述技術(shù)問(wèn)該手段并不能解決所述技術(shù)問(wèn)題題； 4）申請(qǐng)的主題為由多個(gè)技術(shù)措施構(gòu)成的技術(shù)方案，對(duì)于其中一個(gè)技術(shù)措施其中一個(gè)技術(shù)措施，所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員按照說(shuō)明書(shū)記載的內(nèi)容并不能實(shí)現(xiàn)不能實(shí)現(xiàn)； 5）說(shuō)明書(shū)中給出了具體的技術(shù)方案，但未提未提供實(shí)驗(yàn)證據(jù)

8、供實(shí)驗(yàn)證據(jù)，而該方案又必須依賴(lài)實(shí)驗(yàn)結(jié)果加以證實(shí)才能成立。舉例舉例1：發(fā)明名稱(chēng)發(fā)明名稱(chēng)：半導(dǎo)體器件三維接觸的形成背景技術(shù)背景技術(shù)：現(xiàn)有技術(shù)中大多采用等離子體蝕刻等離子體蝕刻技術(shù)進(jìn)行三維蝕刻，但需要價(jià)格昂貴的設(shè)備價(jià)格昂貴的設(shè)備，并且等離子體蝕刻中還有晶格損傷問(wèn)題還有晶格損傷問(wèn)題，盡管可以通過(guò)熱處理消除大部分的晶格缺陷，但是必要的熱處理過(guò)程會(huì)導(dǎo)致制造成本上升熱處理過(guò)程會(huì)導(dǎo)致制造成本上升。發(fā)明內(nèi)容發(fā)明內(nèi)容：用特殊的化學(xué)藥品特殊的化學(xué)藥品進(jìn)行各向異性腐蝕形成半導(dǎo)體器件的電極接觸，增加電極接觸面積，使工作時(shí)通過(guò)表面的電流密度下降，從而使器件內(nèi)部的壓降降低。 采用化學(xué)藥品進(jìn)行腐蝕，晶格損傷為零晶格損傷為零，

9、可以大量成批處理大量成批處理。只要控制化學(xué)藥品的組成控制化學(xué)藥品的組成、腐蝕溫度和時(shí)間，就能得到一定深度的槽狀結(jié)構(gòu)。實(shí)施例實(shí)施例： 結(jié)晶方向?yàn)閱尉О?，按一定的厚度切割成片，表面鏡面拋光。然后在表面涂布光刻膠，利用通常的方法進(jìn)行曝光、顯影形成線寬為10micron，間隔為3micron連續(xù)圖形。如圖1所示，光刻膠（A）幅寬為10micron，間隔（B）為3micron。將此硅片放入溫度為40的堿性化學(xué)藥品中。附圖1：舉例舉例2：發(fā)明名稱(chēng)發(fā)明名稱(chēng)：納米孔道中的晶體管及其集成電路技術(shù)方案技術(shù)方案：利用分子篩材料的納米孔道特點(diǎn)，在納米在納米孔道中裝入孔道中裝入P型和N型半導(dǎo)體材料，并且在P型和N型半導(dǎo)

10、體的結(jié)合處形成P-N結(jié)。分別在孔道的兩端在孔道的兩端P型和N型半導(dǎo)體上蒸鍍金屬電極蒸鍍金屬電極，作為外部引線的基礎(chǔ)。這樣便在納米孔道中構(gòu)成了一種二極管。以此為出發(fā)點(diǎn)，利用分子篩中的納米孔道可控制生長(zhǎng)特性，可以構(gòu)造晶體管和集成電路構(gòu)造晶體管和集成電路。附圖：分析：申請(qǐng)人在實(shí)施例中指出“在孔道內(nèi)的兩側(cè)分別裝入P型和N型半導(dǎo)體材料”、“在三個(gè)不同方向的微孔內(nèi)分別裝入P型或N型半導(dǎo)體”、“通過(guò)分子組裝化學(xué)方法，將P型半導(dǎo)體材料18、22和N型半導(dǎo)體材料分別裝入圖2的納米孔道中”。然而眾所周知，制造均勻、具有20nm的孔徑、20nm厚度的管壁的納米管是非常困難的，依據(jù)現(xiàn)有的技術(shù)條件，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員難

11、以理解：如何利用分子組裝化學(xué)方法將P型半導(dǎo)體材料或N型半導(dǎo)體材料分別裝入納米孔道中，如何制造該申請(qǐng)中所述的“T型孔道和Y型孔道”，形成三維尺寸都不超過(guò)20納米的晶體管及其集成電路。也就是說(shuō)明中僅給出了解決手段，但僅給出了解決手段，但對(duì)所對(duì)所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，該手段是含糊不屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，該手段是含糊不清的清的，根據(jù)說(shuō)明書(shū)記載的內(nèi)容無(wú)法具體實(shí)施，不符合專(zhuān)利法第26條第3款的規(guī)定。2）說(shuō)明書(shū)的撰寫(xiě)順序應(yīng)當(dāng)符合實(shí)施細(xì)則第18條的規(guī)定，具體為： （1）發(fā)明名稱(chēng)i）應(yīng)與請(qǐng)求書(shū)中的名稱(chēng)一致，一般不超過(guò)25個(gè)字；舉例舉例：a）“穩(wěn)定絕緣體基半導(dǎo)體器件的制造方法及絕緣體基半導(dǎo)體器件”； b）

12、“非紡玻璃纖維部件的表面?zhèn)雀采w材料的太陽(yáng)能電池組件” ii）采用所屬技術(shù)領(lǐng)域通用的技術(shù)術(shù)語(yǔ)，最好采用國(guó)際專(zhuān)利分類(lèi)表中的技術(shù)術(shù)語(yǔ)，不得采用非技術(shù)術(shù)語(yǔ)；舉例舉例：“形成半導(dǎo)體器件金屬互連的方法” H01L 21/768 “形成動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的方法” H01L21/8242 “線架及其制造方法” “二極體及其制造方法” iii）清楚簡(jiǎn)明清楚簡(jiǎn)明地反映要求保護(hù)的發(fā)明或者實(shí)用新型技術(shù)方案的主題和類(lèi)型主題和類(lèi)型（產(chǎn)品或方法）；舉例舉例：“半導(dǎo)體封裝裝置及成形物質(zhì)引起的寄生電容的計(jì)算方法計(jì)算方法” “熱電半導(dǎo)體材料或元器件材料或元器件及其制造方法與裝置” iv）應(yīng)該全面地反映全面地反映一件申請(qǐng)中包含的各

13、各種發(fā)明類(lèi)型種發(fā)明類(lèi)型；舉例舉例：“半導(dǎo)體器件的互連線及其制造方法” “一種散熱片及形成方法和組合件” “引線框架和半導(dǎo)體器件”（申請(qǐng)文件） “引線框架及其制造方法，和使用此引線框架的半導(dǎo)體器件”（授權(quán)） v）不得使用人名、地名、商標(biāo)、型號(hào)或者商品名稱(chēng)，也不得使用商業(yè)性宣傳用語(yǔ)。舉例舉例：“一種高效替換備用存儲(chǔ)單元陣列的半 導(dǎo)體器件” “一種新穎整流元件的結(jié)構(gòu)及其制法”（2）技術(shù)領(lǐng)域 發(fā)明或者實(shí)用新型的技術(shù)領(lǐng)域應(yīng)當(dāng)是保護(hù)的發(fā)明或者實(shí)用新型技術(shù)方案所屬或者直接應(yīng)用的具體技術(shù)領(lǐng)域，而不是上位發(fā)明或者實(shí)用新型本身。舉例舉例：發(fā)明名稱(chēng)發(fā)明名稱(chēng)：半導(dǎo)體器件及其制造方法技術(shù)領(lǐng)域技術(shù)領(lǐng)域：“本發(fā)明涉及半導(dǎo)體

14、器件及其制造方法”點(diǎn)評(píng)點(diǎn)評(píng)：由于半導(dǎo)體器件種類(lèi)很多并且零部件也很多，因此寫(xiě)成了廣義的技術(shù)領(lǐng)域，過(guò)于籠統(tǒng)，簡(jiǎn)單地照抄發(fā)明名稱(chēng)。發(fā)明名稱(chēng)發(fā)明名稱(chēng)：“形成半導(dǎo)體器件的場(chǎng)區(qū)的方法”技術(shù)領(lǐng)域技術(shù)領(lǐng)域：本發(fā)明涉及一種形成半導(dǎo)體器件的場(chǎng)區(qū)方法，特別涉及一種利用適用于一千兆DRAM規(guī)?；蚋笠?guī)模的半導(dǎo)體器件的STI（淺槽隔離）結(jié)構(gòu)形成場(chǎng)區(qū)的方法。改進(jìn)之處改進(jìn)之處：在形成槽之前先進(jìn)行離子注入。技術(shù)領(lǐng)域技術(shù)領(lǐng)域：本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件的形成方法（上位的技術(shù)領(lǐng)域），特別涉及先進(jìn)行離子注入再形成STI（淺槽隔離）的半導(dǎo)體器件的場(chǎng)區(qū)的形成方法（發(fā)明本身）。（3）背景技術(shù) 發(fā)明或者實(shí)用新型說(shuō)明書(shū)的背景技術(shù)部分應(yīng)當(dāng)寫(xiě)明對(duì)

15、發(fā)明或者實(shí)用新型的理解、檢索、審查有用的背景技術(shù)，并且引證反映這些背景技術(shù)的文件。 在說(shuō)明書(shū)涉及背景技術(shù)的部分中，還要客觀地指出背景技術(shù)中存在的問(wèn)題和缺點(diǎn)。但是，僅限于涉及由發(fā)明或者實(shí)用新型的技術(shù)方案所解決的問(wèn)題和缺點(diǎn)。在可能的情況下，說(shuō)明存在這種問(wèn)題和缺點(diǎn)的原因以及解決這些問(wèn)題時(shí)曾經(jīng)遇到的困難。一些申請(qǐng)文件中的缺陷： （i）對(duì)背景技術(shù)的描述過(guò)于簡(jiǎn)單，只是籠統(tǒng)地一提而過(guò)，沒(méi)有引證文件； （ii）有的即使引用了相關(guān)文件，也與發(fā)明主題相距甚遠(yuǎn)，有意或無(wú)意地掩蓋了最相關(guān)的背景技術(shù)； （iii）有的故意把背景技術(shù)說(shuō)得一無(wú)是處，以此襯托發(fā)明的所謂“突出”或“顯著”； （iv）有的對(duì)于不重要的背景技術(shù)描述

16、很多，對(duì)真正相關(guān)的背景技術(shù)卻避而不談。舉例舉例：附圖：圖面介紹圖面介紹： 圖1是常規(guī)底部引線半導(dǎo)體封裝的縱剖圖，如該圖所示，常規(guī)底部引線半導(dǎo)體封裝包括：半導(dǎo)體芯片1；和由多根連接基片的引線2a組成的引線2，引線2a的上表面安裝半導(dǎo)體芯片1，底表面與基片連接（未示出）。多個(gè)連接芯片的引線2b從連接基片的引線2a延伸，以便與半導(dǎo)體芯片1引線接合。 粘結(jié)劑3把半導(dǎo)體芯片1粘結(jié)在引線2的連接基片的引線2a的上表面上。多根連線5電連接半導(dǎo)體芯片1的芯片焊盤(pán)/接合焊盤(pán)（未示出）和引線2的連接芯片的引線2a。模制樹(shù)脂4模制包括已導(dǎo)線連接的半導(dǎo)體芯片1和引線2的兩種引線2a及2b的預(yù)定區(qū)域，以使引線框架的連接

17、基片的引線2a的底表面暴露于封裝管座的底表面，引線2的基片連接的引線2a從連接芯片的引線2b向下延伸預(yù)定深度。 美國(guó)專(zhuān)利5428248中詳細(xì)說(shuō)明了這種有上述結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體封裝，該專(zhuān)利已轉(zhuǎn)讓給本發(fā)明的受讓者，在此可對(duì)它所公開(kāi)的內(nèi)容作了引證。然而，在上述常規(guī)半導(dǎo)體封裝中，當(dāng)芯片焊盤(pán)位于半導(dǎo)體封裝的側(cè)邊時(shí)，可以進(jìn)行引線接合，但當(dāng)芯片焊盤(pán)位于其中心時(shí)，無(wú)法進(jìn)行引線接合。（4）發(fā)明或者實(shí)用新型的內(nèi)容要解決的技術(shù)問(wèn)題 是指發(fā)明或者實(shí)用新型要解決的現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問(wèn)題。發(fā)明或者實(shí)用新型公開(kāi)的技術(shù)方案應(yīng)當(dāng)能夠解決這些技術(shù)問(wèn)題。撰寫(xiě)要求： 針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中存在的缺陷或不足； 用正面、盡可能簡(jiǎn)潔的語(yǔ)言客觀而有根據(jù)

18、地反映發(fā)明或者實(shí)用新型要解決的技術(shù)問(wèn)題，也可以進(jìn)一步說(shuō)明其技術(shù)效果。舉例舉例： I.由于與基板等進(jìn)行電連的外部引線收a被配置為比芯片焊盤(pán)3的位置往下，故半導(dǎo)體器件難于薄型化。 II.由于芯片焊盤(pán)3設(shè)于IC封裝主體（鑄模樹(shù)脂5a）內(nèi)部，故散熱性差。 III.由于與基板等進(jìn)行外部接觸的外部引線4a僅僅配置在半導(dǎo)體器件的下邊的一個(gè)方向，故半導(dǎo)體器件的多層化是困難的。本發(fā)明就是為了解決這些問(wèn)題而創(chuàng)造出來(lái)的，目的是提供一種可實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體器件的薄型化，可改善散熱性，可實(shí)現(xiàn)多層化的半導(dǎo)體器件及其制造方法。技術(shù)方案技術(shù)方案： 說(shuō)明書(shū)中公開(kāi)的技術(shù)方案是一件發(fā)明專(zhuān)利申請(qǐng)的核心，技術(shù)方案是申請(qǐng)人對(duì)要解決的技術(shù)問(wèn)題采取

19、的技術(shù)措施的集合。 技術(shù)措施通常是由技術(shù)特征來(lái)體現(xiàn)的。發(fā)明為解決其技術(shù)問(wèn)題所不可缺少的技術(shù)特征稱(chēng)為必要的技術(shù)特征，其總和足以構(gòu)成發(fā)明的技術(shù)方案，達(dá)到其目的和效果。與發(fā)明的目的有關(guān)的、用于進(jìn)一步完善或展開(kāi)技術(shù)方案的技術(shù)特征稱(chēng)為附加的技術(shù)特征。如果一件申請(qǐng)中有幾項(xiàng)發(fā)明，應(yīng)當(dāng)用獨(dú)立的自然段說(shuō)明每項(xiàng)發(fā)明的技術(shù)方案。（5）有益效果 有益效果是指由構(gòu)成發(fā)明的特征直接帶來(lái)的，或者是由所述的技術(shù)特征必然產(chǎn)生的技術(shù)效果。 通常，有益效果可以由產(chǎn)率、質(zhì)量、精度和效率的提高，能耗、原材料、工序的節(jié)省，加工、操作、控制、使用的簡(jiǎn)便，環(huán)境污染的治理或者根治，以及有用性能的增加等方面反映出來(lái)。常見(jiàn)缺陷： i）有的說(shuō)明書(shū)提

20、出的發(fā)明目的過(guò)于籠統(tǒng)。 例如，本發(fā)明的發(fā)明目的是提供一種半導(dǎo)體器件及其制造方法。 本發(fā)明的發(fā)明目的是提高器件的可靠性。 ii）有的說(shuō)明書(shū)只講背景技術(shù)的缺點(diǎn)和本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)，而不明確提出本發(fā)明和所要解決的問(wèn)題，也就是沒(méi)有發(fā)明目的部分。 iii）夸大技術(shù)效果。（6）附圖及附圖說(shuō)明 說(shuō)明書(shū)有附圖的，應(yīng)當(dāng)寫(xiě)明各幅附圖的圖名，并且對(duì)圖示的內(nèi)容做簡(jiǎn)要說(shuō)明。附圖不止一幅的，應(yīng)當(dāng)對(duì)所有附圖做出圖面說(shuō)明。例如：i）附圖說(shuō)明中的內(nèi)容在相應(yīng)的圖中沒(méi)有； 舉例：圖9是沿圖8的B-B線的斷面； 圖11是沿圖10的C-C線的斷面； 圖13是沿圖12的D-D線的斷面； 然而，在相應(yīng)的圖8、10以及12中沒(méi)有出現(xiàn)B-B、C-C

21、以及D-D。 ii）缺少部分附圖的介紹；例如有5個(gè)附圖，但只介紹了其中4個(gè)。（7）具體實(shí)施方式 提示：該部分是說(shuō)明書(shū)的重要組成部分，它對(duì)于充分公開(kāi)充分公開(kāi)、理解理解和再現(xiàn)再現(xiàn)發(fā)明或者實(shí)用新型，支持支持和解釋權(quán)利要求解釋權(quán)利要求都是十分重要的。l在描述具體實(shí)施方式時(shí)，并不要求對(duì)已知技術(shù)特征作詳細(xì)展開(kāi)說(shuō)明，但必須詳細(xì)說(shuō)明區(qū)必須詳細(xì)說(shuō)明區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù)的必要?jiǎng)e于現(xiàn)有技術(shù)的必要技術(shù)特征和各附加附加技術(shù)特征以及各技術(shù)特征之間的關(guān)系之間的關(guān)系及其功能功能和作用作用；l具體實(shí)施方式中至少應(yīng)包括一個(gè)獨(dú)立權(quán)利至少應(yīng)包括一個(gè)獨(dú)立權(quán)利要求的全部必要技術(shù)特征要求的全部必要技術(shù)特征，具體實(shí)施方式實(shí)施方式中的技術(shù)特征與技術(shù)

22、方案技術(shù)方案以及獨(dú)立權(quán)利要求獨(dú)立權(quán)利要求中的特征沒(méi)有矛盾沒(méi)有矛盾。舉例舉例： 技術(shù)方案對(duì)Cx中的x限定為x400，而實(shí)施例1中的x = 400，前后矛盾。 在半導(dǎo)體領(lǐng)域中，如果改進(jìn)之處在于產(chǎn)品產(chǎn)品或材料材料，那么應(yīng)借助附圖將產(chǎn)品的結(jié)構(gòu)結(jié)構(gòu)及組成組成或者將材料的組成材料的組成、性能性能或制備工藝條件制備工藝條件描述得清楚完整，如果改進(jìn)之處在于方法步驟方法步驟，那么實(shí)施例部分應(yīng)當(dāng)借助附圖清楚地描述出工藝的步驟順序步驟順序、工藝方法工藝方法、工藝參數(shù)工藝參數(shù)以及各步驟各步驟得到的相應(yīng)結(jié)構(gòu)得到的相應(yīng)結(jié)構(gòu)。l 當(dāng)權(quán)利要求（尤其是獨(dú)立權(quán)利要求）覆蓋的保護(hù)范圍較寬，其概括的特征不能從一個(gè)實(shí)不能從一個(gè)實(shí)施例中

23、找到依據(jù)施例中找到依據(jù)時(shí)，應(yīng)當(dāng)給出一個(gè)以上的不同應(yīng)當(dāng)給出一個(gè)以上的不同實(shí)施例實(shí)施例，以支持所要求保護(hù)的范圍。舉例舉例： i）僅給出了“碳化硅”作為基底的實(shí)施例，但獨(dú)立權(quán)利要求中要求“半絕緣基底”； ii）實(shí)施例中為“絕緣材料膜”，而獨(dú)立權(quán)利要求1要求保護(hù)“薄膜層”。l 當(dāng)權(quán)利要求涉及較寬的數(shù)值范圍時(shí)，應(yīng)給出兩端值兩端值附近的實(shí)施例和至少一個(gè)中間值至少一個(gè)中間值的實(shí)施例。舉例舉例： i）實(shí)施例1中的“充填氣體中氬氣含量為30%”，實(shí)施例2中的“充填氣體中氬氣含量為70%”，實(shí)施例3中的“充填氣體中氬氣含量為90%”，獨(dú)立權(quán)利要求1中填充的氬氣含量為30-90%； ii）實(shí)施例中為“MnO2”但獨(dú)

24、立權(quán)利要求1中要求保護(hù)“MxOy（x =1-3、y = 2-4）”。l 對(duì)照附圖描述發(fā)明的具體實(shí)施方式時(shí)，使用的附圖標(biāo)記或符號(hào)應(yīng)當(dāng)與附圖中所示的一致應(yīng)當(dāng)與附圖中所示的一致，并放在相應(yīng)的技術(shù)名稱(chēng)后面，不加括號(hào)。舉例舉例： i）同一附圖標(biāo)記同一附圖標(biāo)記表示不同的技術(shù)特征不同的技術(shù)特征；例如芯片5；內(nèi)引線5； ii）同一技術(shù)術(shù)語(yǔ)同一技術(shù)術(shù)語(yǔ)前后采用了不同的附圖不同的附圖標(biāo)記標(biāo)記；例如芯片5；芯片8； iii）附圖中顯示的內(nèi)容與顯示的內(nèi)容與附圖說(shuō)明中的內(nèi)說(shuō)明中的內(nèi)容不符容不符；例如：說(shuō)明書(shū)第3頁(yè)對(duì)圖1的說(shuō)明中記載了：絕緣體上有硅基底100包括埋入式氧化層102和硅材層110，然而從圖1中可以看出，埋入

25、式氧化層102和硅材層110位于絕緣體上有硅基底100之上，氧化層102和硅材層110與硅基底100并非包含關(guān)系。附圖：（8）不符合專(zhuān)利法實(shí)施細(xì)則第18條第3款的撰寫(xiě)缺陷： a）同一技術(shù)術(shù)語(yǔ)前后不一致同一技術(shù)術(shù)語(yǔ)前后不一致；例如：“馬達(dá)16”；“驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)16”；“承載臺(tái)28”；“承載28”；“閘刀33”；“間刀33”；“刀刃33”；“第一和第二導(dǎo)熱層17和19”，“金屬層17和19”，“保護(hù)劑材料61”，“保護(hù)材料61”，“包封材料63”，“包封劑材料63”，“接線夾27”，“電連接夾”。 b）采用了不規(guī)范的技術(shù)術(shù)語(yǔ)采用了不規(guī)范的技術(shù)術(shù)語(yǔ)；例如電漿、非等向性、打線、閘極、片子、汲極區(qū)、信道、通

26、道、矽、磊晶、晶圓、布植、植入、制程、光罩、罩幕、遮罩、微影、二極體、燒錄、黃光暨蝕刻制作工藝、連接墊、主動(dòng)區(qū)域、金氧半、側(cè)壁子、側(cè)子、熱載子、電子洞對(duì)、載子移動(dòng)率、淡摻雜、井區(qū)、基材、崩潰電壓等等； c）沒(méi)有采用國(guó)家法定的計(jì)量單位沒(méi)有采用國(guó)家法定的計(jì)量單位；例如：達(dá)因、密耳、乇、英寸、鎊等。（9）說(shuō)明書(shū)附圖要符合專(zhuān)利法實(shí)施細(xì)則第19條的規(guī)定。常見(jiàn)問(wèn)題常見(jiàn)問(wèn)題： i）說(shuō)明書(shū)中出現(xiàn)的附圖標(biāo)記在附圖中沒(méi)有出現(xiàn)；附圖中出現(xiàn)的附圖標(biāo)記在說(shuō)明書(shū)中沒(méi)有介紹； ii）附圖中有英文單詞； iii）提交的附圖數(shù)量不夠或數(shù)量夠內(nèi)容不夠； 例如：提交了兩份圖2，但是沒(méi)有圖4。（10）說(shuō)明書(shū)摘要及摘要附圖的缺陷： a

27、）缺少技術(shù)內(nèi)容，例如只宣傳產(chǎn)品的性能； b）包括過(guò)多的廣告性宣傳用語(yǔ)； c）字?jǐn)?shù)超過(guò)300字； d）沒(méi)有提交摘要附圖。（二）權(quán)利要求書(shū)的撰寫(xiě) 要符合專(zhuān)利法第26條第4款、專(zhuān)利法實(shí)施細(xì)則第20條-23條的規(guī)定。1. 權(quán)利要求的種類(lèi) 按照權(quán)利要求的內(nèi)容劃分 （1）產(chǎn)品權(quán)利要求，即物的權(quán)利要求；例如：引線框架及使用該引線框架的半導(dǎo)體封裝；動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器；鐵電半導(dǎo)體存儲(chǔ)器；氮化鎵藍(lán)光發(fā)光二極管；彈簧夾及散熱片組件；靜電放電保護(hù)電路；帶有透明窗口的半導(dǎo)體封裝。 （2）方法權(quán)利要求，即活動(dòng)的權(quán)利要求；例如：形成半導(dǎo)體器件通孔的方法；在半導(dǎo)體器件內(nèi)制造互連線的方法；半導(dǎo)體芯片的清洗方法；半導(dǎo)體芯片的貼裝

28、方法。 2. 按權(quán)利要求的形式劃分（1）獨(dú)立權(quán)利要求；保護(hù)范圍最大。獨(dú)立權(quán)利要求1應(yīng)當(dāng)滿足實(shí)施細(xì)則第21條第2款的規(guī)定，應(yīng)當(dāng)整體上反映發(fā)明或者實(shí)用新型的技術(shù)方案，記載解決技術(shù)問(wèn)題的必要技術(shù)特征。 必要技術(shù)特征必要技術(shù)特征是指，發(fā)明或者實(shí)用新型為解決其技術(shù)問(wèn)題解決其技術(shù)問(wèn)題所必不可缺少的技術(shù)特征，其總和足以構(gòu)成發(fā)明或者實(shí)用新型的技術(shù)方案，使之區(qū)別于背景技術(shù)區(qū)別于背景技術(shù)中所述的其他技術(shù)方案。 要解決的技術(shù)問(wèn)題：消除半導(dǎo)體薄膜中存在的大量晶界，從而消除因晶界而產(chǎn)生的能級(jí)勢(shì)壘對(duì)相鄰晶粒之間的電子移動(dòng)的妨礙作用。解決此技術(shù)問(wèn)題的關(guān)鍵就是形成基本上無(wú)晶界的單疇區(qū)。但獨(dú)立權(quán)利要求1中卻缺少特征：所述單疇區(qū)

29、基本上不包括晶界”。 （2）從屬權(quán)利要求：如果一項(xiàng)權(quán)利要求包含了另一項(xiàng)同類(lèi)權(quán)利要求中的所有技術(shù)特征，且對(duì)該另一項(xiàng)權(quán)利要求的技術(shù)方案作了進(jìn)一步的限制，則該權(quán)利要求為從屬權(quán)利要求。（專(zhuān)利法實(shí)施細(xì)則第21條第3款）舉例舉例： a）獨(dú)立權(quán)利要求1、9、10、11、12和13分別是對(duì)獨(dú)立權(quán)利要求1中底座厚度和焊料厚度關(guān)系的具體限定，因此申請(qǐng)人應(yīng)將權(quán)利要求9-13修改為獨(dú)立權(quán)利要求1的從屬權(quán)利要求。 b）獨(dú)立權(quán)利要求2與獨(dú)立權(quán)利要求1相比僅增加了“與第二互連相鄰的第二焊接區(qū)”，而權(quán)利要求6與獨(dú)立權(quán)利要求1相比僅增加了位于半導(dǎo)體器件相對(duì)側(cè)上的第一和第二刻劃線以及鈍化層還覆蓋導(dǎo)電區(qū)的第三和第四部分，因此申請(qǐng)人

30、應(yīng)將權(quán)利要求2和6修改為獨(dú)立權(quán)利要求1的從屬權(quán)利要求。3 . 權(quán)利要求書(shū)應(yīng)當(dāng)滿足的實(shí)質(zhì)性要求 1）權(quán)利要求書(shū)應(yīng)當(dāng)以說(shuō)明書(shū)為依據(jù)，是指權(quán)利要求應(yīng)當(dāng)?shù)玫秸f(shuō)明書(shū)的支持。說(shuō)明書(shū)不僅應(yīng)當(dāng)在表述形式上表述形式上得到說(shuō)明書(shū)的支持，而且應(yīng)當(dāng)在實(shí)質(zhì)上實(shí)質(zhì)上得到說(shuō)明書(shū)的支持。也就是說(shuō)，權(quán)利要求書(shū)中的每一項(xiàng)權(quán)利要求所要求保護(hù)的技術(shù)方案應(yīng)當(dāng)?shù)乃鶎偌夹g(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員能夠從說(shuō)明書(shū)公開(kāi)的內(nèi)容直接得直接得到或者概括得出到或者概括得出的技術(shù)方案，并且權(quán)利要求的范圍不得超出說(shuō)明書(shū)記載的內(nèi)容。 （1）如果說(shuō)明書(shū)實(shí)施例中實(shí)施例中的技術(shù)特征是是下位概念下位概念，而發(fā)明或?qū)嵱眯滦偷募夹g(shù)方案技術(shù)方案是利利用用該下位概念的個(gè)性個(gè)性，則不允許

31、不允許權(quán)利要求將此技術(shù)特征概括成概括成此下位概念的上位概念上位概念。反之，若發(fā)明或?qū)嵱眯滦偷募夹g(shù)方案是利用了利用了此上位概念技術(shù)特征的所有下位概念的共性所有下位概念的共性，則允許允許權(quán)利要求書(shū)將此技術(shù)概念概括成上位概念概括成上位概念；例如：僅給出了“碳化硅”作為基底的實(shí)施例，但獨(dú)立權(quán)利要求中要求“半絕緣基底”；將“非晶硅”修改為“含硅的半導(dǎo)體膜”。 （2）說(shuō)明書(shū)中的實(shí)施例或具體實(shí)施方式越多，那么可以允許權(quán)利要求書(shū)的概括程度越大；但是也可以只有一種具體實(shí)施方式，只要這種概括對(duì)該技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員是顯而易見(jiàn)的；舉例舉例： 實(shí)施例中指出使用鎳作為催化劑元素可以得到最顯著的效果，其它可利用的催化劑的種

32、類(lèi)，理想的有Pd、Pt、Cu、Ag、Au、In、Sn、P、As、Sb，使用Fe（鐵）作為催化劑元素時(shí)，鐵的化合物可以使用溴化亞鐵、溴化鐵；用Co（鈷）作為催化劑元素時(shí)，鈷的化合物可以使用下列的鈷鹽；用Ru（釕）作為催化劑元素時(shí)，其化合物可以使用例如；用Rh（銠）作為催化劑元素時(shí)，其化合物可以使用例如；用Pd（鈀）作為催化劑元素時(shí)，其化合物可以使用例如；由此可見(jiàn)，獨(dú)立權(quán)利要求中的特征“含促進(jìn)結(jié)晶化的催化劑元素的化合物”的概括是允許的。 a）每一項(xiàng)權(quán)利要求每一項(xiàng)權(quán)利要求所要求保護(hù)的技術(shù)方案在說(shuō)明書(shū)中都應(yīng)清楚地記載都應(yīng)清楚地記載。舉例舉例： i）權(quán)利要求書(shū)中的特征“氮化鈦熱退火的時(shí)間30 60分鐘”

33、的特征在說(shuō)明書(shū)中沒(méi)有記載； ii）權(quán)利要求書(shū)中記載的特征“氮化鈦在300 450下熱分解”，與說(shuō)明書(shū)中“氮化鈦在300 500下熱分解”不一致； iii）特征反應(yīng)室內(nèi)電極溫度“從約-60C到25C”與說(shuō)明書(shū)中記載的反應(yīng)室內(nèi)電極溫度保持在“-60C到0C”不一致。 iv）特征“位于第二介質(zhì)層上的第二列鍵合銷(xiāo)”與說(shuō)明書(shū)中記載的“第二列鍵合銷(xiāo)48放置在第三介質(zhì)層20的頂面”不一致。 b）為了獲得盡可能寬的保護(hù)范圍，權(quán)利要求，尤其是獨(dú)立權(quán)利要求一般都要對(duì)說(shuō)明書(shū)中記載的一個(gè)或多個(gè)具體技術(shù)方案進(jìn)行概括，權(quán)利要求的概括應(yīng)當(dāng)適當(dāng)，使其保護(hù)范圍正好保護(hù)范圍正好適應(yīng)說(shuō)明書(shū)所公開(kāi)的內(nèi)容適應(yīng)說(shuō)明書(shū)所公開(kāi)的內(nèi)容。舉例舉

34、例： i）獨(dú)立權(quán)利要求1中填充的氬氣含量為30-90%，實(shí)施例1中的“充填氣體中氬氣含量為30%”，實(shí)施例2中的“充填氣體中氬氣含量為70%”，實(shí)施例3中的“充填氣體中氬氣含量為90%”。 ii）特征“芯片載體電極的間距為芯片焊盤(pán)的間距的整數(shù)倍整數(shù)倍”，而說(shuō)明書(shū)中記載的是芯片載體電極的間距為芯片焊盤(pán)的間距的2倍或更大倍或更大。 分析分析：整數(shù)倍包括1及大于1的整數(shù)倍兩種情況，不能由2倍或更大概括出。iii）權(quán)利要求中的特征“導(dǎo)電組件”包含了很寬的范圍，僅在半導(dǎo)體器件領(lǐng)域就包括導(dǎo)體、布線、焊盤(pán)、突點(diǎn)、引線、焊料球等，而本申請(qǐng)說(shuō)明書(shū)中僅給出了“焊盤(pán)及其上導(dǎo)電突點(diǎn)”的實(shí)施例。 c）權(quán)利要求中應(yīng)當(dāng)用技

35、術(shù)特征來(lái)表達(dá)完整的技術(shù)方案，所采用的技術(shù)特征應(yīng)當(dāng)是有技術(shù)含義的具體特征（例如，結(jié)構(gòu)特征或方法步驟）。 2）權(quán)利要求應(yīng)當(dāng)清楚清楚（專(zhuān)利法實(shí)施細(xì)則第20條第1款） （1）每項(xiàng)權(quán)利要求的類(lèi)型應(yīng)當(dāng)清楚每項(xiàng)權(quán)利要求的類(lèi)型應(yīng)當(dāng)清楚，并且應(yīng)當(dāng)與發(fā)明要求保護(hù)的主題一致。產(chǎn)品權(quán)利要求應(yīng)當(dāng)用產(chǎn)品的結(jié)構(gòu)產(chǎn)品的結(jié)構(gòu)和結(jié)構(gòu)關(guān)系結(jié)構(gòu)關(guān)系來(lái)描述。方法權(quán)利要求可以用工藝條件、操作條件、步驟或工藝條件、操作條件、步驟或者流程者流程等特征來(lái)描述。舉例舉例： a）一種電光探頭電光探頭，由可微調(diào)位置的透明基板和附著在基板上的有機(jī)電光材料層組成，由電光探測(cè)光學(xué)單元產(chǎn)生的探測(cè)光束經(jīng)顯微物鏡頭聚焦聚焦后，穿過(guò)穿過(guò)透明基板、基板與電光材料的

36、界面和電光材料層，聚焦光斑落在電光材料層的外表面上，并被該表面上的高反射介質(zhì)膜反射反射，當(dāng)聚焦光斑挨近挨近帶測(cè)的電信號(hào)傳輸線時(shí)，信號(hào)電場(chǎng)進(jìn)入進(jìn)入有機(jī)電光材料層。（產(chǎn)品用方法特征限定） b）一種熱電半導(dǎo)體材料或元器件材料或元器件，包括。 c）特征“將其其支承在其其周邊部”中的兩個(gè)其指代不清楚。 （2）每項(xiàng)權(quán)利要求所確定的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)清楚。對(duì)于產(chǎn)品產(chǎn)品權(quán)利要求而言，應(yīng)當(dāng)盡量避免應(yīng)當(dāng)盡量避免使用功能或者效果特征來(lái)限定使用功能或者效果特征來(lái)限定發(fā)明。舉例舉例： a）如權(quán)利要求4所述的球點(diǎn)陣列集成電路封裝的方法，其特征在于：所述散熱板的散熱散熱效果效果是將該芯片于通電運(yùn)作時(shí)的熱量導(dǎo)至該封裝后的球點(diǎn)陣列（

37、BGA）集成電路之外的效果。 b）權(quán)利要求中使用了含義不確定的詞語(yǔ)，例如：基本上；大約；尤其是；例如；如；類(lèi)；優(yōu)選；等等； c）從屬權(quán)利要求中引用了在前權(quán)利要求中的特征，但在前權(quán)利要求中根本沒(méi)有出現(xiàn)該特征。例如：根據(jù)權(quán)利要求1的存儲(chǔ)器，其中鈍化層為氮化硅。 3）權(quán)利要求書(shū)應(yīng)當(dāng)簡(jiǎn)明簡(jiǎn)明 每一項(xiàng)權(quán)利要求應(yīng)當(dāng)簡(jiǎn)明并且所有權(quán)利要求作為一個(gè)整體應(yīng)當(dāng)簡(jiǎn)明；權(quán)利要求的數(shù)量數(shù)量應(yīng)當(dāng)合理；權(quán)利要求的用詞用詞應(yīng)當(dāng)簡(jiǎn)明；權(quán)利要求之間應(yīng)當(dāng)避免不必要的重復(fù)避免不必要的重復(fù)。舉例舉例： 1. 一種光檢測(cè)器，包括： 設(shè)置在所述n型半導(dǎo)體襯底反面的導(dǎo)體，所述襯底和所述導(dǎo)體之間夾有絕緣體； 12. 根據(jù)權(quán)利要求1的光檢測(cè)器，其

38、特征在于：所述n型半導(dǎo)體襯底的反面設(shè)置在所述導(dǎo)體上，所述襯底和所述導(dǎo)體之間夾有絕緣體。4 . 權(quán)利要求存在的形式缺陷 1）從屬權(quán)利要求沒(méi)有緊跟沒(méi)有緊跟在所引用的獨(dú)立權(quán)利要求之后； 2）權(quán)利要求不僅結(jié)尾處存在句號(hào)，中間處中間處也存在句號(hào)也存在句號(hào)； 3）權(quán)利要求中使用的技術(shù)術(shù)語(yǔ)技術(shù)術(shù)語(yǔ)與說(shuō)明書(shū)中使用的不一致； 4）權(quán)利要求中存在括號(hào)存在括號(hào)，但括號(hào)中的內(nèi)容內(nèi)容不是附圖標(biāo)記不是附圖標(biāo)記； 5）權(quán)利要求中存在公司名稱(chēng)或商品名稱(chēng)公司名稱(chēng)或商品名稱(chēng)。5 . 獨(dú)立權(quán)利要求的撰寫(xiě)要求 1）獨(dú)立權(quán)利要求的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)清楚清楚，以符合專(zhuān)利法實(shí)施細(xì)則第20條第1款的規(guī)定。 2）獨(dú)立權(quán)利要求應(yīng)當(dāng)反映出與現(xiàn)有技術(shù)的區(qū)

39、別，使其描述的發(fā)明或?qū)嵱眯滦偷募夹g(shù)方案具有新穎性和創(chuàng)造性具有新穎性和創(chuàng)造性，以符合專(zhuān)利法第22條的規(guī)定。 3）獨(dú)立權(quán)利要求應(yīng)當(dāng)從整體上反映出發(fā)明或?qū)嵱眯滦偷募夹g(shù)方案，記載記載為達(dá)到發(fā)明或?qū)嵱眯滦湍康牡谋匾夹g(shù)特征必要技術(shù)特征，以符合專(zhuān)利法實(shí)施細(xì)則第21條的規(guī)定。 4）獨(dú)立權(quán)利要求所限定的技術(shù)方案應(yīng)該以說(shuō)明書(shū)為依據(jù)以說(shuō)明書(shū)為依據(jù)，以符合專(zhuān)利法第26條第4款的規(guī)定。6 . 從屬權(quán)利要求的撰寫(xiě)要求 1）從屬權(quán)利要求只能只能引用其前面的權(quán)利要求，不得不得引用在其后的權(quán)利要求或者其本身；例如：5 . 根據(jù)權(quán)利要求5的制造方法，其中。 2）多項(xiàng)多項(xiàng)從屬權(quán)利要求不得作為另一項(xiàng)從屬權(quán)利要求的引用基礎(chǔ)；例如：5

40、 . 根據(jù)權(quán)利要求2或3或4的半導(dǎo)體器件，其中。 6 . 根據(jù)權(quán)利要求2或3或4或5的半導(dǎo)體器件，其中。 3）多項(xiàng)從屬權(quán)利要求只能擇一地引用擇一地引用在前的權(quán)利要求；例如：6 . 根據(jù)權(quán)利要求2、3、4以及5的半導(dǎo)體器件，其中。 4）一項(xiàng)從屬一項(xiàng)從屬權(quán)利要求不得同時(shí)引用不得同時(shí)引用在前的兩項(xiàng)或兩項(xiàng)以上兩項(xiàng)或兩項(xiàng)以上的獨(dú)立權(quán)利要求獨(dú)立權(quán)利要求。 5）從屬權(quán)利要求的主題名稱(chēng)主題名稱(chēng)應(yīng)與所引用的主題名稱(chēng)一致；例如：24. 根據(jù)權(quán)利要求17的電子互連器件，其特征在于：。 25. 根據(jù)權(quán)利要求24的電子封裝外殼，其特征在于：。三.答復(fù)通知書(shū)時(shí)提交文本中的常見(jiàn)問(wèn)題 （一）說(shuō)明書(shū)中的問(wèn)題1.發(fā)明名稱(chēng) 1）權(quán)

41、利要求書(shū)中產(chǎn)品或方法的獨(dú)立權(quán)利要求及從屬權(quán)利要求刪除之后，發(fā)明名稱(chēng)沒(méi)沒(méi)有進(jìn)行相應(yīng)的變更有進(jìn)行相應(yīng)的變更，仍然是產(chǎn)品和方法； 2）審查員在第一次審查意見(jiàn)通知書(shū)中指出修改發(fā)明名稱(chēng)，但仍然沒(méi)有修改沒(méi)有修改； 3）審查員在通知書(shū)中沒(méi)有指出修改發(fā)明名稱(chēng)，但申請(qǐng)人主動(dòng)變更主動(dòng)變更了發(fā)明名稱(chēng)。2 . 技術(shù)領(lǐng)域 發(fā)明名稱(chēng)已變更但技術(shù)領(lǐng)域沒(méi)有變更。例如：發(fā)明名稱(chēng)已由“芯片尺寸封裝及其制造方法”修改為“芯片尺寸封裝的制造方法”，但是技術(shù)領(lǐng)域仍然為“本發(fā)明涉及芯片尺寸封裝及其制造方法。3 . 要解決的技術(shù)問(wèn)題 為了相對(duì)于審查員提出的對(duì)比文件具有新穎性和創(chuàng)造性，修改了獨(dú)立權(quán)利要求，增加了技術(shù)特征，但修改后的獨(dú)立權(quán)利要

42、求的技術(shù)方案要解決的技術(shù)問(wèn)題明顯與說(shuō)明書(shū)中原有的要解決的技術(shù)問(wèn)題不同，此時(shí)應(yīng)該修改說(shuō)明書(shū)中的該部分。4 . 技術(shù)方案 申請(qǐng)人修改了獨(dú)立權(quán)利要求，但沒(méi)有相應(yīng)地修改技術(shù)方案部分。5 . 有益效果 1）為區(qū)別于審查員提出的對(duì)比文件，申請(qǐng)人在意見(jiàn)陳述書(shū)中強(qiáng)調(diào)的有益效果在原申請(qǐng)文強(qiáng)調(diào)的有益效果在原申請(qǐng)文件中沒(méi)有記載件中沒(méi)有記載，也不能明顯推導(dǎo)出。 2）申請(qǐng)人修改權(quán)利要求的同時(shí)，在該部分中添加有益效果添加有益效果，但該效果不能從原申請(qǐng)文件中明顯推導(dǎo)出。 3）補(bǔ)充實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)補(bǔ)充實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)。6 . 附圖說(shuō)明 由于原說(shuō)明書(shū)中的一些技術(shù)特征在附圖中沒(méi)有出現(xiàn)，審查員指出后添加附圖及圖面添加附圖及圖面說(shuō)明說(shuō)明，但這些內(nèi)容

43、不能從原申請(qǐng)文件中唯一地推導(dǎo)出，導(dǎo)致修改超范圍。7 . 具體實(shí)施方式 1）修改技術(shù)內(nèi)容中的連接關(guān)系使修改后的技術(shù)內(nèi)容與原說(shuō)明書(shū)中的技術(shù)內(nèi)容完全不同，導(dǎo)致修改超范圍。 2）修改技術(shù)術(shù)語(yǔ)，導(dǎo)致修改超范圍。例如：將“非晶硅”修改為“含硅的半導(dǎo)體膜”。 在本領(lǐng)域中半導(dǎo)體材料有很多種，有元素半導(dǎo)體、二元化合物半導(dǎo)體、固溶體半導(dǎo)體、氧化物半導(dǎo)體、玻璃半導(dǎo)體、有機(jī)半導(dǎo)體，常用的半導(dǎo)體材料有硅、鍺、碳化硅、砷化鎵等，半導(dǎo)體材料還分為單晶、多晶、非晶等，因此非晶硅僅是含硅的半導(dǎo)體膜中的一種。8 . 說(shuō)明書(shū)附圖9 . 說(shuō)明書(shū)摘要 對(duì)獨(dú)立權(quán)利要求進(jìn)行修改后，沒(méi)有對(duì)摘要中的技術(shù)內(nèi)容進(jìn)行相應(yīng)的修改。10. 權(quán)利要求書(shū)

44、a）意見(jiàn)陳述書(shū)中指出已修改，但提交的權(quán)利要求書(shū)中仍存在同樣的缺陷； b）僅提交修改底稿僅提交修改底稿，或者刪除部分權(quán)利要求之后，權(quán)利要求的編號(hào)沒(méi)有改變；例如：i）1 . 一種半導(dǎo)體封裝，包括： 2 . （刪除） 3 . 根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體封裝，其中。 ii）6 . 根據(jù)權(quán)利要求7的引線框架，其中。 c）采用的技術(shù)術(shù)語(yǔ)與原申請(qǐng)文件中的技術(shù)術(shù)語(yǔ)不同技術(shù)術(shù)語(yǔ)不同；例如將“金屬化孔”修改為“通過(guò)口”； d）意見(jiàn)陳述與修改的內(nèi)容不一致意見(jiàn)陳述與修改的內(nèi)容不一致；例如：申請(qǐng)人的意見(jiàn)陳述書(shū)中記載“相對(duì)低能量的雜質(zhì)離子不能穿過(guò)氧化層的中央部分”，但是權(quán)利要求中記載了特征“采用比第一能量低的第二注入能量所述

45、第二注入能量足以足以使雜質(zhì)的所述離子通過(guò)所述場(chǎng)氧化層的所述中央?yún)^(qū)域”，而說(shuō)明書(shū)記載的是“第二次低能量注入的硼離子不能不能穿過(guò)厚的場(chǎng)氧化薄膜102的中心區(qū)域，而僅能穿過(guò)場(chǎng)氧化薄膜的周?chē)鷧^(qū)域即鳥(niǎo)嘴”，因此所述特征既沒(méi)有記載在原說(shuō)明書(shū)和權(quán)利要求書(shū)中，也不能由原說(shuō)明書(shū)和權(quán)利要求書(shū)所記載的內(nèi)容導(dǎo)出，因此超出了原說(shuō)明書(shū)和權(quán)利要求書(shū)記載的范圍，不符合專(zhuān)利法第33條的規(guī)定。 e）修改數(shù)值范圍，導(dǎo)致修改超范圍修改數(shù)值范圍，導(dǎo)致修改超范圍；例如：將獨(dú)立權(quán)利要求1將組合物的淀積厚度由“2.5-11微英寸”修改為“小于11微英寸”。 f）修改技術(shù)術(shù)語(yǔ)，導(dǎo)致修改超范圍修改技術(shù)術(shù)語(yǔ)，導(dǎo)致修改超范圍；例如：將“磷硅玻璃”修

46、改成“玻璃”。特征“玻璃”概括了很寬的范圍，廣義的玻璃包括單質(zhì)玻璃、有機(jī)玻璃和無(wú)機(jī)玻璃，除工業(yè)上大規(guī)模生產(chǎn)的硅酸鹽玻璃之外，還有氧化物玻璃、非氧化物玻璃、由某些合金形成的金屬玻璃等。因此僅由說(shuō)明書(shū)中記載的“PSG”是無(wú)法推導(dǎo)出特征“玻璃”。 g）相對(duì)于審查員提出的對(duì)比文件修改了獨(dú)立權(quán)利要求，但修改后的權(quán)利要求的保護(hù)保護(hù)范圍沒(méi)有實(shí)質(zhì)性的變化范圍沒(méi)有實(shí)質(zhì)性的變化。四、導(dǎo)致駁回的幾種常見(jiàn)情況及案例分析1 . 駁回的條件 1）屬于專(zhuān)利法實(shí)施細(xì)則第五十三條規(guī)定的駁回情形； 2）給申請(qǐng)人至少一次陳述意見(jiàn)至少一次陳述意見(jiàn)和/或進(jìn)行修改修改申請(qǐng)文件的機(jī)會(huì)；3）申請(qǐng)人在指定的期限內(nèi)未提出有說(shuō)服力的意見(jiàn)和/或證據(jù)

47、，也未未對(duì)申請(qǐng)文件進(jìn)行符合專(zhuān)利法及實(shí)施細(xì)則規(guī)定的修改修改；4）或者修改后的申請(qǐng)文件中仍然存在足以用已通知過(guò)申請(qǐng)人的理由和證據(jù)予以駁回的缺陷。2 . 駁回的種類(lèi) 1）發(fā)明專(zhuān)利申請(qǐng)的主題違反國(guó)家法律、社會(huì)公德或者妨礙公共利益，或者申請(qǐng)的主題屬于專(zhuān)利法第25條規(guī)定的不授予發(fā)明專(zhuān)利權(quán)的客體；（專(zhuān)利法第專(zhuān)利法第5條和條和25條條） 2）申請(qǐng)的發(fā)明不具備新穎性、創(chuàng)造性和實(shí)用性；（專(zhuān)利法專(zhuān)利法22條條） 3）發(fā)明專(zhuān)利法申請(qǐng)沒(méi)有充分公開(kāi)請(qǐng)求保護(hù)的主題（專(zhuān)利法第專(zhuān)利法第26條第條第3款款），或者權(quán)利要求未以說(shuō)明書(shū)為依據(jù)；（專(zhuān)利法第專(zhuān)利法第26條第條第4款款） 4）申請(qǐng)不符合專(zhuān)利法關(guān)于發(fā)明專(zhuān)利申請(qǐng)單一性的規(guī)定（專(zhuān)

48、利法第（專(zhuān)利法第31條第條第1款）；款）； 5）申請(qǐng)的發(fā)明根據(jù)“先申請(qǐng)?jiān)瓌t”不能取得專(zhuān)利權(quán)（專(zhuān)利法第專(zhuān)利法第9條條），或者申請(qǐng)不符合“一發(fā)明創(chuàng)造、一專(zhuān)利”的規(guī)定；（專(zhuān)利法實(shí)施細(xì)則第專(zhuān)利法實(shí)施細(xì)則第13條第條第1款款）； 6）發(fā)明專(zhuān)利申請(qǐng)不是對(duì)產(chǎn)品、方法或者改進(jìn)所提出的新的技術(shù)方案（細(xì)則第細(xì)則第2條第條第1款款）； 7）權(quán)利要求書(shū)不清楚、簡(jiǎn)要（專(zhuān)利法實(shí)施專(zhuān)利法實(shí)施細(xì)則第細(xì)則第20條第條第1款款），獨(dú)立權(quán)利要求缺少解決技術(shù)問(wèn)題的必要技術(shù)特征（專(zhuān)利法實(shí)施細(xì)則第專(zhuān)利法實(shí)施細(xì)則第21條第條第2款款）； 8）申請(qǐng)的修改或者分案的申請(qǐng)超出原說(shuō)明書(shū)和權(quán)利要求書(shū)記載的范圍（專(zhuān)利法第專(zhuān)利法第33條條）。3 . 案

49、例發(fā)明名稱(chēng)發(fā)明名稱(chēng)：半導(dǎo)體器件的制造方法申請(qǐng)簡(jiǎn)介：申請(qǐng)簡(jiǎn)介：薄膜半導(dǎo)體形成的薄膜晶體管（TFT）通常使用無(wú)定形硅膜作為半導(dǎo)體層，通常使用催化元素使其晶化，利用等離子體處理或蒸鍍會(huì)大量引入上述元素產(chǎn)生不利影響。發(fā)明目的：發(fā)明目的： 控制引入催化劑元素的量，并且將其控制在最低限度的量 也就是，僅僅在表面引入極微量催化元素申請(qǐng)文件中的部分權(quán)利要求申請(qǐng)文件中的部分權(quán)利要求： 1）獨(dú)立權(quán)利要求1中包含特征“使含促進(jìn)結(jié)晶化的催化劑元素的溶液與暴露的無(wú)定形硅膜連接的工序”； （不支持） 2）從屬權(quán)利要求4的附加技術(shù)特征為催化劑元素使用選自VIII族、IIIb族、IVb族、Vb族元素中的一種或幾種元素。審查過(guò)程審查過(guò)程： 在第一次審查意見(jiàn)通知書(shū)第一次審查意見(jiàn)通知書(shū)中的其中一條意見(jiàn)中指出：特征“使溶液與硅膜