第八章1真空蒸發(fā)ppt課件

1、第八章第八章 薄膜制備技術(shù)薄膜制備技術(shù)直流濺射 射頻濺射 磁控濺射 離子束濺射 真空蒸發(fā)濺射沉積離子鍍物理氣相沉積 （PVD）化學(xué)氣相沉積 （CVD）分子束外延 （MBE）氣氣相相沉沉積積 電電 鍍鍍 法法 溶膠溶膠-凝膠法凝膠法 電阻加熱 感應(yīng)加熱 電子束加熱 激光加熱 直流二極型離子鍍 射頻放電離子鍍 等離子體離子鍍 HFCVD PECVD LECVD DC RF MW ECR 熱壁 冷壁 薄膜生長(zhǎng)方法是獲得薄膜的關(guān)鍵。薄膜材料的質(zhì)薄膜生長(zhǎng)方法是獲得薄膜的關(guān)鍵。薄膜材料的質(zhì)量和性能不僅依賴于薄膜材料的化學(xué)組成，而且量和性能不僅依賴于薄膜材料的化學(xué)組成，而且與薄膜材料的制備技術(shù)具有一定的關(guān)系

2、。與薄膜材料的制備技術(shù)具有一定的關(guān)系。隨著科學(xué)技術(shù)的發(fā)展和各學(xué)科之間的相互交叉隨著科學(xué)技術(shù)的發(fā)展和各學(xué)科之間的相互交叉, , 相繼出現(xiàn)了一些新的薄膜制備技術(shù)。這些薄膜制相繼出現(xiàn)了一些新的薄膜制備技術(shù)。這些薄膜制備方法的出現(xiàn)備方法的出現(xiàn), , 不僅使薄膜的質(zhì)量在很大程度上不僅使薄膜的質(zhì)量在很大程度上得以改善得以改善, , 而且為發(fā)展一些新型的薄膜材料提供而且為發(fā)展一些新型的薄膜材料提供了必要的制備技術(shù)。了必要的制備技術(shù)。 1852 Grove觀察到輝光放電引起的金屬沉積；觀察到輝光放電引起的金屬沉積；1857 Faraday 在惰性氣體環(huán)境，蒸發(fā)沉積金屬薄膜；在惰性氣體環(huán)境，蒸發(fā)沉積金屬薄膜；

3、工業(yè)化光學(xué)元件真空技術(shù)，加熱元件工業(yè)化光學(xué)元件真空技術(shù)，加熱元件:Pt,W）1877 濺射法用于鏡子表面鍍膜，但主要以蒸發(fā)法為主濺射法用于鏡子表面鍍膜，但主要以蒸發(fā)法為主高沉積率，高真空度，清潔環(huán)境，適用各種材料）高沉積率，高真空度，清潔環(huán)境，適用各種材料）1960s，PLD，CVD，MBE，磁控濺射，磁控濺射沉積技術(shù)的發(fā)展沉積技術(shù)的發(fā)展v物理氣相沉積物理氣相沉積(PVD)v物理氣相沉積物理氣相沉積:薄膜材料主要通過(guò)物理過(guò)程輸運(yùn)薄膜材料主要通過(guò)物理過(guò)程輸運(yùn)到基體表面的鍍膜方法；到基體表面的鍍膜方法；v通常是固體或熔融源；通常是固體或熔融源；v在氣相或襯底表面沒有化學(xué)反應(yīng)；在氣相或襯底表面沒有化

4、學(xué)反應(yīng)；v代表性技術(shù)：蒸發(fā)鍍膜、濺射鍍膜；代表性技術(shù)：蒸發(fā)鍍膜、濺射鍍膜；v技術(shù)特點(diǎn)：真空度高、沉積溫度低、設(shè)備相對(duì)技術(shù)特點(diǎn)：真空度高、沉積溫度低、設(shè)備相對(duì)比較簡(jiǎn)單。薄膜質(zhì)量差，可控度小、表面容易比較簡(jiǎn)單。薄膜質(zhì)量差，可控度小、表面容易不均勻。不均勻。v化學(xué)氣相沉積化學(xué)氣相沉積(CVD)v化學(xué)氣相沉積化學(xué)氣相沉積: 沉積過(guò)程中發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，薄膜沉積過(guò)程中發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，薄膜與原料的化合狀態(tài)不一樣。與原料的化合狀態(tài)不一樣。v代表性技術(shù)：低壓代表性技術(shù)：低壓CVD(LPCVD), 常壓常壓CVD APCVD, 等離子體增強(qiáng)等離子體增強(qiáng)CVD (PECVD);金屬有機(jī)金屬有機(jī)源源CVD(MOCVD)

5、v技術(shù)特點(diǎn)：薄膜質(zhì)量高，致密，可控性好，技術(shù)特點(diǎn)：薄膜質(zhì)量高，致密，可控性好，v其它成膜技術(shù)：液相外延其它成膜技術(shù)：液相外延(LPE)，電沉積，溶膠，電沉積，溶膠凝膠凝膠(sol-gel)，自組裝，自組裝，spin-coating，化學(xué)浴沉，化學(xué)浴沉積積(CBD)等。等。v新的薄膜制備技術(shù)：新的薄膜制備技術(shù)：v以蒸發(fā)沉積為基礎(chǔ)發(fā)展出了電子束蒸發(fā)沉積、分子束以蒸發(fā)沉積為基礎(chǔ)發(fā)展出了電子束蒸發(fā)沉積、分子束外延薄膜生長(zhǎng)外延薄膜生長(zhǎng)(MBE)(MBE)、加速分子束外延生長(zhǎng)、加速分子束外延生長(zhǎng)(MBE)(MBE)；v以載能束與固體相互作用為基礎(chǔ)以載能束與固體相互作用為基礎(chǔ), , 先后出現(xiàn)了離子束先后出現(xiàn)

6、了離子束濺射沉積、脈沖激光濺射沉積濺射沉積、脈沖激光濺射沉積(PLD)(PLD)、強(qiáng)流離子束蒸、強(qiáng)流離子束蒸發(fā)沉積、離子束輔助沉積發(fā)沉積、離子束輔助沉積(IBAD)(IBAD)、低能離子束沉積；、低能離子束沉積；v以等離子體技術(shù)為基礎(chǔ)出現(xiàn)了等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相以等離子體技術(shù)為基礎(chǔ)出現(xiàn)了等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積沉積(PECVD)(PECVD)、磁控濺射鍍膜；、磁控濺射鍍膜；Nanosolar的ink print技術(shù)薄膜沉積中的共性問題：超凈室薄膜沉積中的共性問題：超凈室超凈室超凈真空室超凈室超凈真空室鍍膜中的氣泡是影響膜的特性和附著強(qiáng)度的最大障礙鍍膜中的氣泡是影響膜的特性和附著強(qiáng)度的最大障礙之一

7、?；覊m是產(chǎn)生氣泡的主要原因。之一?；覊m是產(chǎn)生氣泡的主要原因。超凈真空室：除塵，抽氣時(shí)防止產(chǎn)生湍流。超凈真空室：除塵，抽氣時(shí)防止產(chǎn)生湍流。超凈室，不能產(chǎn)生灰塵：超凈室，不能產(chǎn)生灰塵：1、油封機(jī)械泵所排出的氣體、油封機(jī)械泵所排出的氣體要接到室外；要接到室外；2、用無(wú)皮帶的直連泵或?qū)⒈醚b在室外；、用無(wú)皮帶的直連泵或?qū)⒈醚b在室外；3、用塑料紙張或使用不產(chǎn)生灰塵的紙；不能用鉛筆；用塑料紙張或使用不產(chǎn)生灰塵的紙；不能用鉛筆；4、用超純水。用超純水。人體污染：呼出氣體中顆粒的污染距離人體污染：呼出氣體中顆粒的污染距離0.6-1m，打噴嚏，打噴嚏的污染距離的污染距離45m。主要是含有礦物質(zhì)和鹽如鈉，鈣，鐵，。

8、主要是含有礦物質(zhì)和鹽如鈉，鈣，鐵，鎂，氯，鋁，硫，鉀，磷。鎂，氯，鋁，硫，鉀，磷。大氣中的塵埃粒子及其大小范圍大氣中的塵埃粒子及其大小范圍比較清潔的城市中：比較清潔的城市中：0.5mm以上的灰塵大概以上的灰塵大概177 K/L。芯片特征尺寸和沾污控制芯片特征尺寸和沾污控制真空蒸發(fā)鍍膜真空蒸發(fā)鍍膜 真空蒸發(fā)鍍膜真空蒸發(fā)鍍膜( (蒸鍍蒸鍍) )是在真空是在真空條件下，加熱蒸發(fā)物質(zhì)使之氣化并條件下，加熱蒸發(fā)物質(zhì)使之氣化并淀積在基片表面形成固體薄膜，是淀積在基片表面形成固體薄膜，是一種物理現(xiàn)象。一種物理現(xiàn)象。廣泛地應(yīng)用在機(jī)械、電真空、廣泛地應(yīng)用在機(jī)械、電真空、無(wú)線電、光學(xué)、原子能、空間技術(shù)無(wú)線電、光學(xué)

9、、原子能、空間技術(shù)等領(lǐng)域。等領(lǐng)域。加熱方式可以多種多樣。加熱方式可以多種多樣。二真空蒸發(fā)的物理過(guò)程：二真空蒸發(fā)的物理過(guò)程：1.1.采用各種形式的熱能轉(zhuǎn)換方式，使鍍膜材料粒子蒸采用各種形式的熱能轉(zhuǎn)換方式，使鍍膜材料粒子蒸發(fā)或升華，成為具有一定能量的氣態(tài)粒子發(fā)或升華，成為具有一定能量的氣態(tài)粒子( (原子，原子，分子，原子團(tuán)，分子，原子團(tuán)，0 .1 0 .1 0.3 eV) 0.3 eV)；2.2.氣態(tài)粒子通過(guò)基本上無(wú)碰撞的直線運(yùn)動(dòng)方式傳輸?shù)綒鈶B(tài)粒子通過(guò)基本上無(wú)碰撞的直線運(yùn)動(dòng)方式傳輸?shù)交w；基體；3.3.粒子淀積在基體表面上并凝聚成薄膜；粒子淀積在基體表面上并凝聚成薄膜；4.4.組成薄膜的原子重新排

10、列或化學(xué)鍵合發(fā)生變化。組成薄膜的原子重新排列或化學(xué)鍵合發(fā)生變化。影響真空鍍膜質(zhì)量和厚度的因素主要有蒸發(fā)源的溫影響真空鍍膜質(zhì)量和厚度的因素主要有蒸發(fā)源的溫度、蒸發(fā)源的形狀、基片的位置、真空度等。度、蒸發(fā)源的形狀、基片的位置、真空度等。1.蒸發(fā)熱力學(xué)蒸發(fā)熱力學(xué)一一. 元素的平衡蒸汽壓元素的平衡蒸汽壓P與溫度的關(guān)系與溫度的關(guān)系Clapeyron-Clausius方程：方程：VTHdTdPH：?jiǎn)挝荒栁镔|(zhì)的熱焓變化：?jiǎn)挝荒栁镔|(zhì)的熱焓變化V：?jiǎn)挝荒栁镔|(zhì)體積的變化：?jiǎn)挝荒栁镔|(zhì)體積的變化理想氣體的狀態(tài)方程：理想氣體的狀態(tài)方程：則有則有aRTPV2RTHPdTdPH物質(zhì)在某溫度的汽化熱物質(zhì)在某溫度的汽化

11、熱He或蒸發(fā)或蒸發(fā)熱熱：積分常數(shù)IIRTHPe ln只在一定溫度范圍內(nèi)成立，實(shí)際上只在一定溫度范圍內(nèi)成立，實(shí)際上I與溫度相關(guān)與溫度相關(guān)615993Al:ln14.5330.999lg3.52 10PTTTTBAPlnlnBPATln p T 曲線金屬材料金屬材料ln p T 曲線無(wú)機(jī)非金屬材料無(wú)機(jī)非金屬材料說(shuō)明:1) 平衡蒸汽壓為1 Pa時(shí)的溫度即蒸發(fā)所需的溫度;2) 溫度變化10%，平衡蒸汽壓變化大約一個(gè)數(shù)量級(jí)，對(duì)溫度很敏感；3) 蒸發(fā)溫度高于熔點(diǎn)，液體 蒸汽 蒸發(fā)溫度低于熔點(diǎn)，固體 蒸汽，升華2. 蒸發(fā)速率1 4 Znv nv：分子密度；：氣體分子的算術(shù)平均速率8 RTmv2 VheePP

12、dNRAdtmRTdN：蒸發(fā)粒子數(shù)A：蒸發(fā)表面積Ph：蒸發(fā)物分子對(duì)蒸發(fā)表面造成的靜壓強(qiáng)ae：蒸發(fā)系數(shù)01）PVPh蒸發(fā)速率公式42224.37 10()/()2 5.84 10()/()meVVVmMRmRPP PaRTTMP TorrT克 厘米秒克 厘米秒242222()2.64 10 /()2() 3.51 10/()vvaevPP PRmRTMTP TorrMT分子 厘米秒分子 厘米秒朗謬爾(Langmuir)蒸發(fā)公式 0 01,1heeP,可設(shè)則由兩種或兩種以上組元組成的合金在蒸發(fā)時(shí)遵守以下規(guī)律： 1) 分壓定律：合金溶液總蒸汽壓等于各組元蒸汽分壓之和。即 P = P1 + P2 +

13、P3 + + Pi 2) 拉烏爾定律：理想的合金溶液中，各組元的平衡蒸汽壓 Pi與其摩爾分?jǐn)?shù)xi成正比，其比例常數(shù)就是同溫度下該組元單獨(dú)存在時(shí)的平衡蒸氣壓。合金的沉積：3. 多元材料的蒸發(fā)沉積Pi = PioXi iioiPP實(shí)際的合金溶液并不是理想的極稀的溶液），需校正與理想情況的偏差。令 Pi = ai Pio a i ： 合金中 i 組分的有效熱力學(xué)活度。 ai =giXi gi：活度系數(shù)。 Pi =giXiPio總蒸汽壓 分餾問題(二元合金的例子)：001AAABAABBBBABRPMRPM例：1350K, 沉積Al-Cu (2 wt% Cu)3CuAlAl4CuAlCu98(0)10

14、2(0)2 10MRPRMP41/2Al31/2Cu98(2 10 )(63.7)152 10 (27.0)要求源料中原子數(shù)比：組分比與蒸發(fā)速率比不一致，導(dǎo)致分餾。組分比與蒸發(fā)速率比不一致，導(dǎo)致分餾。但這并不能保證薄膜中的組分保持2%，隨著沉積進(jìn)行，Al的含量不斷減少，比如初始有86+14克合金，蒸發(fā)了50g49+1），剩下原料(37+13), 所以需不斷補(bǔ)充源料；13.6%2%63.7Cu質(zhì)量含量=63.7+15 27穩(wěn)定組分為cSB用于源料補(bǔ)充的線材組分與薄膜組分一樣，A1-YBY00(1)1ASBAABBBSBBAPRMYRPMY 100(1)1BASBABY PMYPM蒸發(fā)損失源料組分

15、改變填充料例：源料補(bǔ)充法例：源料補(bǔ)充法rVrVdtVdYYBSBB/VVBrr元素：對(duì)于B初始條件(0)=YtBSBYYtc加快添料速度可以盡加快添料速度可以盡快達(dá)到穩(wěn)定狀態(tài)快達(dá)到穩(wěn)定狀態(tài))VVexp()(rSBSBSBBYtYtYSBcrVV其它解決方案：其它解決方案：源的總量非常大；源的總量非常大；多蒸發(fā)源多蒸發(fā)源(MBE)；瞬時(shí)蒸發(fā)；瞬時(shí)蒸發(fā)；多層膜擴(kuò)散合金化。多層膜擴(kuò)散合金化?？山鉀Q分餾問題，排氣比較困難可解決分餾問題，排氣比較困難 大多數(shù)化合物蒸發(fā)時(shí)會(huì)全部分解或部分分解，所以難以鍍制出組分符合化學(xué)比的鍍層。 化合物 MX 的蒸發(fā)情況可分類如下： 1) 化合物不分解 MX (S或L)

16、MX (g) 例: MgF2(s) MgF2(g) 2) 蒸發(fā)分解 MX (s) M (g) +X (g) 例： 2CdTe(S)2Cd(g)+Te2(g)化合物的蒸發(fā)沉積：3) 蒸發(fā)部分分解 MXn(S) MX(g) + Xn-1(g) 例: SiO2(S)SiO(g) +O2(g)4) 部分蒸發(fā) nMX(s) nM(S) + X n (g) 例：2BN(S)2B(S)+N2(g) 直接蒸發(fā)化合物鍍料制備化合物薄膜的例子: SiO, GeO, SnO, AlN, CaF2, MgF2, B2O3例：沉積GaAs(沉積窗口)10-6 torr10-9 torr850K1000K需用分立源低壓下

17、相圖沉積窗口薄膜的純度薄膜的純度 Ci Ci 定義：在1cm2表面上每秒鐘剩余氣體分子碰撞的數(shù)目與蒸發(fā)淀積粒子數(shù)目之比。 每秒鐘蒸發(fā)淀積在1cm2基片表面的粒子數(shù)用膜厚淀積速率Rd表示。adAeMRNR TMRMPCgdagi 1083. 5 2則室溫下沉積室溫下沉積 Sb 膜中的最大氧含量膜中的最大氧含量2OP(Torr)沉積速率 Rd (/s)110100100010-910-310-410-510-610-710-110-210-310-410-510110-110-210-3103102101避免環(huán)境殘存氣體對(duì)薄膜的污染: 使用高真空技術(shù); 提高薄膜生長(zhǎng)速率; 預(yù)蒸發(fā)活性金屬薄膜。蒸發(fā)

18、動(dòng)力學(xué)蒸發(fā)動(dòng)力學(xué) 一. 蒸發(fā)粒子的行程 散射粒子數(shù))exp(10dNN)(667. 0cmP被散射粒子百分?jǐn)?shù))exp(10dNNf關(guān)系曲線關(guān)系曲線 蒸發(fā)源的發(fā)射特性蒸發(fā)源的發(fā)射特性-厚度均勻性厚度均勻性 蒸發(fā)過(guò)程的假設(shè)： 1) 忽略蒸發(fā)原子與剩余氣體和蒸發(fā)原子之間的碰撞。 2) 蒸發(fā)源的發(fā)射特性不隨時(shí)間而變化。 3) 入射到基片上的原子全部凝結(jié)成薄膜。 蒸發(fā)總質(zhì)量：tARdtdARMemetAmee0其中部分蒸發(fā)質(zhì)量 落在dAs 基片上，由于dAs在球表面的投影面積為dAc, dAc=dAscos, 所以有比例關(guān)系sMd2 4:rdAMMdces2 4cosrMdAMdess1) 點(diǎn)蒸發(fā)源點(diǎn)蒸

19、發(fā)源點(diǎn)蒸發(fā)源的膜厚分布：2/32011hlddhl2面蒸發(fā)源其蒸氣發(fā)射特性具有方向性，發(fā)射限為半球。蒸發(fā)源的發(fā)射按所研究的方向與表面法線間夾角呈余弦分布，即遵守克努曾定律2 2coscos) 1(rnMdAMdnessn 為常數(shù)，取決于蒸發(fā)源的幾何尺寸。坩堝內(nèi)溶池深度和表面積之比值，又深又窄的蒸發(fā)源具有較大的n2面蒸發(fā)源2 2coscos) 1(rnMdAMdness面蒸發(fā)源的特性當(dāng) n=1時(shí)222011hldd點(diǎn)源和面源的比較：面源： 222011hldd點(diǎn)源： 2/32011hldd1) 兩種源的相對(duì)膜厚分布的均勻性都不理想；2) 點(diǎn)源的膜厚分布稍均勻些；3) 在相同條件下， 面源的中心膜

20、厚為點(diǎn)源的4倍。如圖表示與蒸發(fā)源平行放置于正上方的平面基片如圖表示與蒸發(fā)源平行放置于正上方的平面基片提高膜厚均勻性的措施：提高膜厚均勻性的措施：1) 采用若干分離的小面采用若干分離的小面積蒸發(fā)源，最佳的數(shù)積蒸發(fā)源，最佳的數(shù)量量, 合理的布局和蒸發(fā)合理的布局和蒸發(fā)速率；速率；問題：利用雙源在長(zhǎng)為150cm的襯底上沉積材料，要求厚度均勻性好于10%，求hv，D值的范圍2)改變基片放置方式以提高厚度均勻 ： a) 球面放置基片只對(duì)n=1適用）； b) 基片平面旋轉(zhuǎn)； c) 行星旋轉(zhuǎn)基片架；204sesdMMdAr旋轉(zhuǎn)方式: (a) 基片在圓頂上，繞軸旋轉(zhuǎn); (b) 基片在鼓面上，源位于中軸線，鼓面繞

21、中軸線旋轉(zhuǎn)；(c)行星式旋轉(zhuǎn) . Calculated film thickness variation across the radius of a rotating disk.較準(zhǔn)或提高襯底溫度蒸發(fā)沉積的陰影問題計(jì)算機(jī)模擬凹坑內(nèi)的沉積蒸發(fā)法制備薄膜的結(jié)構(gòu)蒸發(fā)法制備薄膜的結(jié)構(gòu)蒸發(fā)原子的沉積過(guò)程:陰影效應(yīng)表面擴(kuò)散體擴(kuò)散脫附薄膜中顆粒最大和最小尺寸隨襯底溫度的變化曲線薄膜中顆粒最大和最小尺寸隨襯底溫度的變化曲線蒸發(fā)法制備的金屬薄膜的組織形蒸發(fā)法制備的金屬薄膜的組織形態(tài)隨襯底相對(duì)溫度的變化態(tài)隨襯底相對(duì)溫度的變化TS/Tm0.15 0.15TS/Tm0.30.3TS/Tm0.5蒸發(fā)沉積蒸發(fā)沉積Al薄

22、膜的纖薄膜的纖維生長(zhǎng)方向與入射離維生長(zhǎng)方向與入射離子方向間的關(guān)系。子方向間的關(guān)系。tan2tan計(jì)算機(jī)模擬得出的計(jì)算機(jī)模擬得出的Ni薄膜在不同溫度下的薄膜在不同溫度下的纖維狀生長(zhǎng)過(guò)程。纖維狀生長(zhǎng)過(guò)程。Glancing angle deposition (GLAD)Schematic of the glancing angle deposition system used to create tetragonal square spiral structures.Nature, 384, 616 (2019), J. Vac. Sci. Technol. B 16, 1115 (2019), J

23、. Vac. Sci. Technol. A 18, 1838(2000)J. Vac. Sci. Technol. A, 18, 2509(2000)Oblique and edge views of a tetragonal square spiral structureScott R. Kennedy, et alNano LettersBetween the 4th and 5th bands, very robust to disorder. 15%, 24%典型結(jié)構(gòu)真空蒸發(fā)裝置真空蒸發(fā)加熱裝置真空蒸發(fā)加熱裝置真空蒸發(fā)加熱裝置真空蒸發(fā)加熱裝置蒸發(fā)坩鍋種類蒸發(fā)坩鍋種類A small e

24、ffusion source using a PBN oven 電阻蒸發(fā)源材料：W，Mo，Ta，BN，C 等.熔點(diǎn)高, 平衡蒸汽壓低 ,化學(xué)性能穩(wěn)定。 1與蒸發(fā)材料形成低熔點(diǎn)合金的問題； 2薄膜純度有限。電阻式蒸發(fā)源溫度估計(jì)：電阻式蒸發(fā)源溫度估計(jì)：22(0)/(0)/ncWi RiT TL A對(duì)于鎢，n=1.28(0)5.5 10m T(0)=293K電阻式蒸發(fā)：電阻式蒸發(fā)：優(yōu)點(diǎn)：簡(jiǎn)單優(yōu)點(diǎn)：簡(jiǎn)單缺點(diǎn)：缺點(diǎn)：分餾問題；分餾問題；加熱元件和源料的反應(yīng)問題；加熱元件和源料的反應(yīng)問題；無(wú)法蒸發(fā)難熔材料；無(wú)法蒸發(fā)難熔材料；蒸發(fā)率低；蒸發(fā)率低；蒸發(fā)時(shí)化合物容易分解。蒸發(fā)時(shí)化合物容易分解。電子束蒸發(fā)裝置電子

25、束蒸發(fā)裝置適用于高純和高熔點(diǎn)物質(zhì)適用于高純和高熔點(diǎn)物質(zhì)的蒸發(fā)；避免反應(yīng)；的蒸發(fā)；避免反應(yīng)；電子束蒸發(fā)的有效電子束蒸發(fā)的有效距離距離(高速蒸發(fā)高速蒸發(fā))dense cloud電子束蒸發(fā)中的問題：電子束蒸發(fā)中的問題：1、有效距離、有效距離2、沉積速率隨時(shí)間變化、沉積速率隨時(shí)間變化3、電離離子的作用、電離離子的作用4、X-Ray轟擊轟擊hv/h0.7離子束輔助蒸發(fā)沉積離子束輔助蒸發(fā)沉積激光加熱裝置激光加熱裝置(PLD) 2 J/脈沖，脈沖頻率 30 HzArF (193 nm)KrF (248 nm) XeCl (308 nm)plume is highly directional, cosnq, where 8 n 12窗口材料：MgF2, sapphire, CaF2, UV-grade quartz光被材料吸收