第二章 介觀環(huán)中加入磁場的輸運特性_第1頁
第二章 介觀環(huán)中加入磁場的輸運特性_第2頁
第二章 介觀環(huán)中加入磁場的輸運特性_第3頁
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文檔簡介

1、第二章 介觀環(huán)中加入磁場的輸運特性2.1 模型與基本公式對圓環(huán)的研究要追溯到Aharonov和Bohm發(fā)現(xiàn)了矢勢在量子力學中的重要性40。在介觀尺度下,考慮一個兩端由引線連接的圓環(huán),在圓環(huán)中心施加一磁通,在引線和圓環(huán)中磁場為零,但矢勢不為零,造成出射端有相位差,從而引起了量子干涉效應,1959年由Aharonov和Bohm首先提出的,所以就稱之為AB效應,該磁通就稱為AB磁通,該圓環(huán)就稱為AB環(huán)。AB效應于1985年由Akira. Tonomura 等人利用超導體禁閉磁通,從實驗中成功地證實了Aharonov-Bohm效應。另一類叫AC效應,類似AB效應,但不同的是AC效應是由自旋軌道耦合引起

2、的,該圓環(huán)就稱為AC環(huán)41。近年來,對AB環(huán)的研究引起了廣泛的關注,在理論42和試驗上43都取得了進展。針對AB環(huán)兩端引線處于對稱位置的輸運問題有不少的文章對此作了報道44-47,本文主要是對右端引線處于不對稱出射的AB環(huán)進行研究,通過分析計算結果,討論了磁通和右端引線的出射位置對輸運系統(tǒng)的影響。對于一個輸運系統(tǒng),電導決定其輸運性能的優(yōu)劣,通過研究發(fā)現(xiàn)不但施加的磁通可以影響該系統(tǒng)的電導,而且出射端引線的位置對電導也有影響;進一步把結果和不加磁通時的結果對比,并得出相應的結論。我們研究的模型如圖2-1所示,由半徑為的量子線組成的圓環(huán),環(huán)上相對兩個節(jié)點通過引線與左右外界相連。將其中的量子線分成四段

3、,分別標記0,1,2和3;屬于圓環(huán)系統(tǒng)的量子散射問題,電子由左端引線入射,經(jīng)圓環(huán)系統(tǒng)后由右端引線出射。引線和圓環(huán)都置于xy平面內,在圓環(huán)的中心以長直螺線管沿軸正向施加磁通,即Aharonov-Bohm型磁通。在引線和圓環(huán)中磁場處處為零,但磁通可以通過矢勢影響電子的散射行為。Fig.2-1.AB環(huán)量子輸運模型的示意圖(不對稱出射)。描述電子在圓環(huán)上運動的薛定諤方程為47其中和分別表示電子的質量和電荷,和分別為普朗克常數(shù)和真空中的光速,為矢勢,為入射電子的能量。如圖2-1所示,各個區(qū)段的波函數(shù)可分別設為:中電子波矢,圓環(huán)周長,并且,根據(jù)波函數(shù)連續(xù)性條件將(2-2)-(2-5)代入(2-7),(2-

4、8) 得到:其中環(huán)路積分相位2.2 AB環(huán)中幾率流守恒公式的推導由粒子數(shù)守恒可得為概率密度,代表幾率流。在圓環(huán)上系統(tǒng)的哈密頓量為,由含時薛定諤方程可得,則且有代入方程(2-13)有:進一步寫成對比(2-12)可知,幾率流為類似地,在兩端引線上的哈密頓量與圓環(huán)上不同,其幾率流可以寫成由于幾率流守恒要求利用波函數(shù)的連續(xù)條件,上式可以化簡為若則有以及代入(2-22)式有所以時,且由(2-23)式可知,所以可以取。有所以是左端引線連接點的幾率流守恒的充分條件,方程(2-27)即為Griffith邊界條件48,49。類似地,我們可以求得右端引線連接點的Griffith邊界條件為2.3 問題求解由上述Gr

5、iffith邊界條件得由(2-9)(2-10)(2-29)(2-30)可得:由(2-33)式和(2-34)式可得代入(2-35)式和(2-36)式可得所以可以進一步化簡:透射率為:反射率為:可以驗證。令,可得如果,則,(2-47)和(2-48)式可以簡化為:如果左右引線處于對稱位置,即,并且沒有磁場,即,上述結果還可以進一步簡化為根據(jù)Landauer-Buttiker公式50,51,利用(2-47)還可以計算零偏壓下圓環(huán)系統(tǒng)的電導為,令,所以有在絕對零度零偏壓時,由Bttiker公式39可知,散粒噪聲功率為,利用(2-47)(2-48)圓環(huán)系統(tǒng)的散粒噪聲可以寫成,F(xiàn)ano因子為,當不存在磁通量

6、,即時,圓環(huán)的電導為,散粒噪聲為,2.4 分析與討論首先我們討論圓環(huán)加入磁通時的電導和散粒噪聲隨磁通量和的變化。在Fig.2-2(a)(b)分別為和時的情形。圖中可以看出電導隨增大時,在改變磁通量時所表現(xiàn)出的不同的行為。Fig.2-2. 電導在圓環(huán)周長一定時,隨出射引線位置和磁通的變化圖。當時Fig.2-2(b), 時,電導總為零;而當時Fig.2-2(a), 時,電導不為零。且隨著增大時,對稱出射時(即為)的電導特性也不一樣,當時,電導總為零;而當時,電導隨著磁通量的變化在最大值與最小值之間振蕩。Fig.2-3. 散粒噪聲(單位為)在圓環(huán)周長一定時,隨出射引線位置和磁通的變化圖。接下來我們研

7、究散粒噪聲,在Fig.2-3(a)(b)分別為和時的散粒噪聲頻譜。當時Fig.2-3(b), 時,散粒噪聲總為零;而當時Fig.2-3(a), 時,散粒噪聲不為零;這個特點與電導相似。對比Fig.2-2(a)與Fig.2-3(a),我們可以清晰的看到散粒噪聲所顯示的新的特點,當時,不管怎樣改變出射引線在圓環(huán)上的位置,電導值基本不受影響,總能取得最大值,更重要的是此時在相同的區(qū)間散粒噪聲值達到最小值;從Fig.2-2(b)與Fig.2-3(b)也可發(fā)現(xiàn)相同的特點,調節(jié)磁通量的大小和圓環(huán)出射引線的位置可以使得電導達到最大值時散粒噪聲達到最小值。Fig.2-4. Fano因子在圓環(huán)周長一定時,隨出射

8、引線位置和磁通的變化圖。如Fig.2-4所示,是Fano因子分別為(a)和(b)時的三維等高圖。Fano因子可以反映系統(tǒng)的相互作用;時,對應于閉合通道,相當于電子全被反射,電子之間的關聯(lián)較大;時,對應于開放通道,相當于電子全透射,電子之間的關聯(lián)最小。由圖中可以看出,的區(qū)域即為電導達到最大值時的區(qū)域,且時電子之間的關聯(lián)最小,電流的漲落為零,所以散粒噪聲為零。Fig.2-5. 電導在圓環(huán)周長一定且出射引線固定時,隨磁通的變化圖。為了研究AB環(huán)的電導隨的變化,在Fig.2-5中畫出了三種情況下的電導圖。的改變可以通過改變入射電子的波矢或者改變圓環(huán)的大小。電導是的以為周期的函數(shù)。我們可以看到,隨著減小

9、,時的電導卻越來越大;且不同,電導達到最大值時所加的磁通量也不同,不與成比例。Fig.2-6. 散粒噪聲(單位為)在圓環(huán)周長一定且出射引線固定時,隨磁通的變化圖。如上圖所示,與Fig.2-5相同的條件下,當時,隨減小,散粒噪聲值也越來越??;越大,散粒噪聲達到最小值時所需的磁通量越來越大。從圖中可以看出,與電導不同,散粒噪聲的周期變大。與Fig.2-5相比較可以看出,在電導的一個周期內,當時,處電導達到極大值,散粒噪聲同時達到極小值;當時,處電導達到極大值,散粒噪聲達到極小值;當時,電導達到極大值,散粒噪聲達到極小值;所以在電導的一個的周期內,總能同時使得電導達到極大值,散粒噪聲達到極小值。Fi

10、g.2-7. Fano因子在和固定時,隨磁通的變化圖。如上圖所示,當時,是電子的相互關聯(lián)最小的情形,所以此處的電導也是達到最大值,與Fig.2-5相對比也可以發(fā)現(xiàn)是相符合的。以上是研究了圓環(huán)加入磁通量時的圓環(huán)輸運特性。下面我們主要討論當不存在磁通量時,AB環(huán)的電導和散粒噪聲。Fig.2-8. 電導和散粒噪聲在一定且不存在磁通時,出射引線位置的變化圖。由Fig.2-8(a)(b)可以看出不存在磁通時,圓環(huán)的電導和散粒噪聲的變化,當一定時,改變出射引線的位置可以使電導和散粒噪聲出現(xiàn)振蕩,而且振蕩成周期性的變化,但并不能使電導到達最大值;更重要的是,如果不存在磁通量的條件下,散粒噪聲和電導同時達到極小值零,并不會出現(xiàn)電導達到最大值時散粒噪聲達到極小值零的情況。2.5 本章小結本章主要研究介觀條件下的圓環(huán)加入磁通量后的電子的輸運特性。首先我們建立了AB環(huán)的模型,利用邊界條件建立方程組,求得電子的透射系數(shù)和反射系數(shù),利用公式求得電導和散粒噪聲。接下來我們分析了圓環(huán)存在磁通量時的電導和散粒噪聲,以及Fano因子,得到了散粒噪聲達到極小值時電導可以達到極大值的結論,我們可以通過調節(jié)圓環(huán)的大小,入射電子的費米波矢,出射引線的位置以及改變磁通量達到目的。最后我們討論了當圓環(huán)不存在磁通量時的輸運特性,在固定其中的一個參數(shù)(由入射電子的費米波矢和圓環(huán)半徑?jīng)Q定)

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